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    激光修調(diào)產(chǎn)品熔絲設(shè)計小結(jié)

    2014-09-01 15:47:58魏本建顧漢玉
    新媒體研究 2014年12期

    魏本建+顧漢玉

    摘要激光修調(diào)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝在我國剛開始發(fā)展應(yīng)用,許多設(shè)計人員對于激光修調(diào)產(chǎn)品的設(shè)計缺少相關(guān)經(jīng)驗。文章采用型號為ESI9XXX激光修調(diào)設(shè)備,通過改變對修調(diào)結(jié)果有重大影響的幾個參數(shù)進行各項試驗,總結(jié)出適合激光修調(diào)設(shè)備的金屬熔絲參數(shù)為產(chǎn)品設(shè)計人員提供指引,使設(shè)計的產(chǎn)品適合于激光修調(diào)設(shè)備,可減少新品的調(diào)試時間,提高所設(shè)計產(chǎn)品的良率,有利于激光修調(diào)工藝在國內(nèi)能更快的推廣和應(yīng)用。

    關(guān)鍵詞熔絲間距;熔絲寬度;熔絲長度;熔絲厚度;氧化層厚度

    中圖分類號:TN402 文獻標識碼:A 文章編號:1671-7597(2014)12-0050-02

    由于半導(dǎo)體器件的發(fā)展,半導(dǎo)體器件集成度越來越高,傳統(tǒng)的電修調(diào)產(chǎn)品工藝已經(jīng)不能滿足市場的需求,應(yīng)市場需求而產(chǎn)生激光修調(diào)工藝技術(shù),相對于傳統(tǒng)電修調(diào)工藝,激光修調(diào)工藝的優(yōu)點在于:由于在芯片表面不需要設(shè)計扎針的PAD位,則可在同樣單位面積上設(shè)計更多的管芯;由于每根熔絲占用的面積很小,可設(shè)計出更多的熔絲用于調(diào)整芯片的參數(shù),從而提高產(chǎn)品的精度和性能;由于利用激光修調(diào)可簡化探針卡的復(fù)雜程度,可用多SITE并行測試提高測試效率;對于熔絲設(shè)計參數(shù)是否適合激光修調(diào)設(shè)備,直接關(guān)系到修調(diào)后產(chǎn)品成品率及修調(diào)時間的問題。所以熔絲設(shè)計參數(shù)就成為修調(diào)產(chǎn)品設(shè)計的重點。

    1實驗過程

    1.1 主要的試驗設(shè)備簡介:ESI9XXXX激光修調(diào)機

    ESI9XXX修調(diào)機由美國制造,應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓修調(diào),采用高精度磁懸浮平面馬達進行XY定位,應(yīng)用激光干涉技術(shù)對平臺移動位置進行監(jiān)控。HP unix操作系統(tǒng),開放式的數(shù)據(jù)處理方式??筛鶕?jù)自身需求對數(shù)據(jù)進行轉(zhuǎn)換。ESI9XXX主要應(yīng)用于修調(diào)、電源控制芯片、存儲器芯片、精確頻率調(diào)整芯片、精密電阻修調(diào)、高精度運放修調(diào)等。

    1.2 激光修調(diào)熔絲的原理

    ESI9XXX型號的激光修調(diào)機是由一個激光發(fā)生器,產(chǎn)生1.32 um波長的光束,光束通過鏡面的反射和透鏡聚焦把激光的能量聚焦在一個點,這個點的大小就是光斑尺寸,能量在0.2uj到2.0uj范圍之間,當這個能量點聚焦在熔絲上,則把熔絲氣化達到調(diào)整芯片參數(shù)的目的。而把熔絲氣化是否完全則跟熔絲的設(shè)計參數(shù)有著密切的關(guān)系,主要是同以下幾個參數(shù)相關(guān)。

