黃開程,楊祥魁,姜洪權(quán)*,周智,陳富民,高建民,程虎躍,朱義剛
(1.西安交通大學(xué) 機(jī)械制造系統(tǒng)工程國家重點實驗室,陜西 西安 710049;2.山東金寶電子有限公司,山東 招遠(yuǎn) 265400)
電解銅箔廣泛應(yīng)用于芯片封裝、印制電路等高新技術(shù)領(lǐng)域,是覆銅板CCL、印制線路板PCB等產(chǎn)品的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料[1]。電子產(chǎn)品的小型化、輕薄化,對銅箔厚度和性能提出了更高的要求。例如,在集成電路封裝領(lǐng)域,芯片封裝電路線寬/線距(L/S)已由傳統(tǒng)的20 μm縮小到10 μm以下,要求銅箔的厚度由12 μm降低至4.5 μm以下,同時要求銅箔有較高的抗拉強(qiáng)度和延伸率[2-3]。因此,厚度在1.5 ~4.5 μm,且具有更強(qiáng)綜合性能的高強(qiáng)極薄銅箔已經(jīng)成為我國工業(yè)的亟需產(chǎn)品。當(dāng)前,高強(qiáng)極薄銅箔生產(chǎn)還處在試驗研發(fā)階段,其制造過程復(fù)雜且耦合性高,產(chǎn)品質(zhì)量影響因素多[4],如何實現(xiàn)制造過程的質(zhì)量穩(wěn)定性控制已成為高強(qiáng)極薄銅箔產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的主要瓶頸問題。因此,開展高強(qiáng)極薄銅箔制造過程的質(zhì)量管控要素及常見質(zhì)量問題的應(yīng)對分析,對于實現(xiàn)高強(qiáng)極薄銅箔的高質(zhì)量與產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)具有重要的意義。
當(dāng)前,針對銅箔制造過程關(guān)鍵質(zhì)量要素管控技術(shù)的研究主要集中在常規(guī)厚度(6 μm及以上)電解銅箔方面。例如,蔡芬敏[5]通過正交試驗研究不同電沉積參數(shù)組合對18 μm銅箔組織性能的影響,分析得出了最佳的電沉積參數(shù)組合;程曦[6]通過控制變量法系統(tǒng)研究關(guān)鍵參數(shù)對12 μm銅箔組織性能的影響,確定了銅濃度、電流密度和溫度等參數(shù)的最佳取值;袁智斌[7]通過實驗得出最佳的電解參數(shù)組合和添加劑配比,有效解決了8 μm雙面光銅箔的制造工藝不穩(wěn)定難題;楊森[8]研究不同的添加劑單獨(dú)及組合作用對銅箔組織性能的影響,并通過實驗確定了6 μm銅箔的電沉積參數(shù)。由于極薄銅箔與常規(guī)厚度電解銅箔的部分制造過程相似,因此上述研究為極薄銅箔的生產(chǎn)制造奠定了理論和技術(shù)基礎(chǔ)。
