提高陶瓷二次金屬化電鍍質(zhì)量的技術(shù)要點(diǎn)分析

季宏飛， 陳金明， 沈 劍

(中國(guó)電子科技集團(tuán)第43研究所合肥恒力電子裝備公司，安徽合肥 230088)

引 言

陶瓷-金屬封接工藝是電真空陶瓷生產(chǎn)中的關(guān)鍵工藝，而二次金屬化電鍍又是保證封接強(qiáng)度和氣密性的關(guān)鍵工藝之一［1］。二次金屬化質(zhì)量的好壞直接影響整個(gè)陶瓷-金屬封接組件的質(zhì)量。通常優(yōu)良封接組件的鍍鎳層應(yīng)是連續(xù)、致密、完整且具有合適的厚度。不良的鍍鎳層往往導(dǎo)致焊料的潤(rùn)濕性變差或起不到阻擋層的作用，其結(jié)果引起抗拉強(qiáng)度降低，往往在Mo-Ni界面間發(fā)生破裂，引起局部慢漏，對(duì)于電真空器件來(lái)說(shuō)這是極為危險(xiǎn)的。從二次金屬化電鍍的角度來(lái)說(shuō)，產(chǎn)生這些問(wèn)題的原因有很多，如一次金屬化層氧化、表面受污染、鍍液受污染、鍍鎳層過(guò)厚及鎳絲捆扎陶瓷件電鍍時(shí)導(dǎo)電接觸點(diǎn)鍍層薄甚至漏鍍等原因。因此，只有深刻了解陶瓷二次金屬化鍍鎳相對(duì)普通電鍍的特殊性才能更好的改進(jìn)工藝與設(shè)備，以提高電真空陶瓷二次金屬化的質(zhì)量。本文結(jié)合相關(guān)理論、生產(chǎn)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)與工藝設(shè)備論述控制陶瓷二次金屬化電鍍鎳質(zhì)量的技術(shù)要點(diǎn)。

1 電真空陶瓷二次金屬化電鍍的特性

電真空陶瓷經(jīng)一次金屬化層燒結(jié)固化后，在其上鍍覆一層鎳，以保證在與金屬的焊接過(guò)程中所使用的焊料(Ag-Cu等)對(duì)金屬化層具有良好的浸潤(rùn)和流散作用［2］，同時(shí)還能防止一次金屬化層與焊料間產(chǎn)生相互作用，從而保證獲得氣密、牢固的封接。目前國(guó)內(nèi)絕大多數(shù)廠家采用電鍍鎳技術(shù)完成這一工藝［3］。

