2013年全國高考理綜（I）化學(xué)非選擇題答卷評(píng)析

劉煒+雷宜橋

摘要：2013年全國高考理綜（I）化學(xué)主觀題部分與往年相比，課改特征明顯，創(chuàng)新點(diǎn)多，難度較大。筆者結(jié)合高考評(píng)分細(xì)則及閱卷的體會(huì)，對(duì)主觀題從考查的知識(shí)點(diǎn)及答卷中的主要問題進(jìn)行了評(píng)析，并給出了復(fù)習(xí)啟示與建議，以期對(duì)備戰(zhàn)2014年高考的高三考生和教師有所幫助。

關(guān)鍵詞：高考試題評(píng)析；化學(xué)非選擇題；答卷評(píng)析

文章編號(hào)：1005–6629（2014）4–0066–07 中圖分類號(hào)：G633.8 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：B

2013年湖北省高考理綜試卷選用的是中部卷，又稱I卷，全卷300分，其中化學(xué)100分?；瘜W(xué)試題仍采用“7+3+1”的模式，即選擇題7道，必做題3道，選做題3選1。必做題第26題為化學(xué)實(shí)驗(yàn)題；第27題為電化學(xué)題；第28題為熱化學(xué)反應(yīng)、化學(xué)反應(yīng)速率與平衡等綜合題；第36題為選修2《化學(xué)與技術(shù)》模塊題，第37題為選修3《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》模塊題，第38題為選修5《有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)》模塊題。

1 高考理綜（I）化學(xué)非選擇題得分及難度統(tǒng)計(jì)

1.1 試題賦分、實(shí)際得分、選做題選做人數(shù)比例及難度統(tǒng)計(jì)

合成反應(yīng)：

在a中加入20 g環(huán)己醇和2小片碎瓷片，冷卻攪動(dòng)下慢慢加入1 mL濃硫酸。b中通入冷卻水后，開始緩慢加熱a，控制餾出物的溫度不超過90℃。

分離提純：

反應(yīng)粗產(chǎn)物倒入分液漏斗中分別用少量5%碳酸鈉溶液和水洗滌，分離后加入無水氯化鈣顆粒，靜置一段時(shí)間后棄去氯化鈣。最終通過蒸餾得到純凈環(huán)己烯10 g。

（1）裝置b的名稱是 。

（2）加入碎瓷片的作用是 ；如果加熱一段時(shí)間后發(fā)現(xiàn)忘記加瓷片，應(yīng)該采取的正確操作是（填答案標(biāo)號(hào)）。

A.立即補(bǔ)加 B.冷卻后補(bǔ)加C.不需補(bǔ)加 D.重新配料（3）本實(shí)驗(yàn)中最容易產(chǎn)生的副產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為

。

（4）分液漏斗在使用前必須清洗干凈并 。在本實(shí)驗(yàn)分離過程中，產(chǎn)物應(yīng)該從分液漏斗的 （填“上口倒出”或“下口放出”）。

（5）分離提純過程中加入無水氯化鈣的目的是

。

（6）在環(huán)己烯粗產(chǎn)物蒸餾過程中，不可能用到的儀器有 （填答案標(biāo)號(hào)）。

A.圓底燒瓶 B.溫度計(jì)

C.吸濾瓶 D.球形冷凝管 E.接收器

（7）本實(shí)驗(yàn)所得到的環(huán)己烯產(chǎn)率是 （填答案標(biāo)號(hào)）。

A. 41% B. 50% C. 61% D. 70%考查的主要知識(shí)點(diǎn)：儀器的名稱、作用及操作細(xì)節(jié)；反應(yīng)副產(chǎn)物結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式的書寫及產(chǎn)率計(jì)算等。

答卷中的主要問題：第（1）問：儀器名稱不準(zhǔn)確，將“直形冷凝管””答成“回流冷凝管”等。

第（2）問：第一空，寫錯(cuò)別字，將“防止暴沸”寫成“防止爆沸”。第二空，答案標(biāo)號(hào)大小寫混淆。

第（3）問：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式寫錯(cuò)，如錯(cuò)寫成苯或環(huán)己二烯等。

