橋絲式電點(diǎn)火系統(tǒng)電磁安全裕度測(cè)量研究

冀軍曉

摘 要： 采用一種半導(dǎo)體帶隙型光纖測(cè)溫儀對(duì)電點(diǎn)火系統(tǒng)的電磁安全裕度進(jìn)行測(cè)量。測(cè)量橋絲在電磁輻射下溫度的變化，根據(jù)校準(zhǔn)取得橋絲電流和溫升的系數(shù)，橋絲的感應(yīng)電流就可計(jì)算出來(lái)，最終獲得電點(diǎn)火系統(tǒng)在電磁輻射下的安全裕度。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法能夠準(zhǔn)確獲得復(fù)雜電磁環(huán)境下感應(yīng)的橋絲電流，是一種可靠橋絲式電點(diǎn)火系統(tǒng)的電磁安全裕度評(píng)估方法。

關(guān)鍵詞： 電火工品； 電磁安全裕度； 感應(yīng)電流； 半導(dǎo)體帶隙

中圖分類號(hào)： TN911.7?34 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)： 1004?373X（2014）13?0150?03

Research on electromagnetic safety margin measurement of

bridge?wire electric ignition system

JI Jun?xiao

（Luoyang TV University， Luoyang 471000， China）

Abstract： A semiconductor band?gap optic fiber thermodetector is introduced to detect the electromagnetic safety margin of the electric ignition system. The bridge?wire′s temperature change is detected under the direction of electromagnetic radiation. The induced current of bridge?wire can be obtained by calculate the coefficients of bridge?wire′s temperature rise and current. At last the safety margins of electric ignition system are achieved under the direction of electromagnetic radiation. The experimental results show that the method can obtain accurate bridge?wire current induced in complex EM environment， and also is a reliable one to evaluate safety margins of bridge?wire electric ignition system.

Keywords： EED； electromagnetic safety margin； induce current； semiconductor band?gap

0 引 言

電點(diǎn)火系統(tǒng)是武器系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件，其在復(fù)雜電磁環(huán)境下的安全性和可靠性對(duì)武器系統(tǒng)作戰(zhàn)效能的發(fā)揮至關(guān)重要。電點(diǎn)火系統(tǒng)主要由電火工品（Electro Explosive Device，EED）構(gòu)成，電火工品中通常是在兩電極之間用貴重金屬絲形成一個(gè)電橋，即灼熱型橋絲式電點(diǎn)火頭，處于復(fù)雜電磁環(huán)境下的橋絲，其內(nèi)部會(huì)感應(yīng)出射頻電流，感應(yīng)電流會(huì)加熱橋絲，當(dāng)達(dá)到火藥點(diǎn)火溫度時(shí)，點(diǎn)火頭就發(fā)火發(fā)生爆炸，造成誤炸現(xiàn)象，對(duì)于武器系統(tǒng)來(lái)說(shuō)會(huì)造成嚴(yán)重和可怕的后果。

GJB1389A?2005《系統(tǒng)電磁兼容性要求》[1]中對(duì)于電起爆裝置，明確規(guī)定電磁安全裕度限值為16.5 dB，因此，就需要找到一種準(zhǔn)確測(cè)量橋絲式電點(diǎn)火系統(tǒng)電磁安全裕度的方法。

電點(diǎn)火系統(tǒng)的電磁安全裕度定義是：最大不發(fā)火電流[IMNF]與感應(yīng)電流[Ii]的比值取對(duì)數(shù)再乘以20后得到的數(shù)值。如何精確測(cè)量感應(yīng)電流是確定電磁安全裕度的關(guān)鍵，通過(guò)施加不同量級(jí)校準(zhǔn)電流給橋絲，得到橋絲上的溫升值，經(jīng)過(guò)數(shù)據(jù)擬合獲得橋絲溫升與感應(yīng)電流系數(shù)，通過(guò)測(cè)量橋絲的溫度變化就可以獲得對(duì)應(yīng)感應(yīng)電流。早期使用熱敏電阻、熱電偶來(lái)測(cè)量橋絲的溫升。然而在復(fù)雜電磁環(huán)境下，測(cè)量電路本身會(huì)耦合出感應(yīng)電流，疊加到橋絲感應(yīng)電流上，引入較大測(cè)量誤差，同時(shí)測(cè)量速度較慢。而利用光纖半導(dǎo)體器件測(cè)溫，光纖是絕緣體，在電磁場(chǎng)下不會(huì)感應(yīng)出任何電流，不影響電磁場(chǎng)的分布，不會(huì)帶來(lái)測(cè)試誤差，而且測(cè)量速度快、精度高，是目前廣泛采用的方法。

