王瑩瑩,王寅崗 ,繆雪飛,馮曉梅
(南京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,南京210016)
隨著微波技術(shù)的快速發(fā)展,高頻通訊領(lǐng)域?qū)ξ⒉娐凡牧系募苫?、小型化及低成本提出了進(jìn)一步要求,LTCC 多層結(jié)構(gòu)材料成為當(dāng)今實(shí)現(xiàn)以上目標(biāo)的主要途徑之一,因此開發(fā)能與金屬導(dǎo)體銀或銅共燒兼容的微波介質(zhì)陶瓷材料成為LTCC 技術(shù)研究中的熱點(diǎn)[1]。在眾多微波介質(zhì)材料中,低介電常數(shù)、高品質(zhì)因數(shù)陶瓷材料在微波通訊中可以有效地減少微波元件及電路之間的耦合,降低信號延遲[2],因此開發(fā)高頻低介類微波介質(zhì)陶瓷已成為目前主要研究的課題之一。
近年來,ZnO-SiO2及MgO-SiO2體系陶瓷因具有介電性好及成本低等特點(diǎn)而引起廣泛關(guān)注[3-5]Mg2SiO4-Zn2SiO4復(fù)合體系[6]與單一體系相比,具有更好的綜合性能且對應(yīng)燒結(jié)溫度有所降低,然而要實(shí)現(xiàn)與低熔點(diǎn)高導(dǎo)電性的銀(熔點(diǎn)約960 ℃)或銅(熔點(diǎn)約1 050 ℃)在低溫下共燒并獲得良好的微波介電性,還需要進(jìn)一步降低陶瓷的燒結(jié)溫度。B2O3、Li2O 及Li2O-B2O3-SiO2[LBS]、ZnO-B2O3-SiO2[ZBS]玻璃都是較為常見的助燒劑[4,7-9],已有在(Zn0.8Mg0.2)2SiO4-TiO2中添加一定量的LBS 玻璃來降低該陶瓷的燒結(jié)溫度的報(bào)道[8]。然而大量玻璃以非晶相存在,常導(dǎo)致材料微波介電性能的大幅度下降[4]。因此,為成功制備低介電常數(shù)LTCC 材料,燒結(jié)助劑的選擇和添加量的控制都具有重要的研究意義和應(yīng)用價值。有學(xué)者報(bào)道ZrO2摻雜可以提高基體材料的移動疊加效應(yīng)[10],同時在物相燒結(jié)過程中添加ZrO2會產(chǎn)生某種低熔物從而促進(jìn)主晶相的生成[11],我們的前期研究驗(yàn)證ZrO2的添加可以促進(jìn)(Zn0.8Mg0.2)2SiO4陶瓷中主晶相的形成并獲得結(jié)構(gòu)致密性能優(yōu)異的陶瓷體,具有正的諧振頻率溫度系數(shù)[121]的TiO2的添加可以有效地調(diào)節(jié)該體系的諧振溫度系數(shù),但該體系燒結(jié)溫度為1 240 ℃,難以滿足LTCC 材料的要求。為實(shí)現(xiàn)(Zn0.8Mg0.2)2SiO4-ZrO2-TiO2體系在LTCC 中的應(yīng)用,本文研究了助燒劑B2O3與Li2O 單獨(dú)添加及復(fù)合添加對陶瓷體燒結(jié)性和微波介電性能的影響。
實(shí)驗(yàn)中取分析純的MgO,ZnO,SiO2,ZrO2按照99wt%(Zn0.8Mg0.2)2SiO4-1wt%ZrO2的成分配比精確稱量,以酒精為球磨介質(zhì)在瑪瑙罐內(nèi)一次球磨16h,取出烘干后在1 150 ℃/3 h 下完成預(yù)燒。預(yù)燒后粉料按照91wt%[(Zn0.8Mg0.2)2SiO4-ZrO2]-9wt%TiO2(ZMSZT)的成分配比添加TiO2(分析純),在混合后的ZMSZT 配方中添加x wt% B2O3(此處以分析純的當(dāng)量H3BO3代替,x=0、1)和y wt%Li2O(此處以分析純的當(dāng)量Li2CO3代替,y=0、4),具體樣品成分配比見表1。將精確配比的粉料再次球磨并烘干,接著加入5wt%的PVA(分析純)造粒,隨后在200 MPa 冷等靜壓下壓制成15 mm×7 mm 的圓片。將圓片樣品放入剛玉坩鍋中并埋粉,排膠后在一定溫度下進(jìn)行燒結(jié)。
表1 樣品成分配比
本實(shí)驗(yàn)使用綜合熱分析儀(NETZSCH STA 499c,Germany)初步確定樣品的排膠及燒結(jié)溫度,分別采用美國材料實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)(ASTM)測試燒成樣品的收縮率及體積密度,用XRD(D8 Advance Bruker,Germany)對樣品進(jìn)行物相分析,用SEM(JSM-6360LV,JEOL,Japan)觀察試樣的表面形貌。采用網(wǎng)絡(luò)分析儀(Agilent E8363B,USA)結(jié)合Hakki-Collemon 法測試樣品的介電常數(shù)及介電損耗,再在25℃~85 ℃下測量相應(yīng)的諧振中心頻率f25、f85,根據(jù)式(1)算得諧振頻率溫度系數(shù)τf:
