何 川, 孫玉發(fā), 賈世紅
(1.安徽大學(xué) 電子信息工程學(xué)院,安徽 合肥 230601;2.合肥銳捷特種電子設(shè)備廠,安徽 合肥 230009)
隨著電子對(duì)抗、微波通信和遙測(cè)遙感等技術(shù)的發(fā)展,對(duì)微波系統(tǒng)的小型化、寬頻帶、高頻段、低噪聲及固態(tài)化等要求不斷提高。
微波寬帶低噪聲放大器一般用于微波接收機(jī)系統(tǒng)的前端,其性能直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的優(yōu)劣,現(xiàn)今很多微波放大器的研究重點(diǎn)都放在減小體積、增加帶寬和增加輸出等方面[1-6]。
本文設(shè)計(jì)了一種覆蓋X、Ku波段的微波寬帶低噪聲放大器,其工作頻率為8~18GHz,帶內(nèi)功率增益G>32dB,增益平坦度|ΔG|<3dB,輸入輸出端的回波損耗S11和S22均優(yōu)于-7dB,噪聲系數(shù)NF<2.8dB,1dB壓縮點(diǎn)輸出功率P1dB=16dBm,且具有工作頻帶寬、輸入輸出匹配結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的特點(diǎn)。
現(xiàn)在常用的寬帶放大器有以下幾種形式:① 分布式放大器,它可以獲得較寬的頻帶、較低的回波損耗和較高的增益,在相對(duì)較寬的頻帶內(nèi)也有較好的噪聲系數(shù);② 平衡式放大器,它改善了增益平坦度,可以獲得較低的回波損耗,頻帶可達(dá)倍頻程,阻抗匹配性能優(yōu)良,缺點(diǎn)是工藝要求高,電路體積大;③有源匹配式放大器,是用FET代替微帶線段或電容和電感作為匹配電路元件,頻帶能達(dá)到幾個(gè)倍頻程,匹配性能良好,適用于單片微波集成;④ 負(fù)反饋式放大器,在FET的漏極和柵極之間加入反饋,以壓低低頻端的增益,改善放大器的輸入輸出匹配,帶寬可達(dá)多倍頻程,能夠獲得較低的回波損耗、較好的增益平坦度,但是各個(gè)特性的改良是以增加噪聲為代價(jià)的;⑤ 有損耗匹配放大器,它是對(duì)增益高的低段增加電阻性損耗,改善放大器的增益平坦度,增加匹配帶寬,使電路的輸入輸出結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化,但是由于引入電阻性損耗,所以噪聲略微升高。綜合上述5種情況,本文采用有損匹配的方法來(lái)展寬頻帶。
有耗匹配是一種可在多倍頻程范圍內(nèi)補(bǔ)償固有的增益滾降,從而獲得寬帶平坦增益的電路匹配方式[7]。匹配網(wǎng)絡(luò)引入的電阻在頻帶低端吸收能量,在頻帶高端則盡可能少地影響放大器的增益。引入電阻能拉平放大器的增益、提高器件的穩(wěn)定性,但也會(huì)帶來(lái)不利因素,如輸出功率降低,噪聲增大。電路常用的拓?fù)涫窃谳斎牒洼敵龆藨?yīng)用電阻器與高特征阻抗的短截線相串聯(lián)。在低頻段,短截線有較小的電抗,電阻加載晶體管降低了增益。在高頻段,短截線有高電抗(對(duì)于短截線長(zhǎng)度為1/4波長(zhǎng)時(shí),其值趨于無(wú)限大),電阻對(duì)晶體管的影響甚小。因此,匹配網(wǎng)絡(luò)不是借助于失配,而是通過(guò)引入一個(gè)正極性的增益斜率來(lái)補(bǔ)償晶體管增益滾降。有損匹配式放大器具有平坦的高增益、良好的輸入輸出匹配。此外,電阻性器件可以很好地緩解低頻段穩(wěn)定性問(wèn)題,電路原理圖如圖1所示[8-9]。
圖1 有損匹配電路的原理圖
從圖1b所示的有損匹配式放大器的低頻模型出發(fā),可得:
其中,Z0為傳輸線的特性阻抗;Gds為漏極與源極之間的電導(dǎo);GD為有損匹配時(shí)漏極加載的電導(dǎo)。
本文設(shè)計(jì)的放大器用于寬帶微波接收系統(tǒng)的前端,對(duì)天線接收到的X、Ku波段的微波信號(hào)進(jìn)行低噪聲放大,再將其送到微波接收機(jī)進(jìn)行處理。由于放大器要放置在天線的背面,所以對(duì)放大器的體積有一定的限制。在設(shè)計(jì)匹配電路時(shí),主要考慮放大器的增益、增益平坦度、輸入輸出回波損耗以及放大器的結(jié)構(gòu),尤其是在對(duì)帶寬、頻段、噪聲系數(shù)以及電路尺寸都有要求的情況下,對(duì)上述性能進(jìn)行合理的折衷是寬帶放大器的設(shè)計(jì)關(guān)鍵。寬帶匹配電路的設(shè)計(jì)是微帶放大器電路設(shè)計(jì)的重點(diǎn),對(duì)于窄帶的放大器通常要求電路的輸入輸出回波損耗優(yōu)于-10dB,但是對(duì)于寬帶放大器由于Bode約束條件[10]的限制,工程中通常要求對(duì)輸入輸出回波損耗要優(yōu)于-7dB。為了實(shí)現(xiàn)整個(gè)微波接收系統(tǒng)的性能指標(biāo),放大器的具體設(shè)計(jì)技術(shù)指標(biāo)為:工作頻段8~18GHz;功率增益G≥31dB;增益平坦度|ΔG|<±2dB;輸入輸出端的回波損耗S11和S22優(yōu)于-7dB;噪聲系數(shù)小于3.0dB;1dB壓縮點(diǎn)輸出功率P1dB≥16dBm。
