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      一種新型W 波段寬帶波導(dǎo)功率合成器

      2013-10-21 00:58:12邱林茂
      火控雷達(dá)技術(shù) 2013年2期
      關(guān)鍵詞:矩形波導(dǎo)插入損耗波導(dǎo)

      李 磊 李 兵 邱林茂

      (1.西安交通大學(xué) 西安 710048;2.西安電子工程研究所 西安 710100)

      1 概述

      隨著科技的發(fā)展,雷達(dá)系統(tǒng)對(duì)發(fā)射機(jī)要求越來(lái)越高,工作頻率從L 波段已經(jīng)上升到W 波段,工作帶寬也從當(dāng)初的幾百兆赫茲拓寬到數(shù)千兆赫茲。然而W 波段內(nèi)的功率放大器輸出功率較小,無(wú)法滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)的指標(biāo),因而必須進(jìn)行功率合成,才能達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

      由于介質(zhì)損耗隨頻率的增高越來(lái)越大,而且對(duì)機(jī)械加工精度的要求越來(lái)越高,因此在W 波段,采用傳統(tǒng)微帶的介質(zhì)損耗和加工精度已無(wú)法滿足發(fā)射機(jī)功率合成的需要,必須采用波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)才能保證發(fā)射機(jī)的合成效率。雖然波導(dǎo)定向耦合器也能滿足功率合成的要求,但是其外形尺寸偏大[1-2],限制了其在某些發(fā)射機(jī)中的應(yīng)用。

      在總結(jié)前人的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上,提出了一種新型的W 波段寬帶波導(dǎo)功率合成器的設(shè)計(jì)方法,為W 波段寬帶功率放大模塊、波導(dǎo)天線設(shè)計(jì)提供了新的設(shè)計(jì)思路。

      2 波導(dǎo)T 型功率合成器的理論分析

      根據(jù)簡(jiǎn)正模理論,對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)矩形波導(dǎo),當(dāng)工作頻率滿足條件a <λ <2a,只存在單一的TE10 模傳輸(矩形波導(dǎo)的主模)。本文所采用的W 波段波導(dǎo),其a、b 分別為2.54mm、1.27mm,其工作頻率為75~110GHz,剛好滿足單一主模傳輸?shù)臈l件,因而不存在TM 模及高次模。TE(橫電)模,其傳播常數(shù)為

      對(duì)于TE10 模來(lái)說(shuō),m=1,n=0,β 只與寬邊a的尺寸相關(guān)。

      橫電場(chǎng)的波阻抗為

      可以看出波阻抗與波導(dǎo)窄邊b 無(wú)關(guān),只與寬邊a 有關(guān)。

      由于合成與分配為一對(duì)互逆的過(guò)程,因此可將合成按照分配的方式做出如下分析:當(dāng)沿窄邊對(duì)矩形波導(dǎo)進(jìn)行剖分,其能量分割方式主要是對(duì)波導(dǎo)主模的電場(chǎng)的分割,如圖1(a)所示,而且根據(jù)仿真結(jié)果驗(yàn)證,在功率過(guò)程中高次模并未成為主導(dǎo)模式,這從圖1(b)中可以看出。因而其設(shè)計(jì)原則可看作為:是如何實(shí)現(xiàn)對(duì)波導(dǎo)電場(chǎng)“平滑”的分割。通常的做法如圖1 所示,先將波導(dǎo)利用尖角功分為兩路,其高度為公共口(標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo))高度的一半,然后再逐漸過(guò)渡為標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)尺寸[3,4],這樣可以大大減少由于尺寸變化帶來(lái)的不連續(xù)性影響,降低端口駐波和插入損耗。

      圖1 功率合成器電場(chǎng)示意圖

      3 寬帶波導(dǎo)功率合成器的設(shè)計(jì)與測(cè)試

      本文中設(shè)計(jì)的功率合成器頻段為90~100GHz,其標(biāo)準(zhǔn)矩形波導(dǎo)尺寸為2.54mm ×1.27mm。若采用通常壓縮窄邊的結(jié)構(gòu)方式,那分割開的兩波導(dǎo)窄邊尺寸將變?yōu)?.635mm,這不僅對(duì)機(jī)械加工的精度要求更高,而且如此小的空氣間隙更容易被電場(chǎng)擊穿,這對(duì)于發(fā)射機(jī)的功率合成不利;加之通常結(jié)構(gòu)內(nèi)部還需要一個(gè)過(guò)渡所需的尖角,極易在銑削加工中被刀具擠壓偏向一邊,出現(xiàn)“偏分割”的情況,這一點(diǎn)在X,Ku、Ka 頻段內(nèi),波長(zhǎng)遠(yuǎn)大于偏移量時(shí),對(duì)整個(gè)器件性能產(chǎn)生的影響并不明顯,但是在90~100GHz 的范圍內(nèi),它變得不可忽視,已嚴(yán)重影響兩端口的幅度一致性。

