Er0.3Gd0.7VO4晶體紅外量子剪裁效應(yīng)及其在太陽能電池應(yīng)用上的研究*

陳曉波楊國建張春林李永良廖紅波張?zhí)N芝陳鸞王亞非

1)(北京師范大學，應(yīng)用光學北京重點實驗室，北京100875)

2)(中國科學院物理研究所，北京100080)

(2009年12月18日收到;2010年3月2日收到修改稿)

Er0.3Gd0.7VO4晶體紅外量子剪裁效應(yīng)及其在太陽能電池應(yīng)用上的研究*

陳曉波1)?楊國建1)張春林2)李永良1)廖紅波1)張?zhí)N芝2)陳鸞1)王亞非1)

1)(北京師范大學，應(yīng)用光學北京重點實驗室，北京100875)

2)(中國科學院物理研究所，北京100080)

(2009年12月18日收到;2010年3月2日收到修改稿)

研究了高濃度的Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的紅外量子剪裁現(xiàn)象，結(jié)果發(fā)現(xiàn)光激發(fā)2H11/2能級和4G11/2能級的4I13/2→4I15/2熒光躍遷的近似的量子剪裁效率η’已達約178.55%和177.61%.發(fā)現(xiàn)了Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的可見激發(fā)的三光子的有效的紅外量子剪裁現(xiàn)象和淺紫外激發(fā)的四光子的有效的紅外量子剪裁現(xiàn)象.發(fā)現(xiàn)了一種新穎有趣的激發(fā)譜峰“峰-谷”轉(zhuǎn)換的現(xiàn)象.報道了Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的基于單種稀土離子Er離子的一級的紅外量子剪裁現(xiàn)象.

紅外的量子剪裁，太陽能電池，Er0.3Gd0.7VO4晶體材料

PACC:7830G，7820，7855.

1. 引言

國際熱點量子剪裁現(xiàn)象對于尋找更好的能量效率的發(fā)光材料是一個激動人心的發(fā)展［1—12］.摻鑭系的稀土發(fā)光材料已被大量用于激光、太陽能光電轉(zhuǎn)換、熒光管和發(fā)光、彩色電視等顯示、上轉(zhuǎn)換、閃爍體和光電子及光纖放大等領(lǐng)域［5—28］，自從Wegh和Andries完成的Eu3+-Gd3+材料的量子剪裁工作以來［2，6］，量子剪裁現(xiàn)象的實用價值已得到國內(nèi)外的認可［2，3，7—10］，把太陽能光譜中的可見和紫外光轉(zhuǎn)換為紅外光的新的熒光體是目前發(fā)光材料研究的主要任務(wù)［1—12］，它既可以提高太陽能電池的效率又可以提高穩(wěn)定性，特別是在近年來全球能源面臨的礦物燃料資源的減少與環(huán)境污染的問題，能夠幫助解決上述問題太陽能電池的應(yīng)用引起各國的充分重視［1，2，22］.

預(yù)期能量傳遞速率的理論已經(jīng)被Forster和Dexter所發(fā)展［5，12，22］，此理論是基于給子與受子中心相互作用的不同模型［18—20］，從偶極偶極相互作用到波函數(shù)重合的交換作用，即它們都需要的共通共有之處在于要求給子和受子的躍遷必須共振，即它們的光譜必須重合，給子的發(fā)射譜和受子總的激發(fā)譜必須重合，前述的量子剪裁是基于此種理論的.它們也與上轉(zhuǎn)換研究的基礎(chǔ)為一致的，且是在依托上轉(zhuǎn)換研究的基礎(chǔ)所建立發(fā)展起來的［17，18，20—28］.如果缺乏給子的發(fā)射與受子的吸收之間的重合，就缺乏了一級的量子剪裁.但是，如果兩個受子的吸收能量之和等于一個給子的發(fā)射能量，二級共振條件就能完全得到滿足，在此過程中，一個給子同時激發(fā)兩個受子，二級的量子剪裁(下轉(zhuǎn)換)就能夠出現(xiàn).Meijerink在2005年發(fā)表了用于發(fā)展太陽能電池的可見到紅外的Yb-Tb二級紅外量子剪裁［2，10］，從2007年起紅外量子剪裁成為一個時興研究熱點，已連續(xù)在Optics Letters，Applied Physics Letters，Optics Express等影響因子大于3.0的刊物上發(fā)表了二十幾篇與Yb雙摻的稀土離子的二級量子剪裁稿件［7，8，10，14，19，26］.它們都是雙光子量子剪裁.此研究更加證實了量子剪裁太陽能電池應(yīng)用的可行性［1—3，7—10，22，24，26］.

本文報道了高濃度的Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的可見激發(fā)的三光子和淺紫外激發(fā)的四光子的有效的紅外量子剪裁現(xiàn)象.光激發(fā)了2H11/2能級和4G11/2能級的4I13/2→4I15/2熒光躍遷的近似的量子剪裁效率η’已達約178.55%和177.61%.

