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      電動汽車逆變器功率損耗計算

      2014-04-29 17:33:17劉杰朱元吳志紅
      電子世界 2014年13期
      關(guān)鍵詞:逆變器

      劉杰 朱元 吳志紅

      【摘要】針對目前電動汽車電機驅(qū)動系統(tǒng)中廣泛使用的逆變器,提出一種在不同功率因數(shù)角范圍內(nèi)的逆變器中絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和續(xù)流二級管的導(dǎo)通功率損耗的計算方法。該文是對論文[1]中提出的計算公式的補充,能更精確的計算IGBT以及續(xù)流二極管上功率的損失。該方法是基于目前電機控制中普遍運用的空間電壓矢量調(diào)制(SVPWM)7段式的方法計算得出的,最終推導(dǎo)出了在不同的功率因數(shù)角范圍內(nèi)逆變器中IGBT和續(xù)流二級管上的導(dǎo)通功率損耗的計算表達式。本文給出的計算表達式可以為設(shè)計合適的散熱裝置提供一定的數(shù)學(xué)理論基礎(chǔ)。

      【關(guān)鍵詞】逆變器;IGBT;續(xù)流二級管;空間電壓矢量調(diào)制;功率因數(shù)角

      1.前言

      在逆變器中,其功率損耗主要出現(xiàn)在絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和續(xù)流二級管上。IGBT具有驅(qū)動功率低,工作頻率高,通態(tài)電流大和通態(tài)電阻小等優(yōu)點,已成為當(dāng)前電力電子裝置中的主導(dǎo)器件,因此也成為學(xué)者研究的熱點。當(dāng)前,對IGBT/DIODE功率損耗研究的方法主要分為基于物理結(jié)構(gòu)的損耗模型和基于數(shù)學(xué)方法的損耗模型。通過物理結(jié)構(gòu)計算IGBT功率損耗時,需要通過分析IGBT/DIODE的物理結(jié)構(gòu)和內(nèi)部載流子的工作情況,采用電容,電阻,電感,電流源,電壓源等一些相對簡單的元件模擬出IGBT/DIODE的特性。這種損耗模型的準(zhǔn)確程度取決于器件物理模型的準(zhǔn)確程度,因此實現(xiàn)起來非常困難。相反,通過數(shù)學(xué)模型的IGBT/DIODE功率損耗模型則是利用相關(guān)實驗數(shù)據(jù),推導(dǎo)出電流,電壓與IGBT自身參數(shù)之間的數(shù)學(xué)關(guān)系,該方法易于實現(xiàn)且通用較強。在已有的論文中,也有類似的功率損耗計算,但表達式不夠精準(zhǔn),且沒有在常見的功率因數(shù)角范圍內(nèi)分段推導(dǎo)得出。本文推導(dǎo)了SVPWM 7段調(diào)制情況下,在不同的功率因數(shù)角范圍內(nèi),逆變器中IGBT和續(xù)流二級管的導(dǎo)通功率損耗公式。

      2.逆變器的功率損耗模型

      逆變器的功率損耗主要集中在IGBT和續(xù)流二極管上。而這二者的大小主要取決IGBT的開關(guān)次數(shù)和導(dǎo)通電流的大小,逆變器與永磁同步電機的拓撲結(jié)構(gòu)如圖1所示:

      圖1 逆變器與永磁同步電機拓撲結(jié)構(gòu)

      在如圖1的結(jié)構(gòu)中,每個周期內(nèi)6個IGBT開關(guān)按照SVPWM 7段式調(diào)制順序依次開關(guān),在一個PWM周期內(nèi),每個IGBT和每個續(xù)流二級管導(dǎo)通時間相等,因此在一個PWM周期內(nèi),每個IGBT/DIODE的導(dǎo)通功率是相等的,在計算中僅需計算一個IGBT/DIODE導(dǎo)通功率,總功率損耗等于6個IGBT的導(dǎo)通功率損耗加上6個續(xù)流二極管的導(dǎo)通功率損耗。