對(duì)于電鍍來(lái)說(shuō)，由于不同的電鍍基材其表面形貌及電化學(xué)特性不同，沉積層中的應(yīng)力和基材與沉積層的結(jié)合力是不一樣的。陶瓷是非金屬，在陶瓷上鍍鎳就必須對(duì)陶瓷進(jìn)行一次金屬化，才能實(shí)現(xiàn)二次鍍鎳金屬化。目前，在電真空用陶瓷器件的科研與生產(chǎn)上，采用較多的是化學(xué)鍍鎳法與燒結(jié)金屬粉末法，其中又以燒結(jié)金屬粉末法在大批量生產(chǎn)中更為常用，而Mo-Mn活化金屬化粉末法是常用的一種。該法通常采用涂覆的方式在陶瓷上涂上一層混合的金屬化層，然后在高溫還原氣氛中進(jìn)行一次燒結(jié)。通過(guò)對(duì)一次燒結(jié)后的表層進(jìn)行分析，陶瓷表層為金屬鉬［4］，但一次燒結(jié)后位于表層的鉬與通常的金屬鉬在密度和粒徑上有所不同，金屬化層中的鉬是金屬鉬密度的50% ～60%［5］，即燒結(jié)后的鉬層疏松多孔，有別于致密、晶粒小的普通金屬鉬層。采用Mo-Mn活化金屬化粉末法工藝得到的陶瓷金屬化鉬層的厚度一般為幾十微米。因此電真空用陶瓷的鍍鎳基材與一般的鍍鎳基材無(wú)論在存在形式上還是在基材的厚度上都有很大的不同，前者結(jié)晶粒徑較大，基材較疏松，而且δ為20～40μm，很薄，而一般鍍鎳是直接在很致密、厚度都在毫米級(jí)以上的金屬上進(jìn)行的。因此在燒結(jié)鉬層上的鍍鎳層就需要填平這些松疏基材的空隙，這就造成鎳層與鉬層接觸的比表面積增大很多，這種結(jié)構(gòu)特點(diǎn)對(duì)減小鎳層的內(nèi)應(yīng)力有利。但鍍鎳層的厚度也不能過(guò)厚，因?yàn)殡S鍍鎳層厚度增長(zhǎng)會(huì)造成鍍層的內(nèi)應(yīng)力增大，當(dāng)內(nèi)應(yīng)力超出與基材的結(jié)合力時(shí)，一樣會(huì)產(chǎn)生起泡現(xiàn)象［6］。但也不能太薄，如果鍍鎳層厚度不足，鍍鎳層表面不連續(xù)也不致密，鍍層一致性差，將嚴(yán)重影響焊料潤(rùn)濕性，釬焊時(shí)焊料容易沿空洞浸蝕到一次金屬化層中，鍍鎳層對(duì)一次金屬化層沒(méi)有起到很好地保護(hù)作用，在抗拉力試驗(yàn)中易斷裂，且斷裂處易發(fā)生在一、二次金屬化之間，沒(méi)有達(dá)到良好的封裝效果。因此，鍍鎳層的厚度根據(jù)一次金屬化工藝條件控制在合適范圍內(nèi)，對(duì)于二次金屬化的產(chǎn)品質(zhì)量控制非常重要，目前根據(jù)相關(guān)文獻(xiàn)及廠家的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，一般認(rèn)為鍍鎳層的 δ控制在 2.5～10.0μm。

基材的不同決定了電真空陶瓷的電鍍鎳有別于普通電鍍鎳的特殊性。根據(jù)電鍍?cè)?，電沉積過(guò)程就是一個(gè)微晶體生長(zhǎng)的過(guò)程，如鍍液中有雜質(zhì)，雜質(zhì)在陰極鍍層表面上吸附將影響正常的晶體生長(zhǎng)，造成晶體的位錯(cuò)、孿晶和與雜質(zhì)共沉積等，這些雜質(zhì)阻止正常晶格的形成而產(chǎn)生沉積層中的應(yīng)力，因此電沉積層往往處于帶應(yīng)力狀態(tài)。鍍鎳層的金屬化陶瓷元件置于干氫氣氛中，經(jīng)過(guò)1000℃高溫?zé)Y(jié)15～25min，這種燒結(jié)可使鎳層與Mo-Mn層結(jié)合牢固，并檢查鍍鎳層的結(jié)合力。當(dāng)進(jìn)行鍍后的燒結(jié)時(shí)，如鍍層應(yīng)力超出了鍍層與基體金屬的結(jié)合力，在鍍鎳層表面就將產(chǎn)生裂紋，同時(shí)這種狀況下的鎳層在受到熱或外力的作用時(shí)容易出現(xiàn)起泡、起皮等缺陷，造成電真空陶瓷的報(bào)廢。所以在生產(chǎn)時(shí)，一次金屬化層氧化膜去除不凈、鍍層基體表面受污染、鍍液含有雜質(zhì)、鍍液pH偏離或陽(yáng)極鎳板質(zhì)量差等一系列因素都會(huì)影響二次金屬化鍍鎳層的質(zhì)量，這些問(wèn)題最直觀的表現(xiàn)就是鍍鎳層經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后會(huì)出現(xiàn)起泡或起皮的現(xiàn)象。

綜上，陶瓷二次金屬化對(duì)鍍鎳層的要求比較高，鍍層的質(zhì)量、厚度及鍍層的均勻度等因素都將直接影響電真空陶瓷金屬化的質(zhì)量。

2 陶瓷二次金屬化工藝與設(shè)備要點(diǎn)分析

根據(jù)電真空陶瓷二次金屬化電鍍的特性，陶瓷二次金屬化電鍍鎳可從鍍前處理、鍍后處理、鍍液管理、鍍鎳層厚度控制及鍍層均勻性等與工藝密切相關(guān)的方面來(lái)考慮。

