石琴琴+張科峰+任志雄
摘 要: 在版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中經(jīng)常會(huì)遇到差分輸出信號(hào)共模點(diǎn)存在偏差的問題。以帶共模反饋(CMFB)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)運(yùn)算放大器為例,對(duì)版圖分別提取寄生電容C+CC和寄生電阻R進(jìn)行后仿,對(duì)比后仿結(jié)果,驗(yàn)證了共模偏差主要是由于寄生電阻的影響。根據(jù)后仿結(jié)果,采用Calibre軟件對(duì)版圖寄生電阻R進(jìn)行篩選,找到了影響版圖共模點(diǎn)偏差的主要走線,通過(guò)將該走線改為并聯(lián)的形式來(lái)減小寄生電阻,使輸出差分信號(hào)共模偏差由0.172 3 mV下降到15.559 μV。
關(guān)鍵詞: 共模偏差; 寄生參數(shù); 并聯(lián); Calibre
中圖分類號(hào): TN710?34 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A 文章編號(hào): 1004?373X(2014)03?0122?03
A method of reducing the common mode deviation in layout
SHI Qin?qin, ZHANG Ke?feng, REN Zhi?xiong
(Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
Abstract: The common mode deviation of differential output signals is commonplace during the layout design process. A two?stage operational amplifier with common feed?back (CMFB) structure is taken for example, the parasitic capacitors C+CC and parasitic resistors R of the layout are extracted to have post?simulation, through comparison, it is proved that the common mode deviation is mainly effected by parasitic resistors. According to the result, the parasitic resistor R of layout is screened by Calibre, and the main line affects the common mode deviation is. The common mode deviation of the differential output signals is reduced from 0.172 3 mV to 15.559 μV by decreasing the parasitic resistors through changing the lines into parallel connection.
Keywords: common mode deviation; parasitic parameter; parallel connection; Calibre
0 引 言
在版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中經(jīng)常會(huì)遇到差分輸出信號(hào)的共模點(diǎn)存在偏差等問題,尤其在設(shè)計(jì)高性能運(yùn)算放大器的版圖過(guò)程中更是常見。運(yùn)放是模擬電路的基礎(chǔ),在LPF、VGA、ADC等電路中應(yīng)用廣泛[1?2],如何設(shè)計(jì)一個(gè)高性能的運(yùn)放對(duì)模擬電路設(shè)計(jì)者而言尤為重要。設(shè)計(jì)者在電路級(jí)一般較容易實(shí)現(xiàn)高性能的要求,但是版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中由于寄生效應(yīng)的影響[3?5],造成運(yùn)放DC工作點(diǎn)發(fā)生偏移,嚴(yán)重時(shí)會(huì)直接導(dǎo)致電路不能正常工作。差分信號(hào)的共模點(diǎn)偏差是運(yùn)放版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中常見的一個(gè)問題,版圖設(shè)計(jì)者通常都會(huì)重點(diǎn)考慮版圖布局對(duì)稱性的要求而忽略某些敏感信號(hào)線的寄生效應(yīng)對(duì)電路的影響。本文擬提出一種方法,通過(guò) Calibre xRC提取寄生參數(shù)[6]進(jìn)行后仿,采用排除法得到影響差分電路版圖共模點(diǎn)的走線,然后通過(guò)適當(dāng)?shù)膬?yōu)化設(shè)計(jì)減小該走線的寄生效應(yīng),從而使版圖的后仿結(jié)果達(dá)到設(shè)計(jì)要求。
1 方法介紹
1.1 問題說(shuō)明