本文采用美國(guó)Hittite公司生產(chǎn)的HMCALH-435,它是一種由砷化鎵調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)的高電子遷移率晶體管(HEMT)放大芯片,HEMT具有獨(dú)特的能帶結(jié)構(gòu)和低噪聲、高功率增益、低功耗、高效率等特點(diǎn)。ALH435最高的工作頻率可以達(dá)到20GHz,并且噪聲系數(shù)比較低。其主要性能如下:在12GHz處有13dB的增益和2.1dB的噪聲系數(shù),1dB壓縮點(diǎn)輸出功率為16dBm,并且在18GHz處增益可以達(dá)到12.2dB。為了達(dá)到設(shè)計(jì)的技術(shù)指標(biāo),輸入端用微帶線匹配的方式降低輸入端的回波損耗,輸出端用有損匹配的方式優(yōu)化增益及平坦度,增加帶外的衰減,采用三級(jí)HEMT單級(jí)放大器級(jí)聯(lián)的形式。
未匹配單級(jí)放大器的增益以及輸入輸出端口的回波損耗S11和S22如圖2a所示,圖中單級(jí)放大器的增益平坦度和輸入端回波損耗S11曲線均不滿足指標(biāo)要求,設(shè)計(jì)時(shí)單級(jí)放大器的輸入端匹配電路,輸出端采用有損匹配電路,其增益及回波損耗曲線如圖2b所示。由圖2b可見加入匹配電路之后犧牲了增益和輸出端回波損耗,使單級(jí)放大器增益控制在(11±1)dB,輸入端回波損耗S11優(yōu)于-8dB。
將單級(jí)放大器進(jìn)行級(jí)聯(lián)之后的仿真電路如圖3所示,輸出端的匹配電路由電阻R1、電容C1、電感L1和T型微帶線組成,輸入端的匹配電路由不對(duì)稱十字型微帶線構(gòu)成,通過(guò)對(duì)電路的優(yōu)化調(diào)整,得到最終的增益、輸入輸出端放射系數(shù)和噪聲系數(shù)仿真結(jié)果分別如圖4所示。
圖2 單級(jí)放大器增益和回波損耗仿真曲線
從圖4中可以看出,級(jí)聯(lián)放大器在工作頻帶內(nèi)增益可以達(dá)到33dB,增益平坦度小于3dB,輸入輸出端回波損耗S11和S22都優(yōu)于-9dB,噪聲系數(shù)小于2.8dB。三級(jí)級(jí)聯(lián)放大器的噪聲系數(shù)公式為:
其中,NF1為第1級(jí)單級(jí)放大器的噪聲系數(shù);G1為第1級(jí)單級(jí)放大器的增益。整個(gè)設(shè)計(jì)階段的仿真使用Agilent公司的Advanced Design System軟件,通過(guò)軟件的仿真和優(yōu)化,達(dá)到了技術(shù)指標(biāo)的要求。
圖3 級(jí)聯(lián)放大器仿真電路圖
圖4 級(jí)聯(lián)放大器的仿真結(jié)果
根據(jù)仿真結(jié)果得到的尺寸和結(jié)構(gòu),采用介電常數(shù)較為穩(wěn)定的 Rogers4003(εr=3.38,h=0.508mm)作為電路的基板,實(shí)際制作出一款有損匹配寬帶低噪聲放大器,如圖5所示。使用Agilent5230A矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)得放大器樣品的功率增益S21曲線以及輸入輸出回波損耗S11和S22曲線,分別如圖6所示。由圖6可見,測(cè)試結(jié)果滿足設(shè)計(jì)的技術(shù)指標(biāo),但與仿真結(jié)果相比功率增益約小1dB左右,輸入端和輸出端的回波損耗約高1~2dB。主要原因分析如下:整個(gè)微帶電路的仿真都是在理想無(wú)耗的狀態(tài)下進(jìn)行的,電路的制作過(guò)程中存在工藝誤差,輸入輸出端SMA接頭非最佳匹配、工作溫度變化等影響了放大器的功率增益、回波損耗和噪聲系數(shù)等性能。尤其是在本設(shè)計(jì)的高頻段(16~18GHz)表現(xiàn)更為明顯。在實(shí)際制作中應(yīng)注意以下幾個(gè)方面的問(wèn)題:①保證電路板有充分的面積屏蔽盒牢固的接觸,以保證電路有良好的接地性能;② 屏蔽盒空腔的諧振頻率要遠(yuǎn)離放大器的工作頻率;③ 在電路調(diào)試的時(shí)候預(yù)留匹配點(diǎn)以及加入吸波材料用來(lái)調(diào)整放大器的性能。
