陳影, 段然, 許子言, 唐瑞琪, 童穎萍, 趙東宇
(北京航空航天大學(xué) 化學(xué)學(xué)院, 北京 100191)
藍(lán)相液晶由于其高度有序的自組裝三維晶格結(jié)構(gòu)被看作為一種三維光子晶體,具有可見(jiàn)光范圍內(nèi)的光子帶隙。同時(shí)憑借其固有的液晶特性,藍(lán)相液晶具有對(duì)外部刺激的高度可調(diào)諧性,包括其晶格取向[1]、光子帶隙[2]、晶體結(jié)構(gòu)[3]和雙折射在內(nèi)的性質(zhì)均可在外場(chǎng)的作用下被調(diào)制?;谏鲜鰞?yōu)點(diǎn),藍(lán)相液晶被認(rèn)為是最有潛力的光子晶體材料之一[4-6]。然而,藍(lán)相液晶結(jié)構(gòu)的不穩(wěn)定導(dǎo)致了其較窄的穩(wěn)態(tài)溫域,嚴(yán)重限制了藍(lán)相的應(yīng)用。為拓寬藍(lán)相溫域,研究人員提出一系列方法[7-9],其中最常用的方法是通過(guò)聚合物網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定藍(lán)相液晶[10],這一方法進(jìn)一步開(kāi)拓了藍(lán)相液晶在防偽、傳感、刺激響應(yīng)材料等方面的應(yīng)用前景[11-14]。在過(guò)去的幾年里,研究者們一直在努力研發(fā)基于藍(lán)相液晶的軟光子晶體材料,旨在創(chuàng)造出能在機(jī)械力、電場(chǎng)和光等外部刺激下改變其結(jié)構(gòu)色的智能材料。然而,很少有研究將熒光物質(zhì)引入藍(lán)相液晶體系以拓展其應(yīng)用領(lǐng)域。此外,熒光強(qiáng)度的可調(diào)諧性對(duì)于主動(dòng)發(fā)光顯示器等設(shè)備至關(guān)重要。光子帶隙的調(diào)節(jié)可以影響熒光發(fā)射強(qiáng)度,因此,具有可調(diào)諧光子帶隙的藍(lán)相液晶在這些應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光材料通常在溶液狀態(tài)下展現(xiàn)出卓越的發(fā)光性能,然而在聚集狀態(tài)下,它們的發(fā)光性能會(huì)急劇下降。這種由聚集引起的發(fā)光猝滅現(xiàn)象被稱為聚集誘導(dǎo)猝滅(Aggregation-Caused Quenching, ACQ),這一現(xiàn)象嚴(yán)重限制了有機(jī)發(fā)光材料的實(shí)際應(yīng)用[15]。2001年,唐本忠課題組發(fā)現(xiàn)一系列的噻硌分子在溶液狀態(tài)下沒(méi)有熒光,但在聚集狀態(tài)下具有明顯的熒光現(xiàn)象,并將其總結(jié)為聚集誘導(dǎo)發(fā)光(Aggregation-Induced Emission,AIE)[16]。在稀溶液中,分子幾乎不發(fā)光。但當(dāng)它們聚集在一起時(shí),發(fā)光顯著增強(qiáng),熒光量子產(chǎn)率也有所提高。具有這種性質(zhì)的發(fā)光基團(tuán)被定義為AIE基元(AIEgen)。一些典型的AIEgen包括四苯基乙?。═etraphenylethene,TPE)和六苯基噻硌(Hexaphenylsilole,HPS)等具有特定螺旋槳狀結(jié)構(gòu)的化合物?;诜肿觾?nèi)運(yùn)動(dòng)受限(Restriction of Intramolecular Motions,RIM)機(jī)理[17]及分子結(jié)構(gòu)剛硬化 (Structural Rigidification,SR)原理,AIE體系已得到很大發(fā)展。由于AIE材料獨(dú)特的聚集發(fā)光性質(zhì),它們已被廣泛應(yīng)用于光電器件、生物成像及熒光傳感等領(lǐng)域[18-20]。
一般而言,液晶分子是由剛性單元與柔性基團(tuán)連接而成,具有AIE性質(zhì)的發(fā)光液晶的設(shè)計(jì)通常也遵循這一原則。因此,將柔性的烷基鏈或烷氧基鏈與剛性的AIE核連接起來(lái)是構(gòu)建具有AIE性質(zhì)的發(fā)光液晶的有效手段之一[21-23]。在AIE熒光分子中,四苯基乙烯因其較高的固態(tài)發(fā)光效率和多功能性,已被廣泛用于構(gòu)建AIE液晶。
我們?cè)谇捌诠ぷ髦邪l(fā)現(xiàn),膽甾相液晶對(duì)于AIE分子具有一定的熒光增強(qiáng)作用[24]?;贏IE分子的分子內(nèi)運(yùn)動(dòng)受限機(jī)理以及膽甾相液晶和藍(lán)相液晶分子排列的相似性,本文將AIE分子TPE-PPE引入藍(lán)相液晶體系,系統(tǒng)研究并歸納了手性添加劑含量對(duì)藍(lán)相液晶相轉(zhuǎn)變行為和光子帶隙位移情況的影響,同時(shí)探究了藍(lán)相液晶對(duì)TPE-PPE熒光性能的影響,并提出了相關(guān)熒光增強(qiáng)效應(yīng)的假說(shuō)。這在目前的研究中鮮有報(bào)道,對(duì)更好地理解藍(lán)相液晶以及其相關(guān)應(yīng)用發(fā)展具有一定的現(xiàn)實(shí)意義。