本文所采用的就是半導(dǎo)體帶隙型光纖測(cè)量系統(tǒng)，屬于接觸式測(cè)溫系統(tǒng)。

1 原理闡述

1.1 橋絲電流與溫度關(guān)系

通過(guò)理論計(jì)算，橋絲電流與溫度的關(guān)系式[2]為：

[T=T0+I2iRUal28K] （1）

式中：[R]為橋絲體電阻；[l]為橋絲長(zhǎng)度；[K]是橋絲的熱擴(kuò)散系數(shù)；[Ua]是橋絲的比熱；[Ii]是橋絲感應(yīng)電流；[T0]為測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)溫度，對(duì)某一確定橋絲，式（1）可簡(jiǎn)化為式（2），電流和溫度的關(guān)系可寫(xiě)為：

[ΔT=T-T0=NI2i] （2）

式中：[N]是由橋絲本身性能確定的常數(shù)，因此橋絲的溫升[ΔT]與感應(yīng)電流的平方成正比。

1.2 光纖測(cè)溫原理

半導(dǎo)體帶隙型光纖測(cè)量系統(tǒng)的傳感器是一種基于SCBG（Semi?Conductor Band?Gap）半導(dǎo)體帶隙技術(shù)的光纖探頭。這種探頭的結(jié)構(gòu)如圖1所示。

圖1 光纖探頭結(jié)構(gòu)圖

光纖溫度探頭由光纖及其頂端細(xì)小的GaAs（砷化鎵）晶體組成。當(dāng)溫度發(fā)生變化時(shí)，GaAs晶體具有如下特性：其對(duì)于波長(zhǎng)低于某一特定值的光波是不透明的，而對(duì)于高于這一波長(zhǎng)的所有光波，具有透明特性，這一臨界的波長(zhǎng)成為帶隙[3]。如圖2所示。

圖2 GaAs（砷化鎵）晶體光特性

光通過(guò)光纖信號(hào)調(diào)節(jié)器進(jìn)入到GaAs晶體，在帶隙波長(zhǎng)以下的光被接收，而帶隙以上的光被絕緣鏡反射回信號(hào)調(diào)節(jié)器，進(jìn)入一個(gè)小型的光譜分析儀。一個(gè)線性的CCD陣列光檢波器對(duì)不同波長(zhǎng)的光的強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)量。CCD陣列的每一個(gè)像素對(duì)應(yīng)一個(gè)特定經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的波長(zhǎng)，這樣就可以得出GaAs發(fā)射回來(lái)的光的譜強(qiáng)度分布。由于GaAs的帶隙位置隨溫度變化而變化，其位置所對(duì)應(yīng)的光譜能量分布已經(jīng)經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)，且與絕對(duì)溫度相對(duì)應(yīng)。這樣就能夠?qū)囟茸兓M(jìn)行精確的測(cè)量。與其他干涉測(cè)量技術(shù)不同的是，對(duì)于測(cè)試中常見(jiàn)的機(jī)械振動(dòng)及光纖移動(dòng)等情況，SCBG技術(shù)不受任何影響。

2 測(cè)量與結(jié)果

2.1 測(cè)量系統(tǒng)構(gòu)成

測(cè)量系統(tǒng)框圖如圖3所示（實(shí)線框部分是半導(dǎo)體帶隙光纖數(shù)據(jù)采集單元），系統(tǒng)包含多路半導(dǎo)體帶隙光纖測(cè)溫探頭，CCD陣列光譜分析單元。

系統(tǒng)配備白光光源，其發(fā)出光束經(jīng)耦合器進(jìn)入光纖，傳輸?shù)綔y(cè)溫探頭。探頭感應(yīng)橋絲溫升，使大于某一特定波長(zhǎng)的光波被反射，反射回來(lái)的光經(jīng)同一光纖傳送到CCD陣列光譜分析單元，經(jīng)過(guò)A/D轉(zhuǎn)換、信號(hào)處理，把得出的對(duì)應(yīng)溫度數(shù)據(jù)通過(guò)LAN端口送給計(jì)算機(jī)。

