半導(dǎo)體領(lǐng)域中創(chuàng)造性審查意見答復(fù)時技術(shù)特征的比對

文 / 黃立娟

半導(dǎo)體領(lǐng)域中創(chuàng)造性審查意見答復(fù)時技術(shù)特征的比對

文 / 黃立娟

根據(jù)《專利法》的相關(guān)規(guī)定，發(fā)明創(chuàng)造性的概念為：發(fā)明的創(chuàng)造性，是指與現(xiàn)有技術(shù)相比，該發(fā)明有突出的實質(zhì)性特點和顯著的進(jìn)步，《審查指南》中對發(fā)明創(chuàng)造性概念中的“突出的實質(zhì)性特點和顯著的進(jìn)步”做了進(jìn)一步細(xì)化：發(fā)明有突出的實質(zhì)性特點，是指對所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)是非顯而易見的；發(fā)明有顯著的進(jìn)步，是指發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比能夠產(chǎn)生有益的技術(shù)效果。目前對創(chuàng)造性標(biāo)準(zhǔn)的兩個條件是這樣掌握的：當(dāng)一件發(fā)明專利申請權(quán)利要求的技術(shù)方案相對于現(xiàn)有技術(shù)具有突出的實質(zhì)性特點，則基本上可以認(rèn)定其也具有顯著的進(jìn)步。因此，通常只要認(rèn)定一項專利申請的技術(shù)方案相對于現(xiàn)有技術(shù)具有突出的實質(zhì)性特點，也就可以認(rèn)為其也具有顯著的進(jìn)步?？梢姡趯嶋H創(chuàng)造性審查意見的答復(fù)過程中，答復(fù)的重點是證明發(fā)明具有突出的實質(zhì)性特點，即說明發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)是非顯而易見的。

在創(chuàng)造性審查意見的答復(fù)過程中，無論對權(quán)利要求書是否做過修改，都需要通過技術(shù)特征的比對說明發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)是非顯而易見的。半導(dǎo)體領(lǐng)域通常具有不同于其他領(lǐng)域的特別之處，例如，相同的方法在不同場景下可以細(xì)化成不同的步驟并且產(chǎn)生完全不同的效果（如，在對半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行原位清潔的過程中，可以采用氣體進(jìn)行原位清潔、也可以采用低溫冷卻的方式進(jìn)行原位清潔，但是采用這兩種原位清潔方法所能達(dá)到的效果不同），又如，采用相同材料的結(jié)構(gòu)處于不同的位置所起的作用不盡相同（如，氮化硅薄膜位于一金屬層之上可以起刻蝕停止層的作用，氮化硅薄膜位于兩金屬層之間可以起絕緣層的作用），相應(yīng)地，半導(dǎo)體領(lǐng)域中創(chuàng)造性答復(fù)過程中也會有一些特殊之處。筆者擬結(jié)合實際工作中的一些實踐與體會，對半導(dǎo)體領(lǐng)域中創(chuàng)造性答復(fù)時技術(shù)特征的比對應(yīng)注意的幾點總結(jié)如下：

一、半導(dǎo)體工藝方法中，相似的步驟，執(zhí)行的先后順序不同可能會產(chǎn)生不同的效果；半導(dǎo)體器件中，相似的部件，組合的先后次序不同可能會得到完全不同的結(jié)構(gòu)：

例如，在一件要求保護(hù)一種半導(dǎo)體器件的發(fā)明中，權(quán)利要求撰寫如下：一種具有通孔的半導(dǎo)體器件，包括襯底，所述襯底上具有前一絕緣介質(zhì)層，所述前一絕緣介質(zhì)層內(nèi)具有前一金屬結(jié)構(gòu)，所述前一絕緣介質(zhì)層及所述前一金屬結(jié)構(gòu)上具有刻蝕停止層，在所述刻蝕停止層上具有后一絕緣介質(zhì)層，且所述后一絕緣介質(zhì)層內(nèi)已形成通孔開口，在所述通孔開口內(nèi)還具有后一金屬結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述刻蝕停止層至少包括第一刻蝕停止層，以及位于所述第一刻蝕停止層之上的第二刻蝕停止層；且所述第二刻蝕停止層的氮含量要高于所述第一刻蝕停止層，所述前一金屬結(jié)構(gòu)包含金屬鋁。

在審查意見給出的對比文件公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括在其上形成有第一金屬化層的半導(dǎo)體襯底，電介質(zhì)材料內(nèi)具有第一金屬區(qū)域。之后，在其上形成有阻障/刻蝕停止層，在阻障/刻蝕停止層上形成有兩個介電層，在兩個介電層中形成有與第一金屬化層的第一金屬區(qū)相連的通孔和與通孔相連的溝槽；阻障/刻蝕停止層的沉積工藝如下，在沉積具有所需氮濃度的阻障/刻蝕停止層的第一部分（相當(dāng)于第一刻蝕停止層）后，可以減小或中斷氨氣的供給以在阻障/刻蝕停止層的剩余部分（相當(dāng)于第二刻蝕停止層）中包括逐漸降低的氮量，阻障/刻蝕停止層的第一部分的氮含量必然高于阻障/刻蝕停止層的剩余部分的氮含量。