本文所采用的材料包括以下成分:二氯甲烷、四氫呋喃、氫氧化鈉溶液以及常見(jiàn)分析純?cè)噭?,?lái)自北京化學(xué)試劑公司;向列相液晶HTG-135200,由江蘇和成顯示有限公司提供;向列相液晶BHR20400,由北京八億時(shí)空液晶科技股份有限公司提供;可聚合液晶單體C6M,由江蘇和成顯示有限公司提供;手性化合物R811、R5011,由石家莊誠(chéng)志永華顯示材料有限公司提供;非液晶性可聚合單體1,1,1-三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA),由梯希愛(ài)(上海)化成工業(yè)發(fā)展有限公司提供;光引發(fā)劑安息香雙甲醚(I-651),由百靈威科技有限公司提供;聚集誘導(dǎo)發(fā)光熒光分子TPE-PPE由本實(shí)驗(yàn)室成員合成。上述材料結(jié)構(gòu)式如圖1所示。
圖1 所用實(shí)驗(yàn)材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式Fig.1 Chemical structural formula of the experimental materials used
實(shí)驗(yàn)采用偏光顯微鏡(Olympus BX51)搭載THMS600型精確控溫冷熱臺(tái),并通過(guò)復(fù)享光學(xué)CMS光譜擴(kuò)展口搭載光纖光譜儀ULS2048x64,可在精確控溫條件下觀察液晶織構(gòu)和相變行為并實(shí)時(shí)測(cè)量樣品的反射光譜。熒光光譜儀(FS5)搭載mK2000B型精確控溫冷熱臺(tái),可在精確控溫條件下測(cè)量樣品升降溫過(guò)程中的熒光光譜。
取用兩片未經(jīng)過(guò)取向處理的ITO玻璃基板,將導(dǎo)電面相對(duì),中間用兩片厚度約為20 μm的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)薄膜隔開(kāi),用以控制液晶層厚度。而后用膠水封住邊框并留出液晶灌注口,得到無(wú)取向?qū)拥目找壕Ш小?/p>
將混合物材料以一定的比例稱量,放入10 mL玻璃瓶中,加入適量的二氯甲烷溶劑,在超聲波清洗機(jī)中超聲10 min,使混合物中分子完全溶解。再將玻璃瓶放入真空干燥箱中干燥10 h,溫度設(shè)定為60 ℃,使二氯甲烷完全揮發(fā),最終得到均勻混合的藍(lán)相液晶前驅(qū)體。
將液晶混合物與液晶盒加熱至清亮點(diǎn)以上溫度,用移液槍或針管取適量液晶混合物涂在液晶盒的灌注口處,液晶混合物將在毛細(xì)作用和壓力差的共同作用下被均勻吸入液晶盒中。最后用膠封住灌注口,完成樣品的灌注。
將灌注藍(lán)相液晶的液晶盒放置于精確控溫冷熱臺(tái)上。首先加熱至清亮點(diǎn)以上的溫度,以3 ℃/min的速度降溫至接近藍(lán)相相態(tài)的溫度,再以0.1 ℃/min的速率降溫至藍(lán)相。待藍(lán)相的織構(gòu)穩(wěn)定后,在需要的溫度下,以365 nm的紫外點(diǎn)光源照射樣品,光照強(qiáng)度為20 mW/cm2。
本實(shí)驗(yàn)采用的聚合物藍(lán)相液晶體系由4部分組成:向列相液晶、手性添加劑、液晶性的可聚合單體以及非液晶性的可聚合單體。其中,液晶性的可聚合單體C6M在體系中的作用相當(dāng)于向列相液晶,可參與藍(lán)相雙螺旋柱結(jié)構(gòu)的自組裝。液晶性的可聚合單體不參與雙螺旋柱結(jié)構(gòu)的自組裝,而是位于藍(lán)相液晶結(jié)構(gòu)的缺陷處,起到穩(wěn)定藍(lán)相結(jié)構(gòu)并拓寬溫域的作用[25]。由于藍(lán)相液晶的晶格常數(shù)在數(shù)百納米的量級(jí)上,與可見(jiàn)光波長(zhǎng)相當(dāng),因此其可被視為一種三維光子晶體,其反射波長(zhǎng),即光子帶隙(Photonic Bandgap, PBG)可用式(1)表示:
其中:n為平均折射率,a為藍(lán)相簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)或體心立方結(jié)構(gòu)的晶格常數(shù),d為晶面距離,θ為入射光與晶面[hkl]之間的角度,h、k、l為米勒常數(shù)。
在藍(lán)相液晶體系中,手性添加劑是影響其光子帶隙的主要因素。因此,我們制備了具有不同手性添加劑含量的藍(lán)相液晶體系,來(lái)探究手性添加劑含量對(duì)于藍(lán)相的相轉(zhuǎn)變行為和光子帶隙的溫度依賴性的影響。將樣品從略高于清亮點(diǎn)的溫度開(kāi)始以0.1 ℃/min的速率冷卻,通過(guò)偏光顯微鏡實(shí)時(shí)觀察樣品的相態(tài)變化,并通過(guò)顯微鏡搭載的光纖光譜儀對(duì)樣品的光子帶隙進(jìn)行同步監(jiān)測(cè)。如表1所示,對(duì)于手性添加劑R5011濃度(質(zhì)量分?jǐn)?shù))為3.2%、3.4%、3.6%、3.8%的4種藍(lán)相液晶預(yù)混物,其藍(lán)相溫域范圍基本保持一致。
表1 樣品HTG135200/R5011/C6M/TMPTA/TPE-PPE復(fù)合體系的成分組成及藍(lán)相溫域Tab.1 Composition and blue phase temperature range of sample HTG135200/R5011/C6M/TMPTA/TPE-PPE composite system