      圖2 波導(dǎo)W 波段波導(dǎo)E-T 結(jié)構(gòu)示意圖

      通過(guò)經(jīng)驗(yàn)總結(jié)和理論分析[5,6]提出了新的設(shè)計(jì)方法:先將公共波導(dǎo)口窄邊b 緩慢增大,當(dāng)超過(guò)2 ×b 的尺寸后,然后再加入三角形劈尖,直接過(guò)渡為兩個(gè)窄邊為b 的標(biāo)準(zhǔn)矩形波導(dǎo),過(guò)渡部分采用直線漸變形式,既可降低了尺寸變化引起的不連續(xù)性,也易于機(jī)械加工;再通過(guò)將內(nèi)部尖角的頂部削平(如圖2中的c 尺寸),可完全避免“偏分割”情況的出現(xiàn)。這種結(jié)構(gòu)形式既不違反簡(jiǎn)正模理論,也能保證波導(dǎo)功率合成器具有良好的電氣性能,還能降低加工難度,提高成品率。其三維模型圖如圖2 所示,通過(guò)三維電磁仿真軟件HFSS 的計(jì)算與優(yōu)化,得到了表1中給出了的物理尺寸。從圖4 的對(duì)比圖中可以看到其仿真結(jié)果。

      表1 E-T 波導(dǎo)結(jié)構(gòu)尺寸(單位:mm)

      圖3 為實(shí)際加工的功率合成器與1 角錢硬幣的實(shí)物對(duì)比圖。從圖中可看出,兩分配口間的距離偏大(40mm),這是受限于波導(dǎo)法蘭尺寸與螺釘孔的排布,為了便于加工與測(cè)試才拉大了兩口間距。實(shí)際集成使用中可根據(jù)需求調(diào)整尺寸,最小可縮小到8mm 以內(nèi)??梢钥闯鲞@種結(jié)構(gòu)功率合成器的尺寸是非常小的,非常適合小體積的功率分配與合成。

      圖3 W 波段波導(dǎo)功率合成器實(shí)物圖

      圖4 將仿真結(jié)果和測(cè)試結(jié)果分別進(jìn)行了插入損耗和回波損耗的對(duì)比。在90~100GHz 頻率范圍內(nèi),仿真優(yōu)化出的插入損耗均大于-3.1dB,公共口回波損耗小于-15dB。而實(shí)際測(cè)試的插入損耗則大于-3.15~-3.9dB,較仿真結(jié)果大出0.8~0.1dB,公共口的回波損耗小于-12dB,較仿真結(jié)果高出約3dB。但是可以看出,測(cè)試結(jié)果與仿真結(jié)果曲線的變化趨勢(shì)類似,均為低頻率點(diǎn)插入損耗大于高頻率點(diǎn),且頻帶內(nèi)曲線交叉;回波損耗高頻率點(diǎn)低于低頻率點(diǎn),中間部分最優(yōu)。

      圖4 仿真結(jié)果與測(cè)試結(jié)果對(duì)比圖

      而后經(jīng)過(guò)顯微鏡測(cè)量,發(fā)現(xiàn)加工出的f 尺寸比設(shè)計(jì)的大出0.3mm,經(jīng)仿真驗(yàn)證,這會(huì)抬高回波損耗,進(jìn)而使插入損耗少量增大;再考慮到高頻率下的導(dǎo)體損耗也比低頻率范圍的大,因此認(rèn)為此測(cè)試結(jié)果滿足設(shè)計(jì)要求。

      4 結(jié)束語(yǔ)

      文章介紹了一種新型的W 波段寬帶波導(dǎo)功率合成器的設(shè)計(jì)原理和設(shè)計(jì)方法,實(shí)現(xiàn)了在W 波段進(jìn)行寬帶、低損耗功率分配/合成的功能,通過(guò)HFSS軟件進(jìn)行了三維電磁仿真計(jì)算,得出了功率合成器的物理模型,根據(jù)仿真尺寸進(jìn)行了實(shí)物加工并進(jìn)行了相關(guān)測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明:文中提出的W 波段寬帶波導(dǎo)功率合成器具有寬工作帶寬、低插入損耗,高合成/分配效率等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)驗(yàn)證了理論分析和仿真計(jì)算的正確性,為W 波段的功率放大模塊、波導(dǎo)天線設(shè)計(jì)提供了新的設(shè)計(jì)思路和方法。

      [1]Bayanmunkh Enkhbayar,Jae-Hoon Bang,Eun-Jong Cha,etc,Design of a W-Band Monopulse Comparator Based on E-and H-Plane Waveguide Couplers[C],Wireless and Microwave Technology Conference,2010.1-3.

      [2]崔焱,田兵,毫米波寬帶波導(dǎo)功率合成器設(shè)計(jì)[J].無(wú)線電工程,2011,(6) :54-56.

      [3]Lie Cai,Yunsheng Luo,Liqun Wu,A design of multiport waveguide power combiner[C].Solid-State and Integrated-Circuit Technology,2008.1396-1399.

      [4]王貴德,吳小帥,祁云飛.毫米波固態(tài)功率放大器的高效合成器[J].半導(dǎo)體技術(shù),2012,(8) :643-644.

      [5]Lin Li,Ke Wu,Integrated Planar Spatial Power Combiner[J].Microwave Theory and Techniques,2006,(4) :1472-1474.

      [6]Asim A.Khan,R.Sloan,X-band substrate integrated waveguide power combiner/divider[C].Microwaves,Radar and Wireless Communications,2008.1-4.

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