    1)熔絲之間的間距(Link pitch)。

    2)熔絲表面的氧化層厚度(oxide thickness)。

    3)熔絲的寬度(Link width)。

    4)熔絲的長度(Link length)。

    5)熔絲的厚度(Link thickness)。

    6)熔絲所位于的METAL層(metal layer)。

    修調(diào)產(chǎn)品有一個要求就是必須排布L MARK圖形。此圖形可位于劃片道里或是在芯片內(nèi)部均可。其寬度在6.0~10 um之間,長度范圍:2~40 um?!癓”的圖案要求光澤度高,平坦無雜質(zhì),棱角清晰(一般為metal層),其周邊20 um*20 um范圍內(nèi)要求平坦無雜質(zhì),且與“L”黑白分明。

    圖1參數(shù)定義

    1.3 設(shè)計晶圓工藝布版

    圓片每個BLOCK有27列FUSE排布,分別標示從fuse0到fuse26,每列有16個PAD位,分別從上到下定義為PAD1到PAD16,27列FUSE用9種不同的工藝制成。分別命名為A,B,C……I。相關(guān)的分布如表1。

    每種不同工藝的熔絲設(shè)計不同的參數(shù):寬度變化、長度變化、間距變化、氧化層厚度變化(1000A、3500A、6000A、-6000A),參數(shù)實驗的熔絲厚度統(tǒng)一采用5000A。

    1.4 采用的修調(diào)方案

    1)Fuse(0~9)修調(diào)第3根,測試第3根是否修斷。

    2)Fuse (15,17,19)修調(diào)第2、4 Fuse,測試第2和第4根是否有修斷,測試第3根是否導(dǎo)通以此來判斷修調(diào)第2和第4根是否有對第3根Fuse有影響。

    3)Fuse(16,18,20)修調(diào)第3根,測試第3根是否有修斷測試第2和第4是否導(dǎo)通以此來判斷修調(diào)第3根是否有對第2、4根Fuse有影響。

    4)Fuse (21~26)修調(diào)1,3,5測試第3根是否有修斷測試第2和第4是否導(dǎo)通以此來判斷修調(diào)1、3、5是否有對 第2、4根Fuse有影響。

    圖2熔絲排列順序

    2結(jié)果與分析

    1)對不同間距的熔絲進行修調(diào),目的是驗證修調(diào)的效果及修調(diào)后對相鄰的熔絲的影響。相關(guān)的數(shù)據(jù)如表2。

    表2不同間距的熔絲修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知Pitch 4~8 um 間距的Fuse,用0.9uj能量3.0 um光斑修條后測量相鄰的熔絲,相鄰熔絲阻值與修調(diào)前一致不受修調(diào)影響;各熔絲的修調(diào)后的阻值均大于20M ohm;在pitch為4 um間距的熔絲外觀有少許的破壞,如圖3。所以建議間距設(shè)為6 um。

    圖3相鄰熔絲受影響

    2)對表面氧化層厚度不同的熔絲進行修調(diào),目的是驗證熔絲表面氧化層厚度不同對修調(diào)效果的影響。相關(guān)的數(shù)據(jù)如表3。

    表3氧化層厚度不同對熔絲修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知熔絲表面氧化層厚度在1000A、3500A、6000A、(-)6000A分別用0.9uj、1.0uj、1.1uj、1.1uj能量和3.0 um光斑進行修調(diào),測量各熔絲修調(diào)后的阻值均大于20M ohm,因此表中的四個氧化層厚度不影響修調(diào)效果。

    3)對不同寬度的熔絲修調(diào),目的是驗證在不同寬度的熔絲修調(diào)效果。相關(guān)的數(shù)據(jù)如表4。

    表4不同寬度的熔絲修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知用1.0uj、3.0um光斑修調(diào)后的阻值均大于30M ohm,所以熔絲的寬度在0.6到1.0 um范圍內(nèi)均適合于設(shè)備要求。建議值為0.8 um。

    4)對于不同長度熔絲修調(diào),目的是驗證不同長度熔絲的修調(diào)效果,相關(guān)的數(shù)據(jù)如表5。

    表5不同長度熔絲修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知用1.0uj、3.0 um光斑修調(diào)后的電阻值均大于30M ohm,所以得出熔絲長度在4到12 um范圍內(nèi)均適合于設(shè)備要求。

    5)對不同METAL層數(shù)的熔絲進行修調(diào),目的是驗證兩層或三層(Double/Triple metal)電路結(jié)構(gòu)的熔絲修調(diào)效果,相關(guān)數(shù)據(jù)如表6。

