云散天高秋月明

馬宇川

在本刊2009年7月下，我們已經(jīng)搶先對Intel即將發(fā)布的Lynnfield核心處理器進(jìn)行了詳細(xì)測試，并對其配套芯片組P55也進(jìn)行了相關(guān)評測，相信大家從中感受到了Intel下一代主流平臺(tái)的強(qiáng)大威力。不過稍顯遺憾的是，由于測試時(shí)間較早，測試中的主板與處理器都屬于工程樣品，并不能代表產(chǎn)品的最終形態(tài)。那么實(shí)際上市的P55主板是怎樣的呢?處理器在加入PCI—E控制器后，超頻性能是否受到影響?還能支持Braidwood Support閃存加速技術(shù)嗎?為了讓各位讀者了解P55主板的真實(shí)狀況，本刊此次特別對華碩電腦送測的一款接近上市標(biāo)準(zhǔn)的P55主板進(jìn)行了體驗(yàn)。下面就讓我們撥開籠罩在P55主板上的神秘云霾，看看P55主板帶給我們的到底是驚喜還是失望?不過在體驗(yàn)開始之前，還是先讓我們回顧一下P55芯片組的技術(shù)特性，以及上次測試中P55主板所暴露的問題。

優(yōu)勢與問題并存

P55芯片組是Intel為下一代Lynnfield核心處理器設(shè)計(jì)的使用平臺(tái)。由于PCI-E 2.0總線控制器、內(nèi)存控制器已經(jīng)全部集成在處理器中，因此，P55芯片組的主要功能是起控制存儲(chǔ)、音頻與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的作用，并提供一定的擴(kuò)展插槽。其作用僅相當(dāng)于傳統(tǒng)意義上的南橋，所以P55芯片組采用簡潔的單芯片設(shè)計(jì)方案來實(shí)現(xiàn)以上功能。與此同時(shí)，考慮到主板芯片組在系統(tǒng)中作用的變化，該芯片組的名稱也由北橋MCH以及南橋ICH變?yōu)榱薖CH(Platform Controller Hub)，中文名稱叫做“平臺(tái)控制中心”。

規(guī)格方面，P55 PCH為用戶提供了14+USB 2.0接口、8個(gè)PCI-E 2.0通道、6組SATA 2.0存儲(chǔ)設(shè)備接口，并擁有Rapid Storage Technology~術(shù)，可組建RAID 011／5110磁盤陣列。需要特別指出的是，P55芯片提供的SATA接口中，有兩個(gè)接口是采用了FIS(FrameInformation Structure，幀信息結(jié)構(gòu))切換機(jī)制的端口倍增器，也就是說一個(gè)接口可以連接多個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備，這些設(shè)備可以同時(shí)工作并進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。

在上次測試中，P552工程主板表現(xiàn)出了不俗的性能，其磁盤性能、USB'勝能的表現(xiàn)都相當(dāng)突出，P55平臺(tái)功耗也有一定程度的降低。不過由于測試時(shí)間較早，測試中的主板與處理器都屬于工程樣品，因此在測試中我們發(fā)現(xiàn)P55SK程主板存在以下一些問題：

1首先是布局不合理，在上次測試中使用的P55主板上，P55 PCH的安放位置與顯卡插槽的位置較近，并使用較高的散熱器，導(dǎo)致第一根PCI-E x16顯卡插槽無法使用雙插槽設(shè)計(jì)的大型顯卡，第二根PCI-E x16顯卡插槽無法使用。

2BIOS中沒有調(diào)節(jié)處理器頻率的項(xiàng)目，無法進(jìn)行超頻。

3在P55主板上出現(xiàn)了Braidwood Support力口速技術(shù)使用的閃存盤插槽，然而根據(jù)InteI的官方資料，只有定位更高的P57芯片組才能支持此技術(shù)，那么P55主板是否支持Braidwood Support呢?

