高嶺土插層剝片技術(shù)研究進(jìn)展及展望

傅梁杰 屈雨鑫 樊迪康 楊華明

(1.中國(guó)地質(zhì)大學(xué)(武漢)納米礦物材料及應(yīng)用教育部工程研究中心,湖北 武漢 430074;2.中南大學(xué)資源加工與生物工程學(xué)院,湖南 長(zhǎng)沙 410083;3.中國(guó)地質(zhì)大學(xué)(武漢)材料科學(xué)與化學(xué)學(xué)院,湖北 武漢 430074;4.中南大學(xué)湖南省礦物材料與應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湖南 長(zhǎng)沙 410083)

高嶺土廣泛應(yīng)用于造紙、涂料、橡塑、催化、環(huán)保及生物醫(yī)藥等領(lǐng)域[1-5],煅燒后的偏高嶺土可作為原材料制備地聚物和建筑外墻保溫材料[6-7]。 近年來(lái),高嶺土的深加工技術(shù)一直是學(xué)術(shù)和工業(yè)界關(guān)注的熱點(diǎn)[8-11]。 剝片高嶺土是一種新型的二維(2D)納米材料,具有徑厚比高、比表面積大和界面吸附性能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),在生物醫(yī)藥[12-14]、吸附[15-18]、催化[19-20]、特種橡膠[21]、航空航天[22]等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,這使得高嶺土插層剝片成為國(guó)際黏土礦物材料領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。

目前,高嶺土的高效剝離仍是工業(yè)領(lǐng)域面臨的一項(xiàng)重要而具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)。 工業(yè)上,插層剝片工藝可提升高嶺土在橡膠領(lǐng)域的補(bǔ)強(qiáng)和阻隔性能及其在高端涂料領(lǐng)域的分散及遮蓋力等性能。 傳統(tǒng)的機(jī)械剝離可以制備粒徑較小的超細(xì)高嶺土,但仍存在徑厚比低、厚度大、形貌/結(jié)構(gòu)破壞明顯等缺點(diǎn)[23-24]。 例如,常規(guī)的機(jī)械磨剝工藝可以將有序高嶺土和無(wú)序高嶺土的比表面積從9. 8 和20. 5 m2/g 分別增加到20.0 和28.3 m2/g[25],但此方法存在高嶺土片層厚度變化小,研磨介質(zhì)的強(qiáng)烈沖擊力破壞高嶺土晶體結(jié)構(gòu)等問(wèn)題[26],阻礙了高嶺土在各行業(yè)領(lǐng)域中高值化利用。 采用多步插層和超聲輔助液體剝離技術(shù),可將高嶺土的比表面積和孔體積從9. 98 m2/g 和0. 049 cm3/g 增加到100. 00 m2/g 和0. 480 cm3/g[27-28],但卻會(huì)使高嶺土片層結(jié)構(gòu)從片狀向納米卷狀轉(zhuǎn)變。 近年來(lái),眾多學(xué)者針對(duì)國(guó)內(nèi)外各產(chǎn)地高嶺土的片層結(jié)構(gòu)調(diào)控開(kāi)展大量的深加工技術(shù)研究,獲得了一些片層形貌較好且應(yīng)用性能優(yōu)異的剝片高嶺土[29-33]。 然而,目前的高嶺土插層剝片研究仍存在插層劑使用量大、剝片工藝復(fù)雜以及具體工藝參數(shù)等對(duì)高嶺土插層率、片層結(jié)構(gòu)的影響規(guī)律不明等問(wèn)題。

基于以上問(wèn)題,本文首先對(duì)高嶺土的應(yīng)用及片層結(jié)構(gòu)進(jìn)行了概述,接著從插層劑種類(lèi)、插層條件和插層工藝3 個(gè)方向綜述了近年來(lái)高嶺土插層技術(shù)的研究進(jìn)展,并歸納了各因素對(duì)高嶺土插層率和層間距的影響規(guī)律及其微觀機(jī)制,然后概述了近年來(lái)物理法、化學(xué)法和物理化學(xué)協(xié)同法等高嶺土剝片技術(shù)的研究新進(jìn)展,并對(duì)未來(lái)插層剝片技術(shù)發(fā)展作出了展望。