    表6不同METAL層數(shù)的熔絲進行修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知用1.0uj、3.0 um光斑修調(diào)后阻值均大于29M ohm。所以兩層和三層電路結(jié)構(gòu)適合設(shè)備要求。

    6)對Top metal進行l(wèi)aser trim,目的是驗證Top metal修調(diào)效果。相關(guān)數(shù)據(jù)如表7。

    表7Top metal修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知用1.1uj、3.6 um光斑修調(diào)后阻值均大于20M ohm,用高倍顯微鏡觀測到熔絲周邊有白色殘留物,由于在流片過程中Top metal參雜有一些熔點較高的材料,致使修調(diào)不易完全氣化。不推薦使用,如圖4。

    圖4Top metal外觀

    3結(jié)論與推薦參數(shù)

    對于設(shè)計參數(shù)是否適合ESI9XXX修調(diào)設(shè)備主要判定方法是:熔絲的是否有被修斷及修調(diào)后相鄰熔絲的外觀是否受影響。如果我們通過測量兩端的阻抗值大于10M則認為是修斷,在顯微鏡下通過檢查熔絲表觀不受損則認為表觀符合要求。綜合以上的數(shù)據(jù)及圖片,得出如下的結(jié)論。

    1)據(jù)實驗中所得出的數(shù)據(jù) 建議采用的尺寸:長6 um,寬0.8 um,厚:5000A,間距(Pitch)6 um。

    2)Fuse上氧化層厚度在0~6kA 范圍均可采用。

    3)兩層 Metal以上產(chǎn)品均采用Top-1 Metal Fuse。

    4)Top metal fuse Laser trim后有白霧狀殘留物,不推薦用于metal fuse。

    5)metal Fuse上氧化層厚度宜考慮以薄優(yōu)先的原則。

    4結(jié)束語

    由于傳統(tǒng)電修調(diào)工藝的局限性不能滿足當前半導(dǎo)體工藝發(fā)展的需求,激光修調(diào)工藝在國內(nèi)快速增長,同時由于激光修調(diào)產(chǎn)品有不可重復(fù)性的特點,晶圓的流片周期比較長,投入的資金大,修調(diào)設(shè)備整體價格昂貴,很多的公司無法進行相關(guān)的試驗,本次的試驗?zāi)康氖菫榱舜_定ESI9XXX激光修調(diào)設(shè)備最佳修調(diào)參數(shù),以提高修調(diào)產(chǎn)品的良率,并為客戶的激光修調(diào)產(chǎn)品設(shè)計提供參考。

    參考文獻

    [1]ESI9XXX Service Guide.

    [2]Semiconductor Link Processing System.

    [3]激光世界Laser Focus World 2013年1月1期.

    [4]http://www.doc88.com/p-348627916574.html.

    endprint

    摘要激光修調(diào)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝在我國剛開始發(fā)展應(yīng)用,許多設(shè)計人員對于激光修調(diào)產(chǎn)品的設(shè)計缺少相關(guān)經(jīng)驗。文章采用型號為ESI9XXX激光修調(diào)設(shè)備,通過改變對修調(diào)結(jié)果有重大影響的幾個參數(shù)進行各項試驗,總結(jié)出適合激光修調(diào)設(shè)備的金屬熔絲參數(shù)為產(chǎn)品設(shè)計人員提供指引,使設(shè)計的產(chǎn)品適合于激光修調(diào)設(shè)備,可減少新品的調(diào)試時間,提高所設(shè)計產(chǎn)品的良率,有利于激光修調(diào)工藝在國內(nèi)能更快的推廣和應(yīng)用。