第（4）問：第一空，寫錯(cuò)別字。將“檢漏”寫成“察漏”。第二空不用限定的答語，將“上口倒出”答成“下口放出”。

第（5）問：想當(dāng)然地將“干燥除水”答成“干燥水”（有潮濕水嗎？）。

第（6）問：對(duì)儀器“吸濾瓶”陌生，不了解冷凝管有直型和球型等類型，在C、D兩個(gè)選項(xiàng)中猜選。

第（7）問：產(chǎn)率計(jì)算錯(cuò)誤，或填數(shù)值而不填答案標(biāo)號(hào)。

點(diǎn)評(píng)：①本題滿分15分，人均6.8分，難度系數(shù)0.54。是II卷化學(xué)試題中得分最高的題，得分及得分率分布如下：

（3）“酸浸”一般在80℃下進(jìn)行，寫出該步驟中發(fā)生的所有氧化還原反應(yīng)的化學(xué)方程式 ；可用鹽酸代替H2SO4和H2O2 的混合液，但缺點(diǎn)是

。

（4）寫出“沉鈷”過程中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式

。

（5）充放電過程中發(fā)生LiCoO2與Li1-xCoO2之間的轉(zhuǎn)化，寫出放電時(shí)電池反應(yīng)方程式 。

（6）上述工藝中“放電處理”有利于鋰在正極的回收。其原因是 。

在整個(gè)回收工藝中，可回收的金屬化合物有

（填化學(xué)式）。

考查的主要知識(shí)點(diǎn)：鋰電池回收工藝中的化學(xué)反應(yīng)、電極反應(yīng)、元素化合價(jià)判斷、原料的選用、回收產(chǎn)物的化學(xué)式等。

答卷中的主要問題：第（1）問：化合價(jià)不寫正號(hào)“+”。

第（2）問：離子方程式中等號(hào)“=”寫成單箭頭“→”（人教版要求），氣體產(chǎn)物缺少箭頭等不規(guī)范問題。

第（3）問：很多考生不會(huì)寫鈷酸鋰（LiCoO2）氧化H2O2的方程式；或沒有O2產(chǎn)物，或缺少反應(yīng)條件等。此外，把選用鹽酸的缺點(diǎn)錯(cuò)答成鹽酸有氧化性；或有HCl、SO2氣體逸出；沒有具體指明污染性氣體是Cl2等。

第（4）問：大多數(shù)考生不會(huì)寫“沉鈷”的化學(xué)方程式；少數(shù)考生把產(chǎn)物錯(cuò)寫成（NH4）2CO3，或NH3等。

第（5）問：大多數(shù)考生空白，少數(shù)考生誤寫成電極反應(yīng)，甚至多寫“電解”條件等。

第（6）問：第一空未指明Li+移向哪個(gè)電極；或錯(cuò)答Li+移向負(fù)極等。第二空回收的物質(zhì)化學(xué)式錯(cuò)誤較多，尤其把氫氧化鋁寫成Al（OH）2較普遍，讓人難以置信！

點(diǎn)評(píng)：①本題15分，人均2.64分，難度系數(shù)0.18，是II卷化學(xué)必做題中得分最低、難度最大、區(qū)分度也最大的題，幾乎是廢題。與歷年考查電化學(xué)試題相比，今年的電化學(xué)考題最難。本題得分及得分率分布如下：

第（1）、（2）、（3）問滿分7分，人均1.31分，難度系數(shù)0.19。

②第一問存在的問題，一是從鋁土礦中提取Al2O3屬選修2的范圍，大部分學(xué)校沒有選修該模塊，是多數(shù)考生不會(huì)答題的主要原因；二是不知道實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)采用“堿溶”而不用“酸溶”鋁土礦。

