劉婷婷, 陳永杰, 耿秀娟, 肖林久, 謝 穎, 楊 英
(沈陽化工大學(xué)遼寧省稀土化學(xué)及應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,遼寧沈陽110142)
進(jìn)入21世紀(jì)后,能源與環(huán)境顯得越發(fā)重要,節(jié)能環(huán)保成為人們的共識.當(dāng)前,照明約占世界總能耗的20%左右,若能以耗能低、壽命長、環(huán)保安全的LED取代目前低效率、高耗電的傳統(tǒng)照明,無疑將帶來一場世界性的照明革命[1].商用紅色熒光體(Y2O2S:Eu3+)在近紫外光激發(fā)下的發(fā)光效率較低,所以研發(fā)適用于白光LED用紅色熒光材料成為該領(lǐng)域的熱點(diǎn)與難點(diǎn).Eu3+在紅光、純紅光波段有較強(qiáng)的發(fā)射光譜,成為當(dāng)前紅色稀土熒光粉中應(yīng)用最廣泛的稀土離子.鎢鉬酸鹽系熒光粉具有高效激發(fā),又具有發(fā)光亮度高和化學(xué)穩(wěn)定性好的優(yōu)點(diǎn),而且Eu3+摻雜鎢鉬酸鹽熒光粉的激發(fā)光譜在395 nm(紫光)和465 nm(藍(lán)光)附近有2個(gè)線性激發(fā)峰,與現(xiàn)階段LED芯片非常匹配,成為當(dāng)前LED用紅色熒光粉研究的重點(diǎn).近年來,Eu3+和Tb3+共摻對發(fā)光性質(zhì)的影響引起人們廣泛的興趣,董紅軍等[2]研究了Eu3+、Tb3+摻雜Zn4B6O13的發(fā)光性質(zhì),通過光譜分析證明了在基質(zhì)中存在Tb3+→ Eu3+的能量傳遞,說明Tb3+是Eu3+很好的敏化劑.趙鳳英等[3]選擇了 Y2SiO5為基質(zhì),Eu3+、Tb3+共摻體系,Eu3+和 Tb3+的摻入部分取代Y3+進(jìn)入晶格,2種離子共存時(shí)在紫外光激發(fā)下存在靜電相互作用,Tb3+的5D4能級激發(fā)能可通過Eu3+的5D1能級傳遞到5D0能級,導(dǎo)致Tb3+發(fā)射減弱,Eu3+發(fā)射增強(qiáng),即Tb3+→Eu3+存在能量傳遞.目前鎢鉬酸鹽系熒光粉中的Tb3+對Eu3+敏化作用還未見報(bào)道.本文采用高溫固相法合成 Ca0.7Sr0.18-1.5x(WO4)0.5(MoO4)0.5: 0.08Eu3+,xTb3+系列紅色熒光粉,研究Tb3+摻雜、反應(yīng)條件、助熔劑H3BO3對發(fā)光性質(zhì)的影響,對其晶體結(jié)構(gòu)和光色參數(shù)進(jìn)行了測試.
高溫固相法制備一系列不同 Tb3+含量Ca0.7Sr0.18-1.5x(WO4)0.5(MoO4)0.5:0.08Eu3+,xTb3+(x=0.01,0.03,0.04,0.05,0.06,0.08)熒光粉,所需原料有碳酸鍶(SrCO3,AR)、碳酸鈣(CaCO3,AR)、鎢酸銨(H40N10O41W12·xH2O,AR)、鉬酸銨((NH4)6Mo7O24·4H2O,AR)、氧化銪(Eu2O3,純度99.99%)、氧化鋱(Tb4O7,純度99.9%),按照一定化學(xué)劑量比稱取原料,混合到瑪瑙研缽中,加無水乙醇作為研磨介質(zhì)進(jìn)行充分研磨,然后在真空干燥箱中烘干,將混合粉體裝入瓷舟中,置于馬弗爐中恒溫焙燒,反應(yīng)一定時(shí)間后冷卻至室溫后取出,研磨,即得熒光粉.
采用Bruker公司的D8型X射線衍射(XRD)儀對樣品進(jìn)行物相和結(jié)構(gòu)分析(Cu靶,波長λ= 0.154 06 nm,管電壓40 kV,工作電流40 mA);用Q600-SDT型熱分析儀對樣品進(jìn)行熱質(zhì)量分析;用日立F-4600型熒光分光光度計(jì)(氙燈為光源)測試樣品的激發(fā)和發(fā)射光譜;用PMS-50型紫外-可見-近紅外光譜分析系統(tǒng)測試樣品的光色參數(shù).所有測試均在室溫下進(jìn)行.
Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5(MoO4)0.5:0.08Eu3+,0.03Tb3+熒光粉的質(zhì)量變化曲線如圖1所示.