    關(guān)鍵詞熔絲間距;熔絲寬度;熔絲長度;熔絲厚度;氧化層厚度

    中圖分類號:TN402 文獻標識碼:A 文章編號:1671-7597(2014)12-0050-02

    由于半導(dǎo)體器件的發(fā)展,半導(dǎo)體器件集成度越來越高,傳統(tǒng)的電修調(diào)產(chǎn)品工藝已經(jīng)不能滿足市場的需求,應(yīng)市場需求而產(chǎn)生激光修調(diào)工藝技術(shù),相對于傳統(tǒng)電修調(diào)工藝,激光修調(diào)工藝的優(yōu)點在于:由于在芯片表面不需要設(shè)計扎針的PAD位,則可在同樣單位面積上設(shè)計更多的管芯;由于每根熔絲占用的面積很小,可設(shè)計出更多的熔絲用于調(diào)整芯片的參數(shù),從而提高產(chǎn)品的精度和性能;由于利用激光修調(diào)可簡化探針卡的復(fù)雜程度,可用多SITE并行測試提高測試效率;對于熔絲設(shè)計參數(shù)是否適合激光修調(diào)設(shè)備,直接關(guān)系到修調(diào)后產(chǎn)品成品率及修調(diào)時間的問題。所以熔絲設(shè)計參數(shù)就成為修調(diào)產(chǎn)品設(shè)計的重點。

    1實驗過程

    1.1 主要的試驗設(shè)備簡介:ESI9XXXX激光修調(diào)機

    ESI9XXX修調(diào)機由美國制造,應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓修調(diào),采用高精度磁懸浮平面馬達進行XY定位,應(yīng)用激光干涉技術(shù)對平臺移動位置進行監(jiān)控。HP unix操作系統(tǒng),開放式的數(shù)據(jù)處理方式??筛鶕?jù)自身需求對數(shù)據(jù)進行轉(zhuǎn)換。ESI9XXX主要應(yīng)用于修調(diào)、電源控制芯片、存儲器芯片、精確頻率調(diào)整芯片、精密電阻修調(diào)、高精度運放修調(diào)等。

    1.2 激光修調(diào)熔絲的原理

    ESI9XXX型號的激光修調(diào)機是由一個激光發(fā)生器,產(chǎn)生1.32 um波長的光束,光束通過鏡面的反射和透鏡聚焦把激光的能量聚焦在一個點,這個點的大小就是光斑尺寸,能量在0.2uj到2.0uj范圍之間,當這個能量點聚焦在熔絲上,則把熔絲氣化達到調(diào)整芯片參數(shù)的目的。而把熔絲氣化是否完全則跟熔絲的設(shè)計參數(shù)有著密切的關(guān)系,主要是同以下幾個參數(shù)相關(guān)。

    1)熔絲之間的間距(Link pitch)。

    2)熔絲表面的氧化層厚度(oxide thickness)。

    3)熔絲的寬度(Link width)。

    4)熔絲的長度(Link length)。

    5)熔絲的厚度(Link thickness)。

    6)熔絲所位于的METAL層(metal layer)。

    修調(diào)產(chǎn)品有一個要求就是必須排布L MARK圖形。此圖形可位于劃片道里或是在芯片內(nèi)部均可。其寬度在6.0~10 um之間,長度范圍:2~40 um。“L”的圖案要求光澤度高,平坦無雜質(zhì),棱角清晰(一般為metal層),其周邊20 um*20 um范圍內(nèi)要求平坦無雜質(zhì),且與“L”黑白分明。

    圖1參數(shù)定義

    1.3 設(shè)計晶圓工藝布版

    圓片每個BLOCK有27列FUSE排布,分別標示從fuse0到fuse26,每列有16個PAD位,分別從上到下定義為PAD1到PAD16,27列FUSE用9種不同的工藝制成。分別命名為A,B,C……I。相關(guān)的分布如表1。

    每種不同工藝的熔絲設(shè)計不同的參數(shù):寬度變化、長度變化、間距變化、氧化層厚度變化(1000A、3500A、6000A、-6000A),參數(shù)實驗的熔絲厚度統(tǒng)一采用5000A。

    1.4 采用的修調(diào)方案

    1)Fuse(0~9)修調(diào)第3根,測試第3根是否修斷。

    2)Fuse (15,17,19)修調(diào)第2、4 Fuse,測試第2和第4根是否有修斷,測試第3根是否導(dǎo)通以此來判斷修調(diào)第2和第4根是否有對第3根Fuse有影響。

