基于LN/LT-POI多層結(jié)構(gòu)的SAW器件發(fā)展

何 杰，馬晉毅，胡少勤，許 昕

(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所，重慶 400060)

0 引言

鈮酸鋰(LiNbO3，LN)晶體是一種集壓電、鐵電、聲光、電光、光折變等性能于一體的人工合成多功能材料；鉭酸鋰(LiTaO3,LT)晶體的結(jié)構(gòu)跟LN類(lèi)似，也是一種重要的多功能晶體材料，具有優(yōu)良的壓電、鐵電、聲光及電光效應(yīng)。能夠滿(mǎn)足壓電應(yīng)用的聲學(xué)級(jí)LN/LT晶體可以制備聲波諧振器、換能器、延遲線(xiàn)、濾波器等器件，應(yīng)用于移動(dòng)通信、衛(wèi)星通信、數(shù)字信號(hào)處理、電視機(jī)、廣播、雷達(dá)、遙感遙測(cè)等民用領(lǐng)域及電子對(duì)抗、引信、制導(dǎo)等軍事領(lǐng)域。與其他材料相比， LN和LT晶體在實(shí)現(xiàn)高頻、大帶寬聲表面波(SAW)器件方面更具優(yōu)勢(shì)。

傳統(tǒng)的SAW器件采用LN/LT單晶塊材制備，實(shí)現(xiàn)的器件品質(zhì)因數(shù)Q值較低且與CMOS工藝不兼容，因而難以實(shí)現(xiàn)硅基微系統(tǒng)集成。采用高性能的壓電單晶薄膜可有效提高SAW器件的Q值且與CMOS工藝兼容?；趬弘妴尉П∧さ腟AW器件不僅可以通過(guò)采用高阻硅作為襯底來(lái)提高SAW器件的集成能力，還可通過(guò)選擇高聲速的藍(lán)寶石或金剛石襯底來(lái)提高聲波的傳輸速度，并且這些襯底可以提高聲波的利用效率。因此，選擇合適的壓電單晶薄膜和制備工藝是獲得高性能、高集成度的SAW器件的關(guān)鍵因素。

采用鍵合剝離技術(shù)制備的LN/LT單晶薄膜(LNOI/LTOI)是一種具有顛覆性意義的聲學(xué)薄膜材料結(jié)構(gòu)，基于LNOI/LNOT的絕緣體上壓電單晶薄膜結(jié)構(gòu)材料(POI)能夠?yàn)檠兄聘咝阅?、可集成的SAW器件提供新的解決途徑和方案，可滿(mǎn)足射頻(RF)前端在集成化、小型化發(fā)展趨勢(shì)下對(duì)新一代壓電聲學(xué)器件的迫切需求[1-13]，市場(chǎng)應(yīng)用前景廣。

1 絕緣體上LNOI/LTOI的制備方法

過(guò)去人們探索了多種LN/LT薄膜制備方法，如金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法、射頻濺射(RF sputtering)法、溶膠-凝膠(Sol-Gel)法、脈沖激光沉積法和分子束外延法(MBE)等，但制備的LN/LT薄膜存在取向控制難,生長(zhǎng)溫度過(guò)高及鋰(Li)揮發(fā)引起化學(xué)計(jì)量比偏析等技術(shù)難題[14-15]，導(dǎo)致LN/LT薄膜擇優(yōu)取向度差，缺陷密度高且易生長(zhǎng)成多晶薄膜，性能遠(yuǎn)低于LN/LT單晶塊材；而傳統(tǒng)上在制備LN/LT薄膜時(shí)通常采用機(jī)械減薄的方式來(lái)降低薄膜厚度，由于晶圓厚度的不均勻性，這會(huì)損傷薄膜表面且薄膜厚度只能減少到約10 μm，不適合制備亞微米級(jí)以下的薄膜，因此，上述傳統(tǒng)方法制備的LN/LT薄膜并未得到廣泛的商業(yè)應(yīng)用，獲得高品質(zhì)的亞微米級(jí)LN/LT薄膜還需要采用新的制備方法。