2. 實驗樣品實驗裝置

1992年Zaguniennyi引入發(fā)現(xiàn)了摻稀土離子的GdVO4晶體材料［15］.實驗發(fā)現(xiàn)GdVO4材料有比眾所周知的優(yōu)秀激光材料YVO4更高的熱導、更大的吸收截面、和更大的發(fā)射截面、很好的材料穩(wěn)定性等一系列優(yōu)良品質(zhì)［15］.因此它引起了很多學者和企業(yè)界的濃厚興趣.GdVO4材料是四方晶系，屬于空間群I41/amd.在Er3+:GdVO4中部分Gd3+離子被Er3+離子取代.Er3+離子的對稱性屬于D2d群.晶格參數(shù)為a=b=0.7212nm，和c=0.63483nm.我們用的GdVO4材料具有很好的光學質(zhì)量，Er0.3Gd0.7VO4材料中Er3+離子的濃度為30%.其大小為5mm×7mm×10mm，a軸為5mm方向c軸為7mm方向.該樣品的密度為5.41 g/cm3.

我們用的實驗儀器設(shè)備為Edinburgh Instruments Ltd.公司的Fluorescence Spectrometer F900熒光光譜儀，儀器自備的Xe燈為熒光光譜儀的抽運光源，實驗所用探測器為Ge光電管在8300nm到1700nm范圍內(nèi)有很好的靈敏度.激發(fā)光的方向與接收熒光的方向垂直，該實驗的所有實驗信號曲線和數(shù)據(jù)為校準后的實驗信號曲線和數(shù)據(jù).

3. 量子剪裁實驗結(jié)果

首先，準確測量了低濃度的Er0.01Gd0.99VO4晶體材料的吸收光譜，準確測量了30000波數(shù)之內(nèi)所有吸收能級和精細結(jié)構(gòu)和能級重心，測量結(jié)果發(fā)現(xiàn)4I13/2能級重心位于1524.1nm，4I11/2能級重心位于984.7nm，4I9/2能級重心位于806.5nm，4F9/2能級重心位于658.5nm，4S3/2能級重心位于548.0nm，2H11/2能級重心位于523.7nm，4F7/2能級重心位于490.7nm，4F5/2能級重心位于452.5nm，4F3/2能級重心位于443.9nm，(2G，4F，2H)9/2能級重心位于407.1nm，4G11/2能級重心位于378.9nm，4G9/2能級重心位于366.3nm，和2K15/2，2G7/2能級重心位于359.1nm，還擬合得到了它的三參量強度參量［5，18—20，22］為Ω2=11.782×10－20cm2，Ω4=2.612 ×10－20cm2，Ω6=1.924×10－20cm2，準確的吸收測量為量子剪裁研究奠定了基礎(chǔ).

接著測量了高濃度的Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的可見區(qū)的熒光發(fā)射光譜，選取Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的吸收峰位523.5，823.5，381.0，546.5，658.7，491.5，453.0，409.0和367.5nm作為激發(fā)波長，測量發(fā)現(xiàn)了Er0.3Gd0.7VO4晶體材料在可見區(qū)有411.5，524.5，(553.0，557.0)，668.5，700.0，810.5，850.0nm數(shù)個可見熒光峰，容易指認出這些熒光為(2G4F2H)9/2→4I15/2，2H11/2→4I15/2，4S3/2→4I15/2，4F9/2→4I15/2，4F7/2→4I13/2，4I9/2→4I15/2，4S3/2→4I13/2的熒光躍遷.通過測量得到的可見熒光光譜計算得到了熒光的積分熒光強度，所有測量得到的可見熒光躍遷和它們的積分熒光強度都列于表1.表1中的557.0nm一欄為524.5nm的2H11/2→4I15/2熒光和(553.0，557.0nm)的4S3/2→4I15/2熒光的積分熒光強度的和.

又測量了高濃度的Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的紅外區(qū)的熒光光譜，同樣選取Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的吸收峰位523.5，823.5，381.0，546.5，658.7，491.5，453.0，409.0和367.5nm作為激發(fā)波長，測量發(fā)現(xiàn)了Er0.3Gd0.7VO4晶體材料在紅外區(qū)有999.5和532.5nm的紅外熒光峰，容易指認出這些熒光為4I11/2→4I15/2和4I13/2→4I15/2的熒光躍遷.通過測量得到的紅外熒光光譜得到了上述熒光的積分熒光強度，所有測量得到的紅外熒光躍遷和它們的積分熒光強度也都列于表1.圖1給出了測量得到的紅外熒光光譜.圖1中自自下而上的第一條線給出了在823.5nm激發(fā)光激發(fā)4I9/2能級的時候的800—1700nm的紅外熒光光譜(1648.0nm的窄線為激發(fā)光的諧波)，圖1中自下而上的第二條線給出了在546.5nm激發(fā)光激發(fā)4S3/2能級的800—1700nm的紅外熒光光譜，圖1中的自下而上的第三條到第八條線給出了在523.5nm激發(fā)光激發(fā)2H11/2能級、在491.5nm激發(fā)光激發(fā)4F7/2能級、在453.0nm激發(fā)光激發(fā)4F5/2能級、在409.0nm激發(fā)光激發(fā)(2G4F2H)9/2能級、在381.0nm激發(fā)光激發(fā)4G11/2能級、在367.5nm激發(fā)光激發(fā)4G9/2能級的時候的800—1700nm的紅外熒光光譜，所有測量條件都已歸一化.且圖1和表1所有測量曲線或數(shù)據(jù)都為校準之后的實驗曲線或數(shù)據(jù)，它們之間的相對強度已直接可以比較.

