NovaThor L8580 ModAp平臺(tái)采用具有突破性的FD-SOI工藝技術(shù)創(chuàng)新的設(shè)計(jì)支持高達(dá)2.5 GHz的eQuad處理器,并整合了先進(jìn)的LTE多模Modem
2013年1月7日,全球領(lǐng)先的移動(dòng)平臺(tái)和半導(dǎo)體廠商意法·愛立信在全球最大規(guī)模的拉斯維加斯消費(fèi)電子展上推出全球最快、最低功耗的高集成LTE智能手機(jī)平臺(tái)。NovaThorTML8580 ModAp是一款支持LTE多模的智能手機(jī)平臺(tái),它整合了全套的無線連接(connectivity)功能,并且擁有速率可達(dá)2.5 GHz的eQuadTM應(yīng)用處理器。NovaThor L8580將在2013年的一季度提供樣片。
意法·愛立信總裁兼CEO Didier Lamouche表示:“意法·愛立信專注于為當(dāng)今的智能手機(jī)用戶提供最好的體驗(yàn)。選擇在最能為用戶帶來實(shí)實(shí)在在的好處和便利方面開展創(chuàng)新,通過eQuad技術(shù),顯著加快了應(yīng)用軟件的運(yùn)行速度,而且同時(shí)還能保證智能終端超低功耗運(yùn)行,從而讓終端在運(yùn)行時(shí)的發(fā)熱減少,并具有更長的續(xù)航時(shí)間。新推出的NovaThor L8580其系統(tǒng)架構(gòu),建立在意法·愛立信于去年推出的第一代NovaThor L8540 LTE ModAp平臺(tái)基礎(chǔ)上,我們的新平臺(tái)代表了一個(gè)真正的業(yè)界突破。它采用了當(dāng)前可用的最先進(jìn)的技術(shù),包括意法半導(dǎo)體創(chuàng)新的28 nm FD-SOI制程技術(shù),從而在一款先進(jìn)的高集成LTE ModAp平臺(tái)平臺(tái)上,帶來非常卓越的性能和無可比擬的優(yōu)異功耗?!?/p>
NovaThor L8580集成了基于ARM Cortex-A9的eQuad 2.5 GHz處理器、運(yùn)行在600 MHz的Imagination強(qiáng)大的圖形處理器PowerVRTMSGX544、以及先進(jìn)的LTE多模Modem,集成在一顆28 nm的采用FD-SOI制程的芯片中。
基于 NovaThor L8540的設(shè)計(jì),NovaThor L8580突出了FD-SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)并結(jié)合創(chuàng)新的技術(shù)在增強(qiáng)性能的同時(shí)保持低功耗。對(duì)于最終用戶而言,NovaThor L8580的優(yōu)勢(shì)包括:(1)CPU運(yùn)行速度提升35%,圖形處理器(GPU)和多媒體加速器運(yùn)行速度提升 20%;(2)低溫運(yùn)行的狀態(tài)下帶來高性能,與競品系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)相比,功耗減少25%;(3)低功耗模式下,運(yùn)行在0.6 V電壓下能夠帶來5 000 DMIPS的處理能力,完全勝任日常使用的大部分應(yīng)用的計(jì)算處理能力。在提供同等性能的情況下,該低功耗模式所消耗的功耗比采用bulk CMOS技術(shù)的方案少50%。
Lamouche表示:“正如我們?cè)?0個(gè)月前所承諾的那樣,意法·愛立信正在演示FD-SOI技術(shù)為移動(dòng)市場(chǎng)所帶來的突破性。FD-SOI、超薄有源層和隔離層(ultra thin active and isolation layers)、帶來智能體偏壓(smart body biasing)的創(chuàng)新雙柵垂直晶體管(double-gate vertical transistors),所有這些核心技術(shù)的創(chuàng)新組合,為移動(dòng)市場(chǎng)對(duì)高性能、超低功耗以及技術(shù)穩(wěn)健性需求的呼聲,做出了最好的回應(yīng)。我們看到NovaThor L8580所帶來的性能表現(xiàn),證實(shí)了FD-SOI技術(shù)的突破性,這讓下一代高性能LTE平臺(tái),能夠充分地從我們突破性的技術(shù)和設(shè)計(jì)中獲得切實(shí)的好處。”