審查意見中提到“提到阻障/刻蝕停止層的第一部分相當(dāng)于第一刻蝕停止層，阻障/刻蝕停止層的剩余部分相當(dāng)于第二刻蝕停止層”，根據(jù)審查意見，阻障/刻蝕停止層的第一部分的氮含量高于阻障/刻蝕停止層的剩余部分的氮含量，且阻障/刻蝕停止層的剩余部分位于阻障/刻蝕停止層的第一部分之上。而在發(fā)明中第一刻蝕停止層的氮含量低于第二刻蝕停止層的氮含量，且第二刻蝕停止層位于第一刻蝕停止層之上。另外，發(fā)明中，氮含量較低的第一刻蝕停止層能夠有效防止與刻蝕停止層相連的前一材料層被氮化；而將對比文件中的阻障/刻蝕停止層的第一部分應(yīng)用在發(fā)明中則完全無法防止與刻蝕停止層相連的前一材料層被氮化。故，上述審查意見中的兩個“相當(dāng)于”是不成立的。在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，器件結(jié)構(gòu)中層與層之間的位置關(guān)系不能簡單置換，采用相同材料的結(jié)構(gòu)在不同的位置可能起到的作用并不相同，最后導(dǎo)致整個器件的結(jié)構(gòu)乃至功能均不相同。

因此，在答復(fù)審查意見時，不能將類似的結(jié)構(gòu)簡單的相當(dāng)于，要綜合考慮各個結(jié)構(gòu)的具體位置和用途，分析這些類似的結(jié)構(gòu)是否有實質(zhì)性的差別之處。

另外，在半導(dǎo)體工藝方法中，采用相似的步驟，執(zhí)行的先后順序不同可能會導(dǎo)致最終的結(jié)果完全不同，例如，在制作MOS器件的過程中，先制作柵極然后采用離子注入方法形成源漏極和先采用離子注入方法形成源漏極再制作柵極會得到不同的結(jié)構(gòu)，雖然這兩種方法都能夠形成源極、漏極和柵極，但是，采用前者的方法可能會得到增強(qiáng)型器件、而采用后者的方法可能會得到耗盡型器件。在答復(fù)過程中，針對具體的情形，要做具體深入的分析。

二、半導(dǎo)體工藝方法中，在不同場景下，采用相似的步驟可能會起到完全不同的作用、達(dá)到完全不同的效果：

在一件要求保護(hù)液晶顯示器的制造方法的發(fā)明中，獨立權(quán)利要求撰寫如下：一種TFT液晶顯示器的制造方法，其特征在于，包括：在TFT-LCD玻璃基板上形成薄膜場效應(yīng)晶體管、功能薄膜及電極圖形，獲得Array基板；采用電磁波對所述Array基板進(jìn)行照射，使所述功能薄膜在電磁波的作用下表面性質(zhì)發(fā)生改變，使得膜與膜之間更加密接，減少了膜層間的氣泡、污染物；將所述Array基板與CF基板貼合成盒；進(jìn)入后段模組組裝，形成TFT液晶顯示器。

審查意見給出的對比文件公開了一種液晶顯示裝置的制造方法，所述方法包括：在玻璃基板上形成柵極絕緣膜、層間絕緣膜，對顯影后的感光性樹脂絕緣層采用365nm的光進(jìn)行照射；使用所述基板形成液晶顯示器，而365nm的光的照射客觀上必然會使得薄膜的表面性質(zhì)發(fā)生改變，使得膜與膜之間更加密接。

對比文件中采用365nm的光照射屬于采用電磁波進(jìn)行輻照的一種。在實際制造工藝中，采用電磁波輻照可以改變薄膜的表面性質(zhì)、進(jìn)行表面改性，但是改變表面性質(zhì)可能包括多種不同的內(nèi)容，如對薄膜進(jìn)行脫色、減少膜層間的氣泡、改變薄膜的電性能等等，相應(yīng)地采用電磁波進(jìn)行輻照也可能得到多種不同的效果，采用對比文件中的電磁波輻照未必一定能夠達(dá)到發(fā)明中的電磁波輻照所能達(dá)到的效果，此時應(yīng)該結(jié)合效果一起理解其具體方案。結(jié)合對比文件的說明書發(fā)現(xiàn)，對比文件中采用365nm的光進(jìn)行照射主要用于脫色，而發(fā)明中采用電磁波進(jìn)行照射主要用于減少膜層件的氣泡、污染物，可見，實際上對比文件中的“照射”與發(fā)明中的“照射”是完全不同的方案。上述對比文件中的采用電磁波輻照與發(fā)明中的采用電磁波輻照雖然步驟相似，但是在不同的應(yīng)用場景下，達(dá)到的效果完全不同。