2.1 工件二次金屬化電鍍鎳的前處理

電真空陶瓷一次金屬化經(jīng)過(guò)燒結(jié)以后，進(jìn)行二次金屬化前，必須要求一次金屬化層潔凈、無(wú)污染。但在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)一次金屬化表面被污染、氧化或粘剛玉砂等情況，這些不良的因素都將影響鍍層與一次金屬之間的結(jié)合力，所以電鍍鎳的前處理顯得尤為重要。電鍍前陶瓷件需要經(jīng)過(guò)必要的電解活化，化學(xué)浸洗，化學(xué)弱侵蝕與多次的水浸、沖洗，充分清洗活化一次金屬化鉬的疏松多孔的表層，從而保證電鍍鎳層在基材鉬上具有可靠的附著力。為保證清洗的效果，要求二次金屬鍍鎳前一定要用去離子水作為最后一道水洗，在電鍍自動(dòng)化生產(chǎn)線上，為更好地監(jiān)測(cè)清洗效果可在去離子水槽中增設(shè)電導(dǎo)率儀檢測(cè)，通過(guò)電導(dǎo)率的數(shù)據(jù)間接判斷陶瓷件的清洗情況，并作為及時(shí)自動(dòng)補(bǔ)加去離子水的依據(jù)，這樣既實(shí)現(xiàn)了對(duì)陶瓷件清洗質(zhì)量的監(jiān)控，又達(dá)到了節(jié)能減排的效果。

2.2 鍍液質(zhì)量的管理與控制

鍍液的質(zhì)量直接影響到鍍層晶體生成的狀態(tài)，而這種狀態(tài)決定了鍍層的內(nèi)應(yīng)力，直接影響與一次金屬化鉬層的結(jié)合力。因此，有效的鍍液管理對(duì)鍍層質(zhì)量的影響尤為明顯。

2.2.1 鍍液的配制與陽(yáng)極的質(zhì)量

目前陶瓷二次金屬化的鍍液一般采用瓦特型鍍鎳液，也有廠家采用氨基磺酸鎳鹽鍍液。以瓦特型為例，配制鍍鎳溶液的主要材料有硫酸鎳、氯化鎳、硼酸及十二烷基硫酸鈉(SDS)等，應(yīng)選用分析純級(jí)，并使用去離子水配制鍍液。此外陽(yáng)極采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)較高的電解鎳板或鎳球，并裝有陽(yáng)極套，避免雜質(zhì)帶入鍍鎳溶液。

2.2.2 鍍液的pH控制

鍍鎳溶液的pH調(diào)控對(duì)鍍層的質(zhì)量有著重要影響［7］，pH直接影響鎳離子的放電過(guò)程，在鍍鎳過(guò)程中，鍍液的pH必需保持在一定的范圍內(nèi)。因此必需保證硼酸的質(zhì)量濃度以保證鍍液的pH，最佳ρ(硼酸)為30～35g/L。目前采用的弱酸性電鍍液pH 為3.8～5.6，pH 偏低會(huì)導(dǎo)致析氫，析出的氫氣泡滯留在鍍層表面，阻礙鎳層沉積而出現(xiàn)針孔，同時(shí)降低陰極電流效率;pH過(guò)高，鍍液易混濁，陰極周?chē)慕饘匐x子會(huì)以氫氧化物的形式夾帶鍍層中，使鍍層的力學(xué)性能惡化，外觀粗糙，在二次燒結(jié)時(shí)鍍層容易起泡。因此，為了避免雜質(zhì)析出和減少電極副反應(yīng)，必須經(jīng)常測(cè)定并調(diào)整鍍液pH?？稍谧詣?dòng)生產(chǎn)線的鍍鎳槽上安裝pH自動(dòng)檢測(cè)與自動(dòng)調(diào)節(jié)系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)鍍液pH的精確調(diào)控，保證鍍層質(zhì)量。一般采用稀硫酸來(lái)降低pH，通過(guò)稀的氫氧化鈉溶液、碳酸鈉和新配置的碳酸鎳、氫氧化鎳等來(lái)升高pH。此外，鍍液中表面活性劑十二烷基硫酸鈉(SDS)含量不足，也會(huì)導(dǎo)致鍍層表面析氫產(chǎn)生針孔，一般應(yīng)按少加、勤加的原則進(jìn)行補(bǔ)充，也可通過(guò)累計(jì)安培小時(shí)的方法進(jìn)行定量補(bǔ)加，以保持鍍液的穩(wěn)定。