為了解樣品的熱演化并制定合理的工藝參數(shù),將Ⅳ組份造粒、烘干后進(jìn)行熱失重分析(TG)與差示掃描熱分析(DSC),其中升溫速率為10 ℃/min。如圖所示,TG 曲線上存在三個失重臺階。開始時在100 ℃~200 ℃溫度范圍內(nèi)有少量失重,對應(yīng)有較小的吸熱峰存在,可能是由于少量吸附水的揮發(fā),并且在此溫度區(qū)內(nèi)H3BO3受熱脫去一個水分子生成偏硼酸(HBO2),HBO2在一定溫度條件下聚合成焦硼酸(H2B4O7)。在300 ℃~600 ℃溫度范圍內(nèi)出現(xiàn)較大的失重現(xiàn)象,對應(yīng)出現(xiàn)了一個較寬的吸熱峰,一方面是因?yàn)镠3BO3分解產(chǎn)生的B2O3,溫度升高時一部分B2O3熔化揮發(fā);另一方面是由于造粒過程中加入的PVA 在500 ℃~600 ℃內(nèi)揮發(fā)導(dǎo)致失重。在更高溫度區(qū)域內(nèi)(>600 ℃)出現(xiàn)第三個失重臺階,該失重來源于原料中Li2CO3受熱分解,對應(yīng)在約706 ℃時出現(xiàn)一吸熱峰。由圖可知,當(dāng)溫度高于800 ℃時TG-DSC 曲線區(qū)域平緩,均不存在明顯的失重或放熱/吸熱峰,這表明初始原料的分解及排膠過程都已結(jié)束,為后續(xù)的燒結(jié)做好了準(zhǔn)備。因此,以TG-DSC 曲線為依據(jù)初步選取870 ℃、900 ℃、930℃、960 ℃、990 ℃為燒結(jié)溫度,550 ℃為排膠溫度。
圖1 ZMSZT+1B+4L 樣品粉體的TG-DSC 曲線
圖2 為添加x wt% B2O3+y wt%Li2O(x=0、1;y=0、4)的ZMSZT 陶瓷在不同燒結(jié)溫度下的樣品收縮率及體積密度。隨著溫度的升高,樣品收縮率增大,樣品Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ在較低溫度下可以達(dá)到與樣品Ⅰ在高溫區(qū)相近收縮率,說明助燒劑的添加可以降低樣品的燒結(jié)溫度。其中與單一添加B2O3與Li2O 助燒劑的樣品相比,二者復(fù)合添加的樣品可以在較低的溫度(930 ℃)下達(dá)到飽和收縮率,隨著燒結(jié)溫度的升高收縮率最高達(dá)15%,同理在樣品密度分析中樣品Ⅳ在930 ℃燒結(jié)時對應(yīng)密度較大,這說明B2O3與Li2O 復(fù)合添加的樣品在930 ℃左右就可以燒結(jié)致密。
圖2 樣品在不同燒結(jié)溫度下的收縮率及體積密度
圖3 為未添加助燒劑的樣品在1 240 ℃燒結(jié)及添加助燒劑的樣品在930 ℃燒結(jié)后的X 射線衍射圖??梢姡煌砑臃绞綐悠返闹骶嗑鶠閃illemite(Zn2SiO4JCPDS no. 37-1485),同時存在少量的Rutile(TiO2JCPDS no.21-1276)。與樣品Ⅰ相比,助燒劑的添加能夠促進(jìn)樣品在較低溫度(930 ℃)下實(shí)現(xiàn)晶化。此外,Li2O 的添加導(dǎo)致樣品Ⅲ與Ⅳ中出現(xiàn)少量的ZnTiO3相(JCPDS no.39-190PDF)。圖3(b)為圖3(a)中2θ 在25 ~35°之間的XRD 譜放大圖,可發(fā)現(xiàn)Ⅲ與Ⅳ樣品的衍射峰稍向右移動,這可能是因?yàn)殚L時間球磨導(dǎo)致少量的Zn2+被離子半徑較小的Li+置換,晶格尺寸減小,2θ 增大;同時置換出的Zn2+與TiO2結(jié)合生成少量ZnTiO3。
圖3
所研究樣品的微觀形貌如圖4 所示。從圖4 可以看出,經(jīng)1 240 ℃燒結(jié)后的樣品Ⅰ中晶粒尺寸較大,微結(jié)構(gòu)較致密;而經(jīng)930 ℃燒結(jié)后的樣品Ⅱ中晶粒不明顯,且排列疏散對應(yīng)致密性較差,說明在該溫度下樣品未達(dá)到致密化燒結(jié);與Ⅱ相比,樣品Ⅲ中晶粒尺寸變化不大,致密性稍有提高,但仍存在少量縫隙,說明樣品Ⅲ未達(dá)到最佳燒結(jié)溫度;同樣溫度燒結(jié)后的樣品Ⅳ中晶粒尺寸稍有增大、晶粒明顯、晶界結(jié)合緊密、空隙消失,對應(yīng)致密性可以與較高溫度(1 240 ℃)燒結(jié)后的樣品Ⅰ的致密性相媲美。B2O3與Li2O 作為低熔點(diǎn)氧化物在燒結(jié)過程中均可以通過液相的流動性推動質(zhì)的傳遞,進(jìn)而提高基體的燒結(jié)活性,且Li2O 的添加可能導(dǎo)致氧空位的產(chǎn)生,這也是促進(jìn)燒結(jié)的重要原因[13],然而單一氧化物添加過量時有可能會導(dǎo)致料漿粘結(jié)異常增大而影響與導(dǎo)電金屬界面結(jié)合,甚至不能實(shí)現(xiàn)與其共燒,與單獨(dú)添加相比,二者復(fù)合添加在獲得更好的助燒效果的同時很好地避免這一點(diǎn)。由于樣品的致密性對材料的介電性能有很大的影響,材料致密性高時對應(yīng)的介電損耗?。?4],因此,選擇1 wt% B2O3+4wt% Li2O 作為燒結(jié)助劑來獲得高致密性的ZMSZT 陶瓷。
