邵俊鵬,徐 斌
(哈爾濱理工大學(xué) 機(jī)械動(dòng)力工程學(xué)院,哈爾濱 150080)
陶瓷拋光磚表面平整而且光亮,但是微觀結(jié)構(gòu)確是凹凸不平。對(duì)瓷磚微觀結(jié)構(gòu)的研究,國外對(duì)此做了大量研究。Hutchings等[1]對(duì)瓷磚的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究,得出瓷磚微觀結(jié)構(gòu)對(duì)磨頭磨損的影響很大。Campos等[2-3]提出利用廢物生產(chǎn)瓷磚,并提出了瓷磚的回收和利用。Rahaman等[4-7]利用分類技術(shù)、智能機(jī)器對(duì)瓷磚的表面缺陷進(jìn)行檢測(cè)。加工瓷磚的主要設(shè)備是擺動(dòng)式瓷磚拋光機(jī),Sousa等[8-10]對(duì)瓷磚加工過程中的運(yùn)動(dòng)進(jìn)行了分析。李松等[11-12]通過試驗(yàn)得出瓷磚的拋光軌跡是呈“Z”字形。鐘保民等[13-14]研究得出瓷磚的進(jìn)磚方向會(huì)影響瓷磚的平整度和軌跡。瓷磚在加工過程中,由于擺動(dòng)式拋光機(jī)振動(dòng)的存在,致使瓷磚產(chǎn)生碎裂。國內(nèi)高校和企業(yè)都對(duì)瓷磚拋光機(jī)的振動(dòng)故障進(jìn)行了大量研究。如:湯迎紅等[15]優(yōu)化了拋光盤的凸輪曲線,解決了柔性沖擊問題。吳南星等[16]用加水方法控制噪聲。陳彩如等[17]對(duì)拋光機(jī)水平方向的拋光過程進(jìn)行了建模和仿真,得出了平面拋光時(shí)當(dāng)量磨削量的分布規(guī)律。陳麗芬等[18]對(duì)利用功率譜分析磨頭的故障。程洪濤等[19-21]磨頭軸的模態(tài)、以及動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行了分析。上述已對(duì)瓷磚的微觀結(jié)構(gòu)、瓷磚的拋光軌跡、拋光機(jī)振動(dòng)進(jìn)行了研究。瓷磚的微觀結(jié)構(gòu)、瓷磚的拋光軌跡、拋光機(jī)振動(dòng)三者之間的關(guān)系及其影響卻沒有研究,也未見該類文章發(fā)表。而瓷磚微觀結(jié)構(gòu)軌跡對(duì)振動(dòng)卻有著重要影響,這也是企業(yè)所要迫切了解的問題。
本文在前人的研究基礎(chǔ)上,對(duì)粗、中、精拋工序中的瓷磚進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究,通過SEM實(shí)驗(yàn)得出瓷磚的微觀軌跡;通過振動(dòng)實(shí)驗(yàn)得出拋光機(jī)磨頭的振動(dòng),并得出瓷磚微觀軌跡對(duì)振動(dòng)的關(guān)系及其影響。研究結(jié)果對(duì)瓷磚、和磨頭的研究提供理論依據(jù)。
瓷磚的寬度大于磨頭的直徑,為了完整加工瓷磚所需運(yùn)動(dòng)有:① 磨頭的轉(zhuǎn)動(dòng);② 磨頭的擺動(dòng)。③瓷磚的進(jìn)給運(yùn)動(dòng)。擺動(dòng)拋光磨頭的運(yùn)動(dòng)原理如圖1所示。傳送帶2驅(qū)動(dòng)瓷磚給進(jìn),同時(shí)旋轉(zhuǎn)磨頭1在橫梁的帶動(dòng)下,在A、B兩極限位置之間來回的擺動(dòng)。磨頭在瓷磚上的拋光軌跡如圖2所示。拋光軌跡為“Z”形軌跡。