2.2.3 鍍液溫度的控制及過(guò)濾

溫度對(duì)鍍層的影響非常大，溶液溫度影響對(duì)流傳質(zhì)速度、鍍液黏度(影響電遷移速度)、電極電位與表面活性物質(zhì)的吸脫附性質(zhì)(影響陰極極化效果)，影響允許采用的陰極電流密度大小、物質(zhì)的溶解、鍍液組分的交互影響等，因此二次金屬化鍍鎳設(shè)備需選擇精度較高的熱偶與溫度控制器，并通過(guò)攪拌使鍍液溫度均勻。

為去除鍍液中存在的微粒并加強(qiáng)攪拌，循環(huán)過(guò)濾機(jī)的配置必不可少，由于陶瓷二次金屬化鍍鎳對(duì)鍍層的要求較高，因此過(guò)濾溶液精度要高于普通電鍍鎳，一般采用雙筒過(guò)濾機(jī)，即第一級(jí)過(guò)濾精度為10μm，第二級(jí)過(guò)濾精度達(dá)到5μm。強(qiáng)化攪拌效果，利于鍍鎳時(shí)鍍層表面的氫氣釋放，并確保槽液溫度和組分濃度的均勻，一般要求過(guò)濾機(jī)過(guò)濾流量每小時(shí)不應(yīng)小于槽液容積的8～10倍。

2.2.4 鍍液中雜質(zhì)的去除

鍍液中的Cu、Fe等雜質(zhì)離子積累到一定程度，會(huì)在鍍液正常pH范圍內(nèi)生成堿式鹽的固體粒子，并直接吸附在鍍層表面，影響鍍層的正常晶體沉積，造成鍍鎳層的內(nèi)應(yīng)力加大，鍍層容易鼓泡或表面有麻點(diǎn)［8］。解決此問(wèn)題，需著重注意以下幾點(diǎn):首先加強(qiáng)掛具設(shè)計(jì)，保證鍍件不易脫落，如鍍件掉入槽中必須及時(shí)撈出;電鍍槽中的導(dǎo)電桿應(yīng)保持清潔，在設(shè)計(jì)陰極導(dǎo)電掛杠時(shí)可以將除導(dǎo)電位置外的其他部分加裝上PP保護(hù)套，減少銅雜質(zhì)對(duì)鍍液的污染;其次，陽(yáng)極鎳板無(wú)論是否有鈦籃，都要使用陽(yáng)極套，防止鎳渣混入鍍液。此外，為控制鍍液中雜質(zhì)離子的積累，還可通過(guò)在鍍鎳槽邊添加一個(gè)除雜槽，該裝置通過(guò)將鍍槽中的鍍液循環(huán)到除雜槽內(nèi)，除雜槽內(nèi)的大面積金屬網(wǎng)格組成的圓柱形陰極在通入小電流(約為正常電流的1/8)的情況下，可有效去除析出電位較高的雜質(zhì)金屬離子，如銅、鉛、鐵及鋅等。采用該裝置可實(shí)現(xiàn)連續(xù)處理，無(wú)需停工操作，并具有除雜徹底等優(yōu)勢(shì)。有機(jī)雜質(zhì)污染鍍鎳溶液，會(huì)造成鎳鍍層麻點(diǎn)、針孔或結(jié)合不良以及內(nèi)應(yīng)力增大等缺陷，鍍層延展性降低，甚至造成鍍層脫落［9］。在大生產(chǎn)中有機(jī)雜質(zhì)的去除可通過(guò)改變雙筒循環(huán)過(guò)濾機(jī)中濾筒材質(zhì)的方式進(jìn)行快速方便的處理，即將精過(guò)濾的濾筒換裝上活性炭濾筒，并進(jìn)行一定時(shí)間連續(xù)循環(huán)過(guò)濾，就可達(dá)到去除鍍液中有機(jī)雜質(zhì)的目的。

