隋 淼 許小劍
(北京航空航天大學,北京 100191)
為了保護精密雷達天線不受外界強烈氣流和惡劣大氣環(huán)境的干擾,復雜介質(zhì)材料天線罩廣泛地應用于飛機、導彈和艦船等移動平臺。對于電大尺寸薄層均勻介質(zhì)天線罩的電磁特性分析,目前被廣泛應用的是高頻法[1],其具有物理概念直觀、計算速度快的優(yōu)點,主要包括幾何光學(GO)法、物理光學(PO)法等。而對于電中、小尺寸,具有復雜介質(zhì)材料且罩壁厚度可以與波長相比擬的天線罩來說,只能采用如有限元法(FEM)、矩量法(MoM)等數(shù)值法求解[2-4]。與傳統(tǒng)天線罩與有源天線之間輻射問題的研究不同,本文研究的是無源的罩內(nèi)散射體被薄層天線罩包圍后,其散射特性的變化。這種意在增強目標雷達散射截面(RCS)且又加入天線罩以保證飛行器基本飛行動力學需要的結(jié)構(gòu),在實際靶標測試中具有重要應用。
對于材料結(jié)構(gòu)簡單的電大尺寸薄層天線罩,Hémon等[5]采用基于迭代物理光學(IPO)法[6]的等效電磁流迭代公式,分析了薄層天線罩與罩內(nèi)腔體之間的電磁耦合作用。IPO是一種基于磁場積分方程(MFIE),迭代獲得目標表面等效電磁流分布的電磁散射計算方法。與高頻方法相比,由于其可部分包含諸如反射-反射(RR)、反射-繞射(RD)、繞射-反射(DR)、繞射-繞射(DD)等散射分量,具有更高的精度;與數(shù)值法,特別是需要作體剖分的FEM相比,其具有較少的未知量,即更高的計算效率。傳統(tǒng)IPO方法基于平面片描述目標的幾何外形。對于諸如天線罩這樣曲面曲率變化較大的目標表面,如按照IPO方法λ/3-λ/4的剖分要求,往往不能正確描述表面曲率較大處的幾何信息,即不能保證面片離散對目標表面的擬合精度,以及各個采樣點處的法矢方向的正確性,最終將導致散射場計算結(jié)果的誤差。但如果采用更細致的剖分尺度,雖然對目標表面的擬合程度有所改善,但卻失去了IPO對剖分要求較低的特點,使計算時間大幅增加。
將傳統(tǒng)基于平面片的IPO方法推廣到曲面片上,發(fā)展了基于曲邊面片的IPO方法,即CIPO方法,并將其應用于分析薄層天線罩與罩內(nèi)散射體之間的電磁耦合作用。與基于平面片的IPO方法相比,該方法可以在不提高剖分要求,甚至是降低IPO剖分要求的情況下,改善由面片離散帶來的擬合誤差,以及目標表面曲率較大處表面法矢的精度,從而獲得精度較高、速度較快的目標電磁散射計算結(jié)果。
曲面三角形貼片對目標表面進行剖分具有很強的靈活性,它不僅能夠處理復雜的精細結(jié)構(gòu),還能更好地模擬曲目標表面。采用由六個結(jié)點(三角形的三個頂點和三條曲邊中點)定義的二階單元。通過參數(shù)變換,將直角坐標系下的點r(x,y,z)映射到參數(shù)空間下的點r(ξ1,ξ2,ξ3),得到參數(shù)坐標系下的平面三角形單元,如圖1所示。具體表達式為
式中:rj表示六個控制點的位置矢量;參數(shù)坐標ξ1和ξ2的變化范圍均為[0,1],且滿足
式中:只有ξ1和ξ2為獨立變量;φj為定義在參數(shù)ξ1、ξ2上的形函數(shù),其表達式為
圖1 曲三角形面片
CIPO方法與基于平面片的IPO方法相比的主要區(qū)別為:CIPO需要在曲面片上積分。以完純導體(PEC)目標和高斯積分為例,目標表面等效電流迭代式為
式中:p為第m個曲面片上的積分點;q為第n個曲面片上的積分點;n(r′q)為源點r′q處的法矢量;ωq為高斯積分權(quán)值;Jq為點r′q處的雅各比行列式。
單位外法向矢量可表示為
式中:
將實空間曲面積分轉(zhuǎn)化為參數(shù)空間平面積分的雅各比因子為
式(9)的迭代過程可以在達到一定的迭代次數(shù)或者電流達到一定的收斂準則后停止。一種有效的收斂測試方法是計算第q次迭代后的目標表面各個面片總電流與第q-1次迭代后目標表面各個面片總電流的差異。如果差異較小,則認為電流收斂。用算式可表示為
對于一般的精度要求,取δ=0.05即可。
此外,快速遮擋判別[6]以及快速遠場近似技術(shù)[7]同樣可以用于對式(9)進行加速。
采用文獻[5]中介紹的基于IPO方法的薄層天線罩與罩內(nèi)散射體計算公式,計算二者之間的電磁耦合作用。
設天線罩由多層各向同性的介質(zhì)材料組成,罩內(nèi)散射體為PEC,如圖2所示?;贑IPO方法的薄層天線罩與罩內(nèi)散射體電磁耦合計算步驟如下:
圖2 天線罩與散射體的幾何關(guān)系