離子注入剝離(CIS)技術(shù)能夠制備亞微米厚度的高質(zhì)量單晶薄膜材料，具有制備工藝可控、離子注入能量、注入劑量、退火溫度等工藝參數(shù)可選等優(yōu)點(diǎn)。法國(guó)Soitec公司基于CIS技術(shù)并結(jié)合晶圓鍵合技術(shù)開(kāi)發(fā)出了鍵合剝離(Smart-Cut)技術(shù)用于制備絕緣體上硅(SOI)晶圓[16-17]。采用Smart-Cut技術(shù)制備SOI晶圓可以提高襯底材料的良率。仿照SOI的制備技術(shù)，人們采用Smart-Cut技術(shù)在Si支撐晶圓上制備高質(zhì)量LN/LT單晶薄膜[3,6,8,18-19]。

利用Smart-Cut技術(shù)制備LNOI的流程如圖1所示[5-6],具體流程為：

1) 將一定劑量的H+或He+注入具有合適切向的LN單晶塊材，根據(jù)所需薄膜厚度調(diào)整注入時(shí)離子的劑量和能量，此時(shí)會(huì)在LN中的離子注入?yún)^(qū)域形成損傷層。

2) 選取另一種襯底晶圓(可以是硅(Si)也可以是同質(zhì)的LN晶體)，在襯底晶圓上沉積二氧化硅(SiO2)層作為鍵合層，然后對(duì)沉積的SiO2層表面和離子注入面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光。

3) 將處理后的鍵合層表面和LN晶體的注入層面在常溫下進(jìn)行直接鍵合。

4) 對(duì)整體進(jìn)行退火處理，在退火過(guò)程中，注入在LN晶體內(nèi)的H+或He+形成氣泡，使LN晶片沿著損傷層剝離，多余的LN將自動(dòng)分離，最終使LN單晶薄膜轉(zhuǎn)移至Si襯底上。采用Smart-Cut薄膜層轉(zhuǎn)移技術(shù)可以生產(chǎn)大尺寸的LN單晶薄膜，其性能與LN塊材相當(dāng)[18]。

圖1 LNOI制備流程

Smart-Cut技術(shù)也可用于制備LT單晶薄膜[20-21]?；赟mart-Cut技術(shù)，法國(guó)Soitec公司和frec|n|sys公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)了可用于制備SAW器件的LT-POI結(jié)構(gòu)材料。LT-POI的制備流程如圖2所示[21]。首先對(duì)6英寸(1英寸=2.54 cm) LT晶圓進(jìn)行離子注入，由于在LT單晶中注入H+可獲得比注入He+更有利于單晶薄膜材料剝離的離子濃度分布[22]，因此，將具有一定能量和劑量的H+注入LT晶圓，從而在LT晶圓內(nèi)部產(chǎn)生氣泡層；離子注入完成后，在(100)Si支撐晶圓上沉積埋層氧化層(SiO2層)；對(duì)已注入H+的LT晶圓的鍵合面進(jìn)行清洗，然后在室溫下與Si晶圓進(jìn)行親水性鍵合；經(jīng)過(guò)退火處理，注H+的LT晶圓將在氣泡層處發(fā)生剝離，最后對(duì)轉(zhuǎn)移至Si晶圓上的LT層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)即可獲得POI基片。拋光后的POI基片需加以固化處理，固化過(guò)程可以恢復(fù)LT晶體的極化特性，從而恢復(fù)LT的壓電特性。檢測(cè)結(jié)果表明，采用Smart-Cut技術(shù)制備的6英寸POI基片的厚度不均勻度(晶圓內(nèi)部)達(dá)到了3%，晶圓的表面粗糙度與經(jīng)過(guò)鏡面拋光的LT塊材基片相當(dāng)，且POI基片完全采用工業(yè)化生產(chǎn)，適用于多種LT切向和厚度，且達(dá)到了SAW級(jí)標(biāo)準(zhǔn)[20]。

