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    一種ENOB達23位的ADC應用研究

    2014-03-09 06:41:32庹先國王洪輝奚大順徐少波
    自動化與儀表 2014年3期
    關鍵詞:單端寄存器高精度

    廖 斌 ,庹先國 ,2,王洪輝 ,奚大順 ,徐少波

    (1.成都理工大學地質災害防治與地質環(huán)境保護國家重點實驗室,成都 610059;2.西南科技大學核廢物與環(huán)境安全國防重點學科實驗室,綿陽 621010)

    在現(xiàn)代數(shù)據(jù)采集中,A/D轉換器的轉換精度對測量系統(tǒng)的性能有著決定性的影響。對更高轉換精度的需求促使設計者從傳統(tǒng)的12位逐次逼近寄存器 (SAR)ADC轉至分辨率高達24位的Δ-ΣADC。而有效位數(shù) ENOB(effective number of bits)經常被用來表征轉換精度的特性[1]。目前大多數(shù)24位分辨率的A/D轉換器實際使用中ENOB(有效位數(shù))甚至很難達到20位[2],難以滿足高精密測量儀器的要求。本文利用德州儀器公司推出的基于Δ-Σ技術的ADC-ADS1255[3],實現(xiàn)了具有高達 23位的ENOB。筆者結合自己的應用經驗對該ADC高精度測量的實現(xiàn)做了詳細的介紹。

    1 ADS1255簡介

    ADS1255具有24位的分辨率,內部集成了三路輸入模擬開關、輸入緩沖器、可編程增益放大器、可編程數(shù)字濾波器等。該模數(shù)轉換器采用模擬電壓5 V、數(shù)字電壓(1.8~3.3)V供電,數(shù)據(jù)采樣率最大30 kSPS;內部有11種獨立控制寄存器,用戶可以通過SPI接口對寄存器配置,從而得到不同的A/D采樣速率、采樣方式、A/D轉換精度等。圖1所示是ADS1255的內部結構框圖。

    圖1 ADS1255內部結構圖Fig.1 Block diagram of the ADSl255

    2 硬件測量電路

    2.1 ADS1255電路的設計

    圖2 ADS1255應用電路Fig.2 Application circuit of the ADSl255

    高性能的外圍電路設計能充分發(fā)揮ADS1255的無噪聲精度[4]。如圖2所示是ADS1255的應用電路圖。ADS1255的SCLK、DIN、DOUT和DRDY引腳與單片機(MCU)的SPI接口相連,同時在每一根數(shù)據(jù)線中串聯(lián)100 Ω的電阻以限制輸出電流,兩根數(shù)據(jù)輸入線SCLK、DIN旁路510 pF的電容增加抗干擾能力。電壓基準使用具有極低的噪聲和溫漂的2.5 V基準源芯片AD580M,輸入端用RC低通濾波器來限制高頻噪聲。主時鐘由兩個15 pF的接入電容配合7.68 M的晶振完成。ADC輸入端AIN0,AIN1添加一個RC阻容網(wǎng)絡以更好的驅動ADC并去除電路中的尖刺信號。3.3 V數(shù)字電源與單片機的供電電源連接,模擬電源和數(shù)字電源的輸入端分別并聯(lián)一個0.1 uF的陶瓷電容和一個l0 uF的鉭電容,數(shù)字地和模擬地用1 mH的電感進行隔離。

    2.2 低噪聲正負電源的設計

    在實際的測量中,電源是一個影響精度的重要因素,為了減少其影響,設計一個超低噪聲的正負電源至關重要。這里使用AD580M產生高精度的2.5 V基準電壓,利用高性能的運放LM158將電壓放大2倍到±5 V,并在運放輸出端進行LC濾波,形成精密基準電源為ADS1255、抗混疊濾波器、單端轉差分電路供電。圖3是低噪聲正負電源的電路。

    圖3 低噪聲正負電源電路Fig.3 Circuit of low noise positive and negative power

    2.3 抗混疊濾波器設計

    輸入信號中可能存在高次諧波成分,電路中使用低噪聲運算放大器LTU2252構成抗混疊濾波器,截止頻率約為10 Hz,可有效濾除輸入信號中的噪聲得到純凈的直流信號。圖4是抗混疊濾波器的電路圖。

