曹 銳, 安士全
(中國電子科技集團公司 第三十八研究所,安徽 合肥 230088)
功率放大器是雷達、通信、電子對抗等系統(tǒng)的關鍵器件之一[1-2]?,F(xiàn)代雷達等通訊系統(tǒng)在低耗、高效和小型化等方面的快速發(fā)展,對功放效率提出了更高的要求。E類放大器由于采用開關工作模式,理論效率可達100%,因此其在高效功放中的應用得到了廣泛的關注[3-5]。寬禁帶半導體器件因其高功率密度、高效率和抗輻射等優(yōu)點成為研究的熱點[6-8],并成為提高功放效率的重要器件。研究結果表明,采用寬禁帶器件的E類功率放大器的功率附加效率可以達到70%以上[9]。但是,目前存在的諧波功率流失和高階諧波缺乏有效收集等問題,成為限制功放效率進一步提高的主要原因之一。
本文結合E類開關模式和寬禁帶功率器件的特點,基于級聯(lián)系統(tǒng)功率放大器的應用環(huán)境,分析了諧振電路的特點,首次提出在輸入匹配電路中加入諧振單元的改進方法,較好地提高了諧波的利用效率,從而有效提高了功率附加效率。通過仿真優(yōu)化設計和實際電路測試,改進型E類功率放大器的功率附加效率達到了79.6%,在同類功率放大器設計中處于先進水平,驗證了改進電路的先進性。
文獻[10]最早提出E類功率放大器,圖1所示為理想E類功率放大器的原理圖[11],包括一個開關S、偏置電壓電感Lb、場效應管結電容和外接電容之和Cs、調(diào)諧電路L-C及負載電阻RL。
圖1 理想E類功率放大器原理圖
理想情況下,當晶體管開關S閉合時,開關兩端電壓為零,開關斷開時,流過開關的電流為零,從而使得場效應管上的電壓和電流不同時出現(xiàn),消除了由于充放電帶來的損耗,晶體管效率達到100%。L-C電路諧振在輸入信號的基頻頻率,僅傳遞一個正弦電流到達負載RL。圖2所示為理想E類放大器的電壓電流波形[12]。
圖2 理想E類放大器漏極電壓和電流輸出波形
當開關是“關”狀態(tài)時,漏極電壓Vs為:
其中,ωs為信號頻率;Ids為漏極直流分量;a和φ為常數(shù)。Vs可表示為:
E類功率放大器理想工作需具備的2個條件為:
其中,Ts為信號周期。這2個條件避免了在晶體管開關狀態(tài)改變時,由于Vs的值非零而造成電容Cs短路帶來的功率損耗,利用這些條件,常數(shù)a和φ可以計算得到:a≈1.86,φ≈-32.5°。
因此,在一個周期內(nèi):
由(5)式和(8)式,可得基波頻率的負載阻抗ZL為:
負載網(wǎng)絡的輸入阻抗由(10)式給出:
負載元件的值可以由(9)式和(10)式的實部和虛部分部求得[13],即
常用的E類放大器電路結構,如圖3a所示。根據(jù)寬禁帶功率半導體器件的結構特點,柵源之間的等效電容Cgs與柵漏之間等效電容Cgd的比值小于傳統(tǒng)半導體功率器件,因此寬禁帶半導體器件的反向傳輸系數(shù)S12大于其他功率器件,導致由輸出端反饋至輸入端的諧波功率增加。同時,在級聯(lián)功率放大鏈路中,末級功率放大器的輸入電路中包含豐富的諧波成分,如果能利用這部分功率,則能有效提高功率放大器效率。因此,對E類放大器的電路結構進行了改進設計,在輸入端加入諧波抑制網(wǎng)絡,如圖3b所示。
圖3 E類功放結構原理圖
在實際電路設計中,對于微波頻段的E類功率放大器,其諧振網(wǎng)絡一般通過λ/4微帶線實現(xiàn)。很明顯,要想利用λ/4微帶線抑制所有諧波是不可能的。
在一般的設計中,通常對前4個諧波進行抑制,開路線的電長度分別被選擇為在頻率2f0、3f0、4f0、5f0(f0為中心工作頻率)的1/4波長,如圖4所示,這表明這4個短截線在這些諧波點呈現(xiàn)為低阻抗,而在電路終端很好地抑制了這些諧波點。
圖4 諧波抑制電路
選擇CREE公司生產(chǎn)的寬禁帶功率管CGH40010F。偏置電壓Vds=28V,Vgs=-2.5V,輸入激勵Pin=28dBm,中心頻率1.2GHz,介質(zhì)基板選擇Alon公司25N,介電常數(shù)3.38,基板厚度0.2mm,敷銅厚度35μm。
利用Agilent Advanced Design System(簡稱ADS)仿真軟件,進行實際電路的整體仿真設計和結構優(yōu)化,兼顧效率和輸出功率對參數(shù)進行調(diào)節(jié),得到最佳輸入輸出匹配網(wǎng)絡和偏置電路。
利用ADS軟件對改進前后的E類功率放大器電路進行仿真,功率和效率隨頻率和輸入功率的變化曲線分別如圖5和圖6所示。
圖5 隨頻率的仿真比較
圖6 隨輸入功率的仿真比較
由仿真結果可以看出,隨著輸入功率的增大,輸出功率和功率附加效率都隨之增大,改進型E類功率放大器的功率和效率改善比較明顯,這是由于隨著輸入功率增大功率放大器的非線性增強,諧波分量變大,進一步驗證了改進型E類功率放大器對諧波的抑制作用。當輸出功率在P1時,改進后的效率大約提高4%,而輸出功率也有明顯提高,在1.1~1.3GHz頻率范圍內(nèi)提高了0.2~0.5dB。
根據(jù)仿真設計,對改進前后的2種E類功率放大器電路進行了投產(chǎn)加工。
