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    基片溫度對鎵鈦共摻雜氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜性能的影響

    2013-11-26 05:45:20鐘志有
    關(guān)鍵詞:能隙時所基片

    鐘志有,張 騰,汪 浩

    (中南民族大學(xué)電子信息工程學(xué)院,武漢430074)

    有機光伏電池具有輕薄、成本低、能卷曲、環(huán)境友好、容易實現(xiàn)大面積制造等獨特優(yōu)勢[1-3],在便攜式計算機、半透光式充電器以及柔性可卷曲系統(tǒng)等體系中具有潛在的應(yīng)用前景,是未來最為廉價和最有吸引力的能源模式之一.自從1986年 Tang[4]發(fā)明電子給體-受體雙層結(jié)構(gòu)的有機光伏電池以來,人們從電池結(jié)構(gòu)、器件機理、光伏材料和制備工藝等各個方面卓有成效地開展了研究,電池的性能獲得了明顯提高[5-7].眾所周知,有機光伏電池的典型結(jié)構(gòu)為三明治夾心結(jié)構(gòu),即依次由透明導(dǎo)電陽極、有機活性層和金屬陰極組成,其中,電池陽極一般采用摻錫氧化銦(ITO)透明導(dǎo)電玻璃,但由于銦(In)、錫(Sn)自然儲量較少、制備工藝復(fù)雜、成本高、有毒性、穩(wěn)定性不理想等原因,從而將極大影響未來光伏電池的推廣應(yīng)用,因此,研制可以替代ITO產(chǎn)品的透明導(dǎo)電薄膜已經(jīng)成為該領(lǐng)域的重要課題之一.

    氧化鋅(ZnO)是II-VI族n型半導(dǎo)體材料,在室溫條件下直接光學(xué)能隙約為3.37 eV[8],它具有良好的導(dǎo)電性和透光性,在發(fā)光器件、光伏電池、液晶顯示器、透明電磁屏蔽以及觸敏覆蓋層等眾多領(lǐng)域得到了非常廣泛的應(yīng)用[9,10].與目前普遍使用的ITO相比,ZnO薄膜具有自然儲量豐富、價格低廉、在活性氫和氫等離子體環(huán)境下穩(wěn)定性高等優(yōu)點而備受青睞.研究表明,Al、B、Ti、Zr、Ga 等單元素摻雜能夠較大幅度地提高ZnO薄膜的導(dǎo)電能力,但其光學(xué)性能和化學(xué)穩(wěn)定性卻仍然不盡如人意.為此,近幾年人們開始嘗試采用 Al-Mn[11]、Ga-B[12]、Li-Mg[13]、Al-Sc[14]、Al-Zr[15]、Mn-Co[16]等共摻雜方法來獲得具有優(yōu)良光電性能的ZnO透明導(dǎo)電薄膜.對于共摻雜ZnO透明導(dǎo)電薄膜,其主要制備方法有脈沖激光沉積 法[17,18]、噴霧熱分解法[19]、化學(xué)氣相沉積法[20]、射頻濺射法[21,22]、直流濺射法[23,24]、溶膠-凝膠法[25-27]等,其中磁控濺射技術(shù)具有設(shè)備簡單、價格便宜、易于摻雜等特點,所制備的薄膜不僅均勻致密、表面平整、附著性好,而且c軸取向性好、可見光區(qū)透過率高,因此它是目前摻雜ZnO薄膜最常用的制備方法之一.本文以鎵鈦共摻雜氧化鋅(GTZO)陶瓷靶作為靶材,采用射頻磁控濺射技術(shù)制備了GTZO無銦透明導(dǎo)電薄膜,通過 X射線衍射儀(XRD)、分光光度計和四探針儀等測試表征,研究了基片溫度對薄膜結(jié)晶質(zhì)量、電學(xué)性質(zhì)和光學(xué)性能的影響.

    1 實驗

    1.1 基片處理

    實驗選用普通玻璃作為基片材料,首先采用丙酮擦拭玻璃基片表面,然后用清水沖洗干凈,再依次使用丙酮、無水乙醇和去離子水各超聲清洗約15 min,最后在無水乙醇中煮沸,吹干待用.

