低溫退火磷吸雜工藝對低少子壽命鑄造多晶硅電性能的影響

姜麗麗 路忠林 張鳳鳴 魯雄

1)(西南交通大學(xué)材料先進(jìn)技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，材料科學(xué)與工程學(xué)院，成都 610031)

2)(天威新能源控股有限公司，成都 610200)

(2012年9月8日收到;2012年12月10日收到修改稿)

1 引言

鑄造多晶硅(mc-Si)是目前硅晶體太陽電池市場上常用的重要原料.mc-Si在生產(chǎn)過程中常常存在晶體缺陷(位錯、晶界)和雜質(zhì)(金屬雜質(zhì)和過度金屬雜質(zhì))，不僅影響mc-Si的少子壽命，還會影響多晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率及電池質(zhì)量[1,2].在mc-Si中，金屬雜質(zhì)，尤其是鐵金屬雜質(zhì)(Fei)極易成為較強(qiáng)的電子復(fù)合中心.在能帶理論中，F(xiàn)ei所形成的能級位于導(dǎo)帶和禁帶之間，靠近費(fèi)米能級，屬于深能級雜質(zhì).當(dāng)光生載流子產(chǎn)生時，電子會在能級躍遷過程被Fei能級俘獲，從而影響了mc-Si太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率.而晶體缺陷處存在較多的不飽和懸掛鍵，也成為較強(qiáng)的復(fù)合中心，導(dǎo)致硅晶體太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的降低，極大地影響硅晶體太陽電池的質(zhì)量.

為了進(jìn)一步改善mc-Si的質(zhì)量，減少mc-Si中金屬雜質(zhì)及晶體缺陷，提高多晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率，研究人員嘗試在硅晶體太陽能電池生產(chǎn)過程中使用磷吸雜的方法來減少硅晶體中的金屬雜質(zhì)及晶體缺陷.該方法也因其可與擴(kuò)散工藝同時進(jìn)行的便捷性而得到人們廣泛研究[3-7].P′erichaud等[8]采取磷吸雜方式，在900°C的高溫進(jìn)行2—4 h的擴(kuò)散吸雜，實(shí)現(xiàn)了mc-Si中金屬雜質(zhì)的去除，提高了多晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率.Khedher等[9]在mc-Si兩面進(jìn)行磷擴(kuò)散，通過高溫下的外吸雜作用去除金屬雜質(zhì)，提高了mc-Si擴(kuò)散后的光誘導(dǎo)電流.Chen等[10]則使用兩溫度梯度擴(kuò)散工藝進(jìn)行磷吸雜實(shí)驗(yàn)，結(jié)果證明兩溫度梯度吸雜工藝磷吸雜效果較好.Pletzer等[11]用印刷磷源的擴(kuò)散方法，研究磷吸雜作用對mc-Si太陽電池電性能的影響，結(jié)果表明該種吸雜方法可有效提高mc-Si擴(kuò)散后的少子壽命.前人所做的大量研究都證明了擴(kuò)散工藝中的磷吸雜過程可以實(shí)現(xiàn)mc-Si中金屬雜質(zhì)的去除，提高多晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率，但大量磷吸雜工藝的研究都在高溫(900—1000°C)下進(jìn)行.高溫過程具有很多的弊端，會影響P在mc-Si中的擴(kuò)散長度，增加mc-Si中晶體缺陷，加劇了硅片中的內(nèi)應(yīng)力.因此高溫磷吸雜工藝不僅不能達(dá)到較好的吸雜效果，還有可能造成太陽能電池質(zhì)量及光電轉(zhuǎn)換效率的降低.

還有一點(diǎn)值得提及的是在鑄造多晶硅生產(chǎn)過程中，只有硅片少子壽命大于1.2μs的硅片才可以用于太陽能電池的生產(chǎn)和研究中.目前還沒有研究考察普通磷吸雜方法對低少子壽命mc-Si性能的影響.本研究針對低少子壽命mc-Si，提出一種新型的低溫退火吸雜工藝，去除低少子壽命mc-Si內(nèi)部Fei雜質(zhì)，降低了其內(nèi)部的晶體缺陷.并實(shí)現(xiàn)了將該種硅片應(yīng)用于太陽電池的批量生產(chǎn)，提高該種硅片產(chǎn)出太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率和質(zhì)量，增加了鑄造多晶硅材料在太陽能領(lǐng)域的利用率，節(jié)約了鑄造多晶硅的生產(chǎn)成本.