接下來就讓我們通過對華碩P55主板的深度體驗(yàn)，看看以上問題是否能得到解決。

顛峰設(shè)計(jì)華碩P7P55D EVO主板

與以往華碩主板命名有所不同，此次這款華碩P55主板型號(hào)后多了一個(gè)D，并增加了一個(gè)EVO后綴。其中D是英文“Xtreme Design”顛峰設(shè)計(jì)的縮寫，意味著主板在性能、安全、穩(wěn)定性上都采用了優(yōu)秀的設(shè)計(jì)。而EVO則是英文Evolution進(jìn)化、演變的縮寫。采用這個(gè)后綴顯然想凸顯P55芯片組出現(xiàn)后主板將在形態(tài)、功能上發(fā)生巨大的變化。那么該主板的實(shí)際狀況如何呢?

設(shè)計(jì)布局更合理

這款主板采用標(biāo)準(zhǔn)的ATX大板設(shè)計(jì)、六層PCB，并在處理器供電部分使用了在P5Q、P5Q PRO等華碩P45主板上出現(xiàn)過的V型散熱片。揭開主板上的各種散熱片，可以看到P55 PCH被安置在了靠近主板左下角的位置，與各種存儲(chǔ)接口的距離很近。因此不論是從功能還是布局來說，PCH看起來更像一顆南橋芯片。同時(shí)PCH采用了扁平外形的散熱器，也令雙槽設(shè)計(jì)的大型顯卡插拔更加容易，不會(huì)受散熱器所影響。我們上次測試中碰到的顯卡安裝問題在華碩P7P55D EVO主板上得到了很好的解決。

強(qiáng)大的擴(kuò)展能力

值得注意的是，這款主板為用戶提供了三根PCI—E x1 6顯卡插槽。由于Lynnfield核心的處理器只能提供16個(gè)PCI—E 2，O通道，因此主板上的第三根PCI-E x16插槽的帶寬是由P55 PCH提供，其實(shí)際帶寬為PCI—E x4 2，O。所以這塊主板具備組建x8+x8+x4三路CrossFireX的能力，與上一代P45主板相當(dāng)。除此之外，主板還為用戶提供了2個(gè)PCI—E x1 2，O與2個(gè)PCI插槽，以及6個(gè)SATA 2存儲(chǔ)接口外，其中2個(gè)淺藍(lán)色接口為采用FIS切換機(jī)制的端口倍增器。值得一提的是，主板還通過集成Marvell的88SE9123磁盤控制芯片為主板提供T--個(gè)PATA并行存儲(chǔ)設(shè)備接口與兩個(gè)SATA 3，O接口。當(dāng)前主板與存儲(chǔ)設(shè)備的SATA接口主要采用2，0標(biāo)準(zhǔn)，只能提供外部傳輸率3Gbps的傳輸速度，而SATA 3，0標(biāo)準(zhǔn)將傳輸速度提升到了6Gbps，并增加了新的NCQ串行指令，改進(jìn)了電源管理功能。因此這也意味著華碩P7P55 EVO主板能夠連接未來速度更陜的存儲(chǔ)設(shè)備，并發(fā)揮出最大性能，從而為用戶提供更大的升級空間。

此外需要提及的是，這塊主板的I／O擋板采用了防EMI電磁干擾設(shè)計(jì)，能更好地保障用戶的健康。同時(shí)該主板還為USB接口配備了特有的ESD防靜電芯片，可以有效抵御靜電對主板芯片組的損害，提升了產(chǎn)品的安全系數(shù)。

豪華的處理器供電設(shè)計(jì)

雖然Lynnfield核心處理器采用了先進(jìn)的45nm工藝制造，但由于內(nèi)存控制器、PCI—E控制器全部集成在處理器內(nèi)部，處理器架構(gòu)較Core i7系列處理器也沒有明顯變化，因此如果加壓超頻后處理器也會(huì)產(chǎn)生較大的功耗。所以為了讓主板在超頻后可以穩(wěn)定工作，為用戶提供更好的性能，這款主板采用了比較夸張的等效14市目供電設(shè)計(jì)。其中12相主要為處理器內(nèi)核核心服務(wù)，另外2相則主要為處理器外圍核心電路如內(nèi)存控制器、PCI-E控制器工作。每相配備一個(gè)全封閉電感與兩顆瑞薩科技的MOSFET(--顆K0355作為上橋、一顆K0353并聯(lián)組成下橋)。同時(shí)為了讓EPU PwM芯片獲得12相PWM信號(hào)，主板在供電部分還配~rT--顆名為PEM的3路單刀雙擲開關(guān)芯片。此外，得益于EPU PWM芯片的自適應(yīng)能力，處理器供電電路還可以根據(jù)處理器負(fù)載大小進(jìn)行4、8、12相的切換，以達(dá)到合理使用能源的目的。

