陳章濤,潘凌宇
(湖北航天計量測試技術(shù)研究所,湖北 孝感 432100)
隨著集成電路封裝、焊接技術(shù)的發(fā)展,塑封器件由于其體積小、重量輕、成本低、集成度高、易采購等特點,其應(yīng)用也越來越廣泛。塑封器件不僅在工業(yè)、通信、IT等行業(yè)逐步替代雙列直插等封裝形式的器件成為主流產(chǎn)品。同時,由于封裝材料、芯片鈍化及封裝工藝水平等方面逐漸成熟,塑封器件的可靠性也得到了很大提高,其在高尖端武器系統(tǒng)如航空、航天產(chǎn)品上也逐漸得到了大量選用。
筆者所在單位自2003年開始從事塑封器件篩選、檢測技術(shù)研究,編寫了相關(guān)二次篩選、檢驗標(biāo)準(zhǔn),并逐步形成了塑封器件篩選檢測、老化等能力,對塑封器件質(zhì)量控制起到了一定的作用。然而,隨著塑封器件使用量的增大,在使用過程中也暴露出了部分問題,如塑封器件容易打磨、翻新,內(nèi)部易進入水汽產(chǎn)生爆米花效應(yīng)、內(nèi)部界面分層等。2010年,我所開始對塑封器件抽做DPA試驗,從試驗結(jié)果來看,DPA試驗在控制塑封器件質(zhì)量上起到了非常大的作用。根據(jù)2011年DPA試驗結(jié)果統(tǒng)計:塑封器件DPA不合格率高達13.4%,遠遠超過了空封器件3.9%的不合格率,而在DPA不合格原因中,器件內(nèi)部界面分層則占到了84.5%的比例;分層器件中包括鍵合絲區(qū)域的引腳分層占85.8%,引腳從塑封料完全剝離的占11.6%,其他分層(芯片與基板、芯片與塑封材料、基板與塑封材料等)占2.6%;國產(chǎn)塑封器件不合格率明顯高于進口塑封器件;同一批次、同一封裝地、不同時期抽樣進行DPA試驗,結(jié)果有時卻完全相反。因此,芯片內(nèi)部界面分層作為塑封器件DPA失效的主要失效模式,越來越引起我們的重視。
聲學(xué)掃描顯微鏡檢查,作為檢測塑封器件內(nèi)部界面是否分層的主要試驗方法,逐漸得到了各元器件生產(chǎn)單位和篩選中心的認(rèn)可,都購置了或準(zhǔn)備購置相應(yīng)的檢測設(shè)備。筆者從近年來在設(shè)備使用過程中遇到的各種問題,談?wù)剬β晫W(xué)掃描顯微鏡檢查的認(rèn)識。
超聲波掃描顯微鏡利用超聲波在介質(zhì)中傳輸時,遇到不同密度或彈性系數(shù)的材料,會發(fā)生反射回波,此種反射回波強度會因材料密度不同而有所差異,而超聲波在空氣中則無法傳播(全反射)的特性,用于探測物體內(nèi)的結(jié)構(gòu)、缺陷以及對材料做定性分析。
超聲波掃描顯微成像技術(shù)對粘接層面很敏感,可用來檢測塑封器件的多種缺陷,如封裝界面分層、塑封材料內(nèi)部空洞和裂紋、芯片裂紋、芯片粘接區(qū)域空洞等。在掃描的圖像中,與背景相比的襯度變化構(gòu)成了重要的信息,在有空洞、裂紋、粘接不良和分層剝離的位置產(chǎn)生高的襯度,因而容易在背景中區(qū)分出來。襯度的高度表現(xiàn)為回波脈沖的正負極性,其大小是由組成界面的兩種材料的聲學(xué)阻抗系數(shù)決定的,回波的極性和強度構(gòu)成能反映界面狀態(tài)缺陷的超聲圖像。當(dāng)轉(zhuǎn)換器來回掃描器件的時候,它以每秒幾千次的頻率發(fā)射脈沖超聲到樣品內(nèi)部,轉(zhuǎn)換器同時也接受從樣品內(nèi)部反射回來的信號,像塑封料這樣的均質(zhì)材料內(nèi)部不會對脈沖反射,但不同材料的界面會反射超聲信號。超聲從界面反射的程度(反射信號的振幅)取決于兩種材料的聲阻抗。
圖1、圖2為某樣品后視圖(未見分層)的超聲掃描圖像及背面基板的波形圖,圖3、圖4為某樣品后視圖(塑封材料與基板界面分層)的超聲掃描圖像以及基板中分層區(qū)域波形圖。
圖1 樣品后視圖未見分層
圖2 樣品塑封材料與基板界面波形圖
圖3 樣品塑封材料與基板分層
圖4 樣品塑封材料與基板分層區(qū)域波形圖
