未來主流整裝待發(fā)ＤＤＲ３內(nèi)存解析

當(dāng)DDR2完成新舊更替，取代DDR內(nèi)存成為市場的絕對主流時。內(nèi)存市場的接班人DDR3開始嶄露頭角。在CeBIT2007上，不少廠商都展示了運行DDR3內(nèi)存的平臺。隨著Intel首款支持DDR3的bearlake(P35系列)芯片組的推出在即，DDR3漸漸受到市場的關(guān)注，成為Pc技術(shù)發(fā)展的下一個熱點。

DDR3內(nèi)存技術(shù)簡介

DDR3是在DDR2技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來，相對DDR2進行了一些改進。雖然JEDEC(內(nèi)存工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織)尚未完全確立DDR3的標(biāo)準(zhǔn)，但是已經(jīng)基本成型，總體而言，DDR3有著更低的功耗，電壓降至1.5V(DDR2為1.8V)，并且采用更先進的制程(DDR2為90nm制程，而DDR3則采用70nm制程)，因此頻率可以得到大幅提升，預(yù)計DDR3將從800MHz起跳，最高將達(dá)到1600MHz，內(nèi)存帶寬也將大幅提升。除了頻率和功耗之外，DDR3相對DDR2還有以下特點。

8bit預(yù)取數(shù)據(jù)

相比DDR的2bit數(shù)據(jù)預(yù)取，DDR2內(nèi)存更進一步，它可以預(yù)取4bit數(shù)據(jù)，所以數(shù)據(jù)傳輸率提高了4倍。而按照J(rèn)EDEC的計劃，DDR3將可以預(yù)取8bit數(shù)據(jù)，從而獲得更大的數(shù)據(jù)傳輸率。故此在同一內(nèi)存核心頻率下，DDR3的內(nèi)存會比DDR2速度快一倍，并且未來提升速度的空間會比DDR強。

較高的延遲

就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高，DDR3的CL范圍一般在5至11之間。另外，DDR3還新增加了一個時序參數(shù)——寫入延遲(CWD)，這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。

240pin引腳

和DDR2一樣，DDR3仍然采用240pin DIMM的插槽，不過DDR3并不能和DDR2插槽兼容。DDR3內(nèi)存的金手指的缺口位置和DDR2不一樣，也保證了和DDR2的區(qū)別，以免兩種類型的內(nèi)存在插槽上混淆。

DDR3的支持情況

Intel成為DDR3最先的支持者，即將推出的bearlake芯片組將成為首個支持DDR3的產(chǎn)品。其中面向主流的P35芯片組以及面向高端的X38芯片組都提供了對DDR3的支持，不過考慮到DDR3成為市場主流為時尚早，DDR3還未規(guī)模量產(chǎn)，成本高昂是普及的最大障礙，因此早期推出的部分P35主板出于使用成本的考慮，將僅支持DDR2內(nèi)存。而在內(nèi)存支持方面落后Intel的AMD，在2006年完成了內(nèi)置內(nèi)存控制器從DDR到DDR2的全面轉(zhuǎn)變，在下代Socket AM3處理器的內(nèi)置內(nèi)存控制器也將增加對DDR3的支持。另一主板芯片組廠商SiS支持DDR3內(nèi)存的北橋芯片si$665將于2007年末正式發(fā)布，該北橋芯片同時支持DDR2、DDR3內(nèi)存，因此極有可能同時集成兩種內(nèi)存控制器，支持下一代PCIe接口技術(shù)。

三星將于2007年第二季度開始出貨桌面電腦DDR3800/1066產(chǎn)品，第三季度推出DDR31333，但在2008年下半年才會推出更高速的DDR3 1600產(chǎn)品。而移動平臺則2008年第一季度才會導(dǎo)入DDR3產(chǎn)品，速度為DDR3800/1066，在2009年第一季度則會提升至DDR3 1333。

DDR3成為主流尚需時日

對于DDR3內(nèi)存而言，取代DDR2成為內(nèi)存市場的主流并沒有什么懸念，需要的僅僅是時間。目前DDR3標(biāo)準(zhǔn)尚未正式確立，但是較高的內(nèi)存延遲也大大降低了頻率提升所帶來的性能提升。而且目前主流的Core處理器前端總線也只有1066MHz，暫時還不需要更高頻率的內(nèi)存來支持。當(dāng)然，隨著處理器前端總線的提升以及DDR3內(nèi)存頻率的提高，DDR3高頻率的優(yōu)勢將逐漸體現(xiàn)。由于DDR3的售價比DDR2昂貴約50％，預(yù)計DDR3在2008年將會占據(jù)25％左右的市場份額，在2009年開始出現(xiàn)DDR2、DDR3兩代內(nèi)存的市場交替，在這之前，將仍是DDR2內(nèi)存的天下。