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    EBG結(jié)構(gòu)散射特性對(duì)天線前后比性能的影響

    2014-07-09 22:13:30陳壁堅(jiān)賴(lài)展軍薛鋒章
    移動(dòng)通信 2014年6期
    關(guān)鍵詞:阻帶表面波微帶

    陳壁堅(jiān) 賴(lài)展軍 薛鋒章

    仿真研究mushroom形式的EBG結(jié)構(gòu),所得結(jié)果揭示了EBG結(jié)構(gòu)表面波帶隙與傳輸特性曲線阻帶不一致的原因是EBG結(jié)構(gòu)在表面波帶隙內(nèi)的某些頻段上對(duì)表面波有較強(qiáng)的散射,并利用微帶貼片天線模型進(jìn)行驗(yàn)證,表明EBG結(jié)構(gòu)的散射特性會(huì)使得貼片天線前后比惡化。通過(guò)適當(dāng)調(diào)整EBG結(jié)構(gòu)尺寸,在保證表面波帶隙幾乎不變的情況下,將較強(qiáng)散射頻段移出帶隙范圍,使得在整個(gè)表面波帶隙內(nèi)貼片天線前后比都有較大的改善,同時(shí)保證了表面波帶隙、傳輸特性曲線阻帶和貼片天線前后比改善頻段的一致性。

    EBG結(jié)構(gòu) 傳輸特性曲線阻帶 表面波帶隙 散射特性

    1 前言

    1987年,美國(guó)Bell實(shí)驗(yàn)室的E.Yablonovitch[1]和Princeton[2]大學(xué)的S.John在研究如何抑制自發(fā)輻射和無(wú)序電介質(zhì)材料中的光子局域時(shí),各自獨(dú)立提出了光子晶體(Photonic Crystal)這一新概念,引起了世界各國(guó)科研機(jī)構(gòu)的關(guān)注,早期的研究主要集中在光子晶體禁帶的理論計(jì)算方面,接著逐漸轉(zhuǎn)移到試驗(yàn)和應(yīng)用技術(shù)上的研究。但是由于光學(xué)波段的尺寸很小,加工工藝要求高,人工制作光子晶體存在一定的困難。在這樣的大背景下,由于微波頻段比光學(xué)波段頻率低,加工上的困難大大降低,因此光子晶體在微波頻段上的研究成為一個(gè)重要的方向并快速開(kāi)展起來(lái),用以形容這類(lèi)微波光子晶體的專(zhuān)門(mén)術(shù)語(yǔ)EBG(Electromagnetic Bandgap,電磁帶隙)結(jié)構(gòu)也同時(shí)被提出。隨著1999年D.Sievenpiper提出了基于普通印制板微帶基片的mushroom EBG結(jié)構(gòu)[3],這類(lèi)EBG結(jié)構(gòu)很快受到重視,且有關(guān)其理論、應(yīng)用方面的研究也日趨成熟。

    EBG結(jié)構(gòu)有兩種主要特性:同相反射特性(PMC-like)和表面波帶隙特性。在天線設(shè)計(jì)中,同相反射特性主要用來(lái)實(shí)現(xiàn)低剖面天線[4];表面波帶隙特性主要用來(lái)抑制天線中的表面波,提高天線的效率或者改善天線的前后比[5,6],也可以應(yīng)用到天線陣列中以減小互耦和消除掃描盲點(diǎn)[7]。隨著各類(lèi)計(jì)算電磁場(chǎng)算法以及電磁仿真軟件的發(fā)展,越來(lái)越多的學(xué)者利用電磁仿真軟件對(duì)EBG結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究[8],同時(shí)將其應(yīng)用到天線的設(shè)計(jì)中,建立起天線性能的改善與EBG結(jié)構(gòu)特性的對(duì)應(yīng)關(guān)系[9]。在2012年,Mehdi Hosseini和David M.Klymyshyn指出EBG結(jié)構(gòu)存在自身的輻射特性,即在某些頻段上,EBG結(jié)構(gòu)比在其它頻段能夠更加有效率地輻射電磁能量[10]??紤]到天線發(fā)射與接收電磁能量的對(duì)應(yīng)關(guān)系,電磁波在不同頻段上對(duì)物體入射而散射的能量也不相同,這些散射的能量將會(huì)對(duì)原來(lái)置于其上的天線的輻射產(chǎn)生影響,改變?cè)瓉?lái)的輻射方向圖,使得方向圖出現(xiàn)畸形,有可能背離利用EBG結(jié)構(gòu)改善天線輻射方向圖的初衷,而且如果EBG結(jié)構(gòu)散射強(qiáng)的頻段落在所需要的表面波帶隙范圍內(nèi),將使得利用表面波帶隙來(lái)確定EBG效應(yīng)產(chǎn)生的頻段出現(xiàn)不一致的現(xiàn)象。