內(nèi)置校準(zhǔn)電流源能夠根據(jù)計(jì)算機(jī)控制命令，步進(jìn)輸出不同幅值校準(zhǔn)電流信號(hào)給橋絲。計(jì)算機(jī)上的測(cè)量分析軟件繪制出橋絲上測(cè)量位置的溫度變化曲線，并將數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)和傳輸。計(jì)算機(jī)控制命令也是通過(guò)LAN端口發(fā)送給光纖數(shù)據(jù)采集模塊，來(lái)控制校準(zhǔn)電流源的輸出，并自動(dòng)記錄各電流輸出下的溫度探頭讀數(shù)，經(jīng)過(guò)自動(dòng)計(jì)算擬合后形成溫升/電流轉(zhuǎn)換系數(shù)，即公式（2）中的[N]常量。

圖3 測(cè)量系統(tǒng)組成框圖

2.2 電點(diǎn)火系統(tǒng)電磁安全裕度判據(jù)

對(duì)某電點(diǎn)火系統(tǒng)進(jìn)行電磁輻射敏感度試驗(yàn)時(shí)，根據(jù)測(cè)得的溫度變化值和電流源校準(zhǔn)得到的[N]常數(shù)，計(jì)算出感應(yīng)電流值[Ii。]把電點(diǎn)火系統(tǒng)最大不發(fā)火電流[IMNF]與感應(yīng)電流[Ii]的比值取對(duì)數(shù)再乘以20后得到即為電磁安全裕度值[4]。如果該值大于16.5 dB ，則此電點(diǎn)火系統(tǒng)滿足GJB1389A?2005規(guī)定的安全裕度要求。

2.3 測(cè)量實(shí)例

試驗(yàn)采用某型橋絲式電火頭，其性能指標(biāo)見(jiàn)表1。

實(shí)驗(yàn)中控制校準(zhǔn)電流源以10 mA為步長(zhǎng)增加，由于橋絲的熱容量很小，達(dá)到熱平衡的時(shí)間很短，所以每個(gè)電流值駐留10 s，滿足實(shí)驗(yàn)精度要求，校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見(jiàn)表2。

圖4 橋絲電流?溫升的擬合曲線

因此，在電場(chǎng)輻射下，利用測(cè)得電火頭橋絲溫度變化值[ΔT，]利用圖4所示的擬合曲線，便可以得到橋絲上的感應(yīng)電流（[Ii]），然后就可計(jì)算出安全裕度值，從而對(duì)該電點(diǎn)火系統(tǒng)進(jìn)行電磁安全性評(píng)估。

3 結(jié) 語(yǔ)

原先對(duì)于電磁輻射對(duì)電點(diǎn)火系統(tǒng)的危害主要采用試驗(yàn)進(jìn)行定性的判斷，缺乏有說(shuō)服力的試驗(yàn)數(shù)據(jù)，判斷結(jié)果誤差較大。隨著科技的進(jìn)步，以及電磁脈沖彈、微波武器的投入應(yīng)用，各種電磁輻射源功率不斷提高，使武器系統(tǒng)中電點(diǎn)火系統(tǒng)所處的電磁環(huán)境異常惡劣。

SCBG（Semi?Conductor BandGap）半導(dǎo)體帶隙光纖測(cè)溫儀的應(yīng)用，解決諸如復(fù)雜電磁環(huán)境引入測(cè)試誤差、抗機(jī)械振動(dòng)、測(cè)量精度、速度和穩(wěn)定性等傳統(tǒng)測(cè)試方法帶來(lái)問(wèn)題，是一種精確評(píng)估橋絲式電點(diǎn)火系統(tǒng)電磁安全裕度的方法。

參考文獻(xiàn)

[1] 中國(guó)人民解放軍總裝備部.GJB1389A?2005系統(tǒng)電磁兼容性要求[S].北京：中國(guó)人民解放軍總裝備部，2005.

[2] 王韶光，齊杏林，曹宏安，等.電發(fā)火系統(tǒng)感應(yīng)電流測(cè)試方法研究[J].軍械工程學(xué)院學(xué)報(bào)，2003，15（4）：11?14.