我們對(duì)這一系列藍(lán)相復(fù)合物體系的織構(gòu)及反射性質(zhì)分別進(jìn)行討論。其中,樣品T8N32的手性添加劑含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))為3.2%,隨著溫度的下降,于79.3 ℃進(jìn)入藍(lán)相。藍(lán)相Ⅲ在光學(xué)織構(gòu)上顯示出如同烏云狀的深色陰影,反射不遵循布拉格定律,反射較弱,在反射圖譜中觀察不到明顯的反射峰。隨著溫度下降,T8N32在78.5 ℃時(shí)開(kāi)始出現(xiàn)藍(lán)相Ⅱ的織構(gòu),如圖2(a)所示。藍(lán)相Ⅱ的反射波長(zhǎng)隨溫度的降低逐漸藍(lán)移,至77.5 ℃時(shí)藍(lán)移了約20 nm,同時(shí)藍(lán)相Ⅰ在此溫度下開(kāi)始出現(xiàn),其反射波長(zhǎng)約為575 nm,此時(shí)藍(lán)相Ⅱ與藍(lán)相Ⅰ的織構(gòu)并存。繼續(xù)降溫至74.5 ℃時(shí),藍(lán)相Ⅱ織構(gòu)完全消失,藍(lán)相Ⅰ較剛出現(xiàn)時(shí)略有藍(lán)移。由于藍(lán)相Ⅱ完全轉(zhuǎn)化為藍(lán)相Ⅰ,藍(lán)相Ⅰ的反射強(qiáng)度有了顯著增強(qiáng)。但至藍(lán)相結(jié)束前的71 ℃時(shí),藍(lán)相Ⅰ的反射波長(zhǎng)又從564 nm紅移至616 nm,如圖2(b)中紫色曲線所示。
圖2 樣品T8N32: (a) 降溫過(guò)程中的POM圖像;(b) 反射波長(zhǎng)的溫度依賴性;樣品T8N34: (c) 降溫過(guò)程中的POM圖像;(d) 反射波長(zhǎng)的溫度依賴性;樣品T8N36: (e) 降溫過(guò)程中的POM圖像;(f) 反射波長(zhǎng)的溫度依賴性;樣品T8N38: (g) 降溫過(guò)程中的POM圖像;(h) 反射波長(zhǎng)的溫度依賴性。Fig.2 Sample T8N32: (a) POM images during cooling process; (b) Temperature dependence of reflected wavelength;Sample T8N34: (c) POM images during cooling process; (d) Temperature dependence of reflected wavelength;Sample T8N36: (e) POM images during cooling process;(f) Temperature dependence of reflected wavelength;Sample T8N38: (g) POM images during cooling process; (h) Temperature dependence of reflected wavelength.
樣品T8N34的手性添加劑含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))為3.4%,如圖2(c)和(d)所示,其藍(lán)相Ⅱ織構(gòu)于77.6 ℃時(shí)出現(xiàn),此時(shí)反射波長(zhǎng)約為470 nm。繼續(xù)降溫至74 ℃時(shí),反射波長(zhǎng)輕微藍(lán)移至452 nm,同時(shí)在該溫度下藍(lán)相Ⅰ出現(xiàn),其反射波長(zhǎng)位于約520 nm處。隨著溫度持續(xù)降低,藍(lán)相Ⅱ織構(gòu)在72.5 ℃時(shí)消失。至70.5 ℃時(shí),藍(lán)相Ⅰ的光子帶隙從531 nm位移至573 nm。
兩種樣品對(duì)比可以發(fā)現(xiàn),系統(tǒng)手性的增加使得藍(lán)相Ⅰ出現(xiàn)的溫度降低,但對(duì)藍(lán)相Ⅱ的存在溫域無(wú)明顯影響,藍(lán)相Ⅱ的反射波長(zhǎng)在其存在溫域內(nèi)有小范圍藍(lán)移,這可能與手性添加劑的螺旋扭曲力(Helical Twisting Power,HTP) 隨溫度變化的依賴性有關(guān)。隨著溫度降低,手性添加劑R5011的螺旋扭曲力逐漸增大,導(dǎo)致藍(lán)相晶格常數(shù)減小,進(jìn)而使反射波長(zhǎng)發(fā)生藍(lán)移。此外,值得關(guān)注的是,兩個(gè)體系在藍(lán)相結(jié)束前的較窄溫度區(qū)間內(nèi)均出現(xiàn)了藍(lán)相Ⅰ對(duì)應(yīng)光子帶隙紅移的現(xiàn)象,這可能要?dú)w因于降溫過(guò)程中藍(lán)相Ⅰ的晶格結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的形變。由于此時(shí)體系內(nèi)僅存在藍(lán)相Ⅰ的結(jié)構(gòu),隨著溫度降低,其晶格常數(shù)增大,導(dǎo)致反射波長(zhǎng)紅移。
對(duì)于樣品T8N36,當(dāng)系統(tǒng)中手性添加劑質(zhì)量分?jǐn)?shù)升至3.6%時(shí),如圖2(e)、(f)所示,在整個(gè)降溫過(guò)程中,藍(lán)相Ⅱ織構(gòu)于76.8 ℃時(shí)出現(xiàn),反射波長(zhǎng)約為440 nm,至72.5 ℃時(shí)略有藍(lán)移,約為425 nm,并且藍(lán)相Ⅰ在該溫度下出現(xiàn),其反射波長(zhǎng)約為478 nm。在71.7 ℃時(shí),藍(lán)相Ⅱ消失,藍(lán)相Ⅰ的反射波長(zhǎng)隨著溫度降低逐漸紅移,在70 ℃時(shí)約為525 nm,較剛出現(xiàn)時(shí)紅移了約50 nm。在70 ℃后,其反射波長(zhǎng)略有紅移,但趨勢(shì)較之前已大為減緩。
