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    Si中30°部分位錯彎結-重構缺陷運動特性的分子模擬

    2009-06-23 07:07:16孟慶元王慶盛
    西安交通大學學報 2009年5期
    關鍵詞:半導體器件電學低位

    孟慶元 王慶盛

    在Si、Ge等半導體材料的生產(chǎn)和制備過程中,不可避免地引入了位錯等缺陷,由于位錯的存在,嚴重影響了半導體器件的光學和電學性能,為了獲得低位錯密度、高質量的半導體器件,人們以Si中的位錯為研究對象,進行了長期不懈的研究。

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