費彬城,陳良雷,陳余行,朱鵬飛
(上海工程技術(shù)大學(xué),上海 201620)
薄膜光學(xué)參數(shù)如厚度和折射率是設(shè)計光學(xué)、光電子、微電子等功能器件不可缺少的重要參數(shù),能否準(zhǔn)確地測量其數(shù)值,直接影響到薄膜性能的優(yōu)劣。對薄膜厚度的測量,多采用接觸測量,測量中由于測量力的作用產(chǎn)生變形,使得測量結(jié)果不夠精確。橢偏法[1]雖然測量精度較高,但對實驗數(shù)據(jù)的處理計算冗長繁瑣。微量天平稱重法[2]往往要求襯底基片的厚度要盡量薄,利用該方法取得的數(shù)據(jù)只是大面積薄膜材料的平均厚度,且測量的精度依賴于薄膜密度參數(shù)的準(zhǔn)確程度。測量材料折射率的方法很多,包括阿貝折射儀法、橢圓偏振法和表面等離子共振法[3]等。這些方法各有優(yōu)點,但缺點也很明顯,阿貝折射儀法測量精度低、測量范圍小,應(yīng)用范圍受到嚴(yán)重限制;橢圓偏振法不能唯一地確定薄膜的折射率和厚度,還需要通過復(fù)雜的計算才能得到結(jié)果;表面等離子共振法僅適用于液體或薄膜,而且測量范圍受到棱鏡折射率的限制。
雙面金屬波導(dǎo)的超高階模的性質(zhì)提供了一種新的測量方法。采用自由空間耦合技術(shù)[4-5],可同時準(zhǔn)確測量薄膜介質(zhì)厚度和折射率。這種方法利用雙面金屬包覆波導(dǎo)的偏振不靈敏的特點,降低了對儀器的要求,同時,由于應(yīng)用高靈敏的超高階導(dǎo)模為探針,測量精度高于阿貝折射儀和表面等離子共振等方法。以往在采用雙面金屬波導(dǎo)時均采用金膜,成本較高。采用鋁膜制作雙面金屬波導(dǎo),測量薄膜的厚度和折射率[9]。
雙面金屬包覆波導(dǎo)結(jié)構(gòu)如圖1所示,其中ε0、ε1、ε2分別為空氣、介質(zhì)和金屬的介電系數(shù),h1為平板厚度,h2為上層金屬膜的厚度,一般為20nm。下層金屬一般涂得較厚,約為200nm量級,因光無法穿透,可看作半無限大。由于金屬波導(dǎo)的吸收性質(zhì),雙面金屬波導(dǎo)的損耗一般很大,但損耗隨著波導(dǎo)厚度的增加而減小。因此,對亞毫米尺度的超厚波導(dǎo),金屬吸收的影響已大為減弱。雙面金屬包覆波導(dǎo)的導(dǎo)模有效折射率取值范圍[6]為
根據(jù)該式,采用自由空間耦合技術(shù),可以在入射角度θ3較小時激發(fā)出一系列分立的導(dǎo)模,由于這些模的有效折射率N相當(dāng)小,模序數(shù)特別大,因而被稱作超高階導(dǎo)模。這種超高階導(dǎo)模的模本征方程為:
其中與偏振有關(guān)的參數(shù)ρ由下式給出:
由于對超高階模,粗略估計m>1 000,而(2)式的第二項最大值為π,因此可以忽略。所以對超高階模,模本征方程就變?yōu)閇7]:
由上式可以推知,超高階模具有偏振不靈敏及對導(dǎo)波層厚度和折射率特別靈敏的特性,且和包覆的金屬層性質(zhì)相關(guān)性較小。采用角度掃描可得到其衰減全反射角度掃描譜。
圖1 雙面金屬包覆波導(dǎo)結(jié)構(gòu)圖
根據(jù)這一工作原理,可將硅片兩面分別鍍上一薄金屬鋁層和一厚金屬鋁層,形成雙面金屬包覆波導(dǎo),方程中有m、h和ε1三個未知數(shù),可通過測量三個同步角得到三個不同模式的有效折射率neff,分別代入相應(yīng)的色散方程,便可求出m、h和ε1。實驗中,為提高測量精度,我們在波導(dǎo)的衰減全發(fā)射譜(ATR)中的小角度區(qū)域,即有效折射率較小的超高階導(dǎo)模區(qū)域,選取模序數(shù)(m-1)、m和(m+1)三個衰減全反射峰,分別測出其對應(yīng)的有效折射率neff,代入方程(2),并消去模序數(shù)m,便可得到硅片的厚度和介電常數(shù),繼而可以計算出硅片的折射率。
實驗裝置如圖2所示,測量時,雙面金屬波導(dǎo)放置在θ/2θ儀上,波長為1 550nm的激光器發(fā)出的準(zhǔn)直光經(jīng)過起偏器射向波導(dǎo)表面,波導(dǎo)每轉(zhuǎn)過θ角,反射光線轉(zhuǎn)過2θ角,探測器放在2θ轉(zhuǎn)盤上保證時刻跟蹤反射光。轉(zhuǎn)盤通過步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動,計算機(jī)控制步進(jìn)電機(jī)的轉(zhuǎn)動,探測器接收的信號放大后經(jīng)過A/D卡進(jìn)入計算機(jī),橫坐標(biāo)表示角度,縱坐標(biāo)表示反射光強(qiáng),在屏幕上得到ATR曲線。根據(jù)曲線的峰位置可以確定每一個導(dǎo)模對應(yīng)的入射角,從而可以求的有效折射率neff,測三個峰的位置即可求得薄膜的厚度、折射率等參數(shù)。
圖2 ATR掃描測量裝置圖
實驗中,以一塊雙面拋光的薄硅片制作雙面金屬波導(dǎo),根據(jù)超高階模對包覆金屬性質(zhì)相關(guān)性較小的特點,在硅片兩面分別鍍上厚度約為20nm和200nm的鋁膜,通過角度掃描得到的ATR譜,掃描結(jié)果如圖3所示。
根據(jù)實驗掃描結(jié)果,選取三個連續(xù)的反射峰,將入射角度代入本征方程,計算得到硅片厚度和介電系數(shù)分別為487um和11.92,與真實結(jié)果和理論值均十分接近,折射率為3.453,與文獻(xiàn)[8]誤差在百分之一以內(nèi)。
圖3 雙面金屬波導(dǎo)的衰減全反射曲線
利用對稱金屬鋁包覆波導(dǎo)測量了硅材料薄層的厚度和折射率,測量誤差小于百分之一。實驗結(jié)果證明這種測量方法應(yīng)用高靈敏的超高階導(dǎo)模為探針,不僅克服了其它方法測量范圍有限的缺點,而且具有較高的精度。同時,由于該方法采用雙面金屬鋁包覆波導(dǎo),不要求是貴金屬(金、銀),大大降低了波導(dǎo)制作的成本,因此具有廣泛推廣的潛力。
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