豐富的功能

除了提供威盛VTl828s 7，1+2聲道高保真音頻芯片(DAC信噪比達(dá)1lOdB)、兩顆Realtek的PCI—E千兆網(wǎng)絡(luò)芯片外，這塊主板還集成了威盛VT6308P IEEEl394芯片，并為用戶提供兩個(gè)IEEE 1394接口(其中一個(gè)需從機(jī)箱前面板引出)。此外該主板還具備一些華碩產(chǎn)品的特色功能。在主板電源接口附近我們可以看到一個(gè)外形類似CMOS清空按鈕，但名為MemOK的內(nèi)存重置按鍵。相信大家在超頻時(shí)都遇到這樣的問題，調(diào)高處理器外頻后導(dǎo)致內(nèi)存頻率被隨動(dòng)超頻，從而導(dǎo)致內(nèi)存無法工作，系統(tǒng)無法點(diǎn)亮。在華碩P7P55EVO主板上，如果出現(xiàn)這種情況，只需要按--TMemOK，主板就會(huì)自動(dòng)調(diào)節(jié)處理器外頻與內(nèi)存比例，將內(nèi)存的頻率及延遲參數(shù)直接下調(diào)到可以正常開機(jī)的水平，從而保證用戶不會(huì)被內(nèi)存問題所困擾。

其它方面，從主板板載的EPUPwM芯片、Express Gate芯片，我們可以了解到，華碩主板的EPU一6節(jié)能技術(shù)、內(nèi)嵌式操作系統(tǒng)等傳統(tǒng)特色技術(shù)在這塊P55主板上均一一得到了繼承。而且值得稱贊的是，此次華碩還集成了專為實(shí)現(xiàn)一鍵超頻功能的Turbo V硬件芯片，這樣無需進(jìn)行軟件設(shè)定，只要通過外部控制器進(jìn)行調(diào)節(jié)就可以實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)超頻，從而為用戶帶來更好的性能。

性能實(shí)測

由于Intel要在9月份才會(huì)發(fā)布Lvnnfield的正式上市版處理器，因此我們現(xiàn)在只能采用未屏蔽超線程技術(shù)的Lynnfield工程版處理器對主板進(jìn)行測試?？紤]到打開超線程技術(shù)后會(huì)加大系統(tǒng)的功耗與發(fā)熱量，因此為考察主板在高壓環(huán)境下的表現(xiàn)，我們在測試中特別打開了超線程技術(shù)。從測試成績來看，配合Radeon HD 4890顯卡、雙通道DDR3 1333內(nèi)存，系統(tǒng)發(fā)揮出了較好的性能表現(xiàn)。其中PCMark Vantage系統(tǒng)性能輕易地突破了6000分大關(guān)。游戲測試中，不論是CAPCOM最新發(fā)布的《生化危機(jī)5》還是流行的《鷹擊長空》，在1920×1080分辨率、最高畫質(zhì)的設(shè)定下，系統(tǒng)都能獲得平均幀速超過60fps的成績。

而在溫度與功耗測試上，可以看出盡管P55主板省去了北橋芯片，但由于系統(tǒng)的“實(shí)質(zhì)內(nèi)容”(如內(nèi)存、PCI-E的控制器并沒得到省略)，因此仍然具備較高的功耗。在滿載狀態(tài)下系統(tǒng)功耗達(dá)到了385W，所以如果要讓P55平臺(tái)在默認(rèn)頻率下穩(wěn)定工作，一臺(tái)500W的電源顯然是必要配置。發(fā)熱量上，由于Lynnfield處理器較以往產(chǎn)品集成度更高，因此即便采用12相供電設(shè)計(jì)，處理器供電電路在滿載狀態(tài)下也會(huì)產(chǎn)生很大的發(fā)熱量，MOSFET散熱片的溫度達(dá)到5"47，5℃。而P55 PCH雖然功能與南橋相比基本相同，并采用65nmW-藝生產(chǎn)，但在實(shí)際測試中我們發(fā)現(xiàn)，它的發(fā)熱量也不低，在滿載狀態(tài)下達(dá)到了52，5℃。