樣品T8N38的手性添加劑含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))提升到了3.8%,從圖2(g)、(h)可以看到,其藍(lán)相體系的相轉(zhuǎn)變行為出現(xiàn)了較大變化。在降溫過(guò)程中,進(jìn)入藍(lán)相溫域后并未觀察到藍(lán)相Ⅱ的織構(gòu),至73.0 ℃時(shí)在POM圖像中出現(xiàn)了藍(lán)相Ⅰ的織構(gòu),并且在反射圖譜中觀察到了對(duì)應(yīng)的反射波長(zhǎng)。至藍(lán)相溫域結(jié)束前,觀察到了藍(lán)相Ⅰ反射波長(zhǎng)的紅移,這與上述樣品的行為類似。
綜合上述樣品的結(jié)果來(lái)看,隨著手性添加劑含量的提高,藍(lán)相體系的藍(lán)相Ⅰ及藍(lán)相Ⅱ的反射波長(zhǎng)范圍均向短波長(zhǎng)方向移動(dòng),如圖3所示。此外,當(dāng)手性添加劑含量提升到一定數(shù)值,即體系的手性到達(dá)某一值時(shí),會(huì)出現(xiàn)由藍(lán)相Ⅲ向藍(lán)相Ⅰ的直接轉(zhuǎn)變,而在整個(gè)藍(lán)相溫域內(nèi)不出現(xiàn)藍(lán)相Ⅱ。
圖3 不同手性添加劑含量的藍(lán)相體系對(duì)應(yīng)的藍(lán)相Ⅰ及藍(lán)相Ⅱ的反射波長(zhǎng)的溫度依賴性Fig.3 Temperature dependence of the reflection wavelength of blue phase Ⅰ and blue phase Ⅱ corresponding to the blue phase system with different chiral dopant
在以往的研究中,關(guān)于藍(lán)相系統(tǒng)的手性對(duì)其相轉(zhuǎn)變行為和光子禁帶的影響很少被探究,尤其是忽略了手性添加劑的含量對(duì)藍(lán)相Ⅰ和藍(lán)相Ⅱ的相轉(zhuǎn)變及光子禁帶的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),具有不同手性添加劑含量的藍(lán)相體系,其藍(lán)相Ⅱ的存在溫域基本一致。在降溫過(guò)程中,其反射帶隙在存在溫域內(nèi)有約20 nm的藍(lán)移。然而,藍(lán)相Ⅰ的行為與系統(tǒng)手性大小密切相關(guān)。以樣品T8N32為例,在進(jìn)入藍(lán)相溫域僅1.8 ℃后便出現(xiàn)藍(lán)相Ⅰ。在降溫過(guò)程中,藍(lán)相Ⅰ表現(xiàn)出與藍(lán)相Ⅱ類似的輕微反射帶隙藍(lán)移。但當(dāng)藍(lán)相Ⅱ反射帶隙完全消失,系統(tǒng)中僅存在藍(lán)相Ⅰ后,其反射帶隙表現(xiàn)出較大幅度(約50 nm)的紅移。對(duì)于其他組分含量相同的藍(lán)相體系,手性添加劑的含量影響藍(lán)相Ⅰ在整個(gè)藍(lán)相溫域內(nèi)出現(xiàn)的溫度。隨著系統(tǒng)手性的增加,藍(lán)相Ⅰ出現(xiàn)的溫度降低。當(dāng)手性增加到一定程度時(shí),如樣品T8N38,在降溫過(guò)程中,系統(tǒng)中不出現(xiàn)藍(lán)相Ⅱ,而是直接出現(xiàn)藍(lán)相Ⅰ。
具有AIE性質(zhì)的熒光分子TPE-PPE被引入藍(lán)相液晶體系,使該體系不僅具有了結(jié)構(gòu)色的特征,同時(shí)也獲得了熒光特性。此外,作為四苯基乙烯類熒光分子,TPE-PPE的4個(gè)苯環(huán)由單鍵連接至中心的乙烯基元上,苯環(huán)可以相對(duì)乙烯雙鍵旋轉(zhuǎn)或扭轉(zhuǎn),這些分子內(nèi)旋轉(zhuǎn)充當(dāng)了將激發(fā)態(tài)以非輻射性質(zhì)衰減至基態(tài)的弛豫通道。然而,在聚集態(tài)下,上述分子內(nèi)旋轉(zhuǎn)被束縛,阻斷了非輻射弛豫通道,從而使得熒光增強(qiáng)。因此,在液晶分子的自組裝結(jié)構(gòu),尤其是高度扭曲的藍(lán)相雙螺旋柱結(jié)構(gòu)中,TPE-PPE可以獲得顯著的熒光增強(qiáng)。此外,TPE-PPE作為具有液晶性的熒光分子,其液晶特性使其與液晶分子的相容性較高,從而在液晶體系中的溶解度較普通熒光分子有所提升。
通過(guò)穩(wěn)態(tài)熒光光譜與POM圖像探究了TPEPPE在該藍(lán)相液晶體系中的溶解度。如圖4所示,隨著TPE-PPE含量的升高,體系的熒光發(fā)射位置基本沒(méi)有變化,均位于約500 nm處。此外,當(dāng)TPE-PPE的質(zhì)量分?jǐn)?shù)≤1.2%時(shí),體系的熒光強(qiáng)度隨著TPE-PPE的含量增加呈線性增強(qiáng)的趨勢(shì),在TPE-PPE質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1.2%時(shí)熒光強(qiáng)度達(dá)到最大。當(dāng)TPE-PPE在體系中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)進(jìn)一步增加至2%時(shí),體系的熒光強(qiáng)度反而較TPEPPE質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1.2%的體系有所降低。