圖5 放大器的實(shí)物圖
圖6 放大器的測(cè)試結(jié)果
本文對(duì)寬帶放大器的原理及其匹配方式進(jìn)行了分析,并且在電路結(jié)構(gòu)、器件選擇等方面討論了寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)。通過(guò)有損匹配和微帶線匹配的方式實(shí)現(xiàn)了覆蓋X、Ku波段的寬帶放大器,在工作頻帶內(nèi)功率增益大于32dB,增益平坦度小于3dB,最大輸出功率為16dBm,輸入輸出端的回波損耗S11和S22均優(yōu)于-7dB,噪聲系數(shù)小于2.8dB,外形尺寸為50mm×30mm×15mm。本文設(shè)計(jì)的放大器完全符合技術(shù)指標(biāo)要求,是一種性能優(yōu)良的小型微波寬帶低噪聲放大器,可以廣泛應(yīng)用于微波通信、無(wú)線遙測(cè)等電子設(shè)備中。
[1]Yano H,Nakahara Y,Hirayama T,et al.Performance of Kuband on-chip matched Si monolithic amplifier using 0.18μm gatelength MOSFETs[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Technique,2001,49(6):1086-1093.
[2]Lu Yuan,Krithivasan R,Kuo W M L,et al.A 1.8~3.1dB noise figure(3~10GHz)SiGe HBT LNA for UWB applications[C]//IEEE Radio Frequency Integrated Circuit(RFIC)Symposium,2006.doi:10.1109/RFIC.2006.1651087.
[3]Rieh J S,Lu L H,Katehi P B,et al.X-and Ku-band amplifier based on Si/SiGe HBT’s and micromachined lumped components[J].IEEE Transaction on Microwave Theory and Technique,1998,46(5):685-694.
[4]Moez K,Elmasry M.A new loss compensation technique for COMS distributed amplifier[J].IEEE Transactions on Circuits and Systems,2009,56(3):185-189.
[5]倪 春,吳先良.L波段高效率F類功率放大器的研究與設(shè)計(jì)[J].合肥工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào):自然科學(xué)版,2010,33(8):1249-1252.
[6]彭龍新,林金庭,魏同立.寬帶單片低噪聲放大器的理論與研制[J].電子學(xué)報(bào),2004,32(11):159-163.
[7]Robertson I,Lucyszyn S.單片微波集成電路的設(shè)計(jì)[M].文光俊,謝甫珍,李家胤,譯.北京:電子工業(yè)出版社,2007:10-23.
[8]Ito Y,Takeda A.GaAs HEMT lossy match amplifier[J].IEEE MTT-S Digest,1988,1(10):347-350.
[9]Zhu Lizhong,Sheng Chuyu,Wu Boxiu.Lumped lossy circuit synthesis and its application in broad-band FET amplifier design in MMICs[J].IEEE Transaction on Microwave Theory and Technique,1989,37(9):1488-1491.
[10]Bode W H.網(wǎng)絡(luò)分析和負(fù)反饋放大器設(shè)計(jì)[M].陳志剛,譯.北京:人民郵電出版社,1958:370-379.