本文以帶共模反饋的兩級(jí)運(yùn)算放大器電路為例說(shuō)明該方法,電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,OPA1的差分輸入信號(hào)VIN_P,VIN_N經(jīng)兩級(jí)放大后輸出差分信號(hào)VOUT_P,VOUT_N,OPA2為共模反饋電路,通過(guò)反饋電壓[VB1,][VB2]使運(yùn)放輸出信號(hào)的直流點(diǎn)穩(wěn)定。[Vbias1,][Vbias2,][Vbias3]為該運(yùn)算放大器提供偏置電壓。
對(duì)于一個(gè)全差分運(yùn)算放大器來(lái)說(shuō),進(jìn)行版圖規(guī)劃和布局時(shí),特別需要注意對(duì)稱性,本版圖采用TSMC 0.18 μm CMOS設(shè)計(jì)工藝,完成圖1電路的版圖設(shè)計(jì)之后,進(jìn)行DRC,ERC驗(yàn)證[7?8];接下來(lái)運(yùn)行Calibre xRC,提取R+C+CC寄生參數(shù),生成CalibreView,用Spectre仿真config[9]得到版圖的后仿結(jié)果如圖2所示,從圖2可以看到共模反饋運(yùn)算放大器的layout的共模電平相差0.172 3 mV。
1.2 解決過(guò)程
分析以上仿真結(jié)果,共模點(diǎn)的偏差一般來(lái)自于版圖走線寄生電阻的影響,寄生電容一般影響交流信號(hào)的擺幅和穩(wěn)定性,所以首先驗(yàn)證這一推斷。再次運(yùn)行Calibre xRC,分別提取寄生電容C+CC和寄生電阻R并進(jìn)行后仿,后仿結(jié)果對(duì)比如圖3所示,只提取寄生電容(見圖3(a))后仿差分輸出幾乎無(wú)共模偏差,而只提取寄生電阻產(chǎn)生了嚴(yán)重的共模偏差,很顯然,共模點(diǎn)的偏差主要由于寄生電阻的影響。
圖2 后仿差分輸出電壓(提取R+C+CC)
圖3 提取不同寄生參數(shù)后仿結(jié)果對(duì)比
為了對(duì)版圖每條走線所貢獻(xiàn)的寄生參數(shù)進(jìn)行分析,運(yùn)行Calibre RVE,結(jié)果如圖4所示。
圖4 運(yùn)行Calibre RVE的寄生參數(shù)結(jié)果
通過(guò)對(duì)寄生電阻進(jìn)行篩選,可確定影響版圖共模點(diǎn)值的主要走線,如圖4所示主要有16條,將RVE的結(jié)果復(fù)制到Excel,同時(shí)在運(yùn)行Calibre xRC時(shí)去掉以上16條線,即不提取這些走線的寄生參數(shù),通過(guò)驗(yàn)證可知在沒有提取這16條線的情況下對(duì)版圖進(jìn)行后仿結(jié)果正確,所以接下來(lái)的工作就是采用排除法找出對(duì)版圖影響最大的走線。
再次運(yùn)行Calibre xRC,提取R+C+CC,在Outputs選項(xiàng)中將以上16條線規(guī)避,圖形界面如圖5所示;然后每次刪掉一組差分信號(hào)或者單個(gè)信號(hào),迭代運(yùn)行并仿真即可找到影響版圖性能的走線。
圖5 采用規(guī)避方法運(yùn)行Calibre xRC
由仿真結(jié)果可知,在本文選擇的實(shí)例中走線XI118/NET47的寄生參數(shù)導(dǎo)致運(yùn)放輸出共模點(diǎn)不對(duì)稱,反饋到版圖設(shè)計(jì),對(duì)該走線進(jìn)行優(yōu)化。
1.3 版圖優(yōu)化
版圖優(yōu)化的主要目的是減小寄生效應(yīng),如果要減小寄生電阻主要采用并聯(lián)走線的方式,減小電容主要采用串聯(lián)走線的方式。金屬孔不是越多越好,孔本身存在寄生電阻,在滿足電流密度的情況下預(yù)留適當(dāng)?shù)挠喽冗M(jìn)行打孔。
優(yōu)化示意圖如圖6所示,可以看到最初的版本上下兩排金屬線的寄生電阻直接串聯(lián),通過(guò)加入兩條金屬線將上下兩排走線連接起來(lái),由于金屬線并聯(lián)的關(guān)系可以減小整體金屬寄生電阻,提高版圖的性能,實(shí)際優(yōu)化對(duì)比如圖7所示。
圖6 版圖優(yōu)化示意圖
圖7 實(shí)際優(yōu)化對(duì)比
1.4 結(jié)果分析
經(jīng)過(guò)以上優(yōu)化過(guò)程,對(duì)圖1電路的版圖重新運(yùn)行Calibre xRC提取R+C+CC,仿真結(jié)果如圖8所示,可以看到輸出差分信號(hào)的共模點(diǎn)由之前的0.172 3 mV減小為15.559 μV,如果進(jìn)一步對(duì)版圖進(jìn)行優(yōu)化,或者在迭代的過(guò)程中多加入幾條金屬線的影響,該偏差會(huì)進(jìn)一步減小。
圖8 優(yōu)化后版圖后仿結(jié)果
2 結(jié) 論
本文提出的方法可大大減小在版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中產(chǎn)生的差分信號(hào)共模點(diǎn)偏差,通過(guò)對(duì)Calibre RVE的仿真結(jié)果分析,結(jié)合Calibre xRC的使用和排除法找到影響版圖性能的走線,然后采用相應(yīng)措施減小該走線的寄生效應(yīng)提升版圖后仿性能。這種方法可應(yīng)用于運(yùn)算放大器、混頻器等射頻模擬集成電路的版圖設(shè)計(jì)。
參考文獻(xiàn)
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[9] 何樂年,王憶.模擬集成電路設(shè)計(jì)與仿真[M].北京:科學(xué)出版社,2008.