    3)Fuse(16,18,20)修調(diào)第3根,測試第3根是否有修斷測試第2和第4是否導(dǎo)通以此來判斷修調(diào)第3根是否有對第2、4根Fuse有影響。

    4)Fuse (21~26)修調(diào)1,3,5測試第3根是否有修斷測試第2和第4是否導(dǎo)通以此來判斷修調(diào)1、3、5是否有對 第2、4根Fuse有影響。

    圖2熔絲排列順序

    2結(jié)果與分析

    1)對不同間距的熔絲進行修調(diào),目的是驗證修調(diào)的效果及修調(diào)后對相鄰的熔絲的影響。相關(guān)的數(shù)據(jù)如表2。

    表2不同間距的熔絲修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知Pitch 4~8 um 間距的Fuse,用0.9uj能量3.0 um光斑修條后測量相鄰的熔絲,相鄰熔絲阻值與修調(diào)前一致不受修調(diào)影響;各熔絲的修調(diào)后的阻值均大于20M ohm;在pitch為4 um間距的熔絲外觀有少許的破壞,如圖3。所以建議間距設(shè)為6 um。

    圖3相鄰熔絲受影響

    2)對表面氧化層厚度不同的熔絲進行修調(diào),目的是驗證熔絲表面氧化層厚度不同對修調(diào)效果的影響。相關(guān)的數(shù)據(jù)如表3。

    表3氧化層厚度不同對熔絲修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知熔絲表面氧化層厚度在1000A、3500A、6000A、(-)6000A分別用0.9uj、1.0uj、1.1uj、1.1uj能量和3.0 um光斑進行修調(diào),測量各熔絲修調(diào)后的阻值均大于20M ohm,因此表中的四個氧化層厚度不影響修調(diào)效果。

    3)對不同寬度的熔絲修調(diào),目的是驗證在不同寬度的熔絲修調(diào)效果。相關(guān)的數(shù)據(jù)如表4。

    表4不同寬度的熔絲修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知用1.0uj、3.0um光斑修調(diào)后的阻值均大于30M ohm,所以熔絲的寬度在0.6到1.0 um范圍內(nèi)均適合于設(shè)備要求。建議值為0.8 um。

    4)對于不同長度熔絲修調(diào),目的是驗證不同長度熔絲的修調(diào)效果,相關(guān)的數(shù)據(jù)如表5。

    表5不同長度熔絲修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知用1.0uj、3.0 um光斑修調(diào)后的電阻值均大于30M ohm,所以得出熔絲長度在4到12 um范圍內(nèi)均適合于設(shè)備要求。

    5)對不同METAL層數(shù)的熔絲進行修調(diào),目的是驗證兩層或三層(Double/Triple metal)電路結(jié)構(gòu)的熔絲修調(diào)效果,相關(guān)數(shù)據(jù)如表6。

    表6不同METAL層數(shù)的熔絲進行修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知用1.0uj、3.0 um光斑修調(diào)后阻值均大于29M ohm。所以兩層和三層電路結(jié)構(gòu)適合設(shè)備要求。

    6)對Top metal進行l(wèi)aser trim,目的是驗證Top metal修調(diào)效果。相關(guān)數(shù)據(jù)如表7。

    表7Top metal修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知用1.1uj、3.6 um光斑修調(diào)后阻值均大于20M ohm,用高倍顯微鏡觀測到熔絲周邊有白色殘留物,由于在流片過程中Top metal參雜有一些熔點較高的材料,致使修調(diào)不易完全氣化。不推薦使用,如圖4。

    圖4Top metal外觀

    3結(jié)論與推薦參數(shù)

    對于設(shè)計參數(shù)是否適合ESI9XXX修調(diào)設(shè)備主要判定方法是:熔絲的是否有被修斷及修調(diào)后相鄰熔絲的外觀是否受影響。如果我們通過測量兩端的阻抗值大于10M則認為是修斷,在顯微鏡下通過檢查熔絲表觀不受損則認為表觀符合要求。綜合以上的數(shù)據(jù)及圖片,得出如下的結(jié)論。