超頻測試

由于Lynnfield處理器相對于Core i7處理器來說只是簡化了內(nèi)存控制器、集成了PCI，E控制器，并沒有實(shí)質(zhì)上的變化。因此從理論上來說，Lynnfield處理器的超頻方法與Core i7處理器類似，即調(diào)高BCLK處理器外頻，并盡可能地降低內(nèi)存、處理器QPI總線與處理器Uncore外圍核心頻率。而在實(shí)測中，我們發(fā)現(xiàn)，可能是由于BIOS還不完善的緣故，華碩P7P55 EVO主板BIOS里還未提供QPI與Uncore頻率調(diào)節(jié)項(xiàng)目，因此我們只有依靠調(diào)低內(nèi)存頻率、提升處理器外頻的方法對處理器進(jìn)行超頻。最終，在1，4V處理器電壓下，Lynnfield處理器可以穩(wěn)定工作在195MHz×20=3，9GHzT，并可完成各類多線程測試，其CINEBENCH R10多核渲染性能提升到了18388分、《生化危機(jī)5》在1920x 1080分辨率、最高畫質(zhì)設(shè)定下的平均幀速提升到T71，2fps，表現(xiàn)出了主板不錯(cuò)的超頻能力。

需要注意的是，由于處理器在滿載狀態(tài)下的默認(rèn)電壓只有1，08v'因此在大幅加壓后，系統(tǒng)的功耗與發(fā)熱量都大大提升。僅僅運(yùn)行90秒的OCCT電源負(fù)載測試后，主板的MOSFET散熱片溫度就達(dá)到了59℃，同時(shí)系統(tǒng)的滿載功耗也提升到了555W。對于想在P55平臺(tái)上玩超頻的發(fā)燒友來說，—定要注意做好散熱工作，并購買600W以上的大功率電源。

再次體驗(yàn)P55有感

1通過此次對華碩P55主板的深度體驗(yàn)，我們可以發(fā)現(xiàn)這款接近上市形態(tài)的主板設(shè)計(jì)布局明顯改善，PCH“遷移”至傳統(tǒng)主板的南橋位置，并使用外形更加科學(xué)的散熱器，能為用戶提供三根PCI-E x16插槽，以及組建三路CrossFireX的能力。

2坦率地說，除了提供具備FIS切換機(jī)制的端口倍增器外，P55芯片組本身并沒有帶來太多的新功能。不過由于P55芯片組將具備較長的生命周期，對于主板廠商來說十分重要。因此從此次對華碩P55主板的體驗(yàn)可以發(fā)現(xiàn)，主板廠商通過集成第三方芯片，為P55主板提供了像SATA 3，0、一鍵超頻、EPU一6等附加功能?？梢灶A(yù)計(jì)，未來具備USB 3，0等新技術(shù)的P55主板也將出現(xiàn)。

3通過此次體驗(yàn)，我們也可看出北橋在主板上的消失并不能為系統(tǒng)帶來功耗的大幅下降。PCI-E控制器、內(nèi)存控制器繼續(xù)在處理器內(nèi)部發(fā)揮著它們的作用，對于想對P55平臺(tái)進(jìn)行超頻的發(fā)燒友來說，600W以上的大功率電源仍是必要裝備。

4在華碩P55主板上我們沒有發(fā)現(xiàn)Braidwood Support閃存盤的插槽。這顯示出，盡管之前在P55SE程主板上出現(xiàn)了閃存盤插槽或集成了閃存芯片，但它們都只是作測試之用，正式上市的P55主板是不會(huì)為用戶提供這一功能的。