圖2 Smart-Cut技術(shù)的原理及POI基片的制作工藝流程

2 LN/LT多層結(jié)構(gòu)SAW基片

采用LN/LT多層結(jié)構(gòu)基片的SAW器件不僅能同時(shí)提高器件的工作頻率、機(jī)電耦合系數(shù)和插入損耗等特性，且還具有更大的設(shè)計(jì)自由度，因此，世界各國(guó)的SAW器件研究機(jī)構(gòu)提出了多種潛在的LN/LT多層結(jié)構(gòu)解決方案，歸納起來(lái)主要有LN/玻璃[23]、LT/石英異質(zhì)聲學(xué)層(HAL)[24]、LN/石英[25]、LN/金剛石[26]等。然而，這些結(jié)構(gòu)要么需要精確控制各層材料的厚度及殘余應(yīng)力，要么因?yàn)樾枰捎锰厥獠牧瞎δ軐?如金剛石)而增加了器件生產(chǎn)成本，目前都未實(shí)現(xiàn)商業(yè)化；此外，盡管實(shí)現(xiàn)的SAW器件在機(jī)電耦合系數(shù)(k2)、相速度及Q值等性能指標(biāo)方面比傳統(tǒng)的SAW器件更具優(yōu)勢(shì)，但仍難以實(shí)現(xiàn)器件的硅基集成。

日本村田制作所和法國(guó)Soitec公司提出的LN/LT絕緣體上壓電單晶薄膜結(jié)構(gòu)材料(LN/LT-POI)[27,20]具有大的k2、可控制的頻率溫度系數(shù)(TCF)、靈活的頻率可擴(kuò)展性、耐高功率能力及可與硅集成，且適合大規(guī)模生產(chǎn)制造而成為SAW器件的一項(xiàng)突破性技術(shù)，是SAW器件當(dāng)前研究的主流。

日本村田制作所的POI結(jié)構(gòu)材料也稱(chēng)為超高性能SAW(I.H.P.SAW, Incredible High Performance SAW)的多層結(jié)構(gòu)，如圖3所示[27-29]。這種POI結(jié)構(gòu)在Si支撐襯底上交替沉積了高阻抗層和低阻抗層(LiTaO3/SiO2/AlN/Si)，通過(guò)合理設(shè)置底部各層的結(jié)構(gòu)參數(shù)，可抑制體波向襯底內(nèi)部的散射，從而將SAW能量限制在壓電基片的表面，因此可以被看作是一種固態(tài)裝配型薄片模式諧振器。采用這種多層結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的1.9 GHz單端口I.H.P.SAW諧振器[29]的伯德-Q值可達(dá)4 200，是傳統(tǒng)單端口SAW諧振器的4倍；TCF為-8×10-6/℃，只有傳統(tǒng)SAW諧振器的1/5；帶寬為74 dB，比傳統(tǒng)SAW諧振器大20%。村田公司采用這種I.H.P.SAW諧振器實(shí)現(xiàn)了一種鄰信道間隙極窄的新型Wi-Fi濾波器，以及一種用于頻帶25/66/30的新型六工器。這種六工器是目前技術(shù)難度最大的一種多工器，具有低插入損耗、陡峭的銳截止頻率、大的衰減特性及極高的隔離度。

圖3 村田公司I.H.P.SAW的基本結(jié)構(gòu)

而法國(guó)Soitec公司制備的POI結(jié)構(gòu)材料以高阻硅作為襯底，中間層為SiO2，相當(dāng)于溫度補(bǔ)償層，稱(chēng)為埋層氧化層(Buried Oxide)，頂層為壓電單晶層(LT層)，厚度為0.3～1.0 μm，該層也稱(chēng)為器件層，Smart-Cut技術(shù)能夠保證POI結(jié)構(gòu)各層具有很高的均勻度，且具有高質(zhì)量的批量生產(chǎn)能力。圖4為Soitec公司在非壓電單晶襯底上制備的SAW器件用標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)/材料疊層結(jié)構(gòu)[21]。

圖4 采用Smart-Cut技術(shù)在非壓電單晶襯底上制備的SAW器件用標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)/材料疊層

綜合比較村田公司和Soitec公司兩種POI結(jié)構(gòu)可知，由于村田公司的I.H.P.SAW多層結(jié)構(gòu)諧振器采用了旋轉(zhuǎn)Y切LT單晶薄片和SAW橫向剪切 (SH)模式，結(jié)構(gòu)的相速度和k2都受到限制，其k2<10%，且若將諧振頻率擴(kuò)展至更高頻段還需要采用更窄的電極 (<200 nm)，這會(huì)降低器件的耐功率能力并增加成本。因此，I.H.P.SAW還不能完全滿(mǎn)足5G移動(dòng)通信對(duì)SAW器件的高頻 (如sub-6 GHz)和大帶寬(>10%)要求。相反，法國(guó)Soitec公司的LT-POI結(jié)構(gòu)能夠很好地實(shí)現(xiàn)SAW器件的性能、成本、面積等的綜合平衡，是各種多層結(jié)構(gòu)中商業(yè)化最成功的襯底材料。