近年來,對于極薄銅箔制造過程關(guān)鍵質(zhì)量要素管控技術(shù)的研究也逐漸開始。例如,劉耀[9]研究了不同添加劑配比對5 μm極薄銅箔抗拉強(qiáng)度等性能的影響,并對影響關(guān)系曲線進(jìn)行擬合,為極薄銅箔關(guān)鍵質(zhì)量要素的管控提供了理論依據(jù);韓國強(qiáng)等[10]通過調(diào)整電解工藝參數(shù)和添加劑比例,制造出組織均勻、性能優(yōu)良的4.5 μm雙面光極薄銅箔。此外,由于生產(chǎn)環(huán)境、生產(chǎn)設(shè)備和工藝參數(shù)等因素異常波動,容易降低銅箔的良品率。針對常規(guī)厚度電解銅箔的剝離強(qiáng)度、表面缺陷及抗氧化性等無法滿足客戶要求等問題,文獻(xiàn)[11]、[12]則通過大量的工程經(jīng)驗,總結(jié)出常見銅箔質(zhì)量問題的影響因素和應(yīng)對方法。
綜上所述,當(dāng)前已有眾多學(xué)者研究了銅箔制造過程中關(guān)鍵質(zhì)量要素對于銅箔組織性能的影響,并就常見的銅箔質(zhì)量問題提出了自己的應(yīng)對方式。但是現(xiàn)有研究工作以常規(guī)厚度銅箔制造過程為背景較多;同時,現(xiàn)有研究主要關(guān)注于銅箔制造過程中單一階段的關(guān)鍵質(zhì)量要素,對于極薄銅箔制造全過程的關(guān)鍵質(zhì)量要素的管控及常見的質(zhì)量問題的應(yīng)對分析的研究比較匱乏。
因此,本文首先對高強(qiáng)極薄銅箔的制造過程及其特點進(jìn)行分析,然后以載體箔、剝離層及最終極薄銅箔為對象進(jìn)行質(zhì)量管控要素的剖析,最后結(jié)合銅箔生產(chǎn)實踐經(jīng)驗對常見質(zhì)量問題及應(yīng)對方法進(jìn)行分析,從而為實現(xiàn)高強(qiáng)極薄銅箔的質(zhì)量穩(wěn)定性控制及產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)提供技術(shù)支撐。
高強(qiáng)極薄銅箔的結(jié)構(gòu)如圖1所示,主要由載體箔、剝離層、極薄銅箔層和表面處理層構(gòu)成,然后與樹脂壓合,形成基板應(yīng)用于下游產(chǎn)業(yè)。
圖1 高強(qiáng)極薄銅箔的結(jié)構(gòu)Fig. 1 The structure of high-strength and ultra-thin copper foil
圖2為其生產(chǎn)制造流程,一般分為5個工序:溶銅、載體箔制備、剝離層與極薄銅箔制備、表面處理和分切包裝。
圖2 高強(qiáng)極薄銅箔的生產(chǎn)制造流程Fig. 2 The manufacturing process of high-strength and ultra-thin copper foil
(1)溶銅:在溶銅造液系統(tǒng)中用硫酸、純水和空氣,將銅料制成硫酸銅溶液,并經(jīng)過多層過濾,為后面載體箔和極薄銅箔的制備提供高純度的硫酸銅電解液。
(2)載體箔制備:在生箔機(jī)中利用電沉積原理,使得硫酸銅電解液在直流電流(2 ~ 6 V,15~60 kA)的作用下銅離子于陰極輥表面沉積形成金屬銅(Cu2++2e-→Cu),經(jīng)過陰極輥的連續(xù)轉(zhuǎn)動和剝離等工序,收卷制成載體箔[13]。
(3)剝離層制備:主要設(shè)備為特殊制箔機(jī),清洗載體箔表面后,然后將載體箔放入有機(jī)物溶液中進(jìn)行吸附,形成有機(jī)剝離層,如巰基苯并噻唑(MBT)、油酸等,或放入電鍍液中進(jìn)行電沉積形成無機(jī)剝離層(例如Ni-Mo、Ni-Cr等合金層)[14]。