[3] 靳偉，廖延彪，張志鵬，等.導(dǎo)波光學(xué)傳感器原理與技術(shù)[M].北京：科學(xué)出版社，1998.

[4] 陳窮.電磁兼容性工程設(shè)計(jì)手冊(cè)[M].北京：國(guó)防工業(yè)出版社，1993.

[5] 張曉光，劉艷，艾瀾，等.通信開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性[J].現(xiàn)代電子技術(shù)，2011，34（11）：187?189.

[6] 楊晟健，鐘清華.基于FFT和電磁輻射的低壓電弧故障檢測(cè)[J].現(xiàn)代電子技術(shù)，2012，35（18）：86?88.

[7] 白敏丹.電子線路的電磁兼容性分析[J].現(xiàn)代電子技術(shù)，2009，32（14）：191?194.

圖2 GaAs（砷化鎵）晶體光特性

光通過(guò)光纖信號(hào)調(diào)節(jié)器進(jìn)入到GaAs晶體，在帶隙波長(zhǎng)以下的光被接收，而帶隙以上的光被絕緣鏡反射回信號(hào)調(diào)節(jié)器，進(jìn)入一個(gè)小型的光譜分析儀。一個(gè)線性的CCD陣列光檢波器對(duì)不同波長(zhǎng)的光的強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)量。CCD陣列的每一個(gè)像素對(duì)應(yīng)一個(gè)特定經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的波長(zhǎng)，這樣就可以得出GaAs發(fā)射回來(lái)的光的譜強(qiáng)度分布。由于GaAs的帶隙位置隨溫度變化而變化，其位置所對(duì)應(yīng)的光譜能量分布已經(jīng)經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)，且與絕對(duì)溫度相對(duì)應(yīng)。這樣就能夠?qū)囟茸兓M(jìn)行精確的測(cè)量。與其他干涉測(cè)量技術(shù)不同的是，對(duì)于測(cè)試中常見(jiàn)的機(jī)械振動(dòng)及光纖移動(dòng)等情況，SCBG技術(shù)不受任何影響。

2 測(cè)量與結(jié)果

2.1 測(cè)量系統(tǒng)構(gòu)成

測(cè)量系統(tǒng)框圖如圖3所示（實(shí)線框部分是半導(dǎo)體帶隙光纖數(shù)據(jù)采集單元），系統(tǒng)包含多路半導(dǎo)體帶隙光纖測(cè)溫探頭，CCD陣列光譜分析單元。

系統(tǒng)配備白光光源，其發(fā)出光束經(jīng)耦合器進(jìn)入光纖，傳輸?shù)綔y(cè)溫探頭。探頭感應(yīng)橋絲溫升，使大于某一特定波長(zhǎng)的光波被反射，反射回來(lái)的光經(jīng)同一光纖傳送到CCD陣列光譜分析單元，經(jīng)過(guò)A/D轉(zhuǎn)換、信號(hào)處理，把得出的對(duì)應(yīng)溫度數(shù)據(jù)通過(guò)LAN端口送給計(jì)算機(jī)。

內(nèi)置校準(zhǔn)電流源能夠根據(jù)計(jì)算機(jī)控制命令，步進(jìn)輸出不同幅值校準(zhǔn)電流信號(hào)給橋絲。計(jì)算機(jī)上的測(cè)量分析軟件繪制出橋絲上測(cè)量位置的溫度變化曲線，并將數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)和傳輸。計(jì)算機(jī)控制命令也是通過(guò)LAN端口發(fā)送給光纖數(shù)據(jù)采集模塊，來(lái)控制校準(zhǔn)電流源的輸出，并自動(dòng)記錄各電流輸出下的溫度探頭讀數(shù)，經(jīng)過(guò)自動(dòng)計(jì)算擬合后形成溫升/電流轉(zhuǎn)換系數(shù)，即公式（2）中的[N]常量。

圖3 測(cè)量系統(tǒng)組成框圖

2.2 電點(diǎn)火系統(tǒng)電磁安全裕度判據(jù)

對(duì)某電點(diǎn)火系統(tǒng)進(jìn)行電磁輻射敏感度試驗(yàn)時(shí)，根據(jù)測(cè)得的溫度變化值和電流源校準(zhǔn)得到的[N]常數(shù)，計(jì)算出感應(yīng)電流值[Ii。]把電點(diǎn)火系統(tǒng)最大不發(fā)火電流[IMNF]與感應(yīng)電流[Ii]的比值取對(duì)數(shù)再乘以20后得到即為電磁安全裕度值[4]。如果該值大于16.5 dB ，則此電點(diǎn)火系統(tǒng)滿足GJB1389A?2005規(guī)定的安全裕度要求。