圖4 (a)具有不同含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))TPE-PPE的藍(lán)相液晶體系的PL圖譜 (λex=365 nm);(b) TPE-PPE含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))與藍(lán)相液晶體系熒光強(qiáng)度的關(guān)系;(c) 具有不同含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))TPE-PPE的藍(lán)相液晶體系在365 nm紫外燈下的照片。Fig.4 (a) PL spectra (λex=365 nm) of BPLC system with different content (mass fraction) of TPE-PPE; (b) Relationship between TPE-PPE content (mass fraction) and fluorescence intensity of BPLC system; (c) Photos of BPLC system with different content (mass fraction) of TPE-PPE under 365 nm UV light.
通過(guò)圖4(c)可以看出,在TPE-PPE質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%的熒光圖像中有部分較為明亮的斑點(diǎn),這與TPE-PPE析出導(dǎo)致的局部熒光強(qiáng)度增強(qiáng)相對(duì)應(yīng)。應(yīng)該注意的是,結(jié)晶后的TPE-PPE雖然具有更高的熒光強(qiáng)度,但并不利于整體熒光強(qiáng)度的提升,反而會(huì)導(dǎo)致體系的熒光強(qiáng)度下降。為了探究藍(lán)相液晶體系對(duì)具有AIE性質(zhì)的熒光分子熒光性能的影響,我們選擇了0.8%的TPE-PPE摻雜濃度(質(zhì)量分?jǐn)?shù))。同時(shí),結(jié)合藍(lán)相液晶體系的相轉(zhuǎn)變行為和光子禁帶,對(duì)該復(fù)合體系的熒光性質(zhì)進(jìn)行了綜合研究。
首先,對(duì)具有不同含量手性摻雜劑的藍(lán)相體系熒光強(qiáng)度進(jìn)行了探究。當(dāng)藍(lán)相體系中手性添加劑的含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))為3.2%時(shí),從圖5(b)可以看到,在85~79 ℃的降溫過(guò)程中,體系的熒光強(qiáng)度逐漸增強(qiáng)。這是由于TPE-PPE的熒光強(qiáng)度高度依賴于溫度,隨著溫度的降低,激發(fā)電子通過(guò)無(wú)輻射衰變返回基態(tài)的可能性降低,從而導(dǎo)致熒光強(qiáng)度增強(qiáng)。在剛由各向同性相轉(zhuǎn)變?yōu)樗{(lán)相時(shí),最先出現(xiàn)的是藍(lán)相Ⅲ,盡管其沒(méi)有形成規(guī)則的晶格結(jié)構(gòu),但相對(duì)于各向同性相來(lái)說(shuō),仍限制了AIE分子的分子內(nèi)運(yùn)動(dòng),從而具有一定的熒光增強(qiáng)效應(yīng)。在接下來(lái)的降溫過(guò)程中,熒光強(qiáng)度呈現(xiàn)逐漸增強(qiáng)的趨勢(shì),但當(dāng)藍(lán)相轉(zhuǎn)變?yōu)槟戠尴鄷r(shí)出現(xiàn)了熒光強(qiáng)度下降的現(xiàn)象,這可以證明相對(duì)于膽甾相來(lái)說(shuō),藍(lán)相的自組裝結(jié)構(gòu)對(duì)于該熒光分子的熒光發(fā)射有著一定的增強(qiáng)作用。
圖5 樣品T8N32: (a) 不同溫度下的PL光譜;(b) PL強(qiáng)度的溫度依賴性;(c) 77.5 ℃和 (d) 74.5 ℃時(shí)的熒光圖譜和反射圖譜 ;(e) 藍(lán)相Ⅰ光子帶隙與熒光強(qiáng)度的關(guān)系;(f) 降溫過(guò)程中藍(lán)相Ⅰ和藍(lán)相Ⅱ的光子帶隙位置與熒光強(qiáng)度增速 (λex=365 nm)。Fig.5 Sample T8N32: (a) PL spectra at different temperatures; (b) Temperature dependence of PL intensity;Fluorescence and reflection spectra at (c) 77.5 ℃ and (d) 74.5 ℃; (e) Relationship between the photon band gap and fluorescence intensity of blue phase Ⅰ;(f) Photon band gap position and fluorescence intensity growth rate of BP Ⅰand BP Ⅱ during the cooling process (λex=365 nm).
