Ｓｉ中３０°部分位錯彎結－重構缺陷運動特性的分子模擬

孟慶元　王慶盛

在Si、Ge等半導體材料的生產(chǎn)和制備過程中，不可避免地引入了位錯等缺陷，由于位錯的存在，嚴重影響了半導體器件的光學和電學性能，為了獲得低位錯密度、高質量的半導體器件，人們以Si中的位錯為研究對象，進行了長期不懈的研究。