瓷磚的破碎過程為:在磨頭壓力F和扭轉(zhuǎn)力矩T的作用下,瓷磚表面首先生成粉屑,并在磨粒前面形成壓實(shí)體。在磨粒的擠壓和拉應(yīng)力的作用下,磨粒前方的瓷磚被壓碎成小塊,并飛濺出去。同時(shí),在壓力F的作用下,磨粒下方產(chǎn)生裂紋,裂紋沿著與瓷磚表面垂直的方向和磨粒前進(jìn)的方向擴(kuò)展。與瓷磚表面平行的裂紋擴(kuò)展軌跡為弧形,最終擴(kuò)展到瓷磚表面,形成大塊磨屑。然后如此循環(huán)下去。如圖3所示。
由磨削破碎瓷磚過程都要經(jīng)歷由小塊脆裂到達(dá)塊崩裂的發(fā)展過程??梢缘贸瞿チF扑榇纱u的過程具有間斷性。磨頭的壓力F的扭轉(zhuǎn)力矩T均隨著小塊的碎裂的出現(xiàn)而迅速波動(dòng),并在主裂紋擴(kuò)展成大磨屑崩碎之前達(dá)到最大值。作用力迅速下降,磨粒前移,繼而重復(fù)磨削破碎過程。磨頭的壓力F隨著磨削深度H的增加而增加,這個(gè)規(guī)律也是磨削脆性材料的普遍規(guī)律。
為了研究瓷磚表面不同部位的微觀軌跡,以SD-286型瓷磚拋光生產(chǎn)線為例進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)的工序?yàn)榇謷?、中拋、精拋,?shí)驗(yàn)所用瓷磚規(guī)格為800 mm×800 mm。瓷磚成分為:石英、長石、高嶺土。在每道工序加工后的瓷磚中挑一塊瓷磚為對(duì)象,在瓷磚上取3個(gè)樣點(diǎn),如圖4所示。樣點(diǎn)①對(duì)應(yīng)圖1中的磨頭的極限位置B,樣點(diǎn)②對(duì)應(yīng)圖1中的磨頭的極限位置A。對(duì)樣點(diǎn)進(jìn)行電鏡掃描,電鏡型號(hào)為:FEI Sirion。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖5~圖7所示。
圖5(b),圖5(d),圖5(f)是分別對(duì)圖5(a),圖5(c),圖5(e)同一點(diǎn)放大200倍后的微觀形貌圖。
圖5(a),圖5(b),圖5(e),圖5(f)中樣點(diǎn)①、③的軌跡相互平行,并且間隔距離大,軌跡清晰。平行軌跡的深度大于樣點(diǎn)②的交叉軌跡。
圖4 瓷磚取樣點(diǎn)示意圖Fig.4 Schematic diagram of the sampling points of ceramics tile
由磨粒破碎瓷磚模型分析可知,磨頭磨削力F磨削深度的增加而增加。并且磨削力F在破碎瓷磚過程中是波動(dòng)的。因此,平行軌跡處的磨削力F及其波動(dòng)性大于軌跡交叉處的磨削力。
圖5(c)、圖5(d)為樣點(diǎn)②的形貌,該處軌跡相互交叉,交叉處的軌跡寬度大于平行寬度,交叉點(diǎn)中間堆積著大小形狀各異的磨屑,縱橫軌跡的扇形裂紋相互連接。裂紋擴(kuò)展面積進(jìn)一步擴(kuò)大,各軌跡間的未加工表面很難辨認(rèn)。軌跡交叉時(shí),磨粒擠壓瓷磚所產(chǎn)生的裂紋趨向于,與其交叉的溝槽裂紋擴(kuò)展,因此,交叉處的磨粒在很小的磨削力F的作用下,可將瓷磚破碎。
王成勇等[22-23]利用金剛石對(duì)大理石進(jìn)行劃傷,得出切削軌跡交叉時(shí)的磨削力比切削軌跡平行時(shí)小30%~50%。大理石和瓷磚同屬脆性材料,該研究結(jié)果也有力的說明了,瓷磚軌跡交叉處的破碎現(xiàn)狀。
圖6、圖7是瓷磚中、精拋后瓷磚取樣點(diǎn)的形貌。從圖中可以看出,中、精拋不再是以裂紋擴(kuò)展破碎為主,中拋以犁溝為主,精拋以劃擦研磨為主。對(duì)比圖5~圖7看出,粗拋是脆性破碎,中、精拋是塑性流變。