2 實(shí)驗(yàn)

2.1 硅材料

如前文所述，mc-Si在生產(chǎn)過程中以少子壽命1.2μs為分界，少子壽命小于1.2μs的硅片一般情況下作為不合格品處理，不應(yīng)用于太陽能電池生產(chǎn)及其相關(guān)的研究工作，造成一定浪費(fèi).本文選擇少子壽命小于1.2μs的多晶硅片(TWNE、China)1200片作為試樣，并均勻分成三組.樣品中包含同一硅錠上位置相鄰硅片若干，以保證后續(xù)結(jié)果檢測的可對比性.實(shí)驗(yàn)用多晶硅片規(guī)格為，厚度220μm、大小為156 mm×156 mm、電阻率為0.5—3 Ω/cm.

2.2 工藝及檢測

實(shí)驗(yàn)通過以下過程完成：

1)首先采用微波光誘導(dǎo)衰減法(μ-PCD)對實(shí)驗(yàn)硅片進(jìn)行少子壽命取樣檢測(WT2000，Semilab，Hangray).μ-PCD法是光伏行業(yè)中一種常見的測試少子壽命的方法，其主要原理是使用激光脈沖激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對.隨著電子空穴對的不斷復(fù)合，電子空穴對濃度降低，硅片電導(dǎo)率下降，使得樣品反射的微波能量也隨著電導(dǎo)率的下降而不斷降低.通過接收樣品反射的微波，經(jīng)計(jì)算得到被測樣品的少子壽命.

2)使用目前應(yīng)用于大規(guī)模mc-Si太陽能電池的生產(chǎn)工藝將三組實(shí)驗(yàn)硅片分別生產(chǎn)成太陽電池.其中生產(chǎn)工藝的主要區(qū)別在于擴(kuò)散工藝的不同.三實(shí)驗(yàn)組使用不同工藝溫度曲線如圖1所示.圖1(a)為多溫度梯度擴(kuò)散結(jié)合退火工藝的低溫退火磷吸雜擴(kuò)散工藝(R1).工藝在溫度穩(wěn)定在T1=780°C溫度時開始，在780°C進(jìn)行20 min;隨后以10°C/min的升溫速率升溫至T2=830°C，在此溫度下工藝運(yùn)行30 min后，以5°C/min的降溫速率降溫至T3=810°C，運(yùn)行時間40 min，再以相同降溫速率降溫至T4=570°C進(jìn)行低溫退火，退火時間60 min;圖1(b)為多溫度梯度磷吸雜擴(kuò)散工藝(R2).其T1，T2，T3溫度及工藝時間與R1相同，無T4退火步驟;圖1(c)為兩溫度梯度擴(kuò)散工藝(R3).R3工藝沒有T3及T4溫度組.R3工藝中的T1，T2溫度與R1相同，但工藝時間上略有區(qū)別，其中T1溫度工藝時間為25 min，T2溫度工藝時間為35 min，工藝時間不同主要是為保證實(shí)驗(yàn)條件的統(tǒng)一性，保證三種擴(kuò)散工藝擴(kuò)散得方塊電阻相同，以減少其對后續(xù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響.R3工藝為工廠中常用的擴(kuò)散工藝，在本研究中作為對比實(shí)驗(yàn)組.擴(kuò)散采用設(shè)備為Horizontal Diffusion Furnace TS81003(Tempress，Holland).在擴(kuò)散工藝完成后，每個工藝組選取5片測試片使用四探針法(4D Automatic four point probe metre 280，Plytec，Germany)進(jìn)行方塊電阻測試，結(jié)果取平均值.

3)使用WT2000少子壽命測試儀測試經(jīng)磷擴(kuò)散工藝處理后的硅片的少子壽命及Fe-B對(FeiBj).將預(yù)先準(zhǔn)備的硅錠相鄰位置硅片，分別放入三個實(shí)驗(yàn)組中，通過FeiBj及少子壽命的測試及表征，比較三組工藝對低少子壽命多晶硅中Fei的去除作用.在p型多晶硅里Fe元素以FeiBj形式存在，是強(qiáng)復(fù)合中心，會降低硅晶體太陽電池的效率.FeiBj可以在強(qiáng)光照射被打開，形成Fei和Bj.而Fei對少子壽命的影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于FeiBj對少子壽命的影響.因此WT2000使用強(qiáng)光打開FeiBj鍵合，分別測試前后少子壽命，通過公式(1)計(jì)算，便可得到被測硅片中FeiBj濃度.又因?yàn)镕ei在mc-Si中大多以FeiBj形式存在，所以FeiBj濃度一般可近似看成Fei濃度[12,13].