2.3 陶瓷二次金屬化鍍鎳層厚度與均勻性的控制

前面已概述了控制二次金屬化鍍鎳層厚度的重要性，下面分析一下保證電真空陶瓷二次金屬化鍍鎳層厚度及其均勻性的工藝技術(shù)要點(diǎn)。

2.3.1 陰極電流密度的調(diào)節(jié)與選擇

進(jìn)行電鍍前，確定電流密度與時(shí)間很重要，鍍前計(jì)算出所要電鍍陶瓷件二次金屬化的面積和掛具的總面積，陰極電流密度不可過(guò)大，因?yàn)殒囯x子沉積速度過(guò)快將導(dǎo)致鍍鎳層表面粗糙，高溫?zé)Y(jié)后鍍層易出現(xiàn)氣泡。因此，根據(jù)不同的鍍液體系選擇合適的陰極電流密度，一般陶瓷二次金屬化控制鍍鎳Jκ≤1A/dm2，電鍍時(shí)間根據(jù)工藝要求的厚度計(jì)算。電鍍電源采用精度較高的直流穩(wěn)壓器對(duì)電流進(jìn)行精確控制，防止出現(xiàn)較大波動(dòng)，并能按程序要求自動(dòng)調(diào)節(jié)電流，保證鍍層質(zhì)量。

2.3.2 鍍槽的電力線均布

陶瓷二次金屬化鍍層的均勻性與金屬的封接強(qiáng)度和氣密性有很大的關(guān)系［10］，要保證鍍層的均勻，就必須保證鍍槽內(nèi)的電力線的分布均勻。在電鍍過(guò)程中，受槽內(nèi)結(jié)構(gòu)及陽(yáng)極的形狀等因素的影響，鍍液內(nèi)部電場(chǎng)常常會(huì)呈現(xiàn)出紡錘形結(jié)構(gòu)，且在四周會(huì)出現(xiàn)很均勻的密集或稀疏區(qū)域，形成非直線狀的電場(chǎng)在鍍件的邊緣聚集，影響到電鍍層的均勻性和一致性［11］。具體表現(xiàn)為同一掛具的上、下、左、右、中及前后端不同位置的鍍層厚度不一致。如果鍍槽、掛具及陽(yáng)極等因素設(shè)置不合理，同一掛具上的工件厚度相差較大，厚鍍層的工件經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后，會(huì)大量起泡或起皮。要解決該問(wèn)題，從改善一次電流分布的角度來(lái)考慮，可從以下兩個(gè)方面入手:1)合理布置陰、陽(yáng)極的相對(duì)位置，包括選擇合適的陽(yáng)極鈦籃長(zhǎng)度，陰極高度及液位高度等;2)鍍槽內(nèi)設(shè)置陽(yáng)極整流擋板，整流板的尺寸，開(kāi)孔密度、孔徑大小及開(kāi)孔形式等應(yīng)根據(jù)鍍槽與工件具體的裝掛方式來(lái)確定，經(jīng)驗(yàn)證明，采用合理的陽(yáng)極整流板可以明顯改善電鍍中的一次電流分布，有效提高鍍鎳層的均勻性。

2.3.3 采用多種方式加強(qiáng)攪拌

在電鍍過(guò)程中，攪拌可以促進(jìn)物質(zhì)的傳遞。消除濃差極化和提高電流密度的作用顯著，因此，良好的攪拌對(duì)于鍍層質(zhì)量有著極其重要的作用。目前應(yīng)用在二次陶瓷金屬化電鍍鎳最常用、有效的攪拌方法有陰極移動(dòng)、循環(huán)過(guò)濾和空氣攪拌。