從圖6、圖7中樣點(diǎn)①、②、③看出,樣點(diǎn)①、③的軌跡是平行軌跡,取樣點(diǎn)②是交叉軌跡。瓷磚在磨粒的壓力的作用下,平行軌跡發(fā)生塑性流變,將瓷磚的犁溝和劃痕缺陷填充,形成平整的表面。交叉軌跡處,刻痕清晰,無裂紋。
由于中精拋只是研磨,無微裂紋破碎,因此,磨削力F較小且波動(dòng)性很小。
為了確定拋光機(jī)粗、中、精拋光加工階段磨頭在瓷磚取樣點(diǎn)上的振動(dòng),按照表1參數(shù)進(jìn)行了磨削振動(dòng)試驗(yàn),對(duì)SD-286型拋光生產(chǎn)線中的粗、精瓷磚拋光機(jī)磨頭進(jìn)行實(shí)驗(yàn),如圖8所示。實(shí)驗(yàn)儀器為TV100測(cè)振儀、SD1406壓電式傳感器。利用壓電式傳感器測(cè)量X、Y、Z三個(gè)方向的振動(dòng)加速度。分別對(duì)粗、中、精拋工序拋光機(jī)上的每個(gè)磨頭在瓷磚3個(gè)樣點(diǎn)上測(cè)得X、Y、Z三個(gè)方向的振動(dòng)加速度數(shù)值,求平均數(shù)后的結(jié)果如表2所示。
前面分析得出,粗拋時(shí),以脆性碎裂為主,平行軌跡處的磨削力大并且波動(dòng)大。交叉軌跡磨削力小,波動(dòng)也小。從表2的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得出:粗拋磨頭在瓷磚3個(gè)取樣點(diǎn)上的振動(dòng)不一樣,樣點(diǎn)①、③的振動(dòng)大于樣點(diǎn)②的振動(dòng)。由前述所知,樣點(diǎn)①、③對(duì)應(yīng)著瓷磚的平行軌跡,樣點(diǎn)②對(duì)應(yīng)交叉軌跡。
圖8 實(shí)驗(yàn)裝置Fig.8 Schematic diagram of experimental equipment
表1 磨頭振動(dòng)加速度實(shí)驗(yàn)參數(shù)Tab.1 Vibration acceleration experimental parameter of grinding head
表2 磨頭振動(dòng)加速值對(duì)比表Tab.2 Numerical contrast of vibration acceleration of grinding head
中、精拋也表現(xiàn)出了同樣的特點(diǎn)。中、精拋以研磨拋光為主,磨削力小并波動(dòng)小。從表2看出,中、精拋的振動(dòng)小于粗拋。
綜上實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和分析得出:平行軌跡處振動(dòng)大,交叉軌跡處振動(dòng)小。中、精拋以塑性流變?yōu)橹?,平行軌跡和交叉軌跡處的振動(dòng)都不大,相差很小。
平行軌跡對(duì)應(yīng)著瓷磚的兩端極限位置,交叉軌跡對(duì)應(yīng)著瓷磚的中間。即磨頭擺動(dòng)到兩端位置時(shí),振動(dòng)大。而擺動(dòng)到瓷磚中間位置時(shí),振動(dòng)小。中、精拋時(shí),由于平行軌跡和交叉軌跡處的振動(dòng)相差很小,磨頭在整個(gè)擺動(dòng)過程比較平穩(wěn)。
(1)瓷磚兩端拋光軌跡為平行軌跡,中間軌跡為交叉軌跡。
(2)平行軌跡處振動(dòng)大,交叉軌跡處振動(dòng)小。
(3)粗拋時(shí),瓷磚以脆性碎裂為主。中、精拋時(shí),以塑性流變?yōu)橹鳌?/p>
(4)粗拋時(shí),振動(dòng)不平穩(wěn),兩端大,中間小。中、精拋時(shí),振動(dòng)平穩(wěn)。
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