如圖5(c)和(d)所示,在77.5 ℃和74.5 ℃時(shí),在熒光圖譜對(duì)應(yīng)的波段觀察到一定的強(qiáng)度降低,并且其兩側(cè)熒光強(qiáng)度有一定的增強(qiáng),此時(shí)其光子帶隙分別位于508 nm(藍(lán)相Ⅱ)和560 nm(藍(lán)相Ⅰ)處??梢钥吹?,藍(lán)相液晶體系的光子帶隙對(duì)熒光強(qiáng)度有一定的影響。在光子帶隙中心,熒光發(fā)射被抑制,而帶隙兩側(cè)的熒光強(qiáng)度增強(qiáng)。根據(jù)費(fèi)米定律,自發(fā)輻射速率與光子態(tài)密度成正比。在光子禁帶的內(nèi)部,其對(duì)應(yīng)頻率的光子態(tài)密度降低,自發(fā)輻射速率減緩,導(dǎo)致發(fā)光強(qiáng)度降低;在光子禁帶邊緣,由于光子態(tài)密度的增加,熒光強(qiáng)度增強(qiáng)。
對(duì)于該樣品,其藍(lán)相Ⅰ的光子帶隙調(diào)諧范圍遠(yuǎn)離熒光發(fā)射峰,而藍(lán)相Ⅱ的光子帶隙出現(xiàn)在熒光發(fā)射峰附近,可以觀察到不同相態(tài)下光子帶隙對(duì)于熒光強(qiáng)度的影響。同時(shí),在降溫過(guò)程中,整個(gè)藍(lán)相溫域內(nèi)均呈現(xiàn)較高的熒光增速。由于相態(tài)重疊溫域較寬,各相態(tài)下熒光強(qiáng)度的增速難以進(jìn)行直觀比較。由圖5(e)和(f)可知,77.5 ℃時(shí)藍(lán)相Ⅰ出現(xiàn),其光子禁帶位于熒光發(fā)射峰的邊緣,在約76 ℃時(shí)熒光增速明顯提高,這可以歸因于光子禁帶對(duì)于其邊緣熒光發(fā)射的增強(qiáng)效應(yīng)??梢杂^察到,藍(lán)相Ⅰ的光子禁帶在570 nm附近體系的熒光強(qiáng)度增速要小于光子禁帶紅移時(shí)的增速,也就是說(shuō),伴隨著藍(lán)相Ⅱ的消失,藍(lán)相Ⅰ紅移,體系的熒光強(qiáng)度會(huì)有一個(gè)明顯的上升。
樣品T8N34在降溫過(guò)程中的熒光強(qiáng)度變化與T8N32類似,整體呈現(xiàn)遞增趨勢(shì),如圖6所示。當(dāng)液晶從藍(lán)相轉(zhuǎn)變?yōu)槟戠尴鄷r(shí),熒光強(qiáng)度先下降,隨后隨著溫度降低而增強(qiáng)。這表明藍(lán)相液晶體系對(duì)AIE分子的熒光有增強(qiáng)效應(yīng)。對(duì)于該樣品,藍(lán)相Ⅰ和藍(lán)相Ⅱ的光子禁帶分別位于熒光發(fā)射峰的兩側(cè)。由于藍(lán)相Ⅱ的光子禁帶位置的熒光發(fā)射較弱,因此沒(méi)有觀察到明顯的熒光增強(qiáng)或抑制效應(yīng)。但在穩(wěn)態(tài)熒光圖譜中,可以觀察到藍(lán)相Ⅰ的光子禁帶產(chǎn)生的熒光增強(qiáng)或抑制。在藍(lán)相溫域內(nèi),T8N34的熒光強(qiáng)度增速隨著溫度降低而逐漸提高,見(jiàn)圖6(c),在約76 ℃附近觀察到了與圖5(f)中約77 ℃處類似的熒光強(qiáng)度增速提高,這可能歸因于藍(lán)相Ⅱ的出現(xiàn)。較之藍(lán)相Ⅲ的雙螺旋柱結(jié)構(gòu),藍(lán)相Ⅱ的由雙螺旋柱進(jìn)一步自組裝的簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)對(duì)于具有AIE性質(zhì)的熒光分子的分子內(nèi)運(yùn)動(dòng)有著更強(qiáng)的限制作用,從而其熒光強(qiáng)度增速有一個(gè)較為明顯的升高。73 ℃時(shí)的熒光增速提高可歸因于藍(lán)相Ⅰ的出現(xiàn)。離開(kāi)藍(lán)相Ⅱ溫域后,藍(lán)相Ⅰ的光子帶隙紅移,此時(shí)熒光強(qiáng)度增速明顯提高。
圖6 樣品T8N34: (a)不同溫度下的PL光譜;(b) PL強(qiáng)度的溫度依賴性;(c) 降溫過(guò)程中藍(lán)相Ⅰ和藍(lán)相Ⅱ的光子帶隙位置與熒光強(qiáng)度增速 (λex=365 nm)。Fig.6 Sample T8N34:(a) PL spectra at different temperatures;(b) Temperature dependence of PL intensity;(c) Photon band gap position and fluorescence intensity growth rate of BP Ⅰ and BP Ⅱ during the cooling process (λex=365 nm).