1 高嶺土的應(yīng)用及其片層結(jié)構(gòu)概述

高嶺土儲(chǔ)量豐富、應(yīng)用范圍廣泛,是戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的重要原材料,具有獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì),其片層結(jié)構(gòu)的微觀形貌特征對(duì)其在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用性能具有重要影響。 近10 a 來(lái),高嶺土在環(huán)境、耐火材料、橡塑、陶瓷、涂料、石油、水泥、造紙、復(fù)合材料和生物醫(yī)藥等領(lǐng)域的應(yīng)用受到了廣泛關(guān)注,各領(lǐng)域發(fā)表的SCI 論文數(shù)量如圖1 所示。

圖1 2013—2023 年發(fā)表的高嶺土不同應(yīng)用領(lǐng)域的SCI 論文數(shù)量及其占比(數(shù)據(jù)來(lái)自SciFinder)Fig.1 The number and proportion of SCI papers published in different application fields of kaolin from 2013 to 2023(data from SciFinder)

高嶺土主要由高嶺石、埃洛石和地開(kāi)石等高嶺石族礦物以及云母、伊蒙混層、石英和各類(lèi)含鐵鈦礦物等雜質(zhì)礦物組成,其中煤系高嶺土還含有不等量的含碳組分等。 常見(jiàn)的高嶺土形貌為片狀或管狀(圖2),其含量因產(chǎn)地和開(kāi)采礦點(diǎn)而發(fā)生變化。 高嶺石的晶胞結(jié)構(gòu)式為A12(Si2O5)(OH)4[34],屬于三斜晶系,典型的晶胞參數(shù)一般為:a=0.515 nm;b=0.894 nm;c=0. 740 nm;α=91. 7°;β=104～105°;γ=89. 9°[35-36]。

圖2 高嶺土的微觀形貌Fig.2 Micromorphology of kaolinite

高嶺石的晶體結(jié)構(gòu)是由硅氧四面體和鋁氧八面體組成(圖3)[37],其中硅氧四面體[SiO4]內(nèi)部離子間通過(guò)共價(jià)鍵聯(lián)結(jié),而相鄰四面體通過(guò)共用頂點(diǎn)連接;鋁氧八面體[AlO6]內(nèi)部離子間通過(guò)離子鍵聯(lián)結(jié),八面體之間通過(guò)共享邊棱與相鄰的八面體相連。 硅氧四面體的外邊緣是氧原子,而鋁氧八面體的外邊緣是羥基基團(tuán),2 個(gè)單元層間通過(guò)較弱的(—Al—O—H…O—Si—)氫鍵連接而形成層狀堆疊的片狀結(jié)構(gòu)。 片層之間的弱相互作用力,使得高嶺石可在外力作用下沿(001)面發(fā)生解離。

圖3 高嶺土晶體示意圖[37]Fig.3 Schematic diagram of kaolin crystals[37]

利用高嶺土的可解離特性,一般可以通過(guò)攪拌、超聲和磨剝等直接剝離法對(duì)高嶺土集合體實(shí)現(xiàn)剝離,或通過(guò)插層預(yù)處理后,在攪拌、超聲等手段的輔助下對(duì)高嶺土片層結(jié)構(gòu)進(jìn)行單層或少層的剝離,其液相剝離機(jī)制如圖4 所示。

圖4 高嶺土主要液相剝離方法和剝片納米片[38]Fig.4 Main liquid exfoliating method of kaolin and stripping nanosheet[38]