      2.1 IGBT的導(dǎo)通功率損耗

      計算IGBT的導(dǎo)通損耗的時候,通常設(shè)導(dǎo)通電壓是電流的函數(shù),根據(jù)IGBT的基本知識可得到下面的等式:

      (1)

      式中為IGBT的恒定管壓降,為IGBT導(dǎo)通時的等效電阻。以圖1中的開關(guān)S1為例,在IGBT的導(dǎo)通的一個周期內(nèi),僅有半個周期有電流流過IGBT,在另半個周期內(nèi)無電流流過,因此,可以得到IGBT的功耗如下式:

      (2)

      式中T為PWM的周期,則為PWM的占空比,N為半個周期內(nèi)IGBT的開關(guān)次數(shù)。當(dāng)IGBT的開關(guān)頻率足夠高的時候,可以認為一個周期內(nèi)流經(jīng)IGBT電流是不變的,因此,式(2)可以寫成如下形式:

      (3)

      由上式可以看出,IGBT的導(dǎo)通損耗分為兩部分,一部分是由導(dǎo)通壓降產(chǎn)生的,而另一部分是由IGBT導(dǎo)通時,等效電阻產(chǎn)生的。當(dāng)開關(guān)頻率足夠高時,式(3)可以轉(zhuǎn)化為以下形式:

      (4)

      (5)

      在式(4),(5)中,為相電流的周期,為相電流, 可以用下式表示:

      (6)

      根據(jù)空間矢量調(diào)制(SVPWM)的基本原理,若以直流環(huán)節(jié)的中點作為參考點,可以求出PWM的占空比如下式所示:

      (7)

      該式中,為A相電壓的絕對值,對于SVPWM7段式調(diào)制方法,由于有效電壓矢量在各段的作用時間不相同,所以占空比在各段也不相同,共分為以下6段進行計算:

      (8)

      式中,為電流的角度,由于電流與電壓之間存在一定的相位差,所以表征的才是此時電壓矢量的空間角度。式中為功率因數(shù)角。功率因數(shù)角表征的是定子電流與定子電壓之間的相位差,在電機控制中是一個很重要的參數(shù)。永磁同步電機空間向量圖如圖2所示:

      圖2 永磁同步電機空間向量圖

      從圖中可以看出,電子電流向量與q軸之間的夾角為,定子電壓與向量與q軸之間的夾角為,定子電流與定子電壓之間的夾角為功率因數(shù)角。由空間向量圖2可知,定子電流向量與q軸之間的夾角為定子電壓向量

      與q軸之間的夾角。則其功率因數(shù)角

      由電流電壓可表示為:

      (9)

      在永磁同步電機控制中,的常見范圍是,而對于電流來講,僅當(dāng)電流在PWM的正

      半周期,即電角度時,有電流從S1端

      的IGBT 和S2端的DIODE流過,現(xiàn)基于此,對不同功率因數(shù)角范圍內(nèi)流經(jīng)A+端的IGBT和A-端的DIODE的功率損耗進行計算。

      當(dāng)功率因數(shù)角,利用(4),(8)式,將t轉(zhuǎn)化成后,在分段積分可得

      下式:

      (10)

      同理IGBT導(dǎo)通時的等效電阻造成的平均功率損耗表達式可利用式(5),(8)得:

      (11)

      同理可以推導(dǎo)出當(dāng)功率因數(shù)角

      時,導(dǎo)通壓降和等效電阻產(chǎn)生的平均功率損耗表達式。這里就不再一一贅述。由上面計算得出的式子可以得出,在功率因素角的時候,IGBT的導(dǎo)通壓降產(chǎn)生的功率

      損耗表達式在不同的功率因數(shù)角范圍內(nèi)是不相同的。相反,IGBT導(dǎo)通時等效電阻產(chǎn)生的功率損耗表達式是相同的。

      2.2 續(xù)流二級管的導(dǎo)通功率損耗

      同樣的,當(dāng)續(xù)流二級管導(dǎo)通的時候,其前向?qū)妷号c導(dǎo)通壓降和輸出電流之間的關(guān)系也是線性的,其表達式如下式:

      (12)

      式中,是流經(jīng)續(xù)流二級管電流的函數(shù)。由逆變器基本電路理論以及SVPWM 7段調(diào)制的基本原理可知,當(dāng)電壓在SVPWM 7段調(diào)制的一個調(diào)制區(qū)間內(nèi)時,電流若不從S1的IGBT流過,則必將從S2的續(xù)流二級管中流過,因此,在一個PWM周期中,電流作用在續(xù)流二級管上的有效時間為為PWM的周期。根據(jù)之前列出的計算公式,只需將式前面所有積分式中的占空比即可求出相應(yīng)功率因數(shù)角范圍內(nèi)續(xù)流二級管上的功率損耗,結(jié)果如下:

      當(dāng)功率因數(shù)角時:

      (13)

      (14)

      同理可以推導(dǎo)出當(dāng)功率因數(shù)角

      時,續(xù)流二級管的平均功率損耗。通過計算出來的式子可以看到,在范圍的時候,續(xù)流二級管導(dǎo)通壓降產(chǎn)生

      的功耗表達式在不同的功率因數(shù)角范圍內(nèi)是不相同的,相反,續(xù)流二級管導(dǎo)通時等效電阻產(chǎn)生的功耗表達式是相同的。

      3.結(jié)論與展望

      逆變器在當(dāng)今的車用永磁同步電機中運用相當(dāng)普遍,而對逆變器功耗的研究也成為當(dāng)今的熱門研究課題。但在之前的各論文研究中,均沒有給出在不同功率因數(shù)角范圍內(nèi),IGBT和續(xù)流二級管上導(dǎo)通功率損耗的準(zhǔn)確表達式,本文經(jīng)過大量計算,給出了在SVPWM 7段式調(diào)制方式下,在不同功率因素角范圍內(nèi),IGBT與續(xù)流二極管上導(dǎo)通功率損耗的準(zhǔn)確的分段表達式,為日后的研究提供了有力的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)。在今后的研究中,只需帶入實際的IGBT/DIODE和電機參數(shù)(即IGBT的導(dǎo)通壓降和導(dǎo)通等效電阻,續(xù)流二極管的導(dǎo)通壓降和導(dǎo)通等效電阻,逆變器相電流幅值和電壓調(diào)制比M)就可很簡便的求出在不同功率因數(shù)角范圍內(nèi)IGBT以及續(xù)流二極管上的導(dǎo)通總功耗。再查表得出IGBT的開關(guān)功耗,即可求出電動汽車逆變器上的總功率損耗。

      參考文獻

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      [3]杜毅,廖美英.逆變器中IGBT模塊的損耗計算及其散熱系統(tǒng)設(shè)計[J].電氣傳動自動化,2011,33(1):42-46.

      [4]王成元,夏加寬,孫宜標(biāo)(編著).現(xiàn)代電機控制技術(shù)[M].北京:機械工業(yè)出版社,2010.01.

      [5]Hefner A R.An Investigation of the Drive Circuit Requirements for the Power Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)[A].Proceedings PESC Record-IEEE Power Electronics Special Conference[C].1900,126-137.

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      [7]吳紅奎(編著).IGBT基礎(chǔ)與應(yīng)用實務(wù)[M].北京:科學(xué)出版社,.2010.09

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      [9]宋昌才主編.電力電子器件及其應(yīng)用[M].北京:化學(xué)工業(yè)出版社,2010.4

      [10]D.Grahame Holmes,Thomas A.Lipo,周克亮譯.電力電子變換器PWM技術(shù)原理與實踐[M].北京:人民郵電出版社,2010.2.

      作者簡介:劉杰,男,碩士研究生,現(xiàn)就讀于同濟大學(xué)中德學(xué)院控制工程專業(yè)。

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