3 基于LN/LT-POI結(jié)構(gòu)的高性能SAW器件的最新研究成果

3.1 LN-POI結(jié)構(gòu)SAW器件

為了應(yīng)對(duì)在無(wú)線(xiàn)連接、無(wú)線(xiàn)移動(dòng)設(shè)備要求的更大量更快速的數(shù)據(jù)傳輸、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、無(wú)人駕駛和人工智能急劇增長(zhǎng)的需求，下一代移動(dòng)通信系統(tǒng)對(duì)RF前端濾波器在頻率、相對(duì)帶寬(FBW)、TCF、過(guò)渡帶、插入損耗(IL)和體積等方面提出了越來(lái)越嚴(yán)格的要求。目前4G RF前端的商用濾波器解決方案采用的SAW諧振器能夠?qū)崿F(xiàn)的k2<10%，濾波器的FBW<4%。因此，5G通信應(yīng)用迫切需要具有高的k2、大帶寬和低損耗的新型聲波器件。而LN-POI結(jié)構(gòu)材料因具有極高的k2，是最有前景的寬帶應(yīng)用結(jié)構(gòu)材料之一。

3.1.1 LN-POI多層結(jié)構(gòu)SAW諧振器

在SAW的傳播模式中，縱向漏聲表面波(LLSAW)模式比瑞利聲表面波(Rayleigh SAW)模式、橫向剪切聲表面波(SH-SAW)及漏聲表面波(LSAW)等SAW模式具有更高的相速度和更高的k2[30-31]。因此， LLSAW模式在實(shí)現(xiàn)滿(mǎn)足5G通信應(yīng)用需要的更高頻率、更大帶寬、更小TCF的SAW濾波器方面比其他模式更具潛力。然而，LLSAW模式在由IDTs/壓電單晶基片構(gòu)成的傳統(tǒng)SAW諧振器結(jié)構(gòu)中傳播時(shí)會(huì)發(fā)生橫向剪切(SH)和縱向剪切(SV)體波輻射，這些體波輻射會(huì)引起較大的衰減，結(jié)果使LLSAW器件的Q值較低，與其他SAW模式相比，LLSAW模式的TCF性能相對(duì)較差。盡管人們?cè)噲D改進(jìn)LLSAW器件的性能，但取得的成就有限，LLSAW器件也因此并未在移動(dòng)通信領(lǐng)域獲得應(yīng)用。

圖5 日本村田公司提出的LLSAW波導(dǎo)結(jié)構(gòu)[5]

日本村田公司的研發(fā)團(tuán)隊(duì)基于固態(tài)裝配型聲體波(SMR-BAW)器件的能量約束原理，提出了一種LLSAW LN-POI多層波導(dǎo)結(jié)構(gòu)[32]，這種POI結(jié)構(gòu)由支撐基片(Si)、交替沉積的低阻抗(LAI)層和高阻抗層(HAI)構(gòu)成的布喇格反射器及壓電薄片構(gòu)成，如圖5所示。由于多層結(jié)構(gòu)中各個(gè)疊層的聲阻抗存在較大差異，因此會(huì)在布喇格反射器和壓電層之間的邊界處獲得更高的反射系數(shù)，這樣就把聲能很好地約束在壓電層的表面附近，從而抑制SAW能量泄漏。該團(tuán)隊(duì)采用目前用于SAW器件批量生產(chǎn)的準(zhǔn)分子激光(KrF)光刻工藝制作了基于多層波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的單端口LLSAW諧振器，諧振器的壓電層是X切LN，采用Smart-Cut技術(shù)制備，厚為340 nm； LAI采用厚為238 nm的SiO2， HAI則采用厚為153 nm的鉑(Pt)；支撐基片采用Si；叉指換能器(IDT)指條對(duì)和孔徑長(zhǎng)度分別為100和25.5 μm，反射器數(shù)量為20，電極材料采用厚為0.08 μm的Al，金屬化比率為0.5，波長(zhǎng)λ=1.7 μm；器件檢測(cè)到的諧振頻率為3.55 GHz，對(duì)應(yīng)的相速度達(dá)到了6 035 m/s，約為傳統(tǒng)SAW相速度的1.5倍，阻抗比和FBW分別為71 dB和9.5 %，伯德-Q值為655。研制的諧振器可用于實(shí)現(xiàn)工作頻率高于3 GHz的SAW濾波器和雙工器。