對很多半導(dǎo)體器件來說，制造這些器件的工藝步驟大體類似，但是正是因為這些步驟中的一些細(xì)微差別導(dǎo)致最后的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)差異。例如，采用電磁波進(jìn)行輻照時，光照的強(qiáng)度、時間等等都會影響最終的效果；采用離子注入進(jìn)行摻雜時，離子注入的劑量、時間等等都會影響離子注入的深度，從而影響最終器件的結(jié)構(gòu)，類似的例子還有很多。

在分析發(fā)明中的步驟與對比文件中的步驟是否相同或相似時，需要結(jié)合整體技術(shù)方案所要達(dá)到的目的分析步驟之間的細(xì)微差別，有時需要結(jié)合參數(shù)的微小差異，例如時間、壓力、真空度、功率等等，不能簡單將看起來相似的步驟相當(dāng)于，這也是半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)彶橐庖姶饛?fù)過程中技術(shù)特征比對的較為特殊之處。

三、發(fā)明中的各個部件與對比文件中的各個部件相同，但是由這些部件構(gòu)成的結(jié)構(gòu)與對比文件中的結(jié)構(gòu)卻不盡相同，不能簡單“相當(dāng)于”：

在一件要求保護(hù)OLED顯示器的發(fā)明中，獨立權(quán)利要求書撰寫如下：一種OLED顯示器，包括相對設(shè)置的基板和封蓋，以及位于所述基板和封蓋之間且在所述基板上層疊設(shè)置的陽極、有機(jī)或無機(jī)功能層和陰極，其特征在于，還包括位于所述OLED顯示器內(nèi)部，且固定在所述封蓋上的觸摸屏；位于所述基板上與所述觸摸屏相對設(shè)置的導(dǎo)電體凸起以及位于所述觸摸屏上與所述導(dǎo)電體凸起相對設(shè)置的導(dǎo)電漿，所述導(dǎo)電體凸起和所述導(dǎo)電漿實現(xiàn)所述觸摸屏與所述基板的電連接。

審查意見提供的對比文件1公開了一種透明觸摸屏幕，該對比文件1公開了基板、上蓋板、有機(jī)發(fā)光二極管裝置、電容式觸控元件、封膠層、陽極層、發(fā)光層、陰極層等部件；審查意見提到，對比文件4公開了一種手持設(shè)備，該對比文件4公開了：該裝置包含顯示、軟電路和觸摸板，并結(jié)合附圖得到，軟電路與集成電路連接，軟電路同時也通過引導(dǎo)凸起與邊框連接，軟電路為集成電路、引導(dǎo)凸起和顯示提供電性連接，其中引導(dǎo)凸起是一個位于底部基板上的突起，該凸起的上方是觸摸板與引導(dǎo)相對設(shè)置，軟電路通過該凸起和邊框電連接至觸摸屏（相當(dāng)于位于基板上與所述觸摸屏相對設(shè)置的導(dǎo)電凸起）。

通過分析對比文件4文字部分和附圖發(fā)現(xiàn)，對比文件4中的引導(dǎo)（lead）并沒有公開“凸起”這一特點，即對比文件4中僅提到了lead，其文字部分并未提到“引導(dǎo)凸起”相關(guān)描述，同時，鑒于附圖僅是手持設(shè)備的一個截面圖，僅從該截面圖無法直接地、毫無疑義地得到lead是“凸起”結(jié)構(gòu)；另外，對比文件4中的引導(dǎo)位于軟電路之上，用于將軟電路和邊框電連接（引導(dǎo)并非直接位于底部基板上），而上述獨立權(quán)利要求中的導(dǎo)電凸起直接位于基板之上；此外，上述獨立權(quán)利要求書中“所述導(dǎo)電體凸起和所述導(dǎo)電漿實現(xiàn)所述觸摸屏與所述基板的電連接”，從而省去了軟電路；從而得到，上述“相當(dāng)于”亦不成立。

在對結(jié)合附圖進(jìn)行評述的審查意見進(jìn)行分析時，需要結(jié)合提到的附圖深入分析審查意見中提到的特征是否能夠從對比文件的文字部分和提到的附圖中直接地、毫無疑義地得到，此時需要對技術(shù)特征進(jìn)行詳細(xì)比對。

四、屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員常規(guī)選擇的一些方法或者結(jié)構(gòu)，在特定應(yīng)用場景下不一定是常規(guī)選擇：