圖1 Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5(MoO4)0.5:0.08Eu3+,0.03Tb3+的熱質(zhì)量曲線Fig.1 TG curve of Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5(MoO4)0.5: 0.08Eu3+,0.03Tb3+
從圖1可以看出:在85~160℃,質(zhì)量損失1%,這是由于脫去原料中的吸附水造成的; 300~764℃,質(zhì)量損失42%,這是由于原料中鎢酸銨、鉬酸銨和CaCO3、SrCO3分解引起的.
鎢酸銨、鉬酸銨和CaCO3、SrCO3分解溫度分別為180℃、190℃和825℃、900℃,而樣品中的原料在180℃開始分解,至900℃左右分解完全,因此,900℃是合成樣品的較佳溫度.
圖2給出了在900℃下反應(yīng)2 h制備的Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5(MoO4)0.5:0.08Eu3+,0.03Tb3+的X射線衍射譜圖,與標(biāo)準(zhǔn)化合物CaMoO4(PDF# 29-0351)對比,材料與CaMoO4一樣具有四方晶系結(jié)構(gòu).CaMoO4晶胞參數(shù)為a=0.518 nm,c= 1.130 1 nm,Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5(MoO4)0.5: 0.08Eu3+,0.03Tb3+晶胞參數(shù)為 a=0.521 9 nm,c=1.187 nm.說明在基質(zhì)中摻雜Tb3+并沒有改變晶格的類型,只是晶胞參數(shù)略有改變.
圖3和圖4為不同溫度下反應(yīng)2 h合成的Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5(MoO4)0.5:0.08Eu3+,0.03Tb3+發(fā)射光譜和激發(fā)光譜.由圖3可知,材料在395 nm激發(fā)下的發(fā)射光譜具有相同的光譜形狀,為一組尖峰,是Eu3+的特征發(fā)射,主峰波長位于616 nm(紅光),歸屬于Eu3+的5D0→7F2對周圍環(huán)境敏感的電偶極躍遷,說明Eu3+在熒光粉體的晶格中占據(jù)了非對稱中心位置[4-5].在激發(fā)光譜中,從210 nm到350 nm這一寬帶是O→Eu、O→Mo和O→W的電荷遷移帶;在360~550 nm內(nèi)為Eu3+的4f-4f之間的電子躍遷,較強(qiáng)的激發(fā)峰位于~395nm和~465nm分別歸屬于Eu3+的7F0→5L6和7F0→5D2躍遷.
隨焙燒溫度的升高,紅色熒光材料的發(fā)光強(qiáng)度增強(qiáng),900℃制備的發(fā)光材料發(fā)光強(qiáng)度最強(qiáng).這是由于溫度升高,有利于材料晶體結(jié)構(gòu)的形成.溫度過低,反應(yīng)不完全,生成的產(chǎn)物晶型發(fā)育不好;溫度過高,可能會造成晶體結(jié)構(gòu)的塌陷,致使缺陷增加從而發(fā)光強(qiáng)度降低.在實(shí)驗(yàn)過程中發(fā)現(xiàn),1 100℃反應(yīng)時(shí)制備的材料為褐色塊狀,硬度大,難以研磨.
圖3 不同反應(yīng)溫度下Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5(MoO4)0.5: 0.08Eu3+,0.03Tb3+的發(fā)射光譜Fig.3 The emission spectra of Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5 (MoO4)0.5:0.08Eu3+,0.03Tb3+ with different temperature
圖4 不同反應(yīng)溫度下Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5(MoO4)0.5: 0.08Eu3+,0.03Tb3+的激發(fā)光譜Fig.4 The excitation spectra of Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5 (MoO4)0.5:0.08Eu3+,0.03Tb3+with different temperature
圖5所示為在900℃條件下不同反應(yīng)時(shí)間對 Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5(MoO4)0.5:0.08Eu3+,0.03Tb3+發(fā)光強(qiáng)度的影響(616 nm處).從圖5可以看出:隨反應(yīng)時(shí)間延長,熒光材料的發(fā)光強(qiáng)度增大,當(dāng)反應(yīng)2 h時(shí),制備的熒光材料發(fā)光強(qiáng)度最大;反應(yīng)時(shí)間超過2 h,熒光材料的發(fā)光強(qiáng)度反而下降.這可能是由于W、Mo作為一種過渡金屬,在不同的制備條件下可以形成不同價(jià)態(tài)的鎢、鉬化合物[6],生成的材料在長時(shí)間的高溫環(huán)境中發(fā)生進(jìn)一步反應(yīng),如生成亞鉬酸鹽等不利于發(fā)光的物質(zhì),從而降低熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度.
圖5 反應(yīng)時(shí)間對Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5(MoO4)0.5:0.08Eu3+,0.03Tb3+發(fā)射強(qiáng)度(616 nm)的影響Fig.5 The influence of reaction time on luminescent intensity(616 nm)of Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5 (MoO4)0.5:0.08Eu3+,0.03Tb3+
圖6和圖7分別為摻雜不同Tb3+濃度樣品的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜.