    1)據(jù)實驗中所得出的數(shù)據(jù) 建議采用的尺寸:長6 um,寬0.8 um,厚:5000A,間距(Pitch)6 um。

    2)Fuse上氧化層厚度在0~6kA 范圍均可采用。

    3)兩層 Metal以上產(chǎn)品均采用Top-1 Metal Fuse。

    4)Top metal fuse Laser trim后有白霧狀殘留物,不推薦用于metal fuse。

    5)metal Fuse上氧化層厚度宜考慮以薄優(yōu)先的原則。

    4結(jié)束語

    由于傳統(tǒng)電修調(diào)工藝的局限性不能滿足當前半導(dǎo)體工藝發(fā)展的需求,激光修調(diào)工藝在國內(nèi)快速增長,同時由于激光修調(diào)產(chǎn)品有不可重復(fù)性的特點,晶圓的流片周期比較長,投入的資金大,修調(diào)設(shè)備整體價格昂貴,很多的公司無法進行相關(guān)的試驗,本次的試驗?zāi)康氖菫榱舜_定ESI9XXX激光修調(diào)設(shè)備最佳修調(diào)參數(shù),以提高修調(diào)產(chǎn)品的良率,并為客戶的激光修調(diào)產(chǎn)品設(shè)計提供參考。

    參考文獻

    [1]ESI9XXX Service Guide.

    [2]Semiconductor Link Processing System.

    [3]激光世界Laser Focus World 2013年1月1期.

    [4]http://www.doc88.com/p-348627916574.html.

    endprint

    摘要激光修調(diào)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝在我國剛開始發(fā)展應(yīng)用,許多設(shè)計人員對于激光修調(diào)產(chǎn)品的設(shè)計缺少相關(guān)經(jīng)驗。文章采用型號為ESI9XXX激光修調(diào)設(shè)備,通過改變對修調(diào)結(jié)果有重大影響的幾個參數(shù)進行各項試驗,總結(jié)出適合激光修調(diào)設(shè)備的金屬熔絲參數(shù)為產(chǎn)品設(shè)計人員提供指引,使設(shè)計的產(chǎn)品適合于激光修調(diào)設(shè)備,可減少新品的調(diào)試時間,提高所設(shè)計產(chǎn)品的良率,有利于激光修調(diào)工藝在國內(nèi)能更快的推廣和應(yīng)用。

    關(guān)鍵詞熔絲間距;熔絲寬度;熔絲長度;熔絲厚度;氧化層厚度

    中圖分類號:TN402 文獻標識碼:A 文章編號:1671-7597(2014)12-0050-02

    由于半導(dǎo)體器件的發(fā)展,半導(dǎo)體器件集成度越來越高,傳統(tǒng)的電修調(diào)產(chǎn)品工藝已經(jīng)不能滿足市場的需求,應(yīng)市場需求而產(chǎn)生激光修調(diào)工藝技術(shù),相對于傳統(tǒng)電修調(diào)工藝,激光修調(diào)工藝的優(yōu)點在于:由于在芯片表面不需要設(shè)計扎針的PAD位,則可在同樣單位面積上設(shè)計更多的管芯;由于每根熔絲占用的面積很小,可設(shè)計出更多的熔絲用于調(diào)整芯片的參數(shù),從而提高產(chǎn)品的精度和性能;由于利用激光修調(diào)可簡化探針卡的復(fù)雜程度,可用多SITE并行測試提高測試效率;對于熔絲設(shè)計參數(shù)是否適合激光修調(diào)設(shè)備,直接關(guān)系到修調(diào)后產(chǎn)品成品率及修調(diào)時間的問題。所以熔絲設(shè)計參數(shù)就成為修調(diào)產(chǎn)品設(shè)計的重點。

    1實驗過程

    1.1 主要的試驗設(shè)備簡介:ESI9XXXX激光修調(diào)機

    ESI9XXX修調(diào)機由美國制造,應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓修調(diào),采用高精度磁懸浮平面馬達進行XY定位,應(yīng)用激光干涉技術(shù)對平臺移動位置進行監(jiān)控。HP unix操作系統(tǒng),開放式的數(shù)據(jù)處理方式??筛鶕?jù)自身需求對數(shù)據(jù)進行轉(zhuǎn)換。ESI9XXX主要應(yīng)用于修調(diào)、電源控制芯片、存儲器芯片、精確頻率調(diào)整芯片、精密電阻修調(diào)、高精度運放修調(diào)等。