    在之前的研究中,大多沒(méi)有考慮到EBG結(jié)構(gòu)的散射對(duì)原來(lái)天線的方向圖造成的影響。鑒于此,本文將以D.Sievenpiper的mushroom EBG結(jié)構(gòu)為例,揭示EBG結(jié)構(gòu)對(duì)電磁波的散射能量對(duì)天線的前后比造成的影響,并指出在設(shè)計(jì)相應(yīng)表面波帶隙頻段的EBG結(jié)構(gòu)時(shí),需要考慮EBG結(jié)構(gòu)自身的散射特性進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),將散射較強(qiáng)對(duì)應(yīng)的頻段排除在帶隙之外。

    2 仿真分析

    本文采用的EBG結(jié)構(gòu)單元尺寸如圖1所示,假設(shè)介質(zhì)板的介質(zhì)損耗為0。

    圖1 EBG結(jié)構(gòu)單元尺寸

    D.Sievenpiper指出EBG結(jié)構(gòu)的工作機(jī)理可以用等效LC并聯(lián)局域諧振電路來(lái)表征,等效模型中的電感來(lái)自于流過(guò)金屬過(guò)孔的電流,電容C是由于相鄰金屬貼片之間的縫隙影響,對(duì)于圖1所示的EBG結(jié)構(gòu),利用D.Sievenpiper提供的等效模型公式[3]計(jì)算得到諧振頻率。

    等效電容值:

    (1)

    等效電感值:

    L=μ0t=4π×10-7×0.001 27≈1.6nH (2)

    諧振頻率:

    (3)

    利用得到的諧振頻率可以對(duì)EBG結(jié)構(gòu)進(jìn)行初步的評(píng)估,例如作為中心頻點(diǎn)選取仿真頻段,減少電磁仿真軟件的試探時(shí)間。對(duì)EBG單元結(jié)構(gòu)建立周期邊界,采用基于有限元法的電磁仿真軟件Ansoft HFSS進(jìn)行仿真,對(duì)于表面波帶隙特性和反射相位特性分別采用文獻(xiàn)[11]和文獻(xiàn)[9]中的方法,計(jì)算出來(lái)的表面波帶隙圖和反射相位圖如圖2所示。表面波帶隙的范圍為4.23—4.72GHz,在這個(gè)頻段內(nèi)不存在任何模式的表面波,EBG結(jié)構(gòu)對(duì)表面波呈現(xiàn)高阻抗特性;反射相位特性的頻帶范圍一般采用±90deg進(jìn)行確定,該EBG結(jié)構(gòu)的同相反射頻率為5.48GHz,頻帶范圍為5.09—5.89GHz。由此可見(jiàn),表面波帶隙和同相反射頻段是不重合的,在利用表面波帶隙時(shí)可排除同相反射特性的影響。

    (a)

    (b)

    圖2 表面波帶隙圖(a)和反射相位圖(b)

    考慮到利用HFSS軟件的諧振模式來(lái)研究表面波帶隙需要耗費(fèi)大量時(shí)間且對(duì)計(jì)算機(jī)配置要求較高,大多數(shù)的研究[3,12]利用傳輸特性曲線中的阻帶來(lái)近似表示表面波帶隙的范圍,并給出了兩者的對(duì)應(yīng)關(guān)系。文獻(xiàn)[3]和文獻(xiàn)[13]在HFSS軟件中建立模型如圖3(a)所示(單元結(jié)構(gòu)參數(shù)見(jiàn)圖1),仿真得到傳輸特性曲線如圖3(b)所示。