圖4 樣品Ⅰ經(jīng)1 240 ℃燒結(jié)及樣品Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ經(jīng)930 ℃燒結(jié)后的表面微觀形貌
針對以上分析,圖5 模擬了復(fù)合添加B2O3和Li2O 的ZMSZT 樣品在燒結(jié)過程中的致密化及微觀結(jié)構(gòu)演變原理圖。由圖5 可知,(a)為初始樣品顆粒,其中H3BO3在燒結(jié)中分解為B2O3,同時Li2CO3在燒結(jié)過程中分解為Li2O;(b)Willemite 與Rutile 單獨(dú)存在,部分B2O3與Li2O 在燒結(jié)中結(jié)合產(chǎn)成Li2O-B2O3玻璃相;隨溫度升高,(c)中助燒劑熔化推動質(zhì)的傳遞,促進(jìn)了ZMSZT 陶瓷的致密化;當(dāng)溫度繼續(xù)升高,(d)中樣品燒結(jié)致密,伴有少量的ZnTiO3析出,該相的存在對基體微波性能影響不大[15]。
圖5 樣品Ⅳ在燒結(jié)過程中致密化及微結(jié)構(gòu)演變原理圖
表2 為經(jīng)不同溫度燒結(jié)后樣品的微波介電性能。由表可知,添加助燒劑對陶瓷樣品介電常數(shù)(εr)的影響不大,對應(yīng)εr值從8.41 增大到9.36。在介電損耗的比較中發(fā)現(xiàn),添加助燒劑后的樣品在諧振頻率(f=10.3GHz)下品質(zhì)因子Qf(與損耗大小呈反比)均有減小,一方面可能是因?yàn)闃悠返闹旅苄詫殡娦阅艿挠绊?,另一方面可能是因?yàn)樘砑觿┑囊肴菀桩a(chǎn)生不明顯的雜相而有損其介電性能。在930 ℃燒結(jié)條件下B2O3與Li2O 復(fù)合添加比單獨(dú)添加的樣品對應(yīng)的Qf 值要大,這與圖4 的結(jié)果一致,說明樣品的微觀形貌與介電性能存在內(nèi)在的聯(lián)系,高致密度與晶粒尺寸均勻的樣品具有更好的介電性能[14]。在對樣品諧振頻率溫度系數(shù)的研究中發(fā)現(xiàn),與樣I 相比,助燒劑的添加對應(yīng)τf值的改變不大,其中復(fù)合添加B2O3與Li2O 的ZMSZT 陶瓷對應(yīng)τf為-5.71×10-6/℃,樣品溫度穩(wěn)定性較高。由以上分析可知,B2O3與Li2O 復(fù)合添加能獲得比單一添加更好的助燒效果,通過液相燒結(jié)作用實(shí)現(xiàn)樣品的低溫?zé)Y(jié)。
表2 樣品經(jīng)不同溫度燒結(jié)后的微波介電性能
采用固相法制備的以B2O3和Li2O 為助燒劑的(Zn0.8Mg0.2)2SiO4-ZrO2-TiO2(ZMSZT)微波介 質(zhì)陶瓷中:
(1)與未添加燒結(jié)助劑的樣品相比,B2O3和Li2O 的添加一定程度上改善了陶瓷的燒結(jié)性能,二者復(fù)合添加時具有更好的助燒效果,使得ZMSZT 陶瓷在較低的溫度(930 ℃)下達(dá)到飽和收縮率,且燒結(jié)致密。
(2)對燒結(jié)后的樣品進(jìn)行XRD、SEM 及微波介電性分析后發(fā)現(xiàn):經(jīng)930 ℃燒結(jié)后,B2O3與Li2O 復(fù)合添加的樣品中主晶相為Willemite,同時伴有及少量的Rutile 和ZnTiO3,其中ZnTiO3的微波性能較好,對基體微波性能影響不大;復(fù)合添加B2O3與Li2O 的樣品晶界處無縫隙,晶粒明顯且排列緊密,具有較好的微觀形貌;此外,與單一添加B2O3或Li2O 的樣品相比,二者復(fù)合添加的樣品對應(yīng)介電損耗較小,微波介電性良好,可很好地用作LTCC 材料。
[1] 王寧,趙梅瑜,殷之文,微波介質(zhì)陶瓷的中低溫?zé)Y(jié)[J]. 無機(jī)材料學(xué)報(bào),2002,17:915-923.
[2] Jean J H,Gupta T K.Design of Low Dielectric Glass+Ceramics for Multilayer Ceramic Substrate[J].IEEE Transactions on Components,packaging and Manufacturing Technology B,1994,17(2):228-233.