該團(tuán)隊(duì)還采用相同的結(jié)構(gòu)制作了5 GHz LLSAW單端口諧振器，根據(jù)3.5 GHz諧振器的設(shè)計(jì)，新的5 GHz諧振器的λ設(shè)置為1.2 μm，其他的所有結(jié)構(gòu)參數(shù)也隨著λ的縮減而相應(yīng)減小。圖6、7分別為3.5 GHz和5 GHz LLSAW諧振器的檢測(cè)和擬合特性[33]。由圖6、7可知，盡管λ從1.7 μm縮小到1.2 μm，器件的性能并未發(fā)生嚴(yán)重劣化。

圖6 3.5 GHz LLSAW諧振器的檢測(cè)擬合特性

圖7 5 GHz LLSAW諧振器的檢測(cè)擬合特性

村田公司研制的這種5 GHz LN-POI結(jié)構(gòu)LLSAW諧振器顛覆了SAW器件在超高頻(SHF)頻段不能實(shí)用化的傳統(tǒng)觀(guān)念，此外，這種多層波導(dǎo)結(jié)構(gòu)LLSAW器件在機(jī)械穩(wěn)定性，層厚度可控制性和制造良率方面相對(duì)于傳統(tǒng)SAW器件更具優(yōu)勢(shì)，適合高頻、大帶寬應(yīng)用。

3.1.2 LN-POI多層結(jié)構(gòu)SAW濾波器

2020年，上海微系統(tǒng)所和美國(guó)伊利諾伊大學(xué)厄巴納-香檳分校的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)采用Smart-Cut技術(shù)將X切LN單晶薄膜與高聲速、高導(dǎo)熱的碳化硅(SiC)支撐襯底異質(zhì)集成，實(shí)現(xiàn)了一種高性能的LiNbO3-on-SiC POI結(jié)構(gòu)[34]?；谶@種結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的SAW諧振器的諧振頻率約1.95 GHz，導(dǎo)納比高達(dá)80.1 dB，k2高達(dá)27.8%，Q值接近2 000，諧振器的綜合性能品質(zhì)優(yōu)值(FoM)高達(dá)530；利用制作的SAW諧振器實(shí)現(xiàn)了中心頻率2.29 GHz、3 dB相對(duì)帶寬9.9%、通帶內(nèi)最小插入損耗1.38 dB，帶外抑制41.6 dB、占位面積0.75 mm2的SAW濾波器。但濾波器的TCF為-48.2×10-6/℃，耐功率能力為25 dBm，表明叉指電極的構(gòu)成及工藝仍需優(yōu)化,以獲得更高的耐功率能力，同時(shí)IDT指條的幾何結(jié)構(gòu)也需要優(yōu)化,從而能進(jìn)一步抑制橫向雜散模式。圖8為濾波器的測(cè)試結(jié)果。

圖8 LiNbO3-on-SiC SAW濾波器的測(cè)試結(jié)果

3.2 LT-POI多層結(jié)構(gòu)SAW器件

2019年，Soitec公司報(bào)道了一種采用600 nm (YX)42°LT/500 nm SiO2/(100)Si的LT-POI結(jié)構(gòu)材料?；谶@種POI結(jié)構(gòu)材料的SAW諧振器每側(cè)有120組叉指對(duì)及20個(gè)鏡像電極。聲孔徑為40λ，叉指與電極的間距為1.2 μm，金屬與間距之間的比率為0.5。POI結(jié)構(gòu)的k2可達(dá)8.13%，而傳統(tǒng)TC-SAW器件的塊體LT晶片僅為5.98%(見(jiàn)圖9)[35]。制作的中心頻率1.6 GHz單端測(cè)試諧振器檢測(cè)到的伯德-Q值超過(guò)1 700，k2>8%，TCF低至5.8×10-6/℃，且根據(jù)所需頻率要求，通過(guò)優(yōu)化多層疊層結(jié)構(gòu)的厚度還可進(jìn)一步降低TCF。