    (a)

    (b)

    (c)

    圖3 探針饋電模型(a)以及得到的傳輸特性曲線(b)和輻射損耗比例圖(c)

    由圖3(b)可以看出,傳輸特性曲線的阻帶大致在4.12—4.44GHz和4.86—5.15GHz之間,與表面波帶隙頻段(4.23—4.72GHz)不一致,傳輸特性曲線沒(méi)有在4.23—4.72GHz頻段內(nèi)都呈現(xiàn)阻帶特性,而是在4.74GHz頻點(diǎn)附近存在通帶??紤]到EBG結(jié)構(gòu)的開(kāi)放性以及受到文獻(xiàn)[10]的啟發(fā),猜想主要原因是EBG結(jié)構(gòu)對(duì)不同頻段表面波的輻射能力不同,在某些頻段上輻射能力較強(qiáng),部分能量被輻射而導(dǎo)致在4.74GHz頻點(diǎn)附近存在通帶。利用該模型HFSS軟件仿真得到的數(shù)據(jù),可以進(jìn)行驗(yàn)證。endprint

    在HFSS軟件中,假定輸入端口1的功率為1W,S參數(shù)S11表示端口1輸入的功率反射回端口1的功率所占的比例,而S12表示端口1輸入的功率傳輸?shù)蕉丝?的功率所占的比例,則網(wǎng)絡(luò)中的功率損耗可表示為:

    PLoss=Pin-P1-P2=Pin(1-|S11|2-|S12|2) (4)

    損耗的能量所占總輸入能量的比例為:

    (5)

    其中,Pin表示輸入端口1輸入的總能量;PLoss表示損耗的能量。假如PLoss/Pin不為0,則表示存在部分能量損耗。經(jīng)過(guò)驗(yàn)證,在一般mushroom形式的EBG結(jié)構(gòu)中,該能量損耗既不是由于導(dǎo)體或者介質(zhì)損耗引起的(或者該損耗小到可以忽略),也不是由于不同電磁波模式的相互轉(zhuǎn)換引起的,而是由于EBG結(jié)構(gòu)在某些頻段上自身輻射能力較強(qiáng)導(dǎo)致的輻射損耗。

    按照上文的分析,做出EBG結(jié)構(gòu)輻射損耗的比例圖(公式5),如圖3(c)所示,在4.74GHz頻點(diǎn)附近(4.6—4.8GHz)存在較大的輻射損耗,該輻射損耗的能量占總輸入能量的15%以上。以上分析中是將EBG結(jié)構(gòu)當(dāng)作發(fā)射天線,若將EBG結(jié)構(gòu)作為天線的反射板,考慮到天線發(fā)射與接收的對(duì)應(yīng)關(guān)系,電磁表面波在EBG結(jié)構(gòu)上不同頻率的散射能力與EBG結(jié)構(gòu)被當(dāng)作發(fā)射天線在不同頻率上的輻射能力對(duì)應(yīng)。假如用該EBG結(jié)構(gòu)代替天線的金屬反射板,則在4.6—4.8GHz頻段內(nèi)EBG結(jié)構(gòu)由于散射而引起的輻射會(huì)與原來(lái)天線的輻射疊加,從而影響到原來(lái)天線的輻射方向圖,有可能導(dǎo)致輻射參數(shù)惡化,而且在4.74GHz頻點(diǎn)附近有最大的影響。

    鑒于EBG結(jié)構(gòu)在改善微帶貼片天線前后比上的應(yīng)用已經(jīng)有相當(dāng)數(shù)量的論文[6,14]呈現(xiàn),因此采用微帶貼片天線模型對(duì)上文得到的結(jié)論進(jìn)行驗(yàn)證。將該EBG結(jié)構(gòu)置于微帶貼片天線下面作為反射板,如圖4(a)所示,并將結(jié)果與沒(méi)有EBG結(jié)構(gòu)的理想導(dǎo)體反射板作比較,結(jié)果如圖4(b)和4(c)所示。