2 高嶺土的插層技術(shù)研究現(xiàn)狀

高嶺土層間結(jié)構(gòu)可以通過(guò)插層工藝進(jìn)行調(diào)控,插層過(guò)程會(huì)受到插層劑種類(lèi)、高嶺土產(chǎn)地、插層反應(yīng)條件和插層工藝的影響。 高嶺土的插層改性過(guò)程主要是通過(guò)小分子或一些大分子插入高嶺土層間生成層間化合物來(lái)實(shí)現(xiàn)的。 常見(jiàn)的小分子插層劑包括二甲基亞砜(DMSO)和醋酸鉀(KAc)等,大分子插層劑包括甲醇和長(zhǎng)鏈分子等。 其中大分子嵌入通常需要依靠置換預(yù)插層(DMSO 和KAc)小分子來(lái)實(shí)現(xiàn)。 因此,本研究分別以小分子和大分子插層過(guò)程中影響因素為主線,綜述插層過(guò)程中各因素對(duì)高嶺土插層率及層間距的影響規(guī)律。

2.1 插層劑種類(lèi)的影響

近年來(lái),二甲基亞砜和醋酸鉀常作為主要插層劑應(yīng)用于高嶺土的插層研究中,其他小分子插層劑還包括N-甲基甲酰胺(NMF)、水和肼、尿素等[39-41]。 二甲基亞砜(DMSO)的插層機(jī)理如圖5 所示,二甲基亞砜的分子式為C2H6OS,其S = O 官能團(tuán)能與高嶺土內(nèi)表面的羥基形成鍵合,使二甲亞砜分子能夠順利插入高嶺土層間[37]。 醋酸鉀分子(C2H3KO2)插層機(jī)理如圖6 所示,醋酸鉀官能團(tuán)C = O 與高嶺石鋁氧層羥基(—OH)或硅氧層氧(O)結(jié)合形成氫鍵,使KAc分子能夠嵌入高嶺土層間[42]。

圖5 DMSO 插層高嶺石的2 種模型:不含水模型插層模型和含水插層模型[37]Fig.5 Two models of DMSO intercalated kaolinite:water-free model intercalated model and water-containing model[37]

圖6 KAc 插層高嶺石的2 種模型:不含水模型插層模型和含水插層模型[42]Fig.6 Two models of KAc intercalated kaolinite:water-free model intercalated model and water-containing model[42]

分別統(tǒng)計(jì)DMSO 和KAc 作為直接插層劑插層高嶺土的層間距和插層率情況,結(jié)果表明,DMSO 分子插層能使高嶺石(001)晶面層間距的最小值從0.72 nm 增加到1. 07 nm,增加了0. 35 nm[43],最大值從0.716nm 增加到1.132 nm,增加了0.416 nm[44]。 大部分研究中高嶺土/DMSO 插層復(fù)合物的層間距從0.71 nm 變?yōu)?.12 nm,增加了0.41 nm[18,45-48],插層率在16.6%～100%范圍內(nèi)波動(dòng)[49-50];經(jīng)過(guò)KAc插層時(shí),高嶺土插層復(fù)合物的層間距在1.130～1.428 nm左右[51-52],插層率在5%～100%左右[53-54]。

2.2 產(chǎn)地的影響

高嶺土根據(jù)其地質(zhì)成因可以分為風(fēng)化型、沉積型和熱液蝕變型等。 我國(guó)蘇州、張家口和靈壽等地高嶺土為熱液蝕變型高嶺土;茂名、萍鄉(xiāng)和淮北等地高嶺土為沉積型高嶺土;北海和龍巖為風(fēng)化型高嶺土;大同、朔州和準(zhǔn)格爾為煤系沉積型高嶺土[45-55]。 近年來(lái),國(guó)內(nèi)外的一些學(xué)者發(fā)現(xiàn)不同產(chǎn)地高嶺土的晶體結(jié)構(gòu)有序度、形貌及其成分組成會(huì)很大程度影響高嶺土的插層率[56]。 表1 統(tǒng)計(jì)了不同產(chǎn)地高嶺土HI指數(shù)與DMSO 插層插層率(IR)和層間距(d001)。

表1 不同產(chǎn)地高嶺土HI 指數(shù)與DMSO 插層插層率(IR)和層間距(d001)Table 1 HI index and DMSO intercalation rate (IR) and layer spacing (d001) of kaolin from different regions