1)計算在平面電磁波的激勵下,電磁波穿過天線罩,在罩內(nèi)表面激勵起的電磁流。利用菲涅爾傳輸系數(shù),罩內(nèi)表面等效電磁流可表示為
式中:na為罩內(nèi)壁Pa點處指向罩內(nèi)的單位法矢量;,,,為天線罩的菲涅爾傳輸系數(shù);,,和為天線罩的菲涅爾反射系數(shù);,,和分別為入射電磁場的水平分量和垂直分量。而入射電場Ei,與透過天線罩,進入罩體的電場ET和被罩體反射的電場ER;入射磁場Hi,與透過天線罩,進入罩體的磁場HT和被罩體反射的磁場HR有如下關(guān)系:
式中:和分別為入射電場垂直和水平單位矢量;和分別為透射電場垂直和水平單位矢量;和分別為反射電場垂直和水平單位矢量。
2)計算由罩內(nèi)壁電磁流激勵起的散射體表面處磁場。
利用基爾霍夫近似(KA),散射體表面磁場可表示為
式中ra和rc分別為罩內(nèi)表面Sa和散射體表面Sc上某點的坐標矢量。需要特別注意的是,KA僅對電大尺寸口徑(該問題中的口徑為包圍散射體的天線罩)才成立,且隨著入射角偏離垂直入射方向,KA的準確度隨之降低[8]。
3)迭代計算散射體表面的等效電流。
由于散射體為PEC,所以只存在表面等效電流。其表面電流迭代式為
式中:ncν為散射體表面某點ν處的單位外法矢方向;(ra)和(ra)分別為N次迭代后,Sa上ra點處的等效電流和等效磁流。
由初始電磁流和散射體輻射到罩壁上的電磁場(r)和(ra)聯(lián)合作用得到
式中和分別為(ra)和(ra)的水平分量和垂直分量。迭代初始值為
4)計算天線罩外表面的等效流。
由散射體表面上的等效電流輻射到天線罩內(nèi)表面處的場,在罩外表面形成的電磁流可表示為
式中:
式中,(ra)和(ra)分別代表由入射場直接經(jīng)天線罩反射的等效電流和等效磁流,而(ra)和(ra)分別為散射體表面電流輻射到天線罩內(nèi)壁上的電場和磁場。
上文中,形如▽×∫M×▽′G的積分計算公式為
同樣地,▽×∫J×▽′G積分的計算公式為
當采用曲邊面片對目標表面進行剖分時,只需將上述積分采用形如式(9)的曲邊面片數(shù)值積分替代。由于天線罩表面的曲率一般較大,特別適合采用CIPO方法取代基于三角面片的IPO方法,在保持傳統(tǒng)IPO方法剖分要求較低優(yōu)點的同時,又實現(xiàn)了曲面片對目標表面的精確擬合。
研究如圖3所示的薄層介質(zhì)天線罩與罩內(nèi)散射體之間的電磁耦合作用。電磁波頻率為1GHz.天線罩材料參數(shù)為:εr=15-j4.5,μr=1,厚度為3 mm.罩內(nèi)為由PEC圓盤和圓柱體組成的帽子目標,其主要散射分量為二次反射。圖4為分別利用基于平面片的IPO、CIPO,以及商用軟件FEKO?基 于 Poggio-Miller-Chang-Harrington-Wu (PMCHW)方程的MoM得到計算結(jié)果。其中,IPO方法按照λ/4剖分尺寸,將天線罩和帽子散射體分別劃分為6 261和2 981個三角面片。而采用CIPO方法時,天線罩和散射體分別劃分為2 981和1 560個形如圖1所示的由六點控制的曲三角面片,即可得到不隨剖分尺寸變化的計算結(jié)果。本文曲三角面片的剖分由商用軟件Patran?完成。
圖3 薄層介質(zhì)天線罩與罩內(nèi)PEC散射體之間幾何關(guān)系其中,天線罩的幾何尺寸為:1.2m×1.2m×1m;帽子目標的幾何尺寸為:1m×1m×0.6m.
本算例中,IPO和CIPO的迭代終止門限按照式(14)定義,設δ=0.03.圖4(a)和(b)分別為水平和垂直極化CIPO與MoM計算結(jié)果的對比??傮w上二者基本吻合,但隨著俯仰角的增大,由于PO和KA準確度的降低,使得CIPO與MoM相比出現(xiàn)偏差。而與基于平面片IPO相比,CIPO可以用較少的面片擬合曲率較大的天線罩表面,因此,CIPO的積分點數(shù)明顯少于IPO方法。此外,由式(10)計算得到的法向矢量更加準確,可去除IPO方法固有的面片噪聲。計算91個不同角度下的RCS,IPO需要約4小時,而CIPO僅需約100分鐘。
將基于平面片的IPO方法推廣到曲面片上,發(fā)展了CIPO方法。給出了基于CIPO方法分析薄層天線罩與罩內(nèi)散射體電磁耦合計算公式。與IPO方法相比,CIPO方法可以以相對較少的面片數(shù)量,對曲率較大目標表面進行精確的擬合,準確計算出各個采樣點處的法矢方向,從而獲得更高的計算精度和速度。通過具體算例,驗證了CIPO方法的正確性和有效性。
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