圖3 提取不同寄生參數(shù)后仿結(jié)果對(duì)比
為了對(duì)版圖每條走線所貢獻(xiàn)的寄生參數(shù)進(jìn)行分析,運(yùn)行Calibre RVE,結(jié)果如圖4所示。
圖4 運(yùn)行Calibre RVE的寄生參數(shù)結(jié)果
通過(guò)對(duì)寄生電阻進(jìn)行篩選,可確定影響版圖共模點(diǎn)值的主要走線,如圖4所示主要有16條,將RVE的結(jié)果復(fù)制到Excel,同時(shí)在運(yùn)行Calibre xRC時(shí)去掉以上16條線,即不提取這些走線的寄生參數(shù),通過(guò)驗(yàn)證可知在沒有提取這16條線的情況下對(duì)版圖進(jìn)行后仿結(jié)果正確,所以接下來(lái)的工作就是采用排除法找出對(duì)版圖影響最大的走線。
再次運(yùn)行Calibre xRC,提取R+C+CC,在Outputs選項(xiàng)中將以上16條線規(guī)避,圖形界面如圖5所示;然后每次刪掉一組差分信號(hào)或者單個(gè)信號(hào),迭代運(yùn)行并仿真即可找到影響版圖性能的走線。
圖5 采用規(guī)避方法運(yùn)行Calibre xRC
由仿真結(jié)果可知,在本文選擇的實(shí)例中走線XI118/NET47的寄生參數(shù)導(dǎo)致運(yùn)放輸出共模點(diǎn)不對(duì)稱,反饋到版圖設(shè)計(jì),對(duì)該走線進(jìn)行優(yōu)化。
1.3 版圖優(yōu)化
版圖優(yōu)化的主要目的是減小寄生效應(yīng),如果要減小寄生電阻主要采用并聯(lián)走線的方式,減小電容主要采用串聯(lián)走線的方式。金屬孔不是越多越好,孔本身存在寄生電阻,在滿足電流密度的情況下預(yù)留適當(dāng)?shù)挠喽冗M(jìn)行打孔。
優(yōu)化示意圖如圖6所示,可以看到最初的版本上下兩排金屬線的寄生電阻直接串聯(lián),通過(guò)加入兩條金屬線將上下兩排走線連接起來(lái),由于金屬線并聯(lián)的關(guān)系可以減小整體金屬寄生電阻,提高版圖的性能,實(shí)際優(yōu)化對(duì)比如圖7所示。
圖6 版圖優(yōu)化示意圖
圖7 實(shí)際優(yōu)化對(duì)比
1.4 結(jié)果分析
經(jīng)過(guò)以上優(yōu)化過(guò)程,對(duì)圖1電路的版圖重新運(yùn)行Calibre xRC提取R+C+CC,仿真結(jié)果如圖8所示,可以看到輸出差分信號(hào)的共模點(diǎn)由之前的0.172 3 mV減小為15.559 μV,如果進(jìn)一步對(duì)版圖進(jìn)行優(yōu)化,或者在迭代的過(guò)程中多加入幾條金屬線的影響,該偏差會(huì)進(jìn)一步減小。
圖8 優(yōu)化后版圖后仿結(jié)果
2 結(jié) 論
本文提出的方法可大大減小在版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中產(chǎn)生的差分信號(hào)共模點(diǎn)偏差,通過(guò)對(duì)Calibre RVE的仿真結(jié)果分析,結(jié)合Calibre xRC的使用和排除法找到影響版圖性能的走線,然后采用相應(yīng)措施減小該走線的寄生效應(yīng)提升版圖后仿性能。這種方法可應(yīng)用于運(yùn)算放大器、混頻器等射頻模擬集成電路的版圖設(shè)計(jì)。