2.3 測(cè)量實(shí)例

試驗(yàn)采用某型橋絲式電火頭，其性能指標(biāo)見(jiàn)表1。

實(shí)驗(yàn)中控制校準(zhǔn)電流源以10 mA為步長(zhǎng)增加，由于橋絲的熱容量很小，達(dá)到熱平衡的時(shí)間很短，所以每個(gè)電流值駐留10 s，滿足實(shí)驗(yàn)精度要求，校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見(jiàn)表2。

圖4 橋絲電流?溫升的擬合曲線

因此，在電場(chǎng)輻射下，利用測(cè)得電火頭橋絲溫度變化值[ΔT，]利用圖4所示的擬合曲線，便可以得到橋絲上的感應(yīng)電流（[Ii]），然后就可計(jì)算出安全裕度值，從而對(duì)該電點(diǎn)火系統(tǒng)進(jìn)行電磁安全性評(píng)估。

3 結(jié) 語(yǔ)

原先對(duì)于電磁輻射對(duì)電點(diǎn)火系統(tǒng)的危害主要采用試驗(yàn)進(jìn)行定性的判斷，缺乏有說(shuō)服力的試驗(yàn)數(shù)據(jù)，判斷結(jié)果誤差較大。隨著科技的進(jìn)步，以及電磁脈沖彈、微波武器的投入應(yīng)用，各種電磁輻射源功率不斷提高，使武器系統(tǒng)中電點(diǎn)火系統(tǒng)所處的電磁環(huán)境異常惡劣。

SCBG（Semi?Conductor BandGap）半導(dǎo)體帶隙光纖測(cè)溫儀的應(yīng)用，解決諸如復(fù)雜電磁環(huán)境引入測(cè)試誤差、抗機(jī)械振動(dòng)、測(cè)量精度、速度和穩(wěn)定性等傳統(tǒng)測(cè)試方法帶來(lái)問(wèn)題，是一種精確評(píng)估橋絲式電點(diǎn)火系統(tǒng)電磁安全裕度的方法。

參考文獻(xiàn)

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[6] 楊晟健，鐘清華.基于FFT和電磁輻射的低壓電弧故障檢測(cè)[J].現(xiàn)代電子技術(shù)，2012，35（18）：86?88.

[7] 白敏丹.電子線路的電磁兼容性分析[J].現(xiàn)代電子技術(shù)，2009，32（14）：191?194.

圖2 GaAs（砷化鎵）晶體光特性

光通過(guò)光纖信號(hào)調(diào)節(jié)器進(jìn)入到GaAs晶體，在帶隙波長(zhǎng)以下的光被接收，而帶隙以上的光被絕緣鏡反射回信號(hào)調(diào)節(jié)器，進(jìn)入一個(gè)小型的光譜分析儀。一個(gè)線性的CCD陣列光檢波器對(duì)不同波長(zhǎng)的光的強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)量。CCD陣列的每一個(gè)像素對(duì)應(yīng)一個(gè)特定經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的波長(zhǎng)，這樣就可以得出GaAs發(fā)射回來(lái)的光的譜強(qiáng)度分布。由于GaAs的帶隙位置隨溫度變化而變化，其位置所對(duì)應(yīng)的光譜能量分布已經(jīng)經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)，且與絕對(duì)溫度相對(duì)應(yīng)。這樣就能夠?qū)囟茸兓M(jìn)行精確的測(cè)量。與其他干涉測(cè)量技術(shù)不同的是，對(duì)于測(cè)試中常見(jiàn)的機(jī)械振動(dòng)及光纖移動(dòng)等情況，SCBG技術(shù)不受任何影響。

2 測(cè)量與結(jié)果

2.1 測(cè)量系統(tǒng)構(gòu)成

測(cè)量系統(tǒng)框圖如圖3所示（實(shí)線框部分是半導(dǎo)體帶隙光纖數(shù)據(jù)采集單元），系統(tǒng)包含多路半導(dǎo)體帶隙光纖測(cè)溫探頭，CCD陣列光譜分析單元。