(4)極薄銅箔制備:該階段也是在特殊制箔機(jī)中進(jìn)行,制備出剝離層后,在鍍銅電解液中,通過電沉積方式在剝離層上沉積一層厚度在1.5 ~ 4.5 μm的極薄銅箔[15]。
(5)表面處理:生產(chǎn)設(shè)備是高精度全自動表面處理機(jī),其主要目的是提高極薄銅箔和樹脂的剝離強(qiáng)度、極薄銅箔的抗氧化性和可蝕刻性等物理化學(xué)性能,一般包括酸洗、水洗、粗化、固化、防氧化和硅烷偶聯(lián)化等步驟[16]。
(6)分切包裝:根據(jù)客戶對銅箔的幅寬、重量和尺寸等要求,對銅箔進(jìn)行分切、檢驗及包裝等。
綜上所述,高強(qiáng)極薄銅箔的生產(chǎn)制造是典型的流程型生產(chǎn)過程,環(huán)節(jié)眾多且耦合性高、產(chǎn)品質(zhì)量管控要素多,且需分階段管控,因此要實現(xiàn)其高質(zhì)量生產(chǎn),需要對各制造階段中的工藝參數(shù)、產(chǎn)品參數(shù)及相關(guān)設(shè)備參數(shù)等質(zhì)量要素進(jìn)行識別與分析,從而為后續(xù)構(gòu)建多維度集成質(zhì)量控制提供依據(jù)。
高強(qiáng)極薄銅箔的生產(chǎn)制造流程可知,以生箔機(jī)、特殊制箔機(jī)和表面處理機(jī)3個生產(chǎn)設(shè)備為中心的制造環(huán)節(jié),是高強(qiáng)極薄銅箔生產(chǎn)的核心,因此本文重點關(guān)注在生箔機(jī)、特殊制箔機(jī)和表面處理機(jī)上進(jìn)行的載體箔制備、剝離層與極薄銅箔制備、表面處理等這幾個核心工序,并對其質(zhì)量管控要素進(jìn)行分析。
在載體箔制備工序中,針對載體箔的質(zhì)量管控要素主要有:厚度、厚度均勻性、表面粗糙度Ra/Rz等。
(1)厚度控制:載體箔的厚度有機(jī)械厚度和標(biāo)稱厚度兩種,機(jī)械厚度一般指銅箔某些位置的厚度測量值,標(biāo)稱厚度與銅箔的單位面積質(zhì)量相對應(yīng),亦稱標(biāo)重或基重。載體箔厚度的控制,一般在載體箔制備工序中通過控制生產(chǎn)電流和陰極輥轉(zhuǎn)速來實現(xiàn),當(dāng)陰極輥直徑固定時,在恒定生產(chǎn)電流下,陰極輥轉(zhuǎn)速越高其標(biāo)重越?。?1]。但是在實際生產(chǎn)過程中,在相同生箔機(jī)上使用相同的生產(chǎn)電流和陰極輥轉(zhuǎn)速得到的載體箔標(biāo)重也不完全一樣,極距、溶液溫度、溶液流速、添加劑的種類和陽極板的涂層狀態(tài)等都會對電沉積速度產(chǎn)生一定的影響。
(2)厚度均勻性控制:為保證后續(xù)剝離層制備時具有更均一平整的結(jié)構(gòu),要嚴(yán)格控制載體箔縱向和橫向的厚度均勻性,一般通過陽極屏蔽和極間流速調(diào)節(jié)進(jìn)行控制。