③本題對(duì)學(xué)生分析能力及表達(dá)能力的考查要求高。評(píng)分細(xì)則規(guī)定如第（2）和（4）問原因和結(jié)論都正確才得分，沒有表述因果關(guān)系要扣分，這也影響了考生的得分。

④本卷第三處考查燃料電池的電極反應(yīng)，以說明命題者對(duì)電化學(xué)考點(diǎn)的關(guān)注。

⑤能量密度是物理學(xué)的概念，屬于學(xué)科間綜合性問題，“超綱了”！本空全省只有10人得分，得分率只有0.004%，絕大多數(shù)考生放棄此問。筆者認(rèn)為此問實(shí)為敗筆，不知命題教師是否認(rèn)同。

復(fù)習(xí)啟示與建議：語言表述是考生的薄弱環(huán)節(jié)，復(fù)習(xí)中注意三個(gè)方面。第一，訓(xùn)練表述能力課堂化，即貫穿在每一節(jié)課而不是考前投機(jī)。第二，語言表述規(guī)范化，即教師做規(guī)范表述的楷模，包括口頭和課堂板書。第三，表述要領(lǐng)模式化，即教會(huì)考生如何扣要點(diǎn)抓重點(diǎn)、把握答題套路，避免答非所問。

2.4 第36題

選修2：化學(xué)與技術(shù)

（15分）草酸（乙二酸）可作還原劑和沉淀劑，用于金屬除銹、織物漂白和稀土生產(chǎn)。一種制備草酸（含2個(gè)結(jié)晶水）的工藝流程如下：

考查的主要知識(shí)點(diǎn)：硅的電子排布式、能層符號(hào)、原子軌道數(shù)及電子數(shù)判斷，硅的存在及結(jié)構(gòu)，甲硅烷的制備、硅烷和烷烴的種數(shù)與穩(wěn)定性跟化學(xué)鍵的關(guān)系，硅原子的雜化方式、硅酸根離子的化學(xué)式等。

答卷中的主要問題：第（1）問：能層符號(hào)與能級(jí)符號(hào)混淆；漏算3d能級(jí)能容納的最多電子數(shù)等。

第（2）問：答成硅的氫化物、硅烷、硅單質(zhì)、碳化硅等。

第（3）問：第一空，答成化學(xué)鍵、離子鍵、π鍵、配位鍵、極性鍵等。第二空，審題不清，答成單個(gè)面心的貢獻(xiàn)份額0.5，或沒有考慮“均攤”而錯(cuò)答6個(gè)。

第（4）問：方程式產(chǎn)物寫錯(cuò)（Mg3N2）；誤認(rèn)為是溶液中的反應(yīng)，將NH3寫成NH3·H2O。

第（5）問：很多考生沒有抓住題給鍵能數(shù)據(jù)信息，未能從物質(zhì)的穩(wěn)定性與化學(xué)鍵強(qiáng)弱的關(guān)系解釋原因，而簡(jiǎn)單地回答硅烷沒有烷烴穩(wěn)定，烷烴的能量比硅烷低。更有甚者從電負(fù)性、鍵長、分子間作用力等方面解釋。

第（6）問：錯(cuò)誤答案有sp2、sp、sp3等。最后一空未注明離子的電荷等。

點(diǎn)評(píng)：①本題15分，人均5.41分，難度系數(shù)0.36，與2012年同類題得分及難度持平。本題得分及得分率分布如下：

②本題0分比例最高，主要原因是選而未答，或推斷錯(cuò)誤，或書寫極不規(guī)范沒有得分。滿分率為9.8%列第2，這些基本上是化學(xué)成績較好的考生。得1分的占7.8%列第3，多數(shù)是第（3）問“反應(yīng)類型”正確，或E的分子式（C7H5O2Na）書寫正確。得3分、5分的，多數(shù)是做對(duì)了前3問。得7分、10分的占5.5%左右，主要是做對(duì)了前5問，但G的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式書寫錯(cuò)誤非常多。最后一問正確率相對(duì)較高。說明化學(xué)基礎(chǔ)較好的考生選做有機(jī)題比較有優(yōu)勢(shì)！