圖1 4I9/2，4S3/2，2H11/2，4F7/2，4F5/2，(2G4F2H)9/2，4G11/2，和4G9/2能級受激的Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的紅外熒光發(fā)射光譜

4. 激發(fā)峰的“峰-谷”轉(zhuǎn)換現(xiàn)象

測量了Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的激發(fā)譜結(jié)果如圖2所示.圖2中在上方的第一條線給出了在1532.5nm的4I13/2→4I15/2熒光躍遷在230—860nm的激發(fā)譜，圖2下方的第二條線給出了在999.5nm的4I11/2→4I15/2熒光躍遷在230—860nm的激發(fā)譜.從4I13/2→4I15/2熒光躍遷的激發(fā)譜可以看出，它有367.5，381.0，409.5，453.0，491.5，525.0，546.5nm，(658.0，665.5nm)，(802.0，810.0，823.5，828.5nm)的幾個激發(fā)譜峰，依次對應(yīng)著4G9/2，4G11/2，(2G，4F，2H)9/2，4F5/2，4F7/2，2H11/2，4S3/2，4F9/2和4I9/2能級的吸收.從4I11/2→4I15/2熒光躍遷的激發(fā)譜可以看出，4I9/2能級的激發(fā)譜峰相對強度較強，它證實了激發(fā)4I9/2能級的多數(shù)粒子數(shù)都直接傳給了4I11/2能級.很有趣的是4I11/2→4I15/2熒光躍遷的激發(fā)譜的4G9/2，4G11/2，和2H11/2能級的激發(fā)峰的相對強度不但最小而且由峰完全變成了谷，它證實了激發(fā)4G9/2，4G11/2，和2H11/2能級的絕大多數(shù)粒子數(shù)都通過交叉能量傳遞跨越過了4I11/2能級而直接傳給了4I13/2能級，此種激發(fā)譜峰“峰-谷”轉(zhuǎn)換現(xiàn)象也是很新穎有趣的.它也間接證實了激發(fā)4G9/2，4G11/2，和2H11/2能級受激的時候4I13/2→4I15/2熒光的量子剪裁效率是極高的.

圖2 Er0.3Gd0.7VO4晶體材料1532.5nm4I13/2→4I15/2熒光和999.5nm4I11/2→4I15/2熒光的激發(fā)光譜

5. 量子剪裁效率的計算

Wegh和Meijerink等［2］報道了對Eu3+-Gd3+材料的真空紫外到可見的量子剪裁的工作提出了眾所周知的計算量子剪裁效率公式，為量子剪裁的研究奠定了很好的基礎(chǔ).

Tzeng等［11］和Lee等［16］利用Tb3+-Gd3+系統(tǒng)的4fn－15d1高激發(fā)組態(tài)的激發(fā)把可見量子剪裁熒光的強度提高到常規(guī)激發(fā)的約6倍和30倍，把可見量子剪裁的研究又向前推進了一步，用來計算量子剪裁的效率的由交叉弛豫能量傳遞所導致的Tb3+的5D4能級的發(fā)光效率公式得到了進一步的改進為

R(5D4/rest)代表Tb3+的5D4能級的積分熒光強度與包括了Tb3+的5D3能級和Gd3+的6P7/2能級的其他所有熒光的積分熒光強度之比.角標代表受激能級或離子.由此積分熒光強度的比值決定的計算量子剪裁的效率的公式是最直接最直觀的，因而它是一種很好的計算量子剪裁的效率的方法.

參考Meijerink，Tzeng和Lee等［2，11，16］在Science，Journal of Luminescence和Applied Physics Letters上提出的公式(1)，可以對它推廣得到新穎的Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的單離子Er3+的量子剪裁效率計算公式對于2H11/2能級受激的時候的量子剪裁效率為

式中，PCR也是交叉弛豫能量傳遞的概率，PDT是從Er3+的通過自發(fā)輻射或無輻射多聲子弛豫逐級往低能級直接能量傳遞的概率，R［(4I13/2)/Σ(4I11/2+4I9/2+4F9/2+4S3/2+2H11/2)］2H11/2為2H11/2能級受激的時候4I13/2→4I15/2躍遷的熒光積分發(fā)射強度與其他所有能級的所有的多個熒光躍遷的積分發(fā)射強度的和之比.R［(4I13/2)/Σ(4I11/2)］4I11/2為4I11/2能級受激的時候4I13/2→4I15/2躍遷的熒光積分發(fā)射強度與其他所有也僅有的4I11/2→4I15/2熒光躍遷的積分發(fā)射強度之比.

上述(1—2)式是嚴格成立的.但是因為我們的實驗儀器設(shè)備光激發(fā)的波長范圍僅有200—900nm，測量不到980nm激發(fā)的4I11/2能級受激的發(fā)射譜，根據(jù)現(xiàn)在的工作暫時得不到嚴格的量子剪裁效率η.但是考慮到{4I9/2→4I13/2，4I15/2→4I13/2}是個Anti-Stokes能量傳遞過程，我們計算了{4I9/2→4I13/2，4I15/2→4I13/2}交叉能量傳遞通道引起的能量傳遞速率是比較小的，可以近似認為{4I9/2→4I13/2，4I15/2→4I13/2}交叉能量傳遞通道引起的量子剪裁是比較小近似等于零的，即認為所有4I9/2能級受激發(fā)產(chǎn)生的粒子數(shù)都為通過無輻射多聲子弛豫逐級傳給4I15/2能級或自發(fā)輻射了.因此，就可以得到近似的量子剪裁效率η’.