陰極移動(dòng)的方法應(yīng)用最多。對(duì)于陰極移動(dòng)而言，移動(dòng)的頻率比移動(dòng)的距離更為重要。電鍍鎳自動(dòng)生產(chǎn)線的陰極移動(dòng)裝置的移動(dòng)頻率應(yīng)是變頻可調(diào)，以適應(yīng)不同產(chǎn)品與工藝的需要，常用的陰極移動(dòng)頻次為l0～20次/min，移動(dòng)幅度25～100mm。在采用循環(huán)過(guò)濾攪拌時(shí)，布置循環(huán)攪拌管路時(shí)要注意管路排布的位置應(yīng)適當(dāng)，經(jīng)實(shí)驗(yàn)在鍍槽的上、下、左、右、中都布有循環(huán)攪拌管路，可以有效提高鍍層的均勻性，此外采用專(zhuān)用擾流噴嘴來(lái)強(qiáng)化攪拌也取得了較好的應(yīng)用效果［12］。為進(jìn)一步提高攪拌效果，還可在鍍槽的中部側(cè)位布置壓縮空氣攪拌管來(lái)加強(qiáng)攪拌，采用的壓縮空氣一定要經(jīng)過(guò)過(guò)濾凈化處理，防止壓縮空氣的二次污染。陶瓷二次金屬化對(duì)電鍍層質(zhì)量要求較高，因此以上的三種攪動(dòng)方式最好同時(shí)采用，以滿足強(qiáng)化攪拌的需求。

2.3.4 電鍍夾具

目前國(guó)內(nèi)進(jìn)行陶瓷件二次金屬化一般都是通過(guò)鎳絲的捆綁進(jìn)行吊掛與導(dǎo)電［13］，不僅鍍前需對(duì)瓷環(huán)逐個(gè)綁扎，鍍后還要解綁，費(fèi)工費(fèi)時(shí)，效率低下。此外還存在與捆綁鎳絲接觸的部位鍍不上或鍍層較薄的問(wèn)題，這些都影響了二次金屬化鍍層的均勻性，造成產(chǎn)品成品率低。國(guó)內(nèi)目前都是通過(guò)人工翻轉(zhuǎn)換位來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題，這種人工翻轉(zhuǎn)的方式工作效率低，在采用電鍍自動(dòng)生產(chǎn)線的情況下，該種操作方式就成了大生產(chǎn)中的瓶頸;此外還存在漏翻、少翻及翻轉(zhuǎn)力度不均等一系列問(wèn)題，會(huì)對(duì)電真空陶瓷件二次金屬化的品質(zhì)造成影響。通過(guò)與國(guó)內(nèi)某大型企業(yè)的合作，開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)制造專(zhuān)用于陶瓷環(huán)端面二次金屬化電鍍的全自動(dòng)掛具，很好的解決了陶瓷環(huán)裝掛效率低及接觸導(dǎo)電點(diǎn)鍍不上或鍍層薄的問(wèn)題。該掛具摒棄了傳統(tǒng)捆綁的裝掛方式，采用直接擺放懸掛方式解決了裝掛麻煩的問(wèn)題，通過(guò)在掛具上設(shè)置特殊的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了在電鍍過(guò)程中對(duì)陶瓷環(huán)的自動(dòng)換位，解決了陶瓷環(huán)換位導(dǎo)電的問(wèn)題。該掛具的使用大幅提高了陶瓷二次金屬化電鍍自動(dòng)線的生產(chǎn)效率和產(chǎn)品的合格率。

2.4 工件二次金屬化鍍鎳的后處理

陶瓷件在二次金屬化鍍鎳后，后處理清洗也很重要。如果后處理清洗不徹底，電鍍后陶瓷件經(jīng)二次燒結(jié)后，在殘留有微量鍍液的陶瓷件表面將留有較明顯的淺色水漬斑印，影響產(chǎn)品外觀。為保證鍍后陶瓷件清洗效果，陶瓷件電鍍鎳后需去離子水清洗、并配以高壓風(fēng)切與熱風(fēng)烘干工位，保證鍍后電真空陶瓷件的徹底清洗與快速烘干。部分廠家為保證復(fù)雜陶瓷件的徹底清洗，還在第一道去離子水清洗槽中設(shè)置了輔助超聲波清洗;為保證陶瓷件清洗后不積掛液，在掛具的選擇上應(yīng)注意采用不易積液的掛具。目前采用三道去離子水洗，在自動(dòng)線上為便于檢測(cè)后處理的清洗質(zhì)量，在最后一道去離子水洗槽內(nèi)設(shè)置電導(dǎo)率檢測(cè)裝置，判斷陶瓷件清洗是否合格;陶瓷件經(jīng)多次去離子水清洗后，為保證陶瓷件表面經(jīng)燒結(jié)后無(wú)水漬斑印，必須快速整體烘干，這就要求陶瓷件表面少掛水，并采用無(wú)油無(wú)水壓縮空氣將表面的掛水快速吹掉，同時(shí)輔以熱風(fēng)將陶瓷件快速吹干。自動(dòng)生產(chǎn)線可以設(shè)置專(zhuān)用的自動(dòng)控制風(fēng)切槽位和熱風(fēng)烘干槽位。風(fēng)切槽位中的壓縮空氣噴嘴的排布方式和風(fēng)壓、風(fēng)量的控制，以及熱風(fēng)烘干槽位的熱風(fēng)循環(huán)的方式和加熱功率大小，都是關(guān)鍵因素。