③前兩年的高考有機(jī)題比較簡(jiǎn)單。起始物質(zhì)都是甲苯，部分試劑相似或相同，反應(yīng)相對(duì)簡(jiǎn)單，尤其沒有復(fù)雜的陌生信息反應(yīng)。而今年的有機(jī)題起始物質(zhì)是未知的，先要通過計(jì)算確定反應(yīng)物的分子式，再據(jù)信息（有的陌生）推斷中間產(chǎn)物結(jié)構(gòu)及發(fā)生的反應(yīng)，解題難度加大了。起始物質(zhì)或中間產(chǎn)物推斷錯(cuò)誤必然導(dǎo)致答案錯(cuò)誤，這些都是失分的主要原因。

復(fù)習(xí)啟示與建議：首先，調(diào)整策略，建議有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)扎實(shí)的考生側(cè)重復(fù)習(xí)選修5，加強(qiáng)有機(jī)信息推斷題型的訓(xùn)練。其次，強(qiáng)化限定條件下有機(jī)物同分異構(gòu)體的書寫，突破得分難點(diǎn)。第三，重視規(guī)范答題訓(xùn)練，減少無謂失分。

③本題對(duì)學(xué)生分析能力及表達(dá)能力的考查要求高。評(píng)分細(xì)則規(guī)定如第（2）和（4）問原因和結(jié)論都正確才得分，沒有表述因果關(guān)系要扣分，這也影響了考生的得分。

④本卷第三處考查燃料電池的電極反應(yīng)，以說明命題者對(duì)電化學(xué)考點(diǎn)的關(guān)注。

⑤能量密度是物理學(xué)的概念，屬于學(xué)科間綜合性問題，“超綱了”！本空全省只有10人得分，得分率只有0.004%，絕大多數(shù)考生放棄此問。筆者認(rèn)為此問實(shí)為敗筆，不知命題教師是否認(rèn)同。

復(fù)習(xí)啟示與建議：語言表述是考生的薄弱環(huán)節(jié)，復(fù)習(xí)中注意三個(gè)方面。第一，訓(xùn)練表述能力課堂化，即貫穿在每一節(jié)課而不是考前投機(jī)。第二，語言表述規(guī)范化，即教師做規(guī)范表述的楷模，包括口頭和課堂板書。第三，表述要領(lǐng)模式化，即教會(huì)考生如何扣要點(diǎn)抓重點(diǎn)、把握答題套路，避免答非所問。

2.4 第36題

選修2：化學(xué)與技術(shù)

（15分）草酸（乙二酸）可作還原劑和沉淀劑，用于金屬除銹、織物漂白和稀土生產(chǎn)。一種制備草酸（含2個(gè)結(jié)晶水）的工藝流程如下：

考查的主要知識(shí)點(diǎn)：硅的電子排布式、能層符號(hào)、原子軌道數(shù)及電子數(shù)判斷，硅的存在及結(jié)構(gòu)，甲硅烷的制備、硅烷和烷烴的種數(shù)與穩(wěn)定性跟化學(xué)鍵的關(guān)系，硅原子的雜化方式、硅酸根離子的化學(xué)式等。

答卷中的主要問題：第（1）問：能層符號(hào)與能級(jí)符號(hào)混淆；漏算3d能級(jí)能容納的最多電子數(shù)等。

第（2）問：答成硅的氫化物、硅烷、硅單質(zhì)、碳化硅等。

第（3）問：第一空，答成化學(xué)鍵、離子鍵、π鍵、配位鍵、極性鍵等。第二空，審題不清，答成單個(gè)面心的貢獻(xiàn)份額0.5，或沒有考慮“均攤”而錯(cuò)答6個(gè)。