半導(dǎo)體技術(shù)雖然一直在不斷改進(jìn)，但是基本的原理大體未變，當(dāng)然，也存在一些突破常用技術(shù)原理或者克服技術(shù)偏見而進(jìn)行改進(jìn)的情形，此時通常意義下的常規(guī)選擇并非常規(guī)選擇。

在一件要求保護(hù)晶閘管的發(fā)明中，獨立權(quán)利要求撰寫如下：一種用于靜電放電的晶閘管，其特征在于，包括：寄生PNP管、寄生NPN管及短溝道NMOS管；所述寄生PNP管的發(fā)射極連接陽極接線柱，其基極通過N阱的寄生電阻連接陽極接線柱；其集電極連接寄生NPN管的基極，并通過P阱的寄生電阻連接陰極接線柱；所述寄生NPN管的發(fā)射極連接陰極接線柱，其集電極通過N阱的寄生電阻連接陽極接線柱；所述短溝道NMOS管的漏極通過N阱的寄生電阻連接陽極接線柱，其源極連接陰極接線柱，所述短溝道NMOS管的柵長小于0.35微米。

審查意見給出的對比文件公開了一種晶閘管，該晶閘管包括寄生PNP管、寄生NPN管及NMOS管；所述寄生PNP管的發(fā)射極連接I/O焊盤（相當(dāng)于陽極接線柱），其基極通過N阱的寄生電阻連接I/O焊盤；其集電極連接寄生NPN管的基極，并通過P阱的寄生電阻連接地端（相當(dāng)于陰極接線柱）；所述寄生NPN管的發(fā)射極連接地端，其集電極通過N阱的寄生電阻連接I/O焊盤；所述NMOS管的漏極通過N阱的寄生電阻連接I/O焊盤，其源極通過P阱的寄生電阻連接地端。權(quán)利要求與對比文件的區(qū)別在于：所述NMOS管是短溝道NMOS管，且所述短溝道NMOS管的柵長小于0.35微米；源極連接陰極接線柱。然而，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，在對比文件已經(jīng)公開內(nèi)容的基礎(chǔ)上，采用短溝道NMOS以及源極直接連接到陰極接線柱是常規(guī)選擇；且其柵長小于0.35微米，也是為了調(diào)節(jié)晶閘管觸發(fā)電壓，經(jīng)過有限次試驗可以得到的。

通常情況下，降低晶閘管的觸發(fā)電壓的方式主要是利用滿足設(shè)計規(guī)則的MOS管漏端和襯底之間的寄生二極管反向雪崩擊穿機(jī)制，產(chǎn)生襯底電流，從而降低晶閘管的觸發(fā)電壓。即，傳統(tǒng)工藝中，降低晶閘管的觸發(fā)電壓的方式都是基于MOS管的源端到襯底的雪崩擊穿機(jī)制的。對比文件所公開的技術(shù)方案是基于MOS管漏端和襯底之間的寄生二極管反向雪崩擊穿機(jī)制的，是傳統(tǒng)工藝的一種具體實現(xiàn)方式。

但是，基于該機(jī)制的晶閘管的觸發(fā)電壓取決于N阱和P阱構(gòu)成的反向p-n結(jié)發(fā)生擊穿時加在陽極的電壓，一般該晶閘管的觸發(fā)電壓都高于內(nèi)部電路的柵氧化層擊穿電壓，柵氧化層被擊穿時保護(hù)裝置還未導(dǎo)通，無法真正起到保護(hù)內(nèi)部電路的作用。

發(fā)明突破了傳統(tǒng)工藝中降低晶閘管的觸發(fā)電壓的思路，提出了一種基于MOS管漏端到源端的電場穿通效應(yīng)機(jī)制的降低晶閘管的觸發(fā)電壓的方法，即采用短溝道MOS管。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在傳統(tǒng)工藝采用MOS管的源端到襯底的雪崩擊穿機(jī)制的基礎(chǔ)上是無法想到采用短溝道MOS管的?？梢?，采用短溝道NMOS以及源極直接連接到陰極接線柱并非常規(guī)選擇。

在實際的審查意見答復(fù)過程中，這種非常規(guī)選擇的情況出現(xiàn)的較少，但是仍需要引起注意。

上述提到了創(chuàng)造性審查意見答復(fù)過程中一些較常出現(xiàn)的情況，在實際的答復(fù)過程中可能會遇到很多不同情形，筆者建議，在進(jìn)行技術(shù)特征比對時，需要綜合考慮方法步驟的先后次序、結(jié)構(gòu)特征的連接關(guān)系、技術(shù)特征的細(xì)節(jié)、應(yīng)用場景、要達(dá)到的效果等作具體分析。

以上是筆者從審查意見答復(fù)實踐中得到的一些見解，如偏頗之處，還請讀者批評指正。