陽極屏蔽主要對厚度縱向均勻性進(jìn)行控制,對于鉛陽極而言,陽極腐蝕產(chǎn)生的硫酸鉛會影響陽極電位和電流分布,從而導(dǎo)致各位置的銅離子電沉積速度發(fā)生變化,引起局部厚度的變化。對于鈦陽極,其表面涂覆一層二氧化銥,能夠減緩陽極腐蝕速度,且有利于電流的均勻分布和降低陽極的電極電位,因此銅箔的厚度縱向均勻性更高。極間流速調(diào)節(jié)則是通過控制往生箔機(jī)中輸送液體的多個進(jìn)液管流量的一致性來實現(xiàn)的,進(jìn)液流量一致性越高,則銅箔幅寬方向即橫向的厚度均勻性越高[11-12]。
(3)S面Ra/Rz控制:Ra和Rz是表面粗糙度的常用表征方式,其中Ra表示輪廓算術(shù)平均偏差,Rz表示微觀不平度十點高度。對于載體箔光面S面而言,主要控制的是表面粗糙度Ra和Rz。一般要求,在滿足剝離層與載體箔之間具有適當(dāng)?shù)慕Y(jié)合強(qiáng)度,S面Ra和Rz越小越好。對于S面Ra和Rz的控制,一般是通過控制陰極輥的表面粗糙度來實現(xiàn),即陰極輥使用一定時間后,必須進(jìn)行拋磨,降低陰極輥的表面粗糙度到控制范圍,同時去除掉陰極輥表面的氧化層、雜質(zhì)及添加劑分解物。
(4)M面Rz控制:對于載體箔毛面M面而言,主要控制的是表面粗糙度Rz,為保證極薄銅箔電沉積和表面處理完成后,極薄銅箔與載體箔一同收卷時,降低載體箔M面質(zhì)量對極薄銅箔的摩擦、劃傷等不利影響,一般要求載體箔M面的粗糙度Rz越小越好。
對于載體箔M面Rz的控制,載體箔制備時的硫酸銅濃度、硫酸濃度和添加劑類型及濃度、溶液溫度等都有影響[17],因此在實際生產(chǎn)中,要嚴(yán)格管控電解液的純度、雜質(zhì)含量及添加劑的用量等。
在剝離層制備工序中,針對剝離層的質(zhì)量管控要素主要有:剝離層與載體箔之間的結(jié)合強(qiáng)度、剝離層與極薄銅箔之間的剝離強(qiáng)度。
如圖3所示,一般要求載體箔、剝離層與極薄銅箔形成“三明治”結(jié)構(gòu),當(dāng)極薄銅箔與樹脂壓合并在進(jìn)行載體箔揭除時,要求剝離層與載體箔保持結(jié)合,與極薄銅箔相互分離。
圖3 極薄銅箔剝離過程Fig. 3 The peeling process of ultra-thin copper foil
以復(fù)合結(jié)構(gòu)的剝離層為例,一般通過在有機(jī)溶液中吸附形成有機(jī)剝離層,然后在電鍍液中進(jìn)行兩步電沉積形成無機(jī)剝離層Ni-Cr等合金層,通過有機(jī)剝離層和無機(jī)剝離層與載體箔、極薄銅箔之間的結(jié)合力差異,從而實現(xiàn)極薄銅箔的平穩(wěn)剝離。在剝離層制備中,有機(jī)溶液的成分及濃度、添加劑的類型及濃度、電鍍液的成分及濃度、溶液溫度、電鍍電流等都會對剝離層的剝離強(qiáng)度有決定性的影響。
在極薄銅箔制備工序和表面處理工序中,針對極薄銅箔的質(zhì)量管控要素主要有:厚度、厚度均勻性、表面粗糙度Rz、抗拉強(qiáng)度和延伸率等。
(1)極薄銅箔厚度控制:在鍍銅液中通過多次沉積形成極薄銅箔,厚度為1.5 ~ 4.5 μm,主要通過電鍍電流和沉積時間來控制極薄銅箔的厚度。極薄銅箔電沉積過程滿足法拉第電沉積定律[18]:
式中:m為陰極上沉積的銅質(zhì)量,單位為g;k為銅的電化學(xué)當(dāng)量,值為1.1855 g/(A·h);I為電鍍電流大小,單位為A;t為電沉積時間,單位為h。
根據(jù)電流效率η,計算出實際的銅沉積量[18]:
式中:m0為實際的銅沉積量,單位為g;ρ為銅的密度,取值為8.9 g/cm3;s為銅箔的表面積,單位為cm2;h為銅箔的厚度,單位為cm。
根據(jù)電沉積時間和導(dǎo)輥直徑,可計算出特殊制箔機(jī)的轉(zhuǎn)速:
式中:d為導(dǎo)輥直徑,單位為m;t為電沉積時間,單位為h;n為轉(zhuǎn)速,單位為m/min。
在實際生產(chǎn)中,根據(jù)式(1)~ 式(3)計算理論轉(zhuǎn)速后,還需要進(jìn)行轉(zhuǎn)速微調(diào),因為極薄銅箔厚度的影響因素還有電解液濃度、溶液溫度、電沉積次數(shù)以及表處理的粗化層和固化層的沉積量等。
(2)極薄銅箔厚度均勻性控制:為保證極薄銅箔在表面處理時得到均一的微粗化處理結(jié)構(gòu)與合金層,以及穩(wěn)定的內(nèi)在力學(xué)性能,必須對縱向和橫向的厚度均勻性嚴(yán)格控制。一般而言,陽極的涂層狀態(tài)對極薄銅箔厚度的橫向均勻性影響較大,而鍍銅液的成分、濃度、溫度、電鍍電流以及轉(zhuǎn)速的穩(wěn)定性對縱向均勻性影響較大。
(3)極薄銅箔表面Rz控制:對于該項粗糙度Rz,主要由極薄銅箔的輪廓峰值與粗化層決定。在極薄銅箔制備工序中,要高度關(guān)注鍍銅液的質(zhì)量、溫度、流速平穩(wěn)性、添加劑用量等。在表面處理工序中,要嚴(yán)格管控添加劑的種類和用量,因為合適的添加劑在電沉積過程中可以起到極化作用,會形成更多生長點,使粗化層向輪廓山谷生長,從而使得極薄銅箔表面Rz變小,但仍具有較高抗剝離強(qiáng)度[19]。
一般而言,只要極薄銅箔與樹脂的抗剝離強(qiáng)度能夠滿足使用要求,Rz值還是低一點且一致性高更好。因為Rz值過大的話容易導(dǎo)致印制電路板PCB蝕刻時出現(xiàn)殘銅現(xiàn)象,其本質(zhì)原因是因為極薄銅箔的輪廓峰值不均勻和粗化層結(jié)構(gòu)過大引起的。
(4)抗拉強(qiáng)度和延伸率控制:銅箔的抗拉強(qiáng)度和延伸率分為常溫23 ℃和高溫180 ℃兩種表示方式,主要是在極薄銅箔制備工序中通過調(diào)節(jié)添加劑的種類和用量來進(jìn)行控制的。常用的添加劑有聚二硫二丙烷磺酸鈉(SPS)、聚乙二醇(PEG)、羥乙基纖維素(HEC)、Cl-以及明膠等,不同的添加劑種類、用量以及配比方式等都會對極薄銅箔的抗拉強(qiáng)度、延伸率和表面粗糙度Rz產(chǎn)生不同的影響,因此在實際生產(chǎn)過程中,要時刻關(guān)注銅箔的生產(chǎn)狀況,調(diào)節(jié)添加劑的類型和用量,尋找一個平衡點,使得銅箔抗拉強(qiáng)度適中,延伸率合格,Rz較小且均勻。一般而言,抗拉強(qiáng)度和延伸率是負(fù)相關(guān)的,若要求具有較高抗拉強(qiáng)度的同時,延伸率也很高,生產(chǎn)過程中一般使用特殊的混合添加劑。
(5)極薄銅箔與樹脂剝離強(qiáng)度控制:主要影響因素有:極薄銅箔表面Rz的大小及一致性;粗化層的結(jié)構(gòu)與大??;硅烷偶聯(lián)劑的種類和涂覆量;樹脂類型;測試條件等。
極薄銅箔表面Rz越大、輪廓峰越尖銳、一致性越好,極薄銅箔與樹脂間的剝離強(qiáng)度越高;粗化層結(jié)構(gòu)越大、瘤狀顆粒越多、展開角度越大(近45 °),剝離強(qiáng)度越高。