綜上所述，由于電真空陶瓷二次金屬化的特性，對(duì)陶瓷件的電鍍鎳層質(zhì)量提出了較高的要求，要滿足這些要求，必須綜合、系統(tǒng)的從電鍍過(guò)程中的鍍液、工藝與設(shè)備等多方面考慮與解決問(wèn)題，才能最終達(dá)到提高電真空陶瓷二次金屬化產(chǎn)品品質(zhì)、產(chǎn)品成品率與生產(chǎn)效率的目的。

［1］ 高隴橋，江樹(shù)儒，謝仁發(fā).幾種Al2O3陶瓷金屬化產(chǎn)品的分析報(bào)告［J］.真空電子技術(shù)，2000，(6):5-9.

［2］ 李卓然，樊建新，馮吉才.氧化鋁陶瓷與金屬連接的研究現(xiàn)狀［J］.宇航材料工藝，2008，(4):6-10.

［3］ 高隴橋.陶瓷-金屬封裝中的二次金屬化技術(shù)［J］.電子工藝技術(shù)，2002，23(4):164-166.

［4］ Mattox D M，Smith H D.Role of manganese in the metallization of high alumina ceramics［J］.American Ceramic Society，1985，64(10):1363-1367.

［5］ 劉聯(lián)寶，楊鈺平，劉云平，等.陶瓷-金屬封接技術(shù)指南［M］.北京:國(guó)防工業(yè)出版社，1990:50-55.

［6］ 楊衛(wèi)英，伍智，李蓉.電真空器件用陶瓷二次金屬化鍍鎳層起泡現(xiàn)象的研究［J］.真空，2007，(7):44-46.

［7］ 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十八研究所陶瓷金屬封接QC小組.提高陶瓷金屬化層鍍金質(zhì)量［C］//2004年度電子工業(yè)優(yōu)秀質(zhì)量管理小組成果質(zhì)量信得過(guò)班組經(jīng)驗(yàn)專(zhuān)集.安徽:中國(guó)電子工業(yè)第二十四次質(zhì)量管理小組暨質(zhì)量信得過(guò)班組代表會(huì)議，2004:269-272.

［8］ 吳雙成.鍍液中金屬雜質(zhì)的處理［J］.電鍍與精飾，1997，19(2):21-23.

［9］ 文斯雄.光亮鎳鍍液污染的凈化處理［J］.材料保護(hù)，2001，34(3):45-46.

［10］ 高隴橋.陶瓷-金屬材料實(shí)用封接技術(shù)［M］.北京:化學(xué)工業(yè)出版社，2005:134-138.

［11］ Hezhong Pei，Jun Zhang，Guoliang Zhang，et al.Research to the uniformity of Ni-Co alloy electroforming［J］.Advanced Materials Research Vols，2012，(479-481):497-503.

［12］ Jian-Ming Yang，Dong-Hyun Kim，Di Zhu，et al.Improvement of deposition uniformity in alloy electroforming for revolving parts［J］.International Journal of Machine Tools ＆ Manufacture，2008，(48):329-337.

［13］ 趙厚沛，談曼君.陶瓷金屬化批量生產(chǎn)實(shí)用工藝技術(shù)［J］.光電子技術(shù)，1992，(9):237-243.