第（4）問：方程式產(chǎn)物寫錯(cuò)（Mg3N2）；誤認(rèn)為是溶液中的反應(yīng)，將NH3寫成NH3·H2O。

第（5）問：很多考生沒有抓住題給鍵能數(shù)據(jù)信息，未能從物質(zhì)的穩(wěn)定性與化學(xué)鍵強(qiáng)弱的關(guān)系解釋原因，而簡(jiǎn)單地回答硅烷沒有烷烴穩(wěn)定，烷烴的能量比硅烷低。更有甚者從電負(fù)性、鍵長、分子間作用力等方面解釋。

第（6）問：錯(cuò)誤答案有sp2、sp、sp3等。最后一空未注明離子的電荷等。

點(diǎn)評(píng)：①本題15分，人均5.41分，難度系數(shù)0.36，與2012年同類題得分及難度持平。本題得分及得分率分布如下：

②本題0分比例最高，主要原因是選而未答，或推斷錯(cuò)誤，或書寫極不規(guī)范沒有得分。滿分率為9.8%列第2，這些基本上是化學(xué)成績較好的考生。得1分的占7.8%列第3，多數(shù)是第（3）問“反應(yīng)類型”正確，或E的分子式（C7H5O2Na）書寫正確。得3分、5分的，多數(shù)是做對(duì)了前3問。得7分、10分的占5.5%左右，主要是做對(duì)了前5問，但G的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式書寫錯(cuò)誤非常多。最后一問正確率相對(duì)較高。說明化學(xué)基礎(chǔ)較好的考生選做有機(jī)題比較有優(yōu)勢(shì)！

③前兩年的高考有機(jī)題比較簡(jiǎn)單。起始物質(zhì)都是甲苯，部分試劑相似或相同，反應(yīng)相對(duì)簡(jiǎn)單，尤其沒有復(fù)雜的陌生信息反應(yīng)。而今年的有機(jī)題起始物質(zhì)是未知的，先要通過計(jì)算確定反應(yīng)物的分子式，再據(jù)信息（有的陌生）推斷中間產(chǎn)物結(jié)構(gòu)及發(fā)生的反應(yīng)，解題難度加大了。起始物質(zhì)或中間產(chǎn)物推斷錯(cuò)誤必然導(dǎo)致答案錯(cuò)誤，這些都是失分的主要原因。

復(fù)習(xí)啟示與建議：首先，調(diào)整策略，建議有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)扎實(shí)的考生側(cè)重復(fù)習(xí)選修5，加強(qiáng)有機(jī)信息推斷題型的訓(xùn)練。其次，強(qiáng)化限定條件下有機(jī)物同分異構(gòu)體的書寫，突破得分難點(diǎn)。第三，重視規(guī)范答題訓(xùn)練，減少無謂失分。

③本題對(duì)學(xué)生分析能力及表達(dá)能力的考查要求高。評(píng)分細(xì)則規(guī)定如第（2）和（4）問原因和結(jié)論都正確才得分，沒有表述因果關(guān)系要扣分，這也影響了考生的得分。

④本卷第三處考查燃料電池的電極反應(yīng)，以說明命題者對(duì)電化學(xué)考點(diǎn)的關(guān)注。

⑤能量密度是物理學(xué)的概念，屬于學(xué)科間綜合性問題，“超綱了”！本空全省只有10人得分，得分率只有0.004%，絕大多數(shù)考生放棄此問。筆者認(rèn)為此問實(shí)為敗筆，不知命題教師是否認(rèn)同。

復(fù)習(xí)啟示與建議：語言表述是考生的薄弱環(huán)節(jié)，復(fù)習(xí)中注意三個(gè)方面。第一，訓(xùn)練表述能力課堂化，即貫穿在每一節(jié)課而不是考前投機(jī)。第二，語言表述規(guī)范化，即教師做規(guī)范表述的楷模，包括口頭和課堂板書。第三，表述要領(lǐng)模式化，即教會(huì)考生如何扣要點(diǎn)抓重點(diǎn)、把握答題套路，避免答非所問。

2.4 第36題

選修2：化學(xué)與技術(shù)