對改進前后的2種E類功率放大器實際電路分別進行測試,測試條件為:連續(xù)波工作,漏極電壓28V,柵極電壓-2.5V。中心頻率為1.2GHz時,測試得到的改進前后E類功率放大器輸出功率和效率隨輸入功率的變化曲線,如圖7所示??梢钥吹?,隨著輸入功率的增大,輸出功率和效率都隨之增大,且改進型E類功率放大器的輸出功率和效率的提高越來越明顯。
固定輸入功率為27dBm,使器件工作在近似飽和狀態(tài),在1.1~1.3GHz頻率范圍內(nèi),對改進前后E類功率放大器電路輸出功率和效率進行了測試比較,如圖8所示。可以看到,改進后的E類寬禁帶功率放大器在設計的頻段內(nèi)輸出功率保持在10W以上,功率附加效率最大達到79.6%,增益13dB。由此看出,在近似飽和工作狀態(tài)下,由于器件的非線性增強,諧波分量較大,由于對諧波分量進行了抑制設計,改進后的功率放大器的功率和效率在設計頻段內(nèi)都比改進前得到了明顯的改善,進一步驗證了諧波抑制的有效性。
圖7 隨輸入功率的測試比較
圖8 隨頻率的測試比較
針對E類寬禁帶功率放大器目前存在的諧波功率流失問題,提出在輸入端增加諧波抑制網(wǎng)絡的設計改進方法,研制了一種改進型高效E類寬禁帶功率放大器;分析了E類功率放大器的工作原理,討論了輸入端諧波抑制的影響,提出電路改進方法并進行了仿真分析和實物測試。結果表明,改進后的E類寬禁帶功率放大器在所設計頻段內(nèi)的輸出功率和效率都有明顯提高,實際測試得到的效率最大值為79.6%,證明了輸入端諧波抑制改進設計方法的有效性。
該高效寬禁帶功率放大器的研制,對于雷達等通訊系統(tǒng)在小型化、高效率、高功率等方面的發(fā)展具有積極的推進作用。
[1]朱崢嶸.國外雷達技術新進展概述[J].信息化研究,2010,36(6):8-10.
[2]雷蒙德,潘杰利.微波場效應晶體管的理論、設計和應用[M].李章華,趙國湘,冀復生,等,譯.北京:電子工業(yè)出版社,1987:10-100.
[3]孫殿舉,吳學杰,侯 磊,等.負載牽引法在開關類功率放大器設計中的應用[J].現(xiàn)代電子技術,2010(5):191-196.
[4]曹 銳,王 卓,孫振鵬.UC-PBG結構分析及在雷達系統(tǒng)中的應用[J].合肥工業(yè)大學學報:自然科學版,2006,29(6):725-727.
[5]Melianil C,Rudolph M,Kurpast P,et al.A 2.4GHz GaAs-HBT class-E MMIC amplifier with 65%PAE[C]//2007 IEE/MTTS International Microwave Symposium,2007:1087-1090.
[6]張光義,王炳如.對有源相控陣雷達的一些新要求與寬禁帶半導體器件的應用[J].現(xiàn)代雷達,2005,27(2):1-4.
[7]Ueda H,Sugimoto M,Uesugi T,et al.High current operation of GaN power HEMT[C]//The 17th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,2005:311-314.
[8]Krishnamurthy K,Poulton M J,Martin J,et al.A 250W S-band GaN HEMT amplifier[C]//IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuits Symposium,2007:1-4.
[9]Gao S,Xu H,Heikman S,et al.Microwave class-E GaN power amplifiers[C]//Proc Asia-Pacific Microwave Conf(APMC),2005:1-4.DOI:10.1109/APMC.2005.1606450.
[10]Sokal N O,Sokal A D.Class E:a new class of high efficiency tuned single-ended switching power amplifier[J].IEEE Journal of Solid State Circuits,1975,10(3):168-176.
[11]Zulinsky R,Steadman J.Class E power amplifiers and frequency multipliers with finite DC-feed inductance[J].IEEE Transactions on Circuits and Systems,1987,34:1074-1087.
[12]Raab F.Suboptimum operation of class-E power amplifiers[C]//Proceedings of RF Technology Expo,Santa Clara,CA,F(xiàn)ebruary,1989:85-98.
[13]Mader T,Popovic Z.The transmission-line high-efficiency class-E amplifier[J].IEEE Microwave Guided Wave Lett,1995,5:290-293.