當(dāng)體系中手性添加劑濃度(質(zhì)量分?jǐn)?shù))增加到3.6%時(shí),藍(lán)相Ⅰ的光子帶隙調(diào)諧范圍與TPEPPE的熒光發(fā)射峰相匹配。從圖7可以看到,在降溫過(guò)程中,進(jìn)入藍(lán)相后的熒光增速有明顯的上升;隨后藍(lán)相Ⅱ出現(xiàn),熒光強(qiáng)度增速有所放緩;至藍(lán)相Ⅰ出現(xiàn)時(shí),光子帶隙正處于最大熒光發(fā)射波長(zhǎng)中心,其抑制了熒光強(qiáng)度的繼續(xù)增強(qiáng),整體的熒光強(qiáng)度有一個(gè)短暫的平穩(wěn)階段。由圖7(c)可知,在71 ℃時(shí),藍(lán)相Ⅰ的光子帶隙紅移至510 nm,隨后熒光強(qiáng)度增速顯著提高,并且與光子帶隙重疊區(qū)域的熒光發(fā)射均受到了抑制。同樣,在69.2 ℃時(shí)也可以觀察到光子帶隙對(duì)于熒光發(fā)射的影響??傮w來(lái)看,藍(lán)相Ⅱ階段的熒光強(qiáng)度增速要低于藍(lán)相Ⅰ階段。并且在降溫過(guò)程中,離開(kāi)藍(lán)相溫域,體系轉(zhuǎn)變?yōu)槟戠尴嗪?,熒光?qiáng)度有一個(gè)明顯的下降,隨后緩慢上升。在圖7(d)中,在藍(lán)相Ⅱ出現(xiàn)后的約76.2 ℃處,可以觀察到與T8N32和T8N34類似的熒光增速提高。對(duì)于該體系,藍(lán)相Ⅰ與藍(lán)相Ⅱ重疊溫域較窄,在藍(lán)相Ⅱ溫域結(jié)束前的0.8 ℃時(shí)藍(lán)相Ⅰ出現(xiàn)并迅速紅移,相對(duì)應(yīng)的熒光強(qiáng)度增速也迅速提高,這與樣品T8N32和T8N34在降溫過(guò)程中的熒光行為一致。
圖7 樣品T8N36: (a) 不同溫度下的PL光譜;(b) PL強(qiáng)度的溫度依賴性;(c) 在74.5 ℃時(shí)的熒光圖譜和反射圖譜;(d)在降溫過(guò)程中藍(lán)相Ⅰ和藍(lán)相Ⅱ的光子帶隙位置與熒光強(qiáng)度增速 (λex=365 nm)。Fig.7 Sample T8N36: (a) PL spectra at different temperatures; (b) Temperature dependence of PL intensity; (c) Fluorescence spectrum and reflection spectrum at 74.5 ℃; (d) Photon band gap position and fluorescence intensity growth rate of BP Ⅰ and BP Ⅱ during cooling process (λex=365 nm).
由圖8可知,當(dāng)體系中手性添加劑濃度(質(zhì)量分?jǐn)?shù))為3.8%時(shí),與手性較低的系統(tǒng)相比,該藍(lán)相體系對(duì)于TPE-PPE的熒光增強(qiáng)效應(yīng)減弱了許多,在藍(lán)相階段的熒光增速與其余相態(tài)下的增速?zèng)]有明顯差異,僅在剛進(jìn)入藍(lán)相溫域以及藍(lán)相Ⅰ出現(xiàn)時(shí)觀察到一定程度的熒光增速提高;并且在離開(kāi)藍(lán)相區(qū)間進(jìn)入膽甾相時(shí),有一定程度的熒光強(qiáng)度下降。
圖8 樣品T8N38: (a) 不同溫度下的PL光譜;(b) PL強(qiáng)度的溫度依賴性 (λex=365 nm)。Fig.8 Sample T8N38: (a) PL spectra at different temperatures; (b) Temperature dependence of PL intensity (λex=365 nm).
為了進(jìn)一步確認(rèn)光子帶隙紅移與熒光強(qiáng)度增速的關(guān)系,我們研究了另一種溫域較寬的藍(lán)相液晶體系BHR20400/R811(表2),并向其中引入0.8%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))的TPE-PPE。結(jié)合穩(wěn)態(tài)熒光光譜與反射圖譜研究了其由各項(xiàng)同性相緩慢降溫至藍(lán)相溫域以及膽甾相溫域時(shí)的光子帶隙和熒光強(qiáng)度的變化。隨著系統(tǒng)中手性添加劑R811量的增加,藍(lán)相溫域有所拓寬,并且整體溫域向室溫方向移動(dòng)。
表2 樣品BHR20400/R811/TPE-PPE復(fù)合體系的成分組成及藍(lán)相溫域Tab.2 Composition and blue phase temperature range of sample BHR20400/R811/TPE-PPE composite system
由圖9可以觀察到,R30在進(jìn)入藍(lán)相區(qū)間后,其藍(lán)相Ⅰ與藍(lán)相Ⅱ幾乎同時(shí)出現(xiàn)。由于藍(lán)相Ⅱ的光子帶隙強(qiáng)度較弱且存在溫域較窄,其對(duì)于熒光強(qiáng)度的影響可以忽略。在55 ℃時(shí),藍(lán)相Ⅰ的光子帶隙紅移,體系的熒光強(qiáng)度增速有所提高;并且在52.5 ℃時(shí),光子帶隙穩(wěn)定在約645 nm,熒光增速趨于穩(wěn)定。在樣品R35中,同樣可以觀察到,在藍(lán)相Ⅰ的光子帶隙紅移后,體系的熒光強(qiáng)度增速迅速提高,并且位移幅度大于R35,增速提高的趨勢(shì)也更為明顯。
圖9 樣品R30: (a) PL強(qiáng)度的溫度依賴性;(b)在降溫過(guò)程中藍(lán)相Ⅰ的光子帶隙與其熒光強(qiáng)度增長(zhǎng)速率的關(guān)系;樣品R35: (c) PL強(qiáng)度的溫度依賴性;(d)在降溫過(guò)程中藍(lán)相Ⅰ的光子帶隙與其熒光強(qiáng)度增長(zhǎng)速率的關(guān)系;樣品R8N34: (e) 不同溫度下的PL光譜;(f) PL強(qiáng)度的溫度依賴性 (λex=365 nm)。Fig.9 Sample R30: (a) Temperature dependence of PL intensity;(b) Relationship between the photon band gap of BPⅠand its fluorescence intensity growth rate during the cooling process; Sample R35: (c) Temperature dependence of PL intensity; (d) Relationship between the photonic band gap of BP Ⅰ and the growth rate of its fluorescence intensity during the cooling process;Sample R8N34: (e) PL spectra at different temperatures; (f) Temperature dependence of PL intensity (λex=365 nm).