    (a)

    (b)

    (c)

    圖4 EBG反射板微帶貼片天線模型(a)以及其前后比曲線圖(b)和水平面方向圖(c)

    圖4(b)給出了微帶貼片天線模型有和沒(méi)有EBG結(jié)構(gòu)的前后比曲線圖,黃色區(qū)域表示有EBG結(jié)構(gòu)相對(duì)于沒(méi)有EBG結(jié)構(gòu)的模型的前后比改善范圍;圖4(c)給出了兩種情況的水平面方向圖。正如上文所預(yù)料到的,在4.74GHz頻點(diǎn)附近的頻段內(nèi)(如4.7GHz和4.8GHz),EBG的存在導(dǎo)致方向圖與不帶EBG結(jié)構(gòu)的貼片天線方向圖出現(xiàn)很大的差別,包括前后比的各項(xiàng)輻射性能指標(biāo)都惡化,而在4.33—4.6GHz和4.94—5.1GHz頻段,前后比得到改善,對(duì)比傳輸特性曲線阻帶(4.12—4.44GHz和4.86—5.15GHz),兩種方式得到的頻段具有一致性,但是都沒(méi)有與表面波帶隙范圍對(duì)應(yīng)。因此,在設(shè)計(jì)特定表面波帶隙的EBG結(jié)構(gòu)時(shí),有可能存在表面波帶隙與傳輸特性曲線頻段不對(duì)應(yīng)的情況,原因是EBG結(jié)構(gòu)對(duì)表面波散射能力較強(qiáng)的頻段落在表面波帶隙內(nèi),而且在該頻段內(nèi),用于驗(yàn)證的貼片天線的前后比性能惡化,利用表面波帶隙判斷改善天線性能的頻帶范圍不準(zhǔn)確。故可以猜想,若將EBG結(jié)構(gòu)對(duì)表面波散射較強(qiáng)的頻段排除在表面波帶隙外,表面波帶隙將會(huì)與傳輸特性曲線阻帶一致,在整個(gè)頻帶范圍內(nèi)都起到改善貼片天線前后比性能的效果。

    3 EBG結(jié)構(gòu)優(yōu)化

    上文中已經(jīng)明確得出若天線工作于EBG結(jié)構(gòu)散射較強(qiáng)的頻段內(nèi),其方向圖將會(huì)出現(xiàn)畸形,背離想要利用EBG結(jié)構(gòu)進(jìn)行天線輻射性能優(yōu)化的目標(biāo)。因此,必須對(duì)該EBG結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化調(diào)整:一方面,保證所需要改善前后比的頻段仍落在EBG結(jié)構(gòu)的表面波帶隙位置內(nèi);另一方面,要將EBG結(jié)構(gòu)散射較強(qiáng)的頻段移出需要的頻段,以保證在整個(gè)需要的頻段內(nèi)EBG結(jié)構(gòu)都能夠改善天線的輻射性能。

    EBG結(jié)構(gòu)尺寸的改變對(duì)表面波帶隙的影響,不少文獻(xiàn)[15]已經(jīng)給出結(jié)論,現(xiàn)將已有的結(jié)論不加證明地列出,如表1所示(第1列至第3列)。

    對(duì)于EBG結(jié)構(gòu)尺寸變化對(duì)最大輻射損耗頻率的影響,利用HFSS軟件結(jié)合圖3(a)進(jìn)行仿真探究,得到的結(jié)論如表1中第4列所示。

