IDT推出針對(duì)4G無(wú)線基站收發(fā)器的業(yè)界最低功耗低失真混頻器

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT?公司 （Integrated Device Technology，Inc．；NASDAQ：IDTI)宣布，已推出針對(duì)4 G無(wú)線基站的業(yè)界最低功耗低失真多樣化混頻器。作為 IDT Zero-DistortionTM系列產(chǎn)品之一，這款新器件可在降低長(zhǎng)期演進(jìn)（LTE）和時(shí)分雙工（TDD）無(wú)線通信架構(gòu)失真的同時(shí)降低功耗。IDT致力于為業(yè)界提供一個(gè)涵蓋從天線到數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）的完整射頻卡信號(hào)鏈，新的LTE混頻器正是該戰(zhàn)略中的重要射頻產(chǎn)品。

IDTF1162是一款低功耗、低失真雙路2 300～2 700 MHz射頻到中頻混頻器，擁有超線性 （+43 dBm）三階交調(diào)截取點(diǎn)（IP3O），可達(dá)到優(yōu)異的互調(diào)抑制，是 4 G無(wú)線基站收發(fā)器中多載波、多模式蜂窩系統(tǒng)的理想選擇。與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，IDTF1162改進(jìn) IM3失真達(dá) 18 dB，同時(shí)降低 40%功耗達(dá)業(yè)界領(lǐng)先（典型值為1 150mW）。這些特性可降低射頻卡的散熱要求，并允許基礎(chǔ)架構(gòu)提供商采用更高的平均前端增益設(shè)置，從而實(shí)現(xiàn)更高的信噪比（SNR）。多達(dá)0．4 dB的改進(jìn)接收器 SNR有利于無(wú)線通信運(yùn)營(yíng)商擴(kuò)大覆蓋面積和提高用戶手機(jī)外圍的可用數(shù)據(jù)率。

IDTF1162提供上電快速穩(wěn)定和恒定本地振蕩器（LO）輸入阻抗。這允許客戶在時(shí)分雙工（TDD）接收器插槽間降低混頻器用電，從而進(jìn)一步降低功耗。此外，這款器件經(jīng)設(shè)計(jì)，可在一個(gè)100℃的連續(xù)封裝箱溫度中運(yùn)行，對(duì)于在密布遠(yuǎn)程射頻頭外殼內(nèi)的IC來(lái)說(shuō)，是一個(gè)重要特性。與IDT射頻混頻器系列的其他產(chǎn)品類似，IDTF1162與市場(chǎng)中現(xiàn)有的器件引腳相容，可提供令人信服的升級(jí)選擇。