其中，C=3.4×1013μs/cm為常數(shù)，τbefore為未打開FeiBj鍵合前的少子壽命，τafter為打開FeiBj鍵合后的少子壽命，NFe為Fei濃度.

4)使用 IV-measurement(Halm，Gremany)對三實(shí)驗(yàn)組每片電池成品進(jìn)行電性能測試，得到各個實(shí)驗(yàn)組電池的光電轉(zhuǎn)換效率.IV-measurement使用模擬太陽光，在AM1.5(1000 mW/cm2)輻照下，通過連接太陽電池正負(fù)極測得電池的I-V曲線.

5)在電池成品中取樣，進(jìn)行電致發(fā)光(Electroluminescence，EL)成像檢測，實(shí)驗(yàn)儀器為BT image LIS-RLV6，Australia.通過EL測試結(jié)果的比較，得到三種磷擴(kuò)散工藝對低少子壽命硅片晶體內(nèi)部缺陷的修復(fù)作用.

圖1 磷擴(kuò)散工藝溫度曲線示意圖 (a)多溫度梯度擴(kuò)散工藝結(jié)合低溫退火工藝(R1);(b)多溫度梯度擴(kuò)散工藝(R2);(c)兩溫度梯度擴(kuò)散工藝(R3)

3 結(jié)果

3.1 少子壽命,Fei濃度及方塊電阻測試

圖2為硅片少子壽命測試，結(jié)果表明實(shí)驗(yàn)用硅片少子壽命平均小于1.2μs.

表1為所選取的相鄰位置硅片S1，S2，S3擴(kuò)散前由(1)式計(jì)算所測得NFe值.表2為同樣測試方法所測得的 S1，S2，S3分別經(jīng) R1，R2，R3工藝擴(kuò)散后測試所得NFe值，用SR1，SR2，SR3表示.兩次測試均采用逐點(diǎn)掃描的方式進(jìn)行，結(jié)果取整個面掃描結(jié)果的平均值.測試結(jié)果表明R1擴(kuò)散工藝所得NFe值最低，R2工藝其次，R3工藝最高.

圖2 硅片少子壽命測試數(shù)據(jù)分布圖

表3為四探針法測得的三種擴(kuò)散工藝所得方塊電阻平均值，測試結(jié)果表明三種擴(kuò)散工藝得到硅片方塊電阻相等，保證了總體實(shí)驗(yàn)及測試結(jié)果的可對比性.

表1 硅片試樣擴(kuò)散前NFe測試值

表2 硅片試樣擴(kuò)散后NFe測試值

表3 擴(kuò)散后三組工藝方阻測試值

3.2 硅晶體太陽能電池電性能測試結(jié)果

經(jīng)磷擴(kuò)散吸雜工藝處理的多晶硅片制成太陽電池后，測試其性能.圖3為測試得到的典型I-V曲線圖.曲線與橫坐標(biāo)電壓(V)的交點(diǎn)，為開路電壓Voc，曲線與縱坐標(biāo)電流(A)的交點(diǎn)為短路電流Isc，Imp，Vmp分別為最大輸出電流及最大輸出電壓，最大輸出功率Pmp=VmpImp，即為I-V曲線內(nèi)面積最大的矩形.定義VmpImp與VocIsc兩個矩形的面積比為填充因子FF.太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率其中Pin為輻照光輸入功率.同時，該測試方法還可以在測試效率的同時，通過計(jì)算得到太陽電池串聯(lián)電阻Rs和并聯(lián)電阻Rsh.

圖3 經(jīng)處理的硅片制成太陽電池后的典型I-V曲線

三組磷擴(kuò)散吸雜工藝所產(chǎn)出太陽電池的電性能測試結(jié)果平均值如表4所示，R1工藝所生產(chǎn)的太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率最高，為16.07%，比R2工藝高0.2%，比R3工藝高1.26%.且R1工藝得到的電池電性能參數(shù)Voc，Isc及FF等參數(shù)均高于R2和R3工藝.R2工藝與R3工藝對比可得R2工藝所生產(chǎn)的太陽電池的各電性能參數(shù)均高于R3.電池電性能測試結(jié)果表明，在其他太陽電池生產(chǎn)工藝相同的情況下，R1擴(kuò)散工藝比其他擴(kuò)散工藝更能有效的提高低少子壽命硅片所產(chǎn)出的太陽電池光電轉(zhuǎn)化效率及其他各項(xiàng)電性能參數(shù).