塑封器件由于其封裝材料和結(jié)構(gòu)的特殊性,空氣中的水汽可沿著器件引線與封裝材料的封界面進入器件內(nèi)部,并在界面中逐步形成水膜,塑封體本身由于吸收了大量的水汽而膨脹變形,如果內(nèi)部粘接性不好,就導(dǎo)致內(nèi)部結(jié)構(gòu)出現(xiàn)分層。作為塑封材料的聚合物,在環(huán)氧樹脂模制化合物暴露在潮濕的環(huán)境下時,就具有很強的水汽吸收性,“水汽作用”理論認(rèn)為,那些致命缺陷的形成是由于傳塑封裝工藝中已經(jīng)固化的聚合物(塑封體)從空氣中吸收了水汽,如表貼器件在經(jīng)過IR爐內(nèi)快速加熱時,就會導(dǎo)致水汽膨脹而引起塑封體內(nèi)致命的缺陷[1]。同時,塑封材料中包含有多種添加劑成分的復(fù)合樹脂(如固化劑、催化劑、惰性填充劑、偶聯(lián)劑、阻燃劑、應(yīng)力緩和劑、著色劑等,尤其是鹵素元素與水汽結(jié)合后,腐蝕性更大,還會引起裂紋、脫層、電性能退化等失效。圖5深灰色分層區(qū)域邊緣,存在一條水汽與分層區(qū)域的分界線。
圖5 水汽導(dǎo)致界面分層
塑封材料與其他材料之間熱脹冷縮系數(shù)不同,在溫度變化(高溫、低溫、溫度循環(huán)或沖擊)時,引起界面兩邊的材料的伸縮或膨脹的長度不同而產(chǎn)生剪切力,界面剪切力可引起界面分層。如某些塑封材料與引線架界面,在溫循過程中,通過不斷的熱脹冷縮效應(yīng),導(dǎo)致界面出現(xiàn)分層擴大現(xiàn)象。圖6、圖7為某型號同只器件鍵合絲區(qū)域在溫循前后變化情況,溫度循環(huán)5次(保持單一變量,后同)。
圖6 溫循前分層區(qū)域較小
圖7 溫循后分層區(qū)域擴大
塑封材料與其他材料之間的界面粘結(jié)不良(先天)已分層,在使用或儲存過程中溫度變化,如器件工作升溫、停止工作降溫等,使分層進一步擴展為大面積的分層。另一方面,由于塑封器件沒有“真空”包裝,在長時間儲存中,存儲環(huán)境濕度控制不良,水汽進入塑封內(nèi)部界面,引起界面粘結(jié)退化,使分層面積擴大。圖8、圖9為同只器件無密封狀態(tài)下放置一年后的圖片對比。
圖8 一年前分層區(qū)域較小
圖9 一年后分層區(qū)域擴大
在界面分離過程中,跨越在塑料中的鍵合絲被塑料拉扯或推移,可能導(dǎo)致鍵合點脫離或鍵合絲斷開。同時,芯片表面多層結(jié)構(gòu)受塑封材料的推剪而破壞,嚴(yán)重時,導(dǎo)致塑封材料炸開,內(nèi)部結(jié)構(gòu)(如鍵合絲)被拉斷,如圖10。只要內(nèi)部界面出現(xiàn)微小的脫離,器件的可靠性就可能有嚴(yán)重的問題。
圖10 界面分離導(dǎo)致鍵合點被拉脫
影響界面分層的自身因素很多,工藝和材料的稍許不同,或許就會導(dǎo)致界面分層的產(chǎn)生,在此,僅對部分影響因素提出進一步說明。
引線框架和塑封體之間是機械粘接,因此在引線框架上應(yīng)有一定的凸起或者空洞將引線框架鎖定在固化的塑封體中,一些機械特性的進行可以很好地阻止使用過程中潮氣的進入。同時,引線框架產(chǎn)生兩類應(yīng)力都可以通過框架的設(shè)計減小,達到調(diào)整熱膨脹系數(shù)失配以及降低界面剪切力的效果[2]。
塑封材料直接影響PEM的抗吸濕和去吸濕性,是影響分層的關(guān)鍵因素之一,對塑封材料的研究長期以來也一直是PEM研究的重要課題。PEM不同于軍用系統(tǒng)中通過高強度設(shè)計和制造出來的。同時,能在一系列極度惡劣環(huán)境中使用的具有高可靠性的微電路,PEM被設(shè)計出來的初衷是用在良好的環(huán)境中,這樣的環(huán)境下設(shè)備更加容易得到維護或更換[3]。也正是由于塑封材料本身的特性,在嚴(yán)酷的條件下,會出現(xiàn)揮發(fā)、變形、空洞、分層的現(xiàn)象。
芯片表面鈍化層對芯片分層影響很大,在加工條件和設(shè)備完全相同的情況下,芯片鈍化層不同,可能芯片表面分層情況也不一致。人們熟知的用作頂層保護層的淀積二氧化硅膜有Vapox、Pyrox或Silox等。視淀積溫度的不同,淀積的氧化物具有比較低的密度和不同的機械性能,如折射系數(shù)、對裂紋的抵抗、絕緣強度和刻蝕速率。在許多工藝中,對點擊的薄膜采取高溫?zé)崽幚?,稱為致密作用。致密過程之后,淀積的二氧化硅在結(jié)構(gòu)和性能上接近熱氧化膜[4]。無論是材料還是工藝過程的選擇,都可能影響芯片鈍化層性能,從而影響界面粘接性能。