對于2H11/2能級受激的時候的近似的量子剪裁效率為

因此，根據(jù)現(xiàn)在的工作所測量獲得的實驗數(shù)據(jù)就可以計算得到近似的量子剪裁效率η’.它也就是真實的量子剪裁效率η的底線，即真實的量子剪裁效率η肯定要比近似的量子剪裁效率η’略微大一點.

對于4F9/2，4S3/2，4F7/2，4F5/2，(2G，4F，2H)9/2，4G11/2和4G9/2等受激能級，參考2H11/2能級受激的時候的近似的量子剪裁效率(3)式，容易得到類似的4F9/2，4S3/2，4F7/2，4F5/2，(2G，4F，2H)9/2，4G11/2和4G9/2等受激能級的近似的量子剪裁效率的計算辦法和計算值.

我們已從實驗上測量了光激發(fā)2H11/2能級，4I9/2能級，4F9/2能級，4S3/2能級，4F7/2能級，4F5/2能級，(2G，4F，2H)9/2能級，4G11/2能級和4G9/2等能級從可見到近紅外的熒光光譜，各條譜線的積分熒光強度值列于表1，從前述的公式計算得到的近似的量子剪裁效率η’也列于表1.從表1可以看出，光激發(fā)2H11/2能級的第一激發(fā)態(tài)4I13/2的發(fā)光的近似的量子剪裁效率η’已達約178.55%.同時也可以看出光激發(fā)4F9/2，4S3/2，4F7/2，4F5/2，(2G，4F，2H)9/2，4G11/2和4G9/2等能級的4I13/2→4I15/2的熒光的近似的量子剪裁效率η’依次各為132.26%，147.09%，149.07%，138.17%，133.58%，177.61%，和157.08%.發(fā)現(xiàn)了基于單種稀土離子Er離子的高濃度的Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的可見激發(fā)的有效的紅外量子剪裁效應(yīng).

6. 分析

首先分析2H11/2能級，4I9/2能級，4F9/2能級和4S3/2能級受激發(fā)的時候的可見到紅外的量子剪裁現(xiàn)象.從圖1和表1可以看出，實驗觀察到Er0.3Gd0.7VO4晶體材料在523.5nm激發(fā)光激發(fā)2H11/2能級的時候出現(xiàn)的為相對強度為4.515× 102的{525.0nm的2H11/2→4I15/2和557.0nm的4S3/2→4I15/2}，1.422×101的668.5nm的4F9/2→4I15/2，4.741×101的810.5nm的4I9/2→4I13/2，2.695×102的850.0nm的4S3/2→4I13/2，3.083×104的999.5nm的4I11/2→4I15/2，和7.737×105的1 532.5nm4I13/2→4I15/2的數(shù)條熒光線，顯然，熒光的能量已主要集中在1532.5nm4I13/2→4I15/2的紅外熒光上.即1532.5nm的Er3+的第一激發(fā)態(tài)到基態(tài)熒光很強，而其他的熒光都急劇減小都很小了.也容易觀察到Er0.3Gd0.7VO4晶體材料在823.5nm激發(fā)光激發(fā)4I9/2能級的時候4I11/2→4I15/2，和4I13/2→4I15/2的數(shù)條熒光線的相對強度為8.478×104和3.778×105.顯然前述的523.5nm和823.5nm激發(fā)的情況，4I13/2→4I15/2的積分熒光強度和其他所有熒光2H11/2→4I15/2和4S3/2→4I15/2，4F9/2→4I15/2，4I9/2→4I13/2，4S3/2→4I13/2，4I11/2→4I15/2的積分熒光強度之間的熒光相對強度比為24.45和4.46.顯然4I13/2→4I15/2熒光和其他所有熒光之間的熒光相對強度比已有很大改變.而且，523.5nm激發(fā)光激發(fā)2H11/2能級導致的4I13/2→4I15/2的積分熒光強度7.737×105比823.5nm激發(fā)光激發(fā)4I9/2能級導致的4I13/2→4I15/2的積分熒光強度3.778×105大了2.05倍，同時，523.5nm激發(fā)光激發(fā)2H11/2能級導致的4I11/2→4I15/2的積分熒光強度3.083×104比823.5nm激發(fā)光激發(fā)4I9/2能級導致的4I11/2→4I15/2的積分熒光強度8.478×104小了2.75倍，即2H11/2能級受激有極顯著的紅外量子剪裁現(xiàn)象.

同時也能觀察到Er0.3Gd0.7VO4晶體材料在546.5nm激發(fā)光激發(fā)4S3/2能級的時候4F9/2→4I15/2，4I9/2→4I15/2，4I11/2→4I15/2，和4I13/2→4I15/2的數(shù)條熒光線的相對強度為2.178×101，7.312×101，4.067 ×104，和3.804×105.Er0.3Gd0.7VO4晶體材料在658.7nm激發(fā)光激發(fā)4F9/2能級的時候4I9/2→4I15/2，4I11/2→4I15/2，和4I13/2→4I15/2的數(shù)條熒光線的相對強度為2.281×101，2.436×104，和1.545×105.4S3/2和4F9/2能級受激的時候的4I13/2→4I15/2的積分熒光強度3.804×105和1.545×105為4I9/2能級受激的時候的100.7%和40.9%，4S3/2和4F9/2能級受激的時候的4I11/2→4I15/2的積分熒光強度4.067×104和2.436×104為4I9/2能級受激的時候的48.0%和28.7%.顯然，4S3/2和4F9/2能級受激的時候的紅外量子剪裁要比2H11/2能級受激的時候小得多.