3.3 EL測試結(jié)果

圖4為相鄰位置實(shí)驗(yàn)樣品S1，S2，S3經(jīng)三種擴(kuò)散工藝所生產(chǎn)電池的EL圖片，分別用SEL1，SEL2，SEL3表示.圖 4(a)，(b)，(c)中，圖片的下部都有較大的陰影區(qū)域，這主要是由于硅片所在硅錠在鑄造生產(chǎn)過程中位于靠近坩堝的位置.通過比較三幅圖片，可以發(fā)現(xiàn)，經(jīng)R1工藝生產(chǎn)的電池，其陰影區(qū)域較其他試樣已經(jīng)明顯減小，而且EL測試所反映的SEL1樣品的晶體缺陷與位錯也低于其他兩個樣品.同樣的情況也可以出現(xiàn)在SEL2，SEL3的比較中，即SEL2也較SEL3有較低的位錯和晶體缺陷.由此可得，低溫磷R1工藝具有減少硅片本身位錯和晶體缺陷的作用，R2工藝其次，R3工藝的作用最弱.

圖4 不同工藝生產(chǎn)的太陽電池EL測試圖片 (a)SEL1;(b)SEL2;(c)SEL3

表4 三組磷擴(kuò)散吸雜工藝所產(chǎn)出太陽電池的電性能

3.4 討論

本研究證明低溫退火磷吸雜擴(kuò)散工藝(R1)可以通過降低低少子壽命mc-Si中FeiBj的含量，減少硅片本身的晶體缺陷，使少子壽命小于1.2μs的硅片可直接應(yīng)用于mc-Si太陽電池的生產(chǎn)，并得到較好的太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率.

在大量前人研究的基礎(chǔ)上，人們對磷擴(kuò)散吸雜的原理有了一個普遍的認(rèn)識[10,14-16].首先，金屬雜質(zhì)在mc-Si中多以間隙位、替位和沉積等形態(tài)存在，總的金屬雜質(zhì)濃度在1×1014—6×1014左右，且大多數(shù)金屬雜質(zhì)以沉淀形式存在，也有一部分金屬雜質(zhì)存在于間隙位置，且只有間隙位狀態(tài)的金屬雜質(zhì)才能通過吸雜的方式將其去除.吸雜過程需要一定的能量來激活金屬雜質(zhì)并使其在mc-Si內(nèi)部擴(kuò)散，最終到達(dá)吸雜終點(diǎn).在mc-Si太陽電池工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域，由于電池光電轉(zhuǎn)換效率受表面少子壽命和體少子壽命共同影響，所以，在太陽電池生產(chǎn)中的金屬雜質(zhì)一般都經(jīng)由外吸雜作用而得到去除.所謂吸雜終點(diǎn)，也就是硅片表面在擴(kuò)散工藝進(jìn)行時由于高濃度磷的引進(jìn)而形成的缺陷，空位，位錯或固溶度增強(qiáng)的區(qū)域.當(dāng)雜質(zhì)到達(dá)并被束縛在其中后，可通過mc-Si太陽電池的后續(xù)生產(chǎn)工藝將其去除.

本研究的磷吸雜擴(kuò)散工藝在上述理論基礎(chǔ)上，通過擴(kuò)散層的外吸雜作用，達(dá)到去除Fei雜質(zhì)為目的.由于擴(kuò)散層在硅片表面，所以理論上，當(dāng)Fe擴(kuò)散長度LFe為硅片厚度的整數(shù)倍時，才能使Fe雜質(zhì)最終被表面的擴(kuò)散層俘獲并形成穩(wěn)定狀態(tài).LFe的計(jì)算公式為

其中DFe為Fe在mc-Si中的擴(kuò)散系數(shù)，kB為玻爾茲曼常數(shù)，T為溫度，Eact為Fe的激活能，約等于mc-Si中 Fe的遷移能，Emig·Fe≈ (0.67±0.02)eV[17,18].本文實(shí)驗(yàn)中所用硅片厚度為220μm，當(dāng)LFe=220μm時，由(2)式及(3)式計(jì)算Fei擴(kuò)散到硅片表面所需要的溫度及時間.在以實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)為前提條件下R1工藝低溫T4=570°C，退火t=60min.實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明該方法可以達(dá)到去除低少子壽命硅片中Fe雜質(zhì)的目的.