    圖4 抗混疊濾波器電路Fig.4 Circuit of anti-aliasing filter

    2.4 單端轉差分電路設計

    ADS1255的三路模擬輸入端可以將其配置為2路單極輸入或者1路差動輸入。對于單極性信號測量只需將圖2中AIN-接地、AIN+接抗混疊濾波器形成偽差分輸入電路即可,在測量雙極性信號時需在抗混疊濾波器后加入THS4131構成的單端轉差分電路。圖5是單端轉差分的電路圖。電路中RF、RG選用0.1%的精密電阻,增益G=RF/RG=1,VCOM接圖2中AD580提供的精密2.5 V電壓基準。由于運算放大器限幅的原因,本設計中ADC的單端輸入時電壓范圍為0 V~+2.5 V,差分輸入時電壓范圍為-2.5 V~+2.5 V。

    圖5 單端轉差分電路Fig.5 Circuit of single-ended to differential

    3 軟件設計

    在ADS1255使用前需先通過寫獨立控制寄存器進行初始化,這些寄存器包括數(shù)據(jù)速度寄存器DRATE、狀態(tài)寄存器STATUS、模擬多路開關寄存器MUXAD和控制寄存器ADCON。要提高的A/D轉換精度,ADC的采樣速率必須盡可能地低,設置DRATE僅為2.5SPS,同時要使能自動校準、輸入緩沖器。默認情況下,ADS1255被配置為差分輸入(AIN0為正差分輸入通道,通道AIN1為負差分輸入端),可編程增益放大器的放大倍數(shù)PGA=1,因此不再設置MUXAD和ADCON。C51的初始化代碼如下:

    4 ENOB測試

    采用IEEE標準提供的方法對ADC進行測試,要求信號源的精度比被測ADC的精度高。對于高精度ADC,需要更高精度的信號源。而利用電路內部噪聲的測試方法對高精度的ADC進行測試,不需要高精度信號源,測試速度更快[5-7]。本文將信號輸入端進行單端接地、單端接基準、差分接地和差分接基準四種輸入方式分別連續(xù)測量10個數(shù)據(jù),依據(jù)式(1)計算出噪聲的均方根值(RMSnoise),依據(jù)式(2)算得A/D的ENOB(有效位數(shù))。測試條件是將測試電路置于密閉的鋁制屏蔽盒中進行,以保持環(huán)境溫度的穩(wěn)定,避免外界干擾。ADC測得數(shù)據(jù)如表1所示。

    式中:FS為滿量程幅度;RMSnoise為噪聲的均方根值。

    表1 ENOB測試結果Tab.1 Test results of ENOB

    根據(jù)測試結果,單端接地、差分接地時的ENOB分別達到了22.87、22.85位。單端接基準、差分接基準ENOB分別為22.51、22.61。

    另外筆者在進行單端測量時發(fā)現(xiàn)對于-20 mv~0 mv的信號,ADS1255也能進行高精度的測量。因此測量微小負信號時,也可使用單端測量。

    5 結語

    本文重點闡述了ADS1255實現(xiàn)高精度測量的應用設計及測試方法,對該類器件的應用提供了參考,具有一定的實用性。在提高ADS1255電路的測量精度和穩(wěn)定性時需注意幾點:電路各部分的數(shù)字電源和模擬電源要使用精密基準電源,輸入端靠近并聯(lián)一個小的陶瓷電容和一個大的鉭電容;模擬地和數(shù)字地要進行隔離;ADS1255的數(shù)據(jù)輸入導線必須盡可能短并且需要濾波;采樣速率越低,芯片產生的噪聲越小;軟件上對數(shù)據(jù)的多次平均值濾波有利于得到更穩(wěn)定的數(shù)據(jù);在電路測試時電路必須置于無外界干擾的環(huán)境,如:在測試電路外加屏蔽盒。

    [1] Steve Logan.理解ADC的噪聲、ENOB及有效分辨率[J].電子設計技術,2012,19(8):43-46.

    [2] 王曙光.提高ADC分辨率的電路設計[J].機床與液壓,2007,35(7):201-202.

    [3] Texas Instruments.ADS1255/ADS1256:Very Low Noise,24-Bit Analog-to-Digital Converter[Z].http://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/ads1255.pdf

    [4] 黃爭.數(shù)據(jù)轉換器應用手冊基礎知識篇[M].北京:電子工業(yè)出版社,2010.

    [5] 郝志剛,楊海鋼.高精度ADC有效精度的測試方法[J].半導體技術,2010,35(3):269-276.

    [6] KESTER W.Practicaldesign techniques for sensor signal conditions[M].USA:Analog Device,1999.

    [7] 張志強,阮黎婷,倪濤,等.ADC模數(shù)轉換器有效位計算[J].電子科技,2010,23(3):84-110. ■

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