    1.2 激光修調(diào)熔絲的原理

    ESI9XXX型號的激光修調(diào)機是由一個激光發(fā)生器,產(chǎn)生1.32 um波長的光束,光束通過鏡面的反射和透鏡聚焦把激光的能量聚焦在一個點,這個點的大小就是光斑尺寸,能量在0.2uj到2.0uj范圍之間,當這個能量點聚焦在熔絲上,則把熔絲氣化達到調(diào)整芯片參數(shù)的目的。而把熔絲氣化是否完全則跟熔絲的設(shè)計參數(shù)有著密切的關(guān)系,主要是同以下幾個參數(shù)相關(guān)。

    1)熔絲之間的間距(Link pitch)。

    2)熔絲表面的氧化層厚度(oxide thickness)。

    3)熔絲的寬度(Link width)。

    4)熔絲的長度(Link length)。

    5)熔絲的厚度(Link thickness)。

    6)熔絲所位于的METAL層(metal layer)。

    修調(diào)產(chǎn)品有一個要求就是必須排布L MARK圖形。此圖形可位于劃片道里或是在芯片內(nèi)部均可。其寬度在6.0~10 um之間,長度范圍:2~40 um?!癓”的圖案要求光澤度高,平坦無雜質(zhì),棱角清晰(一般為metal層),其周邊20 um*20 um范圍內(nèi)要求平坦無雜質(zhì),且與“L”黑白分明。

    圖1參數(shù)定義

    1.3 設(shè)計晶圓工藝布版

    圓片每個BLOCK有27列FUSE排布,分別標示從fuse0到fuse26,每列有16個PAD位,分別從上到下定義為PAD1到PAD16,27列FUSE用9種不同的工藝制成。分別命名為A,B,C……I。相關(guān)的分布如表1。

    每種不同工藝的熔絲設(shè)計不同的參數(shù):寬度變化、長度變化、間距變化、氧化層厚度變化(1000A、3500A、6000A、-6000A),參數(shù)實驗的熔絲厚度統(tǒng)一采用5000A。

    1.4 采用的修調(diào)方案

    1)Fuse(0~9)修調(diào)第3根,測試第3根是否修斷。

    2)Fuse (15,17,19)修調(diào)第2、4 Fuse,測試第2和第4根是否有修斷,測試第3根是否導(dǎo)通以此來判斷修調(diào)第2和第4根是否有對第3根Fuse有影響。

    3)Fuse(16,18,20)修調(diào)第3根,測試第3根是否有修斷測試第2和第4是否導(dǎo)通以此來判斷修調(diào)第3根是否有對第2、4根Fuse有影響。

    4)Fuse (21~26)修調(diào)1,3,5測試第3根是否有修斷測試第2和第4是否導(dǎo)通以此來判斷修調(diào)1、3、5是否有對 第2、4根Fuse有影響。

    圖2熔絲排列順序

    2結(jié)果與分析

    1)對不同間距的熔絲進行修調(diào),目的是驗證修調(diào)的效果及修調(diào)后對相鄰的熔絲的影響。相關(guān)的數(shù)據(jù)如表2。

    表2不同間距的熔絲修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知Pitch 4~8 um 間距的Fuse,用0.9uj能量3.0 um光斑修條后測量相鄰的熔絲,相鄰熔絲阻值與修調(diào)前一致不受修調(diào)影響;各熔絲的修調(diào)后的阻值均大于20M ohm;在pitch為4 um間距的熔絲外觀有少許的破壞,如圖3。所以建議間距設(shè)為6 um。

    圖3相鄰熔絲受影響

    2)對表面氧化層厚度不同的熔絲進行修調(diào),目的是驗證熔絲表面氧化層厚度不同對修調(diào)效果的影響。相關(guān)的數(shù)據(jù)如表3。