圖6 摻雜不同Tb3+濃度Ca0.7Sr0.18-1.5x(WO4)0.5 (MoO4)0.5:0.08Eu3+,xTb3+(x=0,0.01,0.03,0.04,0.05,0.06,0.08)的發(fā)射光譜Fig.6 The emission spectra of Ca0.7Sr0.18-1.5x (WO4)0.5(MoO4)0.5:0.08Eu3+,xTb3+(x=0,0.01,0.03,0.004,0.05,0.06,0.08) with different Tb3+content
圖7 摻雜不同Tb3+濃度Ca0.7Sr0.18-1.5x(WO4)0.5 (MoO4)0.5:0.08Eu3+,xTb3+(x=0,0.01,0.03,0.04,0.05,0.06,0.08)的激發(fā)光譜Fig.7 The excitation spectra of Ca0.7Sr0.18-1.5x(WO4)0.5 (MoO4)0.5:0.08Eu3+,xTb3+(x=0,0.01,0.03,0.04,0.05,0.06,0.08)with different Tb3+content
從圖6、圖7可以看到:當(dāng)加入少量的Tb3+(x(Tb3+)<3%)時(shí),發(fā)光強(qiáng)度隨Tb3+摩爾分?jǐn)?shù)的增加而提高,當(dāng)x(Tb3+)=3%時(shí)熒光粉樣品的相對強(qiáng)度達(dá)到最大值.之后再增加Tb3+摩爾分?jǐn)?shù),樣品的相對熒光強(qiáng)度減弱,這可能是由于隨著Tb3+摩爾分?jǐn)?shù)的增加,發(fā)生了濃度猝滅,導(dǎo)致發(fā)光強(qiáng)度降低[7].
在固相反應(yīng)中常在反應(yīng)物中添加少量助熔劑促進(jìn)反應(yīng)進(jìn)行.助熔劑常選擇熔點(diǎn)較低、對產(chǎn)物發(fā)光性能無害的堿金屬碳酸鹽、硼酸和堿土金屬鹵化物等物質(zhì).當(dāng)燒結(jié)溫度高于助熔劑熔點(diǎn)時(shí),使其熔融,在固相反應(yīng)過程中形成少量液相,提供一個(gè)半流動態(tài)環(huán)境,不僅有利于反應(yīng)物離子間相互擴(kuò)散,加速反應(yīng)速度和降低合成溫度,且還有利于產(chǎn)物的相生成和轉(zhuǎn)變,促進(jìn)激活離子進(jìn)入晶體,從而提高熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度[8].從圖8可看出,助熔劑H3BO3的加入明顯增加熒光粉Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5(MoO4)0.5:0.08Eu3+,0.03Tb3+的發(fā)光強(qiáng)度,當(dāng)H3BO3加入5%(摩爾分?jǐn)?shù))時(shí)樣品的發(fā)光強(qiáng)度最大,約是未加入H3BO3時(shí)的1.3倍.
圖8 助熔劑H3BO3不同濃度Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5 (MoO4)0.5:0.08Eu3+,0.03Tb3+的發(fā)射光譜Fig.8 The emission spectra of Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5 (MoO4)0.5:0.08Eu3+,0.03Tb3+with different concentration of H3BO3
發(fā)光亮度、色品坐標(biāo)、相關(guān)色溫等參數(shù)是評價(jià)發(fā)光粉體性能好壞的一個(gè)重要指標(biāo).我國彩電熒光粉部頒標(biāo)準(zhǔn)(SJ1536-79)要求為:x不小于0.645,y值為0.345±0.05.圖9為所測的樣品色坐標(biāo)(CIE):x=0.646 9,y=0.335 0,色溫Tc=1 001 K,與市場化的商品在色坐標(biāo)上相差不大,而且性能較好,亮度較大,可作為紫光InGaN芯片(340~420 nm)激發(fā)的白光LED用紅色熒光粉.
圖9 Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5(MoO4)0.5:0.08Eu3+,0.03Tb3+熒光粉的色坐標(biāo)和色溫Fig.9 Color coordinates and color temperature of Ca0.7Sr0.135(WO4)0.5(MoO4)0.5:0.08Eu3+,0.03Tb3+phosphors
采用高溫固相法,在900℃焙燒2 h合成系列Ca0.7Sr0.18-1.5x(WO4)0.5(MoO4)0.5:0.08Eu3+,xTb3+熒光粉.當(dāng)Tb3+摩爾分?jǐn)?shù)為3%時(shí)熒光粉發(fā)光強(qiáng)度較高,樣品的色坐標(biāo)(CIE):x=0.646 9,y=0.335 0.實(shí)驗(yàn)證明助熔劑H3BO3的加入能有效提高熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度,當(dāng)H3BO3摩爾分?jǐn)?shù)為5%時(shí)樣品的發(fā)光效果較好.實(shí)驗(yàn)制備的熒光粉的激發(fā)波長能夠與nUV-InGaN芯片很好的匹配,可應(yīng)用于白光LED.
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