[3] Nguyen N H,Lim J B,Nahm S.Effect of Zn/Si Ratio on the Microstructural and Microwave Dielectric Properties of Zn2SiO4Ceramics[J]. Journal of the American Ceramic Society,2007,90(10):3127-3130.
[4] Kim J S,Song M E,Joung M R. Effect of B2O3Addition on the Sintering Temperature and Microwave Dielectric Properties of Zn2SiO4Ceramics[J]. Journal of the European Ceramic Society,2010,30:375-379.
[5] Tsunooka T,Androu M,Higashida Y. Effects of TiO2on Sinter Ability and Dielectric Properties of High-Q Forsterite Ceramics[J].Journal of the European Ceramic Society,2003,23:2573-2578.
[6] Song K X,Chen X M,Zheng C W.Microwave Dielectric Characteristics of Ceramics in Mg2SiO4-Zn2SiO4System[J]. Ceramics International,2008,34:917-920.
[7] Valant M,Suvorov D. Low-Temperature Sintering of(Ba0.6Sr0.4)TiO3[J].Journal of the American Ceramic Society,2004,87(7):1222-1226.
[8] Zhang Q L,Yang H,Zou J L. Low-Temperature Sintering of(Zn0.8Mg0.2)2SiO4-TiO2Ceramics[J]. Materials Letters,2008,62:3872-3874.
[9] Yoon S O,Shim S H,Kim K S.Low-Temperature Preparation and Microwave Dielectric Properties of ZBS Glass-Al2O3Composites[J].Ceramics International,2009,35:1271-1275.
[10] 孫平,王茂祥,孫彤.(Ba1-xSrx)TiO3系鐵電陶瓷的制備及其介電性能研究[J].電子器件,2000,23:85-89.
[11] He M,Zhang S,Zhou X H.Dielectric and Microwave Properties of ZrO2Doped CaO-SiO2-B2O3Ceramic Matrix Composites[J].Journal of Alloys and Compounds,2011,509:4260-4263.
[12] Kagomiya I,Sugihara J,Kakimoto K.Mg2SiO4-TiO2Composite Ceramics Prepared using a Liquid Phase Deposition Process[J].Journal of Electroceramics,2009,22:327-333.
[13] Valant M,Suvorov D,Pullar R C.A Mechanism for Low-Temperature Sintering[J].Journal of the European Ceramic Society,2006,26:2777-2783.
[14] George S,Sebastian T M.Microwave Dielectric Properties of Novel Temperature Stable High Q Li2Mg1-xZnxTi3O8and Li2A1-xCaxTi3O8(A = Mg,Zn)Ceramics[J]. Journal of the European Ceramic Society,2010,30:2585-2592.
[15] Wu S P,Luo J H,Cao S X. Microwave Dielectric Properties of B2O3-Doped ZnTiO3Ceramics Made with Sol-Gel Technique[J].Journal of Alloys and Compounds,2010,502:147-152.