可以看出,張家口、龍巖、靈壽、滸墅關(guān)、大同、Cameroon、茂名、朔州和北海等產(chǎn)地的高嶺土的插層率均在90%以上,其中龍巖和張家口的插層率可達(dá)99%以上,而滸墅關(guān)高嶺土在較長(zhǎng)的時(shí)間下能實(shí)現(xiàn)較高的插層效率;細(xì)粒度的龍巖高嶺土能在較低的DMSO 濃度下實(shí)現(xiàn)高效插層;靈壽高嶺土在超聲輔助作用下可實(shí)現(xiàn)高效插層。 France、Czech Republic、Clay Minerals Society 和Cameroon 等國(guó)外高嶺土中,Cameroon高嶺土插層率最高可達(dá)96%,而Franch 高嶺土的插層率最低,僅有73. 00%。 數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果表明,高嶺土的高結(jié)晶指數(shù)有利于高嶺土的插層。 國(guó)外各產(chǎn)地高嶺土的插層率與其結(jié)晶指數(shù)呈正相關(guān)。HI指數(shù)接近于1 的高嶺土具有較高結(jié)晶度、有序度,插層率相對(duì)較高,最大插層率可達(dá)99%以上。HI指數(shù)較低的高嶺土插層率也相對(duì)較低。 國(guó)內(nèi)外插層復(fù)合物的層間距在1.085～1.132 nm 范圍變化,說(shuō)明高嶺土插層復(fù)合物的層間距會(huì)隨著產(chǎn)地的改變而改變。

國(guó)內(nèi)高嶺土插層研究普遍發(fā)現(xiàn),高嶺土產(chǎn)地及其地質(zhì)成因類(lèi)型對(duì)高嶺土插層率有較大影響[59]。 其中,煤系高嶺土的DMSO 插層率變化較大,較高有序度的山西大同粗晶高嶺土和朔州細(xì)晶高嶺土的插層率高達(dá)96.06%和94.07%,而內(nèi)蒙古準(zhǔn)格爾的插層率僅為72.25%;熱蝕變型高嶺土中,張家口高嶺土的插層率普遍較高,但受生產(chǎn)年份影響較大,在80%～99.5%之間波動(dòng)[45,48,60-61],而蘇州高嶺土的插層率相對(duì)較低,通常在70%～90%之間[62-63];沉積型高嶺土中,茂名高嶺土在適宜的插層條件下可以獲得90%以上的插層率,而安徽淮北高嶺土的插層率僅為86.51%,其結(jié)晶度差(HI指數(shù)為0.56)是DMSO 難以插層的主要原因[45]。

國(guó)內(nèi)的大部分高嶺土插層研究發(fā)現(xiàn),高嶺土的結(jié)晶有序度對(duì)插層率有較大影響。 分析表1 中結(jié)晶指數(shù)和插層率的關(guān)系可知,張家口高嶺土的HI指數(shù)最高,其二甲基亞砜插層率最高,能達(dá)到99.50%[46];淮北高嶺土的結(jié)晶度最差,其插層率較低。 大同、朔州、蘇州、茂名和北海高嶺土的結(jié)晶度指數(shù)介于2 種高嶺土之間,其插層率也介于兩者之間。 準(zhǔn)格爾高嶺土的結(jié)晶指數(shù)(1.23)雖然接近張家口高嶺土(1.31),但插層率較低,主要原因是準(zhǔn)格爾高嶺土屬于煤系高嶺土,其含有的炭質(zhì)及其他礦物組分阻礙了插層劑進(jìn)入高嶺土層間[45]。

總體而言,受地質(zhì)成因的影響,國(guó)內(nèi)外不同產(chǎn)地高嶺土的結(jié)晶指數(shù)、雜質(zhì)賦存狀態(tài)、片層形貌等均會(huì)較大程度地影響高嶺土的插層率,而層間距在小范圍內(nèi)波動(dòng)。 一般來(lái)說(shuō),高結(jié)晶指數(shù)、大晶粒尺寸和低雜質(zhì)含量有利于插層率與速率的提升。