我們從圖3的Er3+離子的能級結(jié)構(gòu)圖可以分析出它的動力學過程［5，18—20，22］，對于823.5nm光激發(fā)4I9/2能級的時候，激發(fā)到了4I9/2能級的粒子數(shù)可以通過自發(fā)輻射、無輻射多聲子弛豫和{4I9/2→4I13/2，4I15/2→4I13/2}的ETr5－ETa5交叉能量傳遞通道把粒子數(shù)傳遞到第一激發(fā)態(tài)4I13/2能級，對于YVO4晶體材料由于它的無輻射多聲子弛豫速率很快，自發(fā)輻射相比較小可以忽略，{4I9/2→4I13/2，4I15/2→4I13/2}的ETr5－ETa5交叉能量傳遞通道因為是個Anti-stokes能量傳遞過程，躍遷失配量達到－1088.1cm－1，{4I9/2→4I13/2，4I15/2→4I13/2}的ETr5－ETa5交叉能量傳遞通道相對于4I9/24I11/2的無輻射多聲子弛豫也較小，即4I9/2能級的粒子數(shù)主要通過4I9/24I11/2的無輻射多聲子弛豫通道弛豫.

從圖3還可以看出，對于523.5nm光激發(fā)2H11/2能級的時候，激發(fā)到了2H11/2能級的粒子數(shù)也可以通過自發(fā)輻射、無輻射多聲子弛豫和{2H11/2→4I9/2，4I15/2→4I13/2}的ETr1－ETa1交叉能量傳遞通道把粒子數(shù)傳遞到第一激發(fā)態(tài)4I13/2能級，(從我們的計算分析知道起始于2H11/2能級的別的能量傳遞通道比ETr1－ETa1要小得多)，因為{2H11/2→4I9/2，4I15/2→4I13/2}的ETr1－ETa1交叉能量傳遞通道為近共振能量傳遞過程，躍遷失配量僅僅為－107.5cm－1，約化矩陣元(0.1953，0.0648，0.2837)和(0.0195，0.1172，1.4325)又很大［5，18—20，22］，而我們的Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的Er3+離子濃度又很大，因此{2H11/2→4I9/2，4I15/2→4I13/2}的ETr1－ETa1交叉能量傳遞速率會很大.即2H11/2能級的粒子數(shù)主要通過{2H11/2→4I9/2，4I15/2→4I13/2}的ETr1－ETa1交叉能量傳遞通道傳遞到第一激發(fā)態(tài).它也就是我們的高濃度Er0.3Gd0.7VO4材料優(yōu)勝于普通低濃度材料的主要優(yōu)點.

圖3 Er3+離子的能級結(jié)構(gòu).實線為吸收或能量傳遞，點虛線為熒光

從圖1和表1的實驗結(jié)果可以看出，對于823.5nm光激發(fā)4I9/2能級的時候，4I13/2→4I15/2熒光和其他所有熒光之間的熒光相對強度比為4.46.對于523.5nm光激發(fā)2H11/2能級的時候，4I13/2→4I15/2熒光和其他所有熒光之間的熒光相對強度比為24.45，積分熒光強度之比相對來說已大大增強.即我們的實驗證實了523.5nm光激發(fā)2H11/2能級的時候，2H11/2能級的粒子數(shù)主要通過{2H11/2→4I9/2，4I15/2→4I13/2}的ETr1－ETa1交叉能量傳遞通道傳遞到第一激發(fā)態(tài)，因而它可以有很高的量子剪裁效率.

理論上的光激發(fā)2H11/2能級第一激發(fā)態(tài)發(fā)光的量子剪裁過程為三光子量子剪裁過程，通過{2H11/2→4I9/2，4I15/2→4I13/2}的ETr1－ETa1交叉能量傳遞通道傳遞到4I9/2能級的部分粒子數(shù)還可以通過{4I9/2→4I13/2，4I15/2→4I13/2}的ETr5－ETa5交叉能量傳遞通道繼續(xù)傳遞給第一激發(fā)態(tài)，即激發(fā)2H11/2能級所產(chǎn)生的一個綠光光子的吸收可以導致三個紅外光子的發(fā)射.本文實驗已經(jīng)發(fā)現(xiàn){2H11/2→4I9/2，4I15/2→4I13/2}近似的量子剪裁效率η’已達約178.55%，如果能夠進一步提高{4I9/2→4I13/2，4I15/2→4I13/2}的ETr5－ETa5交叉能量傳遞速率，顯然，理論上2H11/2能級受激的量子剪裁效率有可能超過200%.

表1 熒光線校準的積分熒光強度和近似量子剪裁效率

從圖1和表1的實驗結(jié)果還可以看出，對于546.5nm光激發(fā)4S3/2能級的時候，4I13/2→4I15/2熒光和其他所有熒光之間的熒光相對強度比為9.32，對于658.7nm光激發(fā)4F9/2能級的時候，4I13/2→4I15/2熒光和其他所有熒光之間的熒光相對強度比為7.06.該實驗結(jié)果意味著光激發(fā)到4S3/2能級和4F9/2能級的粒子數(shù)通過交叉能量傳遞通道和無輻射多聲子弛豫通道傳遞到第一激發(fā)態(tài)的概率是大致相當?shù)?事實也是如此，從圖2可以看出，起動于4S3/2能級和4F9/2能級的最強的交叉能量傳遞通道ETr2－ETa2{4S3/2→4I11/2，4I15/2→4I13/2}，ETr3－ETa3{4S3/2→4I13/2，4I15/2→4I11/2}和ETr4－ETa4{4F9/2→4I13/2，4I15/2→4I13/2}雖然都是Stokes能量傳遞通道，但是因為它們的躍遷失配量很大，能量傳遞速率比{2H11/2→4I9/2，4I15/2→4I13/2}的ETr1－ETa1交叉能量傳遞通道要小得多，因此量子剪裁效率比光激發(fā)2H11/2能級要小得多.

