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      新型高速調(diào)制太赫茲波調(diào)制器理論研究

      2013-10-31 06:49:10趙國(guó)中陳鶴鳴
      通信技術(shù) 2013年7期
      關(guān)鍵詞:點(diǎn)缺陷聚苯胺調(diào)制器

      趙國(guó)中,陳鶴鳴

      (南京郵電大學(xué) 光電工程學(xué)院,江蘇 南京 210023)

      0 引言

      太赫茲(THz,Terahertz)波處于微波和紅外光波之間的電磁波,頻率位于0.1~10 THz。太赫茲波在無(wú)線(xiàn)傳輸速度上可以達(dá)到10 GB/s,比當(dāng)今使用的寬帶技術(shù)快幾百至一千多倍,能夠解決對(duì)未來(lái)高速率無(wú)線(xiàn)通信的需求,因此太赫茲波調(diào)制器作為太赫茲波段無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)中的重要部件,具有廣闊的應(yīng)用前景和實(shí)際價(jià)值[1]。

      本文設(shè)計(jì)出一種基于復(fù)式三角晶格光子晶體聚苯胺填充材料的太赫茲波調(diào)制器。引入點(diǎn)、線(xiàn)缺陷,利用點(diǎn)缺陷處聚苯胺的光控特性實(shí)現(xiàn)點(diǎn)缺陷處的缺陷模的動(dòng)態(tài)遷移,實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲波的通、斷調(diào)制。仿真結(jié)果表明該調(diào)制器與現(xiàn)有的太赫茲波調(diào)制器相比,具有響應(yīng)時(shí)間短、調(diào)制速率高等優(yōu)點(diǎn)。

      1 調(diào)制器結(jié)構(gòu)和調(diào)制機(jī)理

      1.1 調(diào)制器結(jié)構(gòu)

      圖1為本文提出的復(fù)式三角晶格光子晶體太赫茲波調(diào)制器。晶格常數(shù)a=30 μm,由21×23個(gè)介質(zhì)柱組成。介質(zhì)柱為圓形高純硅,在太赫茲波段折射率為3.4,損耗可忽略。圓形介質(zhì)柱半徑r=5 μm,方形介質(zhì)柱邊長(zhǎng)為b=9 μm?;捉橘|(zhì)為空氣,其在太赫茲波段的折射率為1.0,點(diǎn)缺陷處填充聚苯胺材料,點(diǎn)缺陷尺寸為R=2.2 r。

      如圖1所示,在完整復(fù)式三角晶格光子晶體結(jié)構(gòu)的中心引入一條線(xiàn)缺陷,線(xiàn)缺陷類(lèi)似于傳輸太赫茲波的波導(dǎo)。在線(xiàn)缺陷的旁邊引入一個(gè)點(diǎn)缺陷,主要用于對(duì)太赫茲波進(jìn)行選頻,使符合諧振頻率(即缺陷模)的太赫茲波被限制在點(diǎn)缺陷處。點(diǎn)缺陷中填充聚苯胺材料,其特性是外部未施加泵浦光時(shí),聚苯胺的折射率實(shí)部為1.50;施加泵浦光激勵(lì)時(shí),外加的調(diào)制激勵(lì)光源采用1064 nm 的YAG激光器,泵浦光強(qiáng)為30 GW/cm2,聚苯胺的折射率 n變?yōu)?.55[2-3]。這種特性能夠通過(guò)對(duì)點(diǎn)缺陷處的缺陷模的光控來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)點(diǎn)缺陷處的太赫茲波的“通、斷”調(diào)制。

      圖1 新型高速調(diào)制的太赫茲波調(diào)制器結(jié)構(gòu)模型

      1.2 調(diào)制機(jī)理

      圖2給出了該調(diào)制器的基本原理示意圖,實(shí)線(xiàn)表示的是光子帶隙和缺陷模頻率原位置,虛線(xiàn)表示的是調(diào)制后缺陷模頻率的位置。