2.3 插層反應(yīng)條件的影響

2.3.1 溫度的影響

插層過(guò)程的溫度控制,一般主要是為了增大高嶺土的插層速率、最終提高插層率以及調(diào)整置換大分子在高嶺土層間的排列分布。 在DMSO 和KAc 插層高嶺土的過(guò)程中,伴隨著舊鍵的斷裂和新鍵的形成,溫度對(duì)插層分子的插層效率和排列情況影響巨大。 25～85 ℃范圍內(nèi),高嶺土的DMSO 插層率隨著溫度的升高呈逐漸增加的趨勢(shì),一般來(lái)說(shuō),溫度升高到接近60 ℃時(shí),插層率普遍可達(dá)90%以上[58,60]。 熱力學(xué)研究表明,由于高嶺土邊緣表面的吸引力,當(dāng)DMSO 分子從DMSO 溶液中靠近高嶺石邊緣表面時(shí),DMSO 分子需要克服2.7 kcal/mol 的能壘才能插入膨脹的高嶺土中。 因此,高溫插層條件可以幫助DMSO 分子克服能量勢(shì)壘,促進(jìn)其進(jìn)入高嶺土層間[63]。 MAKó等[64]在DMSO 為預(yù)插層劑的研究中,探究了溫度條件對(duì)大分子3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)插層高嶺土排列情況的影響。 試驗(yàn)與模擬研究表明,不同的溫度環(huán)境造成了APTES 分子在層間空間中單層和雙層排列。

在20～30 ℃范圍內(nèi),KAc 插層高嶺土的插層率比較穩(wěn)定,后續(xù)插層率會(huì)隨著溫度的上升而發(fā)生明顯的降低,表明KAc 插層過(guò)程中高溫會(huì)促使插層復(fù)合物層結(jié)構(gòu)脫嵌,對(duì)KAc 插層產(chǎn)生不利影響。 在室溫條件下,插層后高嶺土的層間距從0. 72 nm 增大至1.38～1.428 nm 左右[52,65]。 然而,對(duì)插層高嶺土復(fù)合物在較高溫度(100 ℃)下處理一段時(shí)間,高嶺土層間距從1.41 nm 減少到1.13 nm[51]。 因此,20～30 ℃常被視作KAc 插層高嶺土過(guò)程中最適宜的溫度。 當(dāng)前研究中,LAI 等[66]在室溫條件下對(duì)高嶺土和醋酸鉀混合研磨制備了插層復(fù)合物,證明了室溫已成為KAc 插層普遍使用的溫度條件。 由吉布斯自由能公式ΔG= ΔH-TΔS可知,當(dāng)T>0 時(shí),ΔG<0,有利于插層反應(yīng)的進(jìn)行。 因此,從熱力學(xué)上推測(cè)KAc 分子插層過(guò)程是放熱過(guò)程,且該過(guò)程是從無(wú)序變有序的過(guò)程[67-68]。

綜上所述,溫度是影響DMSO 和KAc 插層效果的主要因素之一,在高嶺土的插層過(guò)程中起著至關(guān)重要的作用。 選用DMSO 對(duì)高嶺土插層時(shí),較適宜的插層溫度范圍為60 ℃以上;選用KAc 對(duì)高嶺土插層時(shí),較適宜的溫度為20～30 ℃。

2.3.2 水含量的影響

近年來(lái),WANG 等[37]將密度泛函理論與分散方案(DFT-D)相結(jié)合,研究了二甲基亞砜在水化和不水化高嶺石中的插層作用,證明了含水DMSO-高嶺石界面上有效的氫鍵形成了良好的嵌入能,從而促進(jìn)DMSO 嵌入高嶺石層間。 大量的文獻(xiàn)報(bào)道表明,少量水可以促進(jìn)DMSO 和KAc 等插層劑插入高嶺土層間,增加高嶺土的插層效率,促進(jìn)插層反應(yīng)的進(jìn)行[43,69-70]。 DMSO 插層高嶺土?xí)r,水含量通常在0～20%之間,含水量為9%～10%時(shí)插層率達(dá)90%以上;但含水量過(guò)多會(huì)影響插層效率,20%的水含量能使插層復(fù)合物的插層率降低至67%[53,59]。 適宜的含水量有利于水分子、DMSO 與高嶺土層間羥基形