    表3氧化層厚度不同對熔絲修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知熔絲表面氧化層厚度在1000A、3500A、6000A、(-)6000A分別用0.9uj、1.0uj、1.1uj、1.1uj能量和3.0 um光斑進行修調(diào),測量各熔絲修調(diào)后的阻值均大于20M ohm,因此表中的四個氧化層厚度不影響修調(diào)效果。

    3)對不同寬度的熔絲修調(diào),目的是驗證在不同寬度的熔絲修調(diào)效果。相關(guān)的數(shù)據(jù)如表4。

    表4不同寬度的熔絲修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知用1.0uj、3.0um光斑修調(diào)后的阻值均大于30M ohm,所以熔絲的寬度在0.6到1.0 um范圍內(nèi)均適合于設(shè)備要求。建議值為0.8 um。

    4)對于不同長度熔絲修調(diào),目的是驗證不同長度熔絲的修調(diào)效果,相關(guān)的數(shù)據(jù)如表5。

    表5不同長度熔絲修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知用1.0uj、3.0 um光斑修調(diào)后的電阻值均大于30M ohm,所以得出熔絲長度在4到12 um范圍內(nèi)均適合于設(shè)備要求。

    5)對不同METAL層數(shù)的熔絲進行修調(diào),目的是驗證兩層或三層(Double/Triple metal)電路結(jié)構(gòu)的熔絲修調(diào)效果,相關(guān)數(shù)據(jù)如表6。

    表6不同METAL層數(shù)的熔絲進行修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知用1.0uj、3.0 um光斑修調(diào)后阻值均大于29M ohm。所以兩層和三層電路結(jié)構(gòu)適合設(shè)備要求。

    6)對Top metal進行l(wèi)aser trim,目的是驗證Top metal修調(diào)效果。相關(guān)數(shù)據(jù)如表7。

    表7Top metal修調(diào)后的測量數(shù)據(jù)

    從以上數(shù)據(jù)可知用1.1uj、3.6 um光斑修調(diào)后阻值均大于20M ohm,用高倍顯微鏡觀測到熔絲周邊有白色殘留物,由于在流片過程中Top metal參雜有一些熔點較高的材料,致使修調(diào)不易完全氣化。不推薦使用,如圖4。

    圖4Top metal外觀

    3結(jié)論與推薦參數(shù)

    對于設(shè)計參數(shù)是否適合ESI9XXX修調(diào)設(shè)備主要判定方法是:熔絲的是否有被修斷及修調(diào)后相鄰熔絲的外觀是否受影響。如果我們通過測量兩端的阻抗值大于10M則認為是修斷,在顯微鏡下通過檢查熔絲表觀不受損則認為表觀符合要求。綜合以上的數(shù)據(jù)及圖片,得出如下的結(jié)論。

    1)據(jù)實驗中所得出的數(shù)據(jù) 建議采用的尺寸:長6 um,寬0.8 um,厚:5000A,間距(Pitch)6 um。

    2)Fuse上氧化層厚度在0~6kA 范圍均可采用。

    3)兩層 Metal以上產(chǎn)品均采用Top-1 Metal Fuse。

    4)Top metal fuse Laser trim后有白霧狀殘留物,不推薦用于metal fuse。

    5)metal Fuse上氧化層厚度宜考慮以薄優(yōu)先的原則。

    4結(jié)束語

    由于傳統(tǒng)電修調(diào)工藝的局限性不能滿足當前半導(dǎo)體工藝發(fā)展的需求,激光修調(diào)工藝在國內(nèi)快速增長,同時由于激光修調(diào)產(chǎn)品有不可重復(fù)性的特點,晶圓的流片周期比較長,投入的資金大,修調(diào)設(shè)備整體價格昂貴,很多的公司無法進行相關(guān)的試驗,本次的試驗?zāi)康氖菫榱舜_定ESI9XXX激光修調(diào)設(shè)備最佳修調(diào)參數(shù),以提高修調(diào)產(chǎn)品的良率,并為客戶的激光修調(diào)產(chǎn)品設(shè)計提供參考。

    參考文獻

    [1]ESI9XXX Service Guide.

    [2]Semiconductor Link Processing System.

    [3]激光世界Laser Focus World 2013年1月1期.

    [4]http://www.doc88.com/p-348627916574.html.

    endprint

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