    1.2 薄膜制備

    利用射頻磁控濺射技術(shù)在玻璃基片上制備透明導(dǎo)電的GTZO薄膜,所用實驗設(shè)備為國產(chǎn)KDJ567型高真空復(fù)合鍍膜系統(tǒng),所用濺射靶材的直徑為50 mm、厚度為4 mm,它由ZnO、Ga2O3和 TiO2混合燒結(jié)而成,ZnO、Ga2O3和TiO2的純度均為99.99%,其中ZnO、Ga2O3和TiO2的質(zhì)量分數(shù)分別為97%、1.5%和1.5%.濺射所用氣體為純度99.99%的高純氬氣,GTZO薄膜沉積之前,先將玻璃基片放置于鍍膜系統(tǒng)的真空室中,待氣壓抽至低于5×10-4Pa后通入氬氣,并先采用氬離子體對基片表面清洗約3 min,然后再對靶材表面預(yù)濺射5 min以去除其表面的雜質(zhì)和污染物.實驗時,制備GTZO薄膜的具體工藝參數(shù)如下:濺射功率為200 W,靶-基距離為70 mm,工作壓強為0.5 Pa,氬氣流量為15 sccm,濺射時間為40 min,基片溫度分別為300℃、350℃和400℃.

    1.3 性能表征

    GTZO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)采用德國Bruker公司的D8-ADVANCE型X射線衍射儀(Cu Kα,射線源的波長λ=0.15406 nm)分析,薄膜的方塊電阻利用SZ-82型數(shù)字式四探針儀測試,薄膜的光學(xué)性能使用TU-1901型雙光束紫外-可見光分光光度計進行表征.

    2 結(jié)果與討論

    2.1 薄膜的微觀結(jié)構(gòu)

    不同基片溫度時所制備GTZO薄膜樣品的XRD圖譜如圖1所示,由圖可見,所有GTZO樣品的特征譜線與均ZnO薄膜六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)的特征譜線相吻合,這說明GTZO薄膜樣品均具有六角纖鋅礦結(jié)構(gòu),并且存在(002)方向上的擇優(yōu)取向.另外從XRD圖譜看出,對于所有GTZO薄膜,在衍射峰位34.4°附近存在一個很強的(002)衍射峰,并且沒有檢測到Ga2O3相和TiO2相的存在,這說明摻雜到薄膜當中的Ga原子和Ti原子均以替位形式取代了六角晶格中的部分Zn原子的位置,或者它們彌散在薄膜的晶粒間界區(qū)域[28,29],對于不同元素摻雜的 ZnO薄膜,也有類似結(jié)果的報道[30-32].

    圖2為GTZO薄膜(002)衍射峰位2θ及其衍射強度隨基片溫度的變化關(guān)系,可以看出,基片溫度對GTZO樣品(002)衍射峰位的影響并不明顯,但對(002)峰的衍射強度具有較為顯著的影響,當基片溫度為300℃、350℃和400℃時,GTZO薄膜(002)峰衍射強度分別為3.5 ×105cps,6.6 ×105cps,6.3×105cps,呈現(xiàn)出先升高、后降低的變化趨勢,其中基片溫度為350℃時所對應(yīng)的衍射峰強度最大.

    GTZO樣品(002)衍射峰半高寬(B)隨基片溫度的變化如圖3(a)所示,由圖可知,基片溫度升高時,半高寬B先逐漸減小、后逐漸增加,當基片溫度為350℃時GTZO薄膜的B值最小,大約為0.162°.基于(002)衍射峰的峰位2θ值和對應(yīng)的半高寬B,不同基片溫度時GZTO薄膜的晶粒尺寸(D)可以根據(jù) Debye-Scherrer公式[33,34]計算:

    公式(1)中,θ為衍射角,λ為X射線的波長(對于銅靶,λ=0.15406 nm),k為形狀因子(這里取 k=0.89)[35].不同基片溫度時所制備 GTZO 樣品的晶粒尺寸D如圖3(b)所示,從圖中可以看出,當基片溫度為300℃,350℃和400℃時,GTZO樣品的晶粒尺寸 D 分別為36.6 nm,50.8 nm 和45.9 nm,結(jié)果說明GTZO薄膜的晶粒尺寸D明顯受到基片溫度的影響,D隨基片溫度的變化趨勢與半高寬B相反,當基片溫度為350℃時樣品的晶粒尺寸最大(50.8 nm).