系統(tǒng)配備白光光源，其發(fā)出光束經(jīng)耦合器進(jìn)入光纖，傳輸?shù)綔y(cè)溫探頭。探頭感應(yīng)橋絲溫升，使大于某一特定波長(zhǎng)的光波被反射，反射回來(lái)的光經(jīng)同一光纖傳送到CCD陣列光譜分析單元，經(jīng)過(guò)A/D轉(zhuǎn)換、信號(hào)處理，把得出的對(duì)應(yīng)溫度數(shù)據(jù)通過(guò)LAN端口送給計(jì)算機(jī)。

內(nèi)置校準(zhǔn)電流源能夠根據(jù)計(jì)算機(jī)控制命令，步進(jìn)輸出不同幅值校準(zhǔn)電流信號(hào)給橋絲。計(jì)算機(jī)上的測(cè)量分析軟件繪制出橋絲上測(cè)量位置的溫度變化曲線，并將數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)和傳輸。計(jì)算機(jī)控制命令也是通過(guò)LAN端口發(fā)送給光纖數(shù)據(jù)采集模塊，來(lái)控制校準(zhǔn)電流源的輸出，并自動(dòng)記錄各電流輸出下的溫度探頭讀數(shù)，經(jīng)過(guò)自動(dòng)計(jì)算擬合后形成溫升/電流轉(zhuǎn)換系數(shù)，即公式（2）中的[N]常量。

圖3 測(cè)量系統(tǒng)組成框圖

2.2 電點(diǎn)火系統(tǒng)電磁安全裕度判據(jù)

對(duì)某電點(diǎn)火系統(tǒng)進(jìn)行電磁輻射敏感度試驗(yàn)時(shí)，根據(jù)測(cè)得的溫度變化值和電流源校準(zhǔn)得到的[N]常數(shù)，計(jì)算出感應(yīng)電流值[Ii。]把電點(diǎn)火系統(tǒng)最大不發(fā)火電流[IMNF]與感應(yīng)電流[Ii]的比值取對(duì)數(shù)再乘以20后得到即為電磁安全裕度值[4]。如果該值大于16.5 dB ，則此電點(diǎn)火系統(tǒng)滿足GJB1389A?2005規(guī)定的安全裕度要求。

2.3 測(cè)量實(shí)例

試驗(yàn)采用某型橋絲式電火頭，其性能指標(biāo)見(jiàn)表1。

實(shí)驗(yàn)中控制校準(zhǔn)電流源以10 mA為步長(zhǎng)增加，由于橋絲的熱容量很小，達(dá)到熱平衡的時(shí)間很短，所以每個(gè)電流值駐留10 s，滿足實(shí)驗(yàn)精度要求，校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)見(jiàn)表2。

圖4 橋絲電流?溫升的擬合曲線

因此，在電場(chǎng)輻射下，利用測(cè)得電火頭橋絲溫度變化值[ΔT，]利用圖4所示的擬合曲線，便可以得到橋絲上的感應(yīng)電流（[Ii]），然后就可計(jì)算出安全裕度值，從而對(duì)該電點(diǎn)火系統(tǒng)進(jìn)行電磁安全性評(píng)估。

3 結(jié) 語(yǔ)

原先對(duì)于電磁輻射對(duì)電點(diǎn)火系統(tǒng)的危害主要采用試驗(yàn)進(jìn)行定性的判斷，缺乏有說(shuō)服力的試驗(yàn)數(shù)據(jù)，判斷結(jié)果誤差較大。隨著科技的進(jìn)步，以及電磁脈沖彈、微波武器的投入應(yīng)用，各種電磁輻射源功率不斷提高，使武器系統(tǒng)中電點(diǎn)火系統(tǒng)所處的電磁環(huán)境異常惡劣。

SCBG（Semi?Conductor BandGap）半導(dǎo)體帶隙光纖測(cè)溫儀的應(yīng)用，解決諸如復(fù)雜電磁環(huán)境引入測(cè)試誤差、抗機(jī)械振動(dòng)、測(cè)量精度、速度和穩(wěn)定性等傳統(tǒng)測(cè)試方法帶來(lái)問(wèn)題，是一種精確評(píng)估橋絲式電點(diǎn)火系統(tǒng)電磁安全裕度的方法。

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