在極薄銅箔表面粗糙度Rz小于1.3 μm的情況下,要保證極薄銅箔與樹脂之間的剝離強(qiáng)度不小于1.2 N/mm,這項要求僅靠粗化和固化等常規(guī)工藝無法實現(xiàn),要通過粗化、固化、合金化、防氧化及硅烷偶聯(lián)化等工藝的改進(jìn)來實現(xiàn)。
(6)耐化學(xué)性控制:對于極薄銅箔毛面,即極薄銅箔與樹脂的黏合面,耐腐蝕性過強(qiáng)會導(dǎo)致蝕刻不凈,制作電路板PCB時會發(fā)現(xiàn)基材變暗,線路絕緣性較差。耐腐蝕性過弱,則容易出現(xiàn)線條側(cè)面腐蝕現(xiàn)象,嚴(yán)重的會造成線條脫落。無論是耐腐蝕性過強(qiáng),還是過弱,大都與表面處理有關(guān)[20-21]。
一般來講耐化學(xué)性與極薄銅箔表面的阻擋層、耐高溫層的厚度和比例有關(guān),與防氧化層也有一定的關(guān)系。通常狀況,阻擋層、耐高溫層、防氧化膜一般是一層很?。s50 nm)的銅-砷合金、鋅-鎳合金等二元合金,然后加鋅鉻酸鹽膜進(jìn)行防氧化。因此,對于極薄銅箔的耐化學(xué)性,一般通過控制阻擋層、耐高溫層和防氧化層等的成分和結(jié)構(gòu)來進(jìn)行。
(7)極薄銅箔顏色控制:極薄銅箔的表面顏色實際上對PCB在蝕刻方面沒有影響,但是CCL和PCB等下游廠家都希望銅箔的顏色保持穩(wěn)定。不同表面顏色的極薄銅箔如圖4所示。
圖4 不同表面顏色的銅箔[22]Fig. 4 Copper foil with different surface colors[22]
極薄銅箔表面顏色的穩(wěn)定狀態(tài)能夠反映極薄銅箔制備和表面處理工序的生產(chǎn)工藝控制水平。一般來講,影響極薄銅箔表面顏色的主要因素有:極薄銅箔表面Rz的大小及一致性;粗化層的結(jié)構(gòu)與大小;鹽膜的成分、結(jié)構(gòu)與厚度;溶液的狀態(tài)參數(shù)濃度、溫度等;電鍍電流的大小等。
極薄銅箔表面粗糙度Rz越大,單位面積內(nèi)的輪廓峰數(shù)目越少,粗化處理后銅箔的比表面積越小,同等表面處理條件下沉積量越少,顏色越淺;而粗化層的展開度越大或者粗化層越厚,顏色越深[22]。
極薄銅箔表面顏色的控制難點在于:鍍液濃度、溫度和進(jìn)液流量的穩(wěn)定性、添加劑的配比和用量等。同時,保證鍍液的純度也十分重要,因為雜質(zhì)的存在會改變銅離子沉積時的結(jié)晶取向,從而影響到表面粗糙度Rz進(jìn)而影響到極薄銅箔的表面顏色。
(8)抗氧化性控制:極薄銅箔的抗氧化性分為常溫20 ℃和高溫200 ℃或260 ℃兩種狀態(tài),一般指極薄銅箔毛面的抗氧化性。通常情況下,在鈍化鹽膜中鋅量越高,銅箔的高溫抗氧化性越強(qiáng),鉻含量越高,常溫存放能力越強(qiáng)。
常溫抗氧化性較差,會形成黑色小點,雖然在PCB制造過程中可以通過微蝕或磨刷去掉,但由于影響CCL的外觀,客戶一般不接受。常溫抗氧化性過強(qiáng),在PCB制作覆膜的過程中,容易造成結(jié)合力下降,容易脫膜,造成蝕刻線條不平滑或殘銅廢品。因此,生產(chǎn)過程中需要嚴(yán)格控制防氧化鹽膜的沉積量及結(jié)構(gòu),在抗氧化性、耐化學(xué)性等性能要求間尋找最佳平衡點。