GJB4027A-2006方法1103中,專門針對塑封半導(dǎo)體集成電路提出了聲學(xué)掃描顯微鏡檢查的要求和判據(jù),GJB548方法2030則對芯片粘接的超聲掃描提出了方法和要求。另外,美國聯(lián)合產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《用于檢查非氣密塑封電子元器件的超聲顯微鏡》(IPC/JEDEC J-STD-035)、美國NASA《Instructions for Plastic Encapsulated Microcircuit(PEM)Selection,Screening, and Qualification》(PEM-INST-001)等都提出了類似的方法或要求,可參照執(zhí)行。
GJB4027A-2006方法1103中,聲學(xué)掃描顯微鏡檢查主要用于檢查下列缺陷(非破壞性的):
(1)模塑化合物與引線框架、芯片或壓點處的分層(頂部和底部分別檢查);
(2)模塑化合物中的空洞和裂縫;
(3)芯片粘接材料中的未粘合區(qū)域及空洞(如果可能存在)[5]。
J-STD-035是對于非氣密性電子元器件聲學(xué)顯微鏡檢查程序,主要介紹了掃描方式、方法以及缺陷判據(jù)。
PEM-INST-001的標(biāo)準(zhǔn)主要用于塑封微電路在高可靠性領(lǐng)域的應(yīng)用、篩選與鑒定,提供了以下缺陷參考:
(1)任何在芯片和模塑化合物之間可測量的分層;
(2)任何鍵合絲區(qū)域的引腳分層;
(3)超過內(nèi)部引腳長度2/3的分層[6]。
根據(jù)聲學(xué)掃描顯微鏡檢查拒收的判據(jù),分層面積大小、分層部位、分層脫離的距離三個因素是影響超聲掃描結(jié)果的關(guān)鍵因素,表明:
(1)芯片表面的界面分層是極其敏感的;
(2)包括鍵合點的界面的分層是極其敏感的;
(3)任何包括鍵合絲的模塑裂紋。
因此,在進行聲學(xué)掃描顯微鏡檢查時,需要對以上部位重點加以控制。而從歷年超聲掃描結(jié)果來看,包括鍵合絲區(qū)域的引腳分層也構(gòu)成了塑封器件超聲掃描的主要失效模式。
塑封器件由于其結(jié)構(gòu)材料的特殊性,整個生命周期都存在內(nèi)部界面分層的可能,為了確保產(chǎn)品的可靠性,建議加強對塑封器件聲學(xué)掃描顯微鏡檢查的力度,建議對其進行100%超聲掃描篩選。加強塑封器件儲存條件的控制,在器件進行篩選、檢測完成后,有必要進行除潮處理并真空包裝,防止先天性內(nèi)部界面分層擴大。同時,嚴(yán)格控制焊接工藝,焊接前進行除潮處理,焊接后進行“三防”處理,避免器件在焊接和使用過程中溫度變化導(dǎo)致界面分層。
[1] 張延赤. 水汽或結(jié)構(gòu)對塑封電子器件可靠性的影響研究[J].電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗,2010,(2)∶ 1-5.
[2] 施保球,張政林. 集成電路塑封中引線框架使用要求[C].電子工業(yè)銅合金材料推廣會文集.
[3] NASA/TP-212244-2003, PEM-INST-001∶ Instructions for Plastic Encapsulated Microcircuit(PEM)Selection,Screening, and Qualification [S].
[4] Peter Van Zant. Microchip Fabrication∶ A Practical Guide to Semiconductor Processing, Fifth Edition [M] .北京:電子工業(yè)出版社,2010.
[5] 軍用電子元器件破壞性物理分析方法[S]. GJB4027A-2006,總裝備部軍標(biāo)出版發(fā)行部出版,2006.