    圖1 不同基片溫度時樣品的XRD圖譜Fig.1 XRD patterns of the samples deposited with different substrate temperatures

    圖2 不同基片溫度時樣品的(002)峰位置和衍射強度Fig.2 The peak position(2θ)(a)and intensity(b)of(002)plane for the samples deposited with different substrate temperatures

    圖3 不同基片溫度時樣品的(002)峰半高寬和晶粒尺寸Fig.3 The full-width at half-maximum(B)(a)and grain size(D)(b)of(002)plane for the samples deposited with different substrate temperatures

    圖4 不同基片溫度時樣品的透射譜Fig.4 Transmittance spectra of the samples deposited with different substrate temperatures

    2.2 薄膜的光電性能

    圖4為不同基片溫度時所制備GTZO薄膜的透過率曲線,可以看出,所有薄膜樣品的透過率曲線顯示了清晰、光滑的干涉條紋,這種透過率曲線的多級振蕩來自于薄膜上表面和下表面(即與基片之間的界面)反射光之間的干涉,良好的振蕩特性表明所制備的GTZO薄膜具有平整的表面、均勻的厚度和良好的光學(xué)質(zhì)量[36,37].對于圖 4 的透過率譜線,可以粗略地分成3個區(qū)域:透明振蕩區(qū)(400~800 nm)、中等吸收區(qū)(360~400 nm)和強吸收區(qū)(200~360 nm).透明振蕩區(qū)表明GTZO薄膜在此光譜范圍內(nèi)基本上是透明的.隨著波長(λ)減小,GTZO薄膜進入中等吸收區(qū),這時薄膜具有一定的弱吸收能力.當波長λ繼續(xù)減小時,GTZO薄膜進入強吸收區(qū),可以看到大約在λ=355 nm處,薄膜的透過率急劇下降,其吸收能力顯著增強,表明了GTZO薄膜的光學(xué)能隙在此附近.圖5(a)給出了不同溫度時沉積在玻璃基片上GTZO薄膜的平均透過率(Tav,未扣除玻璃基片),當基片溫度為300℃,350℃和400℃時,GTZO薄膜/玻璃基片的可見光區(qū)平均透過率Tav分別為71.5%,72.6% 和 73.2%,可見,薄膜的平均透過率隨著基片溫度的升高略有增加,但并沒有顯著性的變化.圖5(b)為GTZO薄膜的方塊電阻(Rs)與基片溫度之間的變化關(guān)系,隨著基片溫度的升高,方塊電阻Rs單調(diào)增加,呈現(xiàn)出先平緩而后陡峭的變化趨勢.可見,雖然GTZO薄膜的Tav和Rs都隨基片溫度的升高而增加,但是二者的變化速率卻明顯不同,因此為了評價透明導(dǎo)電薄膜的光電綜合性能,Haacke[38]定義了優(yōu)良指數(shù),即薄膜的品質(zhì)因數(shù)(FH)為:

    公式(2)中,Tav為GTZO薄膜可見光波段的平均透過率,Rs為薄膜的方塊電阻[39].不同基片溫度下所制備GTZO薄膜樣品的品質(zhì)因數(shù)FH如圖6所示,基片溫度從300℃升高到350℃時,F(xiàn)H增大,而當基片溫度繼續(xù)升高到400℃時,F(xiàn)H反而減小,可見,基片溫度為350℃時GTZO薄膜的FH值最大(4.2×10-3Ω-1),這表明基片溫度為350℃時所制備的GTZO薄膜具有最好的光電綜合性能.