    利用表1得到的規(guī)律,對(duì)原來(lái)的EBG結(jié)構(gòu)進(jìn)行修改,通過(guò)對(duì)不同尺寸變化的嘗試,組合出一個(gè)比較理想的方案:將縫隙縮窄為0.1mm,同時(shí)將通孔放大為原來(lái)的2倍(r=0.24mm)。按照表1的結(jié)論,表面波帶隙受制于兩個(gè)尺寸的變化會(huì)大致保持不變,而同時(shí)最大損耗頻率大幅度增大,最終落在表面波帶隙外。在實(shí)際仿真中也驗(yàn)證了上述結(jié)論,該方案仿真得到的結(jié)果如圖5所示:

    (a)

    '

    (b)

    圖5 優(yōu)化后的表面波帶隙圖(a)和輻射損耗比例圖(b)

    優(yōu)化后模型的表面波帶隙在4.38—4.85GHz頻帶內(nèi),而且在該頻帶內(nèi)輻射損耗能量所占總輸入能量的比例小于7%,最大輻射損耗頻點(diǎn)落在表面波帶隙外(大于或等于5.5GHz)。理論上,最大輻射損耗頻率已經(jīng)移出表面波帶隙范圍,對(duì)此模型仍然可以采用上文提到的微帶貼片天線模型進(jìn)行前后比性能改善的驗(yàn)證。

    仿照?qǐng)D4(a),將優(yōu)化后的EBG結(jié)構(gòu)放置到貼片天線下替換該天線的金屬底板,在HFSS軟件中仿真得到的結(jié)果如圖6所示。圖6(a)中曲線的表示與圖4(c)相同,圖6(b)為4.7GHz(藍(lán)色)和4.8GHz(紅色)的水平面圖。

    (a)

    (b)

    圖6 前后比曲線圖(a)和4.7GHz、4.8GHz頻點(diǎn)的水平面方向圖(b)

    由圖6可以看出,4.36—4.96GHz頻段前后比都有改善,其中4.5—4.7GHz頻段有較大的改善,最大的改善達(dá)到8dB。對(duì)比圖5得到的表面波帶隙范圍(4.38—4.85GHz),前后比改善的頻段與表面波帶隙范圍幾乎完全一致。改善前后的方向圖如圖6(b)所示,增益值也有所改善。至此,達(dá)到了需要的目的:通過(guò)調(diào)節(jié)EBG結(jié)構(gòu)的尺寸,將EBG結(jié)構(gòu)散射較強(qiáng)的頻段移出表面波帶隙并保持帶隙范圍幾乎不變,在整個(gè)表面波帶隙范圍內(nèi)改善了前后比,使得表面波帶隙、傳輸特性曲線阻帶以及貼片天線前后比改善頻段相一致。endprint

    同時(shí),從圖6中可以看出,前后比的改善一方面是由于抑制了后瓣的功率;另一方面是由于提高了天線的增益。之前的研究也表明[6],EBG結(jié)構(gòu)在表面波帶隙內(nèi)能夠提高微帶貼片天線的增益。除了增益和前后比之外,EBG結(jié)構(gòu)對(duì)微帶貼片天線的其它輻射參數(shù)的影響并不大。關(guān)于EBG結(jié)構(gòu)對(duì)微帶貼片天線阻抗參數(shù)的影響,文獻(xiàn)[16]指出EBG結(jié)構(gòu)能夠展寬天線的阻抗帶寬,但是本文沒(méi)有在這方面做深入研究。

    綜上所述,利用EBG結(jié)構(gòu)改善微帶貼片天線前后比,能夠保證天線的其它參數(shù)不會(huì)惡化,甚至還能夠提升某些重要參數(shù)(比如增益值)的性能。

    4 結(jié)論

    本文分析了EBG結(jié)構(gòu)表面波帶隙和傳輸特性曲線阻帶兩個(gè)頻帶有可能不一致的原因,指出EBG結(jié)構(gòu)對(duì)不同頻率表面波的散射能力不同,若散射能力較強(qiáng)的頻段落在表面波帶隙內(nèi),則會(huì)導(dǎo)致表面波帶隙和傳輸特性曲線阻帶不一致,而且會(huì)使得置于其上的貼片天線輻射性能出現(xiàn)惡化。同時(shí),還給出了一種移除EBG結(jié)構(gòu)散射較強(qiáng)頻段且保持表面波帶隙范圍不變的指導(dǎo)方法,并利用微帶貼片模型進(jìn)行驗(yàn)證,在整個(gè)表面波帶隙范圍內(nèi)都能夠改善微帶貼片天線的前后比,使得表面波帶隙、傳輸特性曲線阻帶以及貼片天線前后比改善頻段三者相一致。