R1和R2磷吸雜工藝與應(yīng)用于常規(guī)生產(chǎn)的兩溫度梯度擴(kuò)散工藝R3的區(qū)別在于使用多溫度梯度的工藝曲線.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明R1及R2都能在一定程度上提高mc-Si太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率和各項(xiàng)電性能，證明多溫度梯度磷擴(kuò)散工藝在一定程度上優(yōu)于常規(guī)生產(chǎn)所用的兩溫度梯度擴(kuò)散工藝.有研究結(jié)果表明多溫度梯度擴(kuò)散工藝可以調(diào)節(jié)磷在硅中的分布和pn結(jié)的深度，提高pn結(jié)質(zhì)量[19-21].本研究結(jié)果進(jìn)一步證明了多溫度梯度擴(kuò)散工藝對磷的分布及擴(kuò)散長度具有重要作用.R1工藝的另外一個優(yōu)點(diǎn)是增加了在570°C下的低溫退火的過程.當(dāng)溫度為570°C時，磷不能被激活能而產(chǎn)生電活性，即在此溫度下磷不能在Si內(nèi)部擴(kuò)散.但Fei卻可以在此溫度下被激活從而在mc-Si中運(yùn)動.由實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，R1較R2工藝更具優(yōu)勢，其原因是R1中的低于擴(kuò)散工藝溫度的低溫步驟T4的加入，使得低少子壽命硅片在一個較低的溫度下保持了一定的時間，在不改變磷在mc-Si中的擴(kuò)散長度和分布情況下，激活Fei擴(kuò)散，同時給予mc-Si低溫退火處理，進(jìn)一步降低硅片生產(chǎn)加工過程晶體內(nèi)部殘留的應(yīng)力，減少了低少子壽命硅片內(nèi)部的位錯，晶體缺陷等，增強(qiáng)了低少子壽命mc-Si的質(zhì)量.

本研究采用一種將多溫度梯度磷擴(kuò)散吸雜工藝與低溫退火工藝結(jié)合的新型低溫退火磷吸雜工藝，有效的提高了低少子壽命多晶硅太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率、各項(xiàng)電性能參數(shù)及電池質(zhì)量，其機(jī)理可以初步探討如下.該工藝有效地去除Fei雜質(zhì)，減少了mc-Si中的深能級復(fù)合中心，降低了光生載流子在擴(kuò)散過程中被復(fù)合的概率，從而提升了Isc.低溫退火工藝對晶體結(jié)構(gòu)的修復(fù)作用也減小了光生電子在晶體缺陷處的復(fù)合，同樣可以有效地提升Isc.Isc的提高及多溫度梯度工藝對磷在pn結(jié)中分布的影響也使得Voc得到相應(yīng)的提升[22].同時，低溫退火磷吸雜工藝是利用磷的外吸雜作用，主要由擴(kuò)散過程中在硅片表面引入高濃度磷來實(shí)現(xiàn).這層高濃度磷主要存在于Si晶體結(jié)構(gòu)中的間隙位，無電學(xué)活性，但卻能在電池生產(chǎn)過程中促使金屬電極與電池表面p-n形成更良好的歐姆接觸，降低串聯(lián)電阻，進(jìn)而提高FF[23,24].

需要指出的是，低溫吸雜步驟的加入有效地去除了Fe雜質(zhì)，但是實(shí)驗(yàn)結(jié)果(表1)顯示R1實(shí)驗(yàn)組試樣少子壽命相對于其他實(shí)驗(yàn)組沒有明顯的提升，這可能是由于測試時選取單一樣品測試所造成的誤差，有待后續(xù)實(shí)驗(yàn)的進(jìn)一步證明.也有文獻(xiàn)研究表明，由于低少子壽命mc-Si晶體內(nèi)部具有較多的晶界，缺陷和雜質(zhì).低溫退火過程中，部分Fei可能會在擴(kuò)散過程中被這些晶體內(nèi)部缺陷俘獲，而不能擴(kuò)散到硅片表面而殘留在硅片內(nèi)部，從而使得少子壽命沒有明顯提高，但由于其對晶體結(jié)構(gòu)的修復(fù)作用而直接影響了mc-Si太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率及電池質(zhì)量[14]，這與本文結(jié)論有一定的相似性.