（15分）草酸（乙二酸）可作還原劑和沉淀劑，用于金屬除銹、織物漂白和稀土生產(chǎn)。一種制備草酸（含2個(gè)結(jié)晶水）的工藝流程如下：

考查的主要知識(shí)點(diǎn)：硅的電子排布式、能層符號(hào)、原子軌道數(shù)及電子數(shù)判斷，硅的存在及結(jié)構(gòu)，甲硅烷的制備、硅烷和烷烴的種數(shù)與穩(wěn)定性跟化學(xué)鍵的關(guān)系，硅原子的雜化方式、硅酸根離子的化學(xué)式等。

答卷中的主要問題：第（1）問：能層符號(hào)與能級(jí)符號(hào)混淆；漏算3d能級(jí)能容納的最多電子數(shù)等。

第（2）問：答成硅的氫化物、硅烷、硅單質(zhì)、碳化硅等。

第（3）問：第一空，答成化學(xué)鍵、離子鍵、π鍵、配位鍵、極性鍵等。第二空，審題不清，答成單個(gè)面心的貢獻(xiàn)份額0.5，或沒有考慮“均攤”而錯(cuò)答6個(gè)。

第（4）問：方程式產(chǎn)物寫錯(cuò)（Mg3N2）；誤認(rèn)為是溶液中的反應(yīng)，將NH3寫成NH3·H2O。

第（5）問：很多考生沒有抓住題給鍵能數(shù)據(jù)信息，未能從物質(zhì)的穩(wěn)定性與化學(xué)鍵強(qiáng)弱的關(guān)系解釋原因，而簡(jiǎn)單地回答硅烷沒有烷烴穩(wěn)定，烷烴的能量比硅烷低。更有甚者從電負(fù)性、鍵長、分子間作用力等方面解釋。

第（6）問：錯(cuò)誤答案有sp2、sp、sp3等。最后一空未注明離子的電荷等。

點(diǎn)評(píng)：①本題15分，人均5.41分，難度系數(shù)0.36，與2012年同類題得分及難度持平。本題得分及得分率分布如下：

②本題0分比例最高，主要原因是選而未答，或推斷錯(cuò)誤，或書寫極不規(guī)范沒有得分。滿分率為9.8%列第2，這些基本上是化學(xué)成績較好的考生。得1分的占7.8%列第3，多數(shù)是第（3）問“反應(yīng)類型”正確，或E的分子式（C7H5O2Na）書寫正確。得3分、5分的，多數(shù)是做對(duì)了前3問。得7分、10分的占5.5%左右，主要是做對(duì)了前5問，但G的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式書寫錯(cuò)誤非常多。最后一問正確率相對(duì)較高。說明化學(xué)基礎(chǔ)較好的考生選做有機(jī)題比較有優(yōu)勢(shì)！

③前兩年的高考有機(jī)題比較簡(jiǎn)單。起始物質(zhì)都是甲苯，部分試劑相似或相同，反應(yīng)相對(duì)簡(jiǎn)單，尤其沒有復(fù)雜的陌生信息反應(yīng)。而今年的有機(jī)題起始物質(zhì)是未知的，先要通過計(jì)算確定反應(yīng)物的分子式，再據(jù)信息（有的陌生）推斷中間產(chǎn)物結(jié)構(gòu)及發(fā)生的反應(yīng)，解題難度加大了。起始物質(zhì)或中間產(chǎn)物推斷錯(cuò)誤必然導(dǎo)致答案錯(cuò)誤，這些都是失分的主要原因。

復(fù)習(xí)啟示與建議：首先，調(diào)整策略，建議有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)扎實(shí)的考生側(cè)重復(fù)習(xí)選修5，加強(qiáng)有機(jī)信息推斷題型的訓(xùn)練。其次，強(qiáng)化限定條件下有機(jī)物同分異構(gòu)體的書寫，突破得分難點(diǎn)。第三，重視規(guī)范答題訓(xùn)練，減少無謂失分。