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    同時(shí),從圖6中可以看出,前后比的改善一方面是由于抑制了后瓣的功率;另一方面是由于提高了天線的增益。之前的研究也表明[6],EBG結(jié)構(gòu)在表面波帶隙內(nèi)能夠提高微帶貼片天線的增益。除了增益和前后比之外,EBG結(jié)構(gòu)對(duì)微帶貼片天線的其它輻射參數(shù)的影響并不大。關(guān)于EBG結(jié)構(gòu)對(duì)微帶貼片天線阻抗參數(shù)的影響,文獻(xiàn)[16]指出EBG結(jié)構(gòu)能夠展寬天線的阻抗帶寬,但是本文沒(méi)有在這方面做深入研究。

    綜上所述,利用EBG結(jié)構(gòu)改善微帶貼片天線前后比,能夠保證天線的其它參數(shù)不會(huì)惡化,甚至還能夠提升某些重要參數(shù)(比如增益值)的性能。

    4 結(jié)論

    本文分析了EBG結(jié)構(gòu)表面波帶隙和傳輸特性曲線阻帶兩個(gè)頻帶有可能不一致的原因,指出EBG結(jié)構(gòu)對(duì)不同頻率表面波的散射能力不同,若散射能力較強(qiáng)的頻段落在表面波帶隙內(nèi),則會(huì)導(dǎo)致表面波帶隙和傳輸特性曲線阻帶不一致,而且會(huì)使得置于其上的貼片天線輻射性能出現(xiàn)惡化。同時(shí),還給出了一種移除EBG結(jié)構(gòu)散射較強(qiáng)頻段且保持表面波帶隙范圍不變的指導(dǎo)方法,并利用微帶貼片模型進(jìn)行驗(yàn)證,在整個(gè)表面波帶隙范圍內(nèi)都能夠改善微帶貼片天線的前后比,使得表面波帶隙、傳輸特性曲線阻帶以及貼片天線前后比改善頻段三者相一致。

    參考文獻(xiàn):

    [1] E Yablonovitch. Inhibited Spontaneous Emission in Solid-state Physics and Electronics[J]. Phys Rev Lett, 1987,58: 2059-2062.

    [2] S John. Strong Localization of Photons in Certain Disorded Dielectric Superlattices[J]. Phys Rev Lett, 1987,58: 2486-2489.

    [3] Dan Sievenpiper, Lijun Zhang, Romulo F Jimenez Broas, et al. High-impedance Electromagnetic Surfaces With A Forbidden Frequency Band[J]. IEEE Transactions on MTT, 1999,47(11): 2059-2074.

    [4] Mohammed Ziaul Azad, Mohammod Ali. Novel Wideband Directional Dipole Antenna on a Mushroom Like EBG Structure[J]. IEEE Transactions on AP, 2008,56(5): 1242-1250.

    [5] Filippo Costa, Olli Luukkonen, Constantin R Simovski, et al. TE Surface Wave Resonances on High-Impedance Surface Based Antennas[J]. IEEE Transactions on AP: Analysis and Modeling, 2011,59(10): 3588-3596.

    [6] Hong-min Lee, Joong-kwan Kim. Front-to-Back Ratio Improvement of a Microstrip Patch Antenna using an Isolated Soft Surface Structure[J]. Proceedings of the 39th European Microwave Conference, 2009.

    [7] Martin Coulombe, Sadegh Farzaneh Koodiani, Christophe Caloz. Compact Elongated Mushroom(EM)-EBG Structure for Enhancement of Patch Antenna Array Performances[J]. IEEE Transactions on AP, 2010,58(4): 1076-1086.

    [8] Remski. Analysis of Photonic Bandgap Surfaces using Ansoft HFSS[J]. Microwave Journal, 2000.