      圖2 新型高速調(diào)制的太赫茲波調(diào)制器原理

      如圖2所示,對(duì)于點(diǎn)、線(xiàn)缺陷光子晶體,原本在帶隙中形成的點(diǎn)、線(xiàn)缺陷共振缺陷模,位于缺陷頻率處的信號(hào)光頻率原先可以通過(guò)調(diào)制器,即圖2中實(shí)線(xiàn)表示的“通”調(diào)制;圖2所示虛線(xiàn)為缺陷模遷移原理實(shí)現(xiàn)調(diào)制后的缺陷模位置,點(diǎn)、線(xiàn)缺陷的共振缺陷模頻率的位置隨外界激勵(lì)的改變而發(fā)生動(dòng)態(tài)遷移,信號(hào)光頻率不再處于缺陷態(tài)處,因此信號(hào)光便不能通過(guò)調(diào)制器,實(shí)現(xiàn)“斷”調(diào)制。

      2 仿真結(jié)果分析

      利用時(shí)域有限差分法(FDTD)仿真計(jì)算圖1所示的太赫茲波調(diào)制器的性能。調(diào)制器由21×23個(gè)硅介質(zhì)柱組成,厚度設(shè)計(jì)為5個(gè)晶格常數(shù),晶格常數(shù) a=30 μm,尺寸為630μm×690μm×150μm,調(diào)制器四周設(shè)有完美匹配層(PML)。

      2.1 太赫茲調(diào)制器的調(diào)制過(guò)程

      當(dāng)點(diǎn)缺陷處無(wú)泵浦光時(shí),聚苯胺的線(xiàn)性折射率為1.50,調(diào)制器處于“通”的狀態(tài),利用 RSoft軟件中的FullWAVE模塊仿真可以得到點(diǎn)缺陷處的缺陷模頻率,如圖3所示(縱坐標(biāo)的數(shù)量級(jí)為104)。

      圖3 無(wú)泵浦光時(shí)的缺陷模

      由圖3可知,點(diǎn)缺陷處的缺陷模波長(zhǎng)為73.846μm,可調(diào)制的載波頻率為4.06 THz,品質(zhì)因子Q值為254。頻率為4.06 THz的太赫茲載波信號(hào)在點(diǎn)缺陷處無(wú)法諧振,因而無(wú)法通過(guò)調(diào)制器。

      當(dāng)30 GW/cm2的泵浦光強(qiáng)打在點(diǎn)缺陷上時(shí),聚苯胺的折射率變?yōu)?.55,原本可通過(guò)的4.06 THz載波信號(hào)無(wú)法再調(diào)制,調(diào)制器處于“斷”的狀態(tài),利用RSoft軟件中的FullWAVE模塊仿真可以得到點(diǎn)缺陷處的缺陷模頻率遷移圖,如圖4所示(縱坐標(biāo)的數(shù)量級(jí)為104)。

      圖4 外界泵浦光激勵(lì)后缺陷模遷移

      由圖4可知,當(dāng)30 GW/cm2的泵浦光強(qiáng)入射在點(diǎn)缺陷上,缺陷模頻率發(fā)生了動(dòng)態(tài)遷移,缺陷模波長(zhǎng)從73.846 μm 遷移至74.653 μm(對(duì)應(yīng)頻率 4.01 THz)。頻率為4.06 THz的太赫茲載波信號(hào)在點(diǎn)缺陷處無(wú)法再次諧振。

      2.2 太赫茲波調(diào)制器的性能分析

      將太赫茲波源設(shè)置為波長(zhǎng)為4.06 THz的連續(xù)波調(diào)制,幅度為1,監(jiān)視器設(shè)置在調(diào)制器的出口處。圖5和圖6為點(diǎn)缺陷不加泵浦光,調(diào)制器表現(xiàn)為“通”時(shí),穩(wěn)態(tài)太赫茲波場(chǎng)強(qiáng) Ey分布圖和時(shí)域穩(wěn)態(tài)響應(yīng)圖。圖7和圖8為點(diǎn)缺陷處加泵浦光,調(diào)制器表現(xiàn)為“斷”時(shí),穩(wěn)態(tài)太赫茲波場(chǎng)強(qiáng)Ey分布圖和時(shí)域穩(wěn)態(tài)相應(yīng)圖(圖6、圖8的橫坐標(biāo)數(shù)量級(jí)為1010)。