最后,通過(guò)將傳統(tǒng)ACQ分子R6G引入藍(lán)相體系,進(jìn)一步確認(rèn)了藍(lán)相內(nèi)的熒光增強(qiáng)來(lái)自于熒光分子的AIE性質(zhì)。基于HTG135200藍(lán)相液晶體系,配制了引入R6G的液晶預(yù)混物,記為R8N34,其配比與T8N34一致,僅將TPE-PPE替換為了R6G。如圖9(e)和(f)所示,測(cè)試了R8N34在降溫過(guò)程中的PL光譜,體系的熒光強(qiáng)度與溫度呈線性關(guān)系。隨著溫度下降,熒光強(qiáng)度線性增強(qiáng),在藍(lán)相溫域內(nèi)沒(méi)有觀察到熒光增強(qiáng)現(xiàn)象。
由上述內(nèi)容我們提出假設(shè),如圖10所示,AIE分子部分參與藍(lán)相液晶體系的自組裝。參與雙螺旋柱組裝的TPE-PPE分子由于RIM效應(yīng),較未參與自組裝的分子,其熒光強(qiáng)度有所提高。同時(shí),藍(lán)相的晶格常數(shù)增大,表現(xiàn)為光子帶隙的紅移。伴隨著該過(guò)程,有更多的TPE-PPE分子參與雙螺旋柱結(jié)構(gòu)的自組裝,進(jìn)而使得熒光增強(qiáng)。TPE-PPE分子在藍(lán)相體系中參與自組裝時(shí),存在對(duì)應(yīng)的光子帶隙范圍。當(dāng)螺旋扭曲力過(guò)大時(shí),藍(lán)相的晶格常數(shù)較小,使TPE-PPE分子無(wú)法參與自組裝,從而使得熒光增強(qiáng)效果不明顯,這在樣品T8N38中得到了體現(xiàn)。
圖10 藍(lán)相液晶體系對(duì)TPE-PPE的熒光增強(qiáng)效應(yīng)示意圖Fig.10 Schematic diagram of the fluorescence enhancement effect of BPLC system on TPE-PPE
本文探究了手性添加劑含量對(duì)于藍(lán)相液晶體系相轉(zhuǎn)變行為和光子帶隙位移的影響,及具有不同手性添加劑的藍(lán)相液晶體系對(duì)于AIE液晶熒光分子TPE-PPE的熒光增強(qiáng)效應(yīng)。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以得出:一方面,在藍(lán)相的自組裝過(guò)程中,對(duì)于具有不同手性添加劑的體系,藍(lán)相Ⅱ的存在溫域基本一致。伴隨降溫過(guò)程,在其存在溫域內(nèi)有著輕微的藍(lán)移。隨著系統(tǒng)手性的增加,藍(lán)相Ⅰ出現(xiàn)的溫度降低,但當(dāng)藍(lán)相Ⅱ反射帶隙完全消失,系統(tǒng)中僅存在藍(lán)相Ⅰ后,其反射帶隙表現(xiàn)出在較窄溫域范圍內(nèi)較大幅度的紅移。另一方面,藍(lán)相液晶體系對(duì)TPE-PPE有著一定的熒光增強(qiáng)效應(yīng)。這是由于藍(lán)相液晶高度扭曲的分子排列限制了TPE-PPE的分子內(nèi)運(yùn)動(dòng),阻斷了非輻射弛豫通道,從而使熒光增強(qiáng)。在整個(gè)藍(lán)相溫域內(nèi),藍(lán)相Ⅰ反射帶隙紅移,體系的熒光強(qiáng)度明顯增強(qiáng)。由此我們提出假設(shè),TPE-PPE分子部分參與藍(lán)相液晶體系的自組裝。參與雙螺旋柱組裝的TPE-PPE分子由于RIM效應(yīng),其熒光強(qiáng)度有所提高。同時(shí),藍(lán)相Ⅱ消失后,藍(lán)相Ⅰ光子帶隙紅移,即藍(lán)相Ⅰ的晶格常數(shù)增大,使更多的TPEPPE分子參與雙螺旋柱結(jié)構(gòu)的自組裝,進(jìn)而體系的熒光發(fā)射增強(qiáng)。以上實(shí)驗(yàn)分析為今后聚集誘導(dǎo)發(fā)光分子摻雜藍(lán)相液晶體系的建立進(jìn)行了有益的探究。