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圖3 提取不同寄生參數(shù)后仿結(jié)果對(duì)比
為了對(duì)版圖每條走線所貢獻(xiàn)的寄生參數(shù)進(jìn)行分析,運(yùn)行Calibre RVE,結(jié)果如圖4所示。
圖4 運(yùn)行Calibre RVE的寄生參數(shù)結(jié)果
通過(guò)對(duì)寄生電阻進(jìn)行篩選,可確定影響版圖共模點(diǎn)值的主要走線,如圖4所示主要有16條,將RVE的結(jié)果復(fù)制到Excel,同時(shí)在運(yùn)行Calibre xRC時(shí)去掉以上16條線,即不提取這些走線的寄生參數(shù),通過(guò)驗(yàn)證可知在沒有提取這16條線的情況下對(duì)版圖進(jìn)行后仿結(jié)果正確,所以接下來(lái)的工作就是采用排除法找出對(duì)版圖影響最大的走線。
再次運(yùn)行Calibre xRC,提取R+C+CC,在Outputs選項(xiàng)中將以上16條線規(guī)避,圖形界面如圖5所示;然后每次刪掉一組差分信號(hào)或者單個(gè)信號(hào),迭代運(yùn)行并仿真即可找到影響版圖性能的走線。
圖5 采用規(guī)避方法運(yùn)行Calibre xRC
由仿真結(jié)果可知,在本文選擇的實(shí)例中走線XI118/NET47的寄生參數(shù)導(dǎo)致運(yùn)放輸出共模點(diǎn)不對(duì)稱,反饋到版圖設(shè)計(jì),對(duì)該走線進(jìn)行優(yōu)化。
1.3 版圖優(yōu)化
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優(yōu)化示意圖如圖6所示,可以看到最初的版本上下兩排金屬線的寄生電阻直接串聯(lián),通過(guò)加入兩條金屬線將上下兩排走線連接起來(lái),由于金屬線并聯(lián)的關(guān)系可以減小整體金屬寄生電阻,提高版圖的性能,實(shí)際優(yōu)化對(duì)比如圖7所示。
圖6 版圖優(yōu)化示意圖
圖7 實(shí)際優(yōu)化對(duì)比
1.4 結(jié)果分析
經(jīng)過(guò)以上優(yōu)化過(guò)程,對(duì)圖1電路的版圖重新運(yùn)行Calibre xRC提取R+C+CC,仿真結(jié)果如圖8所示,可以看到輸出差分信號(hào)的共模點(diǎn)由之前的0.172 3 mV減小為15.559 μV,如果進(jìn)一步對(duì)版圖進(jìn)行優(yōu)化,或者在迭代的過(guò)程中多加入幾條金屬線的影響,該偏差會(huì)進(jìn)一步減小。
圖8 優(yōu)化后版圖后仿結(jié)果
2 結(jié) 論
本文提出的方法可大大減小在版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中產(chǎn)生的差分信號(hào)共模點(diǎn)偏差,通過(guò)對(duì)Calibre RVE的仿真結(jié)果分析,結(jié)合Calibre xRC的使用和排除法找到影響版圖性能的走線,然后采用相應(yīng)措施減小該走線的寄生效應(yīng)提升版圖后仿性能。這種方法可應(yīng)用于運(yùn)算放大器、混頻器等射頻模擬集成電路的版圖設(shè)計(jì)。
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