    [9] Yang F, Y Rahmat-Samii. Reflection Phase Characterizations of the EBG Ground Plane for Low Profile Wire Antenna Applications[J]. IEEE Transactions on AP, 2003,51(10).

    [10] Mehdi Hosseini, David M Klymyshyn. Radiation Properties of EBG Textured Tall Transmission Lines and Applications: A Low-Profile Self-Excited EBG Resonator Antenna[J]. IEEE Transactions on AP, 2012,11: 276-280.

    [11] 龔建強(qiáng),褚慶昕. Ansoft Hfss在周期性異向質(zhì)研究中的仿真方法[A]. Ansoft 2008優(yōu)秀論文[C]. 2008.

    [12] M F Abedin, M Z Azad, M Ali. Wideband Smaller Unit-Cell Planar EBG Structures and Their Application[J]. IEEE Transactions on AP, 2008,56(3): 903-908.

    [13] 謝歡歡,焦永昌. EBG結(jié)構(gòu)及在天線設(shè)計(jì)中的應(yīng)用研究[D]. 西安: 西安電子科技大學(xué), 2011.

    [14] 楊紹華,張福順,焦永昌. EBG結(jié)構(gòu)的小型圓極化微帶天線[J]. 電子學(xué)報(bào), 2004(11): 1930-1932.

    [15] 劉英,龔書(shū)喜. 移動(dòng)通信系統(tǒng)中的天線[M]. 北京: 電子工業(yè)出版社, 2011.

    [16] Best S R, MITRE Bedford MA, Hanna D L. Design of a Broadband Dipole in Close Proximity to an EBG Ground Plane[J]. IEEE Antennas and Propagation Magazine, 2008,50(6): 52-64.★endprint

    同時(shí),從圖6中可以看出,前后比的改善一方面是由于抑制了后瓣的功率;另一方面是由于提高了天線的增益。之前的研究也表明[6],EBG結(jié)構(gòu)在表面波帶隙內(nèi)能夠提高微帶貼片天線的增益。除了增益和前后比之外,EBG結(jié)構(gòu)對(duì)微帶貼片天線的其它輻射參數(shù)的影響并不大。關(guān)于EBG結(jié)構(gòu)對(duì)微帶貼片天線阻抗參數(shù)的影響,文獻(xiàn)[16]指出EBG結(jié)構(gòu)能夠展寬天線的阻抗帶寬,但是本文沒(méi)有在這方面做深入研究。

    綜上所述,利用EBG結(jié)構(gòu)改善微帶貼片天線前后比,能夠保證天線的其它參數(shù)不會(huì)惡化,甚至還能夠提升某些重要參數(shù)(比如增益值)的性能。

    4 結(jié)論

    本文分析了EBG結(jié)構(gòu)表面波帶隙和傳輸特性曲線阻帶兩個(gè)頻帶有可能不一致的原因,指出EBG結(jié)構(gòu)對(duì)不同頻率表面波的散射能力不同,若散射能力較強(qiáng)的頻段落在表面波帶隙內(nèi),則會(huì)導(dǎo)致表面波帶隙和傳輸特性曲線阻帶不一致,而且會(huì)使得置于其上的貼片天線輻射性能出現(xiàn)惡化。同時(shí),還給出了一種移除EBG結(jié)構(gòu)散射較強(qiáng)頻段且保持表面波帶隙范圍不變的指導(dǎo)方法,并利用微帶貼片模型進(jìn)行驗(yàn)證,在整個(gè)表面波帶隙范圍內(nèi)都能夠改善微帶貼片天線的前后比,使得表面波帶隙、傳輸特性曲線阻帶以及貼片天線前后比改善頻段三者相一致。

    參考文獻(xiàn):

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    [3] Dan Sievenpiper, Lijun Zhang, Romulo F Jimenez Broas, et al. High-impedance Electromagnetic Surfaces With A Forbidden Frequency Band[J]. IEEE Transactions on MTT, 1999,47(11): 2059-2074.

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