4 結(jié)論

本文針對少子壽命小于1.2μs的低少子壽命mc-Si，提出一種新型低溫退火吸雜工藝.通過不同工藝的比較，驗(yàn)證了低溫退火吸雜工藝具有更好的磷吸雜和修復(fù)晶體缺陷的作用，可以降低低少子壽命mc-Si中Fe雜質(zhì)含量，減少硅片中晶體缺陷及加工過程中的殘余應(yīng)力，使原來不能應(yīng)用于太陽電池生產(chǎn)的低少子壽命mc-Si可直接生產(chǎn)成太陽電池，并得到較好的太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率.本文的研究成果可直接應(yīng)用于大規(guī)模太陽電池的生產(chǎn)，提高鑄造mc-Si生產(chǎn)過程中的產(chǎn)品利用率，大大節(jié)約生產(chǎn)成本.

[1]Deng H，Yang D R，Tan J，Xi Z Q，Que D L 2007 Acta Energi.28 2(in Chinese)[鄧海，楊德仁，唐駿，席珍強(qiáng)，闕端麟2005太陽能學(xué)報(bào)28 2]

[2]Shi X B，Xu Z Q，Shi Z R，Zhu T，Wang Y 2006 Journal of Sothern Yangtze University(Natural Science Edition)5(6)(in Chinese)[石湘波，許志強(qiáng)，施正榮，朱拓2006江南大學(xué)學(xué)報(bào)5 6]

[3]Min J，Li J H 1995 Research&Progress of SSE 15 3(in Chinese)[閔靖，陳一，宗祥福1995固體電子學(xué)研究與進(jìn)展15 3]

[4]Ji X B，Zhou Q G，Liu B，Xu J 2009 Chinese J.Rare Metals 32 6(in Chinese)[籍小兵，周旗鋼，劉斌，徐繼平2009稀有金屬32 6]

[5]Seidel T，Meek R，Cullis A 1975 J.Appl.Phys.46 2

[6]Tan J，Cuevas A，Macdonald D，Trupke T，Bardos R，Roth K 2008 Prog Photovoltaics 16 2

[7]Shabani M B，Yamashita T，Morita E.2008 Solid State Phenom 131

[8]P′erichaud I 2002 Sol.Energ.Mat.Sol.C 72 1

[9]Khedher N，Hajji M，Hassen M，Ben Jaballah A，Ouertani B，Ezzaouia H，Bessais B，Selmi A，Bennaceur R 2005 Sol.Energ.Mat.Sol.C 87 1

[10]Chen J X，Xi Z Q，Wu D D，Yang D R 2007 Acta Energi 28 2

[11]Pletzer T，Stegemann E，Windgassen H，Suckow S，B¨atzner D，Kurz H.2011 Prog Photovoltaics 19 8

[12]Shockley W 1952 Proceedings of the IRE 40 11

[13]Hall R N 1952 Physical Review 87 2

[14]Krain R，Herlufsen S，Schmidt J 2008 Appl.Phys.Lett.93

[15]Geranzani P，Pagani M，Pello C，Borionetti G 2002 Internal gettering in silicon：experimental and theoretical studies based on fast and slow diffusing metals Scitec Publications;1999 p381—386

[16]Istratov A A，V¨ain¨ol¨a H，Huber W，Weber E R 2005 Semiconductor Science and Tech 20

[17]Istratov A A，Hieslmair H，Weber E 1999 Appl.Phys.A-Mater 69 1

[18]Istratov A A，Hieslmair H，Weber E 2000 Appl.Phys.A-Mater 70 5

[19]Komatsu Y，Galbiati G，Lamers M，Venema P，Harris M，Stassen A F，Meyer C，van den Donker M，Weeber A 2009 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition，Hamburg，Germany.，2009，1063—1067

[20]Komatsu Y，Koorn M，Vlooswijk A H G，Venema P R，Stassen A F 2011 Energy Procedia 8

[21]Manshanden P，Geerligs L 2006 Sol.Energ.Mat.Sol.C 90 7

[22]Nelson J 2003 The physics of solar cells Vol.57 2003：World Scienti fic.

[23]Green M A 1982 Englewood Cliffs,NJ,Prentice-Hall,Inc.,1982.288 p1

[24]Jha A Solar cell technology and applications 2009：Auerbach Publications