從以上的分析還可以看出，2H11/2能級受激和4S3/2能級受激的紅外量子剪裁現(xiàn)象和效率是很不一樣的，它就證實了他們的粒子數(shù)的傳送過程是很不一樣的，2H11/2能級受激所產(chǎn)生的粒子數(shù)并沒有無輻射弛豫到4S3/2能級然后再傳送到4I13/2能級，實際上，2H11/2能級受激所產(chǎn)生的粒子數(shù)直接就通過{2H11/2→4I9/2，4I15/2→4I13/2}的ETr1－ETa1交叉能量傳遞通道傳遞到4I9/2能級，從圖2的激發(fā)譜也可以看到，4I11/2→4I15/2熒光躍遷的激發(fā)譜的2H11/2能級的激發(fā)峰的相對強度不但最小而且由峰完全變成了谷，它證實了激發(fā)2H11/2能級的絕大多數(shù)粒子數(shù)都通過交叉能量傳遞跨越過了4S3/2，4F9/2和4I11/2能級而直接傳給了4I13/2能級，它恰恰為我們的Er0.3Gd0.7VO4材料所專有的優(yōu)點，它也是低濃度材料所不可想象做不到的.

隨后，我們分析4G11/2能級，4F7/2能級，4F5/2能級，(2G，4F，2H)9/2能級和4G9/2等能級受激發(fā)的時候的紅外量子剪裁現(xiàn)象.從圖1和表1可以看出，實驗觀察到Er0.3Gd0.7VO4晶體材料在381.0nm激發(fā)光激發(fā)4G11/2能級的時候出現(xiàn)的為相對強度為6.880×101的411.5nm的(2G，4F，2H)9/2→4I15/2，9.930×102的{525.0nm的2H11/2→4I15/2和557.0nm的4S3/2→4I15/2}，2.105×101的668.5nm的4F9/2→4I15/2，5.044×101的700.0nm的4F7/2→4I13/2，5.613×104的999.5nm的4I11/2→4I15/2，和1.334×106的1 532.5nm4I13/2→4I15/2的數(shù)條熒光線，顯然，熒光的能量也主要集中在1 532.5nm4I13/2→4I15/2的紅外熒光上.4I13/2→4I15/2的積分熒光強度和其他所有熒光(2G，4F，2H)9/2→4I15/2，2H11/2→4I15/2和4S3/2→4I15/2，4F9/2→4I15/2，4F7/2→4I13/2，4I11/2→4I15/2的積分熒光強度之間的熒光相對強度比為23.39.381.0nm激發(fā)光激發(fā)4G11/2能級導致的4I13/2→4I15/2的積分熒光強度1.334×106比823.5nm激發(fā)光激發(fā)4I9/2能級的時候大了3.53倍，即4G11/2能級受激有極顯著的紅外量子剪裁現(xiàn)象.

從圖3還可以看出，對于381.0nm激發(fā)光激發(fā)4G11/2能級的時候，激發(fā)到了4G11/2能級的粒子數(shù)主要可以通過{4G11/2→4I13/2，4I15/2→2H11/2}的ETr6－ETa6交叉能量傳遞通道把粒子數(shù)傳遞到第一激發(fā)態(tài)4I13/2能級，因為{4G11/2→4I13/2，4I15/2→2H11/2}的ETr6－ETa6交叉能量傳遞通道為近共振能量傳遞過程，躍遷失配量僅僅為+388.93cm－1，約化矩征元(0.1005，0.2648，0.2570)和(0.7158，0.4138，0.0927)又很大［5，18—20，22］，而我們的Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的Er3+離子濃度又很大，因此{4G11/2→4I13/2，4I15/2→2H11/2}的ETr6－ETa6交叉能量傳遞速率會很大.

從理論上光激發(fā)4G11/2能級導致的第一激發(fā)態(tài)發(fā)光的量子剪裁過程為四光子量子剪裁過程，通過{4G11/2→4I13/2，4I15/2→2H11/2}的ETr6－ETa6交叉能量傳遞通道傳遞到2H11/2能級的部分粒子數(shù)還可以通過{2H11/2→4I9/2，4I15/2→4I13/2}的ETr1－ETa1交叉能量傳遞通道繼續(xù)傳遞給第一激發(fā)態(tài)，即激發(fā)4G11/2能級所產(chǎn)生的一個淺紫外光子的吸收可以導致四個紅外光子的發(fā)射.顯然，從理論上說4G11/2能級受激的量子剪裁效率有可能遠超過200%.據(jù)我們所知本文為首次報道的淺紫外激發(fā)的四光子的有效的紅外量子剪裁效應(yīng).