(9)表面外觀控制:常見的銅箔表面缺陷有凹坑和劃傷,褶皺,黃點、藍(lán)點和紅點等斑點,針孔和滲透點等4種類型。典型的銅箔表面缺陷如圖5所示。
圖5 典型的銅箔表面缺陷Fig. 5 Typical surface defects of copper foil
凹坑是銅箔受外界作用力而產(chǎn)生局部變形,主要由于生產(chǎn)環(huán)境的凈化不良造成的。劃傷一般是外界固態(tài)雜質(zhì)造成的銅箔蹭傷或磨傷,一般通過加強(qiáng)過濾以提高電解液的純度得到解決。
褶皺有兩種類型,一種是在外力作用下銅箔發(fā)生的塑性形變而產(chǎn)生,一般為設(shè)備的導(dǎo)輥不水平或張力不穩(wěn)定造成。另一種是彈性形變,拉緊狀態(tài)會不明顯,一般由厚度的橫向致密性不一致導(dǎo)致的。
至于黃點、藍(lán)點和紅點,一般在表面處理工序中形成的,與水洗、溶液雜質(zhì)、通風(fēng)等條件有關(guān)。
如圖6所示,針孔和滲透點是在極薄銅箔制備工序中產(chǎn)生的,針孔是透光的直孔,滲透點是疏松鍍層形成的曲孔,這兩類缺陷一般都是由微小的顆粒狀雜質(zhì)引起。雜質(zhì)的存在,引起了析氫電位的變化造成過飽和氫氣析出,針孔和滲透點因而產(chǎn)生。
圖6 針孔和滲透點Fig. 6 Pinhole and penetration point
針對銅箔生產(chǎn)中使用的溶液,如生箔機(jī)中的硫酸銅電解液、表面處理機(jī)中的金屬鍍液等,當(dāng)這些溶液出現(xiàn)質(zhì)量問題時,一般采取的應(yīng)對方法如下。
3.1.1 電解液質(zhì)量問題的應(yīng)對方法
(1)在溶銅造液中,原材料陰極銅或生產(chǎn)設(shè)備的油性物質(zhì)等進(jìn)入電解液,引入金屬離子或不溶性雜質(zhì),導(dǎo)致電解液純度偏低,一般的應(yīng)對方法為檢查或更換過濾裝置,將電解液中的雜質(zhì)吸附過濾。
(2)若電解液濃度波動過大,使得載體箔和極薄銅箔的制備出現(xiàn)質(zhì)量不合格時,應(yīng)對方法為將不合格銅箔作為銅料進(jìn)行電解液的重新制備。
3.1.2 金屬鍍液質(zhì)量問題的應(yīng)對方法
(1)在表面制液環(huán)節(jié)中,進(jìn)行不同的金屬鍍液的調(diào)配時,若出現(xiàn)多余的雜質(zhì)離子或者不溶性物質(zhì),一般是通過加強(qiáng)過濾進(jìn)行應(yīng)對。
(2)若在某個時間段內(nèi),其濃度和溫度變化過大,導(dǎo)致極薄銅箔制備和表面處理工序出現(xiàn)異常,一般需要停機(jī)進(jìn)行檢查,重新調(diào)配鍍液的濃度和溫度,直至產(chǎn)品質(zhì)量恢復(fù)到合格狀態(tài)。
針對生產(chǎn)設(shè)備上關(guān)鍵部件的質(zhì)量問題,如陰極輥和陽極板,一般采取的應(yīng)對方法如下。
3.2.1 陰極輥質(zhì)量問題的應(yīng)對方法
(1)載體箔生產(chǎn)時間的增加,陰極輥表面的機(jī)械和電化學(xué)腐蝕越嚴(yán)重,載體箔光面狀態(tài)也隨之變差。因此陰極輥使用一定時間后需進(jìn)行在線或離線拋磨,將陰極輥表面因腐蝕而生成的氧化膜去除。