      圖5 “通”狀態(tài)下的穩(wěn)態(tài)場(chǎng)強(qiáng)分布

      圖6 “通”狀態(tài)下的時(shí)域穩(wěn)態(tài)響應(yīng)

      圖7 “斷”狀態(tài)下的穩(wěn)態(tài)場(chǎng)強(qiáng)分布

      圖8 “斷”狀態(tài)下的時(shí)域穩(wěn)態(tài)響應(yīng)

      由圖5和圖6可知,未施加泵浦光激勵(lì),調(diào)制器達(dá)到穩(wěn)定“通”狀態(tài)時(shí),4.06 THz波的透過(guò)率為0.93114;由圖7和圖8可知,施加泵浦光激勵(lì),調(diào)制器達(dá)到穩(wěn)定“斷”狀態(tài)時(shí),太赫茲波的透過(guò)率為0.00629。根據(jù)調(diào)制器的插入損耗、消光比[4]的定義,當(dāng)入射波長(zhǎng)為4.06 THz時(shí),調(diào)制器的插入損耗值為0.31 dB,消光比約為21.7 dB。

      由圖 6和圖 8所知,基于聚苯胺材料的太赫茲波調(diào)制器達(dá)到 “通”狀態(tài)所需的穩(wěn)定時(shí)間約為100 ps,達(dá)到“斷”狀態(tài)所需的穩(wěn)定時(shí)間約為80 ps,“通”狀態(tài)的穩(wěn)定時(shí)間比“斷”狀態(tài)的穩(wěn)定時(shí)間長(zhǎng)。因此基于聚苯胺材料的太赫茲波調(diào)制器的穩(wěn)定時(shí)間決定于“通”狀態(tài)的穩(wěn)定時(shí)間,即100 ps。非線(xiàn)性光控材料聚苯胺的受泵浦光調(diào)制的響應(yīng)時(shí)間約為飛秒量級(jí)[2-3],因此太赫茲波調(diào)制器的整體響應(yīng)時(shí)間為100 ps,因此調(diào)制器的調(diào)制速率最高能達(dá)10 GHz。

      3 結(jié)語(yǔ)

      本文提出了一種新型調(diào)制速率高的太赫茲波調(diào)制器。引入點(diǎn)、線(xiàn)缺陷結(jié)構(gòu),在點(diǎn)缺陷處填充光控非線(xiàn)性材料聚苯胺。通過(guò)施加泵浦光來(lái)改變其折射率,改變點(diǎn)缺陷處的缺陷模,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)不同太赫茲波長(zhǎng)“通、斷”調(diào)制的目的。仿真結(jié)果表明:該調(diào)制器對(duì)4.06 THz的入射太赫茲波調(diào)制的插入損耗分別為0.31 dB,消光比為和21.7 dB,響應(yīng)時(shí)間為100 ps,調(diào)制速率為10 GHz。與目前研究的各類(lèi)光子晶體太赫茲調(diào)制器相比,這種基于復(fù)式三角晶格光子晶體的聚苯胺材料的太赫茲波調(diào)制器具有響應(yīng)時(shí)間短和調(diào)制速率高的優(yōu)點(diǎn),在將來(lái)的高速太赫茲通信系統(tǒng)中[5-7]具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

      [1]姚建銓,遲楠,楊鵬飛.太赫茲通信技術(shù)的研究與展望[J].中國(guó)激光,2009,36(09):2215.

      [2]ANDO M, MATSUPA H. Optical Third-harmonic Generation in Polyanline Cast films[J]. Polymer Journal,1993,25(04):417-420.

      [3]NGUEMA E, VIGNERAS V, MIANE J L, et al. Dielectric Properties of Conducting Polyaniline Films by THz Time-domain Spectroscopy[J]. European Polymer Journal,2008,44(01):124-129.

      [4]LU Jun,WANG Dan, CHEN Yafu. Photoelectronic Device Physics[M]. Beijing: Publishing House of Electronics Industry,2009:233-245.

      [5]劉燕燕,張斌.光子晶體光纖在有線(xiàn)電視傳輸系統(tǒng)中的應(yīng)用[J].通信技術(shù),2008,41(08):113-115.

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