圖9 POI基片SAW諧振器和塊體LT基片諧振器的耦合系數(shù)檢測(cè)結(jié)果比較

基于POI諧振器實(shí)現(xiàn)的2 GHz SAW濾波器帶寬為80 MHz(1 dB頻帶)、插入損耗小于2 dB、抑制度超過(guò)40 dB、群延遲變化約為50 ns甚至更優(yōu)(見(jiàn)圖10)。在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的TCF值低于10×10-6/K，濾波器帶通特性還可進(jìn)一步優(yōu)化。

圖10 POI基片2 GHz SAW濾波器的傳輸函數(shù)及群延遲

Soitec公司的LT-POI結(jié)構(gòu)SAW濾波器具有能量效率高,損耗低,溫度敏感度低,帶寬大,工藝流程簡(jiǎn)單及集成度高的特點(diǎn)，在5G濾波器解決方案中具有替代溫補(bǔ)型SAW(TC-SAW)濾波器的潛力，且基于POI的SAW濾波器在L波段和S波段還與BAW濾波器相媲美的性能。目前，Soitec公司的150 mm POI結(jié)構(gòu)的濾波器已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，未來(lái)Soitec公司還將開(kāi)發(fā)直徑為200 mm的POI結(jié)構(gòu),以達(dá)到進(jìn)一步降低總成本的目的。同時(shí)，Soitec公司未來(lái)還將開(kāi)發(fā)LN POI結(jié)構(gòu)(LN-POI)。2020年7月，Soitec公司宣布為高通公司新一代4G/5G ultraSAW射頻濾波器提供POI結(jié)構(gòu)材料?；赑OI結(jié)構(gòu)的高通ultraSAW濾波器能夠在600 MHz～2.7 GHz內(nèi)提供如出色的發(fā)射、接收和交叉隔離能力、良好的頻率選擇性、高達(dá)5 000的品質(zhì)因數(shù)、極低的插入損耗(提升了1 dB)、優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性等高性能支持。Soitec公司正努力使POI基片在未來(lái)幾年內(nèi)成為一項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，借助自身在壓電材料方面的豐富經(jīng)驗(yàn)，結(jié)合Smart Cut技術(shù)，可在其專(zhuān)用生產(chǎn)線(xiàn)上大批量制造同款基片，用于實(shí)現(xiàn)滿(mǎn)足5G通信網(wǎng)絡(luò)對(duì)高性能集成SAW濾波器的嚴(yán)格要求。

4 總結(jié)與展望

5G通信、物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)應(yīng)用需要具有高頻、寬帶、高Q值和低頻率溫度系數(shù)的高性能SAW器件。利用鍵合剝離(Smart-Cut)技術(shù)能夠制備出具有高機(jī)電耦合系數(shù)和大帶寬特性的LN/LT薄膜材料，使制備高頻、大帶寬SAW濾波器成為可能，從而能夠使通訊頻率從2～3 GHz提高至6 GHz，并使帶寬增加1倍，這將會(huì)給RF和通信產(chǎn)業(yè)帶來(lái)真正的突破。由于LN/LT單晶薄膜可與Si集成，因此，可以通過(guò)相同Si芯片上器件的集成來(lái)進(jìn)一步使濾波器小型化?？傊贚N/LT單晶薄膜的RF SAW器件能夠促進(jìn)5G應(yīng)用和高頻通信技術(shù)的發(fā)展，而Si襯底上集成LN/LT單晶薄膜與CMOS工藝的兼容性又為在同一芯片上集成MEMS、鐵電、聲學(xué)和光學(xué)器件開(kāi)辟了新的可能性。因此，隨著LN/LT單晶薄膜材料以及新型聲學(xué)器件技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，采用LN/LT-POI結(jié)構(gòu)的RF SAW器件在5G和后5G時(shí)代將具有更重要的應(yīng)用前景。