(2)離線拋磨是將陰極輥吊離生箔槽,在特定的拋磨機(jī)上進(jìn)行,由于需要停機(jī)停產(chǎn)進(jìn)行,影響生產(chǎn)效率,因此使用的頻次一般為1~3個月。
(3)在線拋磨就是陰極輥不吊離生箔槽,一邊生產(chǎn)一邊進(jìn)行拋磨,但這時生產(chǎn)的載體箔是廢箔。一般每天進(jìn)行一次在線拋磨,有利于陰極輥表面保持較好的狀態(tài),同時保證載體箔的質(zhì)量。
3.2.2 陽極板質(zhì)量問題的應(yīng)對方法
(1)使用時間的增加,鉛陽極腐蝕越來越嚴(yán)重,致使極距增大,槽電壓上升,導(dǎo)致各位置的銅離子電沉積速度發(fā)生變化,引起局部厚度變化,對此應(yīng)對方法是使用有涂覆層的鈦陽極,其耐腐蝕性較好,有利于提高銅箔的厚度均勻性。
(2)對于鈦陽極,根據(jù)人工經(jīng)驗和產(chǎn)品質(zhì)量狀態(tài),一般使用3~ 6個月后更換整套陽極板。
針對典型的極薄銅箔表面缺陷,例如針孔、滲透點等,一般采取的應(yīng)對方法如下。
3.3.1 針孔、滲透點的應(yīng)對方法
(1)原材料陰極銅或生產(chǎn)設(shè)備的油性物質(zhì)進(jìn)入電解液中導(dǎo)致的針孔、滲透點,無規(guī)律,一般通過活性炭或吸油濾布來吸附解決。
(2)陰極輥表面粘附有機(jī)物類雜質(zhì)或拋磨后清洗不干凈導(dǎo)致出現(xiàn)針孔,需要重新拋磨處理。
3.3.2 疙瘩、褶皺的應(yīng)對方法
(1)疙瘩:對生箔機(jī)槽體內(nèi)部進(jìn)行清洗,將各種雜質(zhì)通過排污口排出,或者對過濾系統(tǒng)進(jìn)行檢查、更換,確保沒有跑濾現(xiàn)象出現(xiàn)。
(2)褶皺:解決方法一般為嚴(yán)格控制張力大小及穩(wěn)定性、陽極表面涂層狀態(tài)、陰極表面電流分布和烘干溫度等。
本文針對高強(qiáng)極薄銅制造過程中各階段產(chǎn)品的質(zhì)量管控要素、質(zhì)量管控方式以及常見問題的應(yīng)對方法,進(jìn)行了系統(tǒng)的分析與探討,主要結(jié)論如下:
(1)針對高強(qiáng)極薄銅箔的制造過程復(fù)雜且耦合性強(qiáng)、質(zhì)量管控要素眾多且影響關(guān)系復(fù)雜等特點,本文開展了高強(qiáng)極薄銅箔制造過程中的關(guān)鍵質(zhì)量要素及其管控方式的分析,可為企業(yè)實現(xiàn)高強(qiáng)極薄銅箔的高質(zhì)量和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)提供質(zhì)量控制依據(jù)。
(2)針對高強(qiáng)極薄銅箔制造過程中的溶液質(zhì)量問題、關(guān)鍵部件質(zhì)量問題和典型表面缺陷的質(zhì)量問題,分析了不同質(zhì)量問題的常規(guī)應(yīng)對方法。不僅能為企業(yè)改進(jìn)高強(qiáng)極薄銅箔的生產(chǎn)工藝提供指導(dǎo),同時也可以為后續(xù)智能化和系統(tǒng)化的質(zhì)量控制技術(shù)與軟件系統(tǒng)的研發(fā)提供知識支撐。