從圖3也可以看出，381.0nm激發(fā)光激發(fā)4G11/2能級的時候還存在一條較小的{4G11/2→4F9/2，4I15/2→4I11/2}的ETr7－ETa7交叉能量傳遞通道(從我們的計算分析知道起始于4G11/2能級的別的能量傳遞通道比ETr6－ETa6和ETr7－ETa7要小得多)，因為{4G11/2→4F9/2，4I15/2→4I11/2}的ETr7－ETa7交叉能量傳遞通道的躍遷失配量為937.7cm－1，約化矩征元(0.4283，0.0372，0.0112)和(0.0276，0.0002，0.3942)也比較大［5，18—20，22］，而我們的Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的Er3+離子濃度又很大.因此，雖然{4G11/2→4F9/2，4I15/2→4I11/2}的ETr7－ETa7交叉能量傳遞通道比{4G11/2→4I13/2，4I15/2→2H11/2}的ETr6－ETa6交叉能量傳遞通道要小，其結(jié)果為4G11/2能級受激所導致的粒子數(shù)主要通過{4G11/2→4I13/2，4I15/2→2H11/2}的ETr6－ETa6交叉能量傳遞通道把粒子數(shù)傳遞到第一激發(fā)態(tài)4I13/2能級，它導致了4I13/2→4I15/2熒光躍遷的四光子的有效的紅外量子剪裁效應(yīng).同時，因為{4G11/2→4F9/2，4I15/2→4I11/2}的ETr7－ETa7交叉能量傳遞通道把一小部分粒子數(shù)傳送到了4I11/2能級，它導致了4I13/2→4I15/2熒光躍遷的紅外量子剪裁效率的降低，即如表1所示的4G11/2能級受激的4I13/2→4I15/2熒光躍遷近似的紅外量子剪裁效率η’約為177.61%.但，實際上，{4G11/2→4F9/2，4I15/2→4I11/2}的ETr7－ETa7交叉能量傳遞通道為三光子能量傳遞通道，雖然它把一小部分粒子數(shù)傳給了4I11/2能級，但它對于太陽能電池來說也為有效的能量傳遞，所以，4G11/2能級受激所導致的4I13/2→4I15/2熒光躍遷的四光子和三光子紅外量子剪裁現(xiàn)象對于太陽能電池應(yīng)用來說為極有效極有用極有意義的.

到目前為止，發(fā)展最完善的應(yīng)為硅太陽能電池［4，22，24］，并已經(jīng)在很多國家投入應(yīng)用.有關(guān)太陽能電池的新理論，新材料，新工藝，新設(shè)計，新產(chǎn)品都在不斷的發(fā)展之中，鍺太陽能電池就為發(fā)展較快的一種新太陽能電池［4，22，24］，已用在了鍺、硅鍺和疊層太陽能電池例如GaInP2/GaAs/Ge的三結(jié)級連電池上，由于鍺的帶隙寬度為0.67 eV比較小用于太陽能電池有專有的優(yōu)點［4，22，24］.總之現(xiàn)在限制太陽能作為普通電源使用的主要障礙，仍然是成本高和效率低，它是繼續(xù)成為研究工作有待解決的主要問題.而量子剪裁器件的成本相對于整個太陽能電池來說是只占很小的一部分，因此它對于整個太陽能電池的造價的增加來說只有很小的比例，因此可以說量子剪裁太陽能電池在經(jīng)濟上就更具有競爭力和可行性［1—14，22，24—26］.

由于鍺的帶隙寬度0.67 eV(5405cm－1)比Er3+離子的4I13/2→4I15/2熒光能量6500cm－1要小一點，即Er3+離子的4I13/2→4I15/2躍遷到鍺的能量傳遞是很有效的［5，18—20，22］.因此，我們發(fā)現(xiàn)的Er離子的多光子的有效的紅外量子剪裁效應(yīng)對提高太陽能電池的效率是很有意義的.

7. 結(jié)論

研究了高濃度的Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的紅外量子剪裁現(xiàn)象［1，2］，測量Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的可見和紅外的熒光發(fā)射光譜和積分熒光強度，計算了近似量子剪裁效率η’，計算結(jié)果發(fā)現(xiàn)，光激發(fā)2H11/2能級的4I13/2→4I15/2熒光躍遷的近似的量子剪裁效率η’已達約178.55%.光激發(fā)4G11/2能級的4I13/2→4I15/2熒光躍遷近似的紅外量子剪裁效率η’約為177.61%.發(fā)現(xiàn)了基于單種稀土Er離子的高濃度的Er0.3Gd0.7VO4晶體材料的可見激發(fā)的三光子的有效的紅外量子剪裁現(xiàn)象和淺紫外激發(fā)的四光子的有效的紅外量子剪裁現(xiàn)象.還發(fā)現(xiàn)了一種新穎有趣的激發(fā)譜峰“峰－谷”轉(zhuǎn)換的現(xiàn)象.這些發(fā)現(xiàn)對提高太陽能電池的效率是很有價值的.

衷心感謝北京大學孫玲、章斐、周雅琴、劉彭芝老師，北京師范大學何琛娟老師，北京應(yīng)用物理與計算數(shù)學研究所康棟國老師的友好幫助和關(guān)心.

