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    SOC中的MBIST設(shè)計

    2011-01-26 08:09:18桂江華錢黎明申柏泉
    電子與封裝 2011年1期
    關(guān)鍵詞:存儲器寄存器指令

    桂江華,錢黎明,申柏泉,周 毅

    (中國電子科技集團公司第58研究所,江蘇 無錫 214035)

    1 引言

    隨著深亞微米集成電路的出現(xiàn),單芯片的集成度得到了很大的提高,為了縮短設(shè)計周期,加快上市時間,基于IP的SOC設(shè)計正在成為IC設(shè)計的主流[1]。由于ARM核的方便、易用和易擴展性,目前采用ARM核的SOC產(chǎn)品遍布汽車、消費電子、工業(yè)控制、海量存儲、網(wǎng)絡和無線等各類產(chǎn)品市場,可以說ARM技術(shù)無處不在。同時為了降低SOC芯片的測試成本和難度,提高芯片的質(zhì)量和成品率,需要對芯片進行可測性設(shè)計,簡稱DFT[2]。其中SOC集成了大量的存儲器,為了確保這些存儲器的好壞,只靠功能驗證碼要花費很大的人力資源,而內(nèi)建自測試(BIST)可以很方便地完成存儲器的測試。然而殘酷的競爭對成本提出了更加苛刻的要求,因此本文采用A R M核所集成的TA P控制器來控制MBIST,既能完成存儲器的自測試又不會因BIST帶來額外的PAD數(shù)量,降低芯片制造和封裝的成本。

    2 MBIST設(shè)計

    由于工藝的不斷進步,存儲器芯片的集成度不斷提高,使得每個存儲器的面積和價格都按指數(shù)下降,同時存儲器在制造和使用過程中都易受到干擾[3],故障也越來越復雜。根據(jù)故障的成因以及所影響的大小,可將存儲器的故障分成以下幾種[4]:Address Faults(AF)、Address Decoder Open Faults(ADOF)、Coupling Faults(CF)、Data Retention Faults(DRF)、Stuck-at Faults(SAF)、Stuck Open Faults(SOF)和Transition Faults(TF)。為了合理地測試這些故障,主要的測試算法大致有:M a r c h C、CheckerBoard和Rom。本文主要討論SRAM的BIST設(shè)計,采用MarchC-(march1)算法,該算法大致的測試步驟如下:

    地址(0)→地址(最高位):Write(55)

    地址(0)→地址(最高位):Read(55)-Write(AA)

    地址(0)→地址(最高位):Read(AA)-Write(55)

    地址(最高位)→地址(0):Read(55)-Write(AA)

    地址(最高位)→地址(0):Read(AA)-Write(55)

    地址(最高位)→地址(0):Read(55)

    其中選擇55和AA的原因是因為它們的二進制代碼是互補的,而且01交互,有利于全面覆蓋故障。

    常用的MBIST結(jié)構(gòu)如圖1所示,它包括MBIST控制器和比較器。其中控制器由狀態(tài)機控制MBIST的運轉(zhuǎn)順序;在MBIST測試時控制器還可以產(chǎn)生Memory的地址、數(shù)據(jù)和讀寫控制信號。Memory的輸出結(jié)果輸入到比較器中,由比較器判斷結(jié)果正確與否。

    圖1 MBIST結(jié)構(gòu)圖

    3 ARM JTAG介紹

    JTAG是Joint Test Action Group的簡稱。IEEE1149.1標準就是由JTAG這個組織最初提出的,最終由IEEE批準并且標準化。JTAG最初的目的是測試IC之間或PCB之間的連接是否存在故障。后來隨著JTAG的普及和實用性,它的功能不斷得到擴展。目前JTAG還用來調(diào)試,因此JTAG成為數(shù)字系統(tǒng)可測性設(shè)計的重要組成部分。ARM公司也將JTAG內(nèi)嵌到ARM核中,并且做了擴展,充分發(fā)揮了JTAG的作用[5]。

    通常來說JTAG主要由邊界掃描寄存器和TAP控制器構(gòu)成,ARM JTAG包括以下五個端口:

    (1)Test Clock Input(TCK)

    TCK為TAP操作提供了一個獨立的時鐘端口,TAP的所有操作都是基于該時鐘的。

    (2)Test Mode Selection Input(TMS)

    TMS用來控制TAP狀態(tài)機的轉(zhuǎn)換,TMS信號在TCK的上升沿有效。

    (3)Test Data Input(TDI)

    TDI是數(shù)據(jù)輸入端,所有的輸入數(shù)據(jù)都是通過TDI一位一位的串行輸入到特定的寄存器中。

    (4)Test Data Output(TDO)

    TDO是數(shù)據(jù)輸出端,所有特定寄存器的輸出數(shù)據(jù)都是通過TDO接口一位一位的串行輸出的。

    (5)Test Reset Input(TRST)

    TRST可以對TAP控制器進行異步復位。

    實際上,通過TAP接口,對特定的數(shù)據(jù)寄存器進行訪問的一般過程如下:

    (1)通過指令寄存器(IR)選定一個需要訪問的數(shù)據(jù)寄存器(DR);

    (2)控制TAP把特定DR連接到TDI和TDO之間;

    (3)由TCK驅(qū)動,把需要輸入的數(shù)據(jù)掃入到DR中,同時DR中的數(shù)據(jù)通過TDO掃出。

    另外,ARM7提供了4條掃描鏈:掃描鏈0、掃描鏈1、掃描鏈2和掃描鏈3。為了MBIST的設(shè)計,本文對掃描鏈進行了擴展,增加了掃描鏈4和掃描鏈5。

    下面先來看看ARM7 JTAG中常用到的幾條指令。

    (1)IDCODE:指令二進制代碼是1110。該指令是通過32個TCK周期讀出ARM的ID。

    (2)SCAN_N:指令代碼是0010。該指令是將4位掃描鏈所選擇的寄存器連接到TDI和TDO之間。

    (3)BYPASS:指令的二進制代碼是1111。該指令將1-Bit長的BYPASS寄存器連接到TDI和TDO之間。

    (4)INTEST:指令的二進制代碼是1100。該指令將通過SCAN_N選定的掃描鏈置于內(nèi)部測試模式。

    (5)EXTEST:指令的二進制代碼是0000。指令將通過SCAN_N選定的掃描鏈置于外部測試模式。

    4 ARM SOC中的MBIST實現(xiàn)

    在當今的大規(guī)模SOC中,JTAG和MBIST被廣泛采用,如何有效地將兩者結(jié)合起來,提高系統(tǒng)的利用率和降低硬件資源的開銷是很關(guān)鍵的問題。在SOC芯片中本文采用了圖2所示的結(jié)構(gòu)。

    圖2 SOC結(jié)構(gòu)圖

    關(guān)于圖2,可以從以下幾點闡述:

    (1)一個MBIST Engine控制多個SRAM,MBIST產(chǎn)生地址和數(shù)據(jù)的位寬以最大的SRAM為基準。

    (2)MBIST測試SRAM的算法不是固定的,可以通過DFF1配置合適的算法,例如MARCHC。

    (3)MBIST的啟動由DFF2控制。

    (4)MBIST的結(jié)果保存在DFF3中。

    (5)DFF1、DFF2和DFF3分別串成一條鏈,與ARM相關(guān)的端口連在一起。

    (6)在ARM Wrap中增加掃描鏈5和MBIST指令,以便完成MBIST的測試。

    因此,在MBIST測試時,先選擇掃描鏈5,讓MBIST中的DFF1、DFF2和DFF3串行連在TDI和TDO之間。通過TDI端口串行掃入MBIST的配置信息,然后再啟動MBIST指令,等待MBIST工作完畢,掃出DFF3中所保存的MBIST結(jié)果。

    5 仿真結(jié)果及分析

    通過上述分析,完成相應的代碼設(shè)計。為了驗證功能的正確性,編寫測試激勵,且為了書寫方便,在測試激勵文件中定義了一些T A S K,例如Load_Inst、Shiftin_DR、Shiftin_DR_Custom、Shiftout_DR等等[6]。測試激勵中的關(guān)鍵部分如下:

    Load_Inst(Scan_N);

    Shiftin_DR(4,scan_path5);

    Load_Inst(Extest);

    Shiftin_DR_Custom(20,num);

    Load_Inst(MBIST);

    ……//wait MBIST Finish

    Load_Inst(Extest);

    Shiftout_DR(20);

    圖3 啟動MBIST

    圖4 MBIST運行

    圖5 掃出MBIST結(jié)果

    對圖3~5做如下說明:

    (1)在圖3中,通過TDI配置MBIST,可以看到MBIST算法(alg_no[3:0]信號)變成MarchC(用2表示);mbrun和bist_mode置高(有效)。

    (2)在圖4中,MBIST正在運行,可以看出Memory的地址、數(shù)據(jù)和控制信號都在按MarchC算法定義的規(guī)律變化。

    (3)在圖5中,等MBIST完成后,通過TDO掃出20位的結(jié)果,可以發(fā)現(xiàn)判斷SRAM出錯的位一直保持為1(0:有故障,1:沒有故障)。

    6 結(jié)論

    總之,隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展,SOC成為主流。目前在SOC設(shè)計中,ARM是經(jīng)常被采用的核;另外SOC中大量用到存儲器。如何保證存儲器的功能正確,MBIST顯得很有必要。本文通過ARM JTAG來控制MBIST,既達到DFT設(shè)計的目的,又降低了普通MBIST所帶來的硬件開銷。

    [1]王新安,吉利久.SOC測試中的BIST的若干思考[J].微電子學與計算機,2003.

    [2]虞希清. 專用集成電路設(shè)計實用教程[M].杭州:浙江大學出版社,2007.

    [3]王新安,蔣安平,宋春殫. 數(shù)字系統(tǒng)測試[M].北京:電子工業(yè)出版社,2007.

    [4]MBIST Architect Process Guide[M].Mentor Graphics,2008.

    [5]許瓊.基于JTAG的ARM7TDMI調(diào)試系統(tǒng)[J].計算機工程,2008.

    [6]Writing JTAG Sequences for ARM9 Processors[P]. ARM corp. 2008.

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