    2.3 薄膜的光學(xué)能隙

    由圖4可知,GTZO薄膜在波長λ為400~800 nm范圍內(nèi)表現(xiàn)出良好的透光性能,并在355 nm左右有一陡峭的吸收邊,在吸收邊附近,薄膜的透過率(T)與吸收系數(shù)(α)之間滿足如下關(guān)系式[40]:

    公式(3)中,T0和t分別為常數(shù)和薄膜厚度.對于吸收邊附近有 T0≈1[41],因此,利用式(3)式由薄膜厚度t以及對應(yīng)的吸收邊附近的光學(xué)透過率T就可以獲得薄膜的光學(xué)吸收系數(shù) α.根據(jù) Tauc法則[42],對于薄膜的吸收邊附近,光學(xué)吸收系數(shù)α與入射光子能量(hv)之間滿足如下方程:

    圖5 不同基片溫度時樣品的可見光區(qū)平均透過率和方塊電阻值Fig.5 Average visible transmittance(Tav)(a)and sheet resistivity(Rs)(b)of the samples deposited with different substrate temperatures

    圖6 不同基片溫度時樣品的品質(zhì)因數(shù)Fig.6 Figure of merit for the samples deposited with different substrate temperatures

    公式(4)中,C為常數(shù),Eg為薄膜的光學(xué)能隙,指數(shù)m取決于躍遷的類型.當m=2時,對應(yīng)于直接躍遷,而當 m=0.5時則對應(yīng)于間接躍遷[43].由于GTZO薄膜屬于直接躍遷,故取m=2作出(αhv)2與hv之間的關(guān)系曲線圖,根據(jù)外推法得到橫軸(hv)上的交點(αhv=0)后,容易計算獲得薄膜的光學(xué)能隙Eg.圖7為不同基片溫度時所制備GTZO薄膜的(αhv)2-hv關(guān)系曲線,利用外推法可得樣品的光學(xué)能隙Eg值如圖8所示,不同基片溫度時所制備GTZO薄膜的Eg值為3.48~3.54 eV,均大于純ZnO薄膜的光學(xué)能隙(Eg0=3.37 eV)[8],這主要是 Burstein-Moss(B-M)效應(yīng)[43,44]所引起的,即由于導(dǎo)帶底部附近量子態(tài)基本上已被電子占據(jù),故價帶中的電子欲想直接躍遷到導(dǎo)帶中時,則必須吸收更多的能量才能躍遷到導(dǎo)帶中較高的空位上,就如同禁帶寬度增加了.GTZO薄膜在紫外光區(qū)的吸收是由薄膜中的載流子濃度ne所決定的,由B-M效應(yīng)而引起的能隙寬化)可以表示為[27,45]:

    圖7 不同基片溫度時樣品的(αhv)2-hv關(guān)系曲線Fig.7 (αhv)2as a function of hv for the samples deposited with different substrate temperatures

    圖8 不同基片溫度時樣品的光學(xué)能隙Fig.8 Optical energy gap(Eg)of the samples deposited with different substrate temperatures

    3 結(jié)語

    采用高密度鎵鈦共摻雜氧化鋅鋁陶瓷靶作為濺射源,利用射頻磁控濺射技術(shù)制備了GTZO透明導(dǎo)電薄膜,研究了基片溫度對薄膜結(jié)構(gòu)、電學(xué)性質(zhì)和光學(xué)性能的影響.實驗結(jié)果表明:基片溫度明顯影響GTZO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和光電性能,當基片溫度為350℃時,GTZO薄膜具有最好的c軸取向性、最大的晶粒尺寸、較低的方塊電阻和較高的可見光區(qū)平均透射率,其品質(zhì)因數(shù)最大、光電綜合性能最佳.由于受Burstein-Moss效應(yīng)的影響,所制備GTZO薄膜的光學(xué)能隙均大于純ZnO薄膜的能隙值,同時基片溫度對光學(xué)能隙也有一定程度的影響,當基片溫度為350℃時,GTZO薄膜的光學(xué)能隙最大.

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