［1］Yang G Z National natural science foundation of China 1995 Optical Physics(Beijing:Science Press)(in Chinese)［楊國楨，等，國家自然科學基金委員會1995光物理科學(北京:科學出版社)］

［2］Wegh R T，Donker H，Oskam K D，Meijerink A 1999 Science 283 663

［3］Zhou Y，F(xiàn)eofilov S P，Jeong J Y，D A Keszler，Meltzer R S 2006 Journal of Luminescence 120 265

［4］Presting H，Konle J，Kibbel H，Thonke K，Sauer R 2001 Silicon－Based and Hybrid Optoelectronics III 4293 63

［5］Song Z F，Lian S R，Wang S K 1982 Acta Phys.Sinic.31 772 (in Chinese)［宋增福、連紹仁、王淑坤1982物理學報31 772］

［6］Wegh R T，Donker H，Oskam K D，and Meijerink A 1999 Journal of Luminescence 82 93

［7］Ye S，Luo J，Chen J X，Zhu B，Lakshminarayana G，Qiu J R 2008 Optics Express 16 8989

［8］Chen D Q，Wang Y S，Yu Y L，Huang P，Weng F Y 2008 Optics Letters 33 1884

［9］Richards B S 2006 Solar Energy Materials and Solar Cells 90 1189

［10］Vergeer P，Vlugt T J H，Kox M H F，Hertog M I den，van der Eerden J P J M，Meijerink A 2005 Physical Review B 71 014119

［11］Lee T J，Luo L Y，Diau E W G，Chen T M，Cheng B M，Tung C Y 2006 Applied Physics Letters 89 131121

［12］Wang G W，Tang Y，Long C W 1964 Acta Phys.Sin.20 1178 (in Chinese)［王國文、湯沂、龍純瑋1964物理學報20 1178］

［13］Carnall W T，F(xiàn)ieldd R，Rajnank K T 1968 J.Chem.Phys.49 4424

［14］Zhang QY，LiangXF 2007JournaloftheSocietyfor Information Display 16 755

［15］Zaguniennyi A I，Ostoumov V G，Shcherbakov I A，Jensen T，Meyn J P，Huber G 1992 Sov.J.Quant.Electron.22 1071

［16］TzengaHY，ChengBM，ChenTM 2007Journalof Luminescence 122-123 917

［17］Ni P G，Zhang S Z，Ji P W 2008 Bulletin of National Natural Science Foundation of China 5 301(in Chinese)［倪培根、張守著、汲培文2008中國科學基金5 301］

［18］Wang N Y，Zhang L 2001 Acta Phys.Sin.50 693(in Chinese)［王乃彥、張路2001物理學報50 693］

［19］Reisfeld R 1977 Lasers and excited states of rare-earth(New York:Springer-Verlag，Berlin Heidelberg，)

［20］Chen X Y，Luo Z D 1998 Chin.Phys.7 773

［21］Xiao S G，Yang X L，and Ding J W 2009 Acta Phys.Sin.58 3812(in Chinese)［肖思國、陽效良、丁建文2009物理學報58 3812］

［22］Xu X R，Shu M Z 2003 Science of Luminescence and Luminescent Material(Beijing:The Publish Center of Material Science and Engineering)(in Chinese)［徐敘瑢、蘇勉曾2003發(fā)光學與發(fā)光材料(北京:材料科學與工程出版中心)］

［23］Zhou J，Ren Z，Zhai T R 2009 Acta Phys.Sin.58 3208(in Chinese)［周靜、任芝、翟天瑞2009物理學報58 3208］

［24］Ogata K，Matsui T，Isomura M，Kondo M 2006 Journal of Non-Crystalline Solids 352 1255

［25］Chen Z J，Chen H Y，Gong Q H 1999 Acta Phys.Sin.48 477 (in Chinese)［陳志堅、陳慧英、龔旗煌1999物理學報48 477］

［26］Zhang Q Y，Yang C H，Pan Y X 2007 Applied Physics Letters 90 021107

［27］Dai Z W，Yang H G，Zu N N 2007 Chin.Phys.16 1650

［28］Wang E G，Guo Y，Zhang Y F，Oe T Z，Bao X Y，Tang Z，Zhang L X，Zhu W G，Niu Q，Qiu Z Q，Jia J F，Zhao Z X 2004 Science 306 5703

PACC:7830G，7820，7855

*Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.10674019).

?E-mail:chen78xb@hotmail.com

Infrared quantum-cutting analysis of Er0.3Gd0.7VO4crystal for solar cell application*

Chen Xiao-Bo1)?Yang Guo-Jian1)Zhang Chun-Lin2)Li Yong-Liang1)Liao Hong-Bo1)Zhang Yun-Zhi2)Chen Luan1)Wang Ya-Fei1)
1)(Applied Optics Beijing Area Major Laboratory，Beijing Normal University，Beijing100875，China)
2)(Institute of Physics，Chinese Academy of Sciences，Beijing100080，China)
(Received 18 December 2009;revised manuscript received 2 March 2010)

Recently the infrared quantum cutting has achieved an exciting development in enhancing the efficiency of solar cell. The infrared quantum cutting of Er0.3Gd0.7VO4crystalline is studied in the present paper.It is found that the approximate quantum cutting efficiencies of 1532.5nm4I13/2→4I15/2fluorescence，when the2H11/2and4G11/2levels are excited，are about 178.55%and 177.61%respectively.Especially，effective three-photon and four-photon infrared quantum cuttings of Er0.3Gd0.7VO4crystalline excited by visible and near-violet light are found for the first time in the present paper.An interesting“peak-valley”conversion phenomenon in the excitation spectrum is also observed.It is also the first time for us to find the first-order infrared quantum cutting based single species Er3+ion for Er0.3Gd0.7VO4crystalline.

infrared quantum cutting，solar cell，Er0.3Gd0.7VO4crystal

book=732,ebook=732

*國家自然科學基金(批準號:10674019)資助的課題.

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