研究人員首創(chuàng)高遷移率非晶P型半導體器件

楊晨

近日，電子科技大學研究團隊首創(chuàng)高遷移率、穩(wěn)定的非晶P型（空穴）半導體器件，突破該領域20余年的研究瓶頸，進一步推動現(xiàn)代信息電子學和大規(guī)模互補金屬氧化物半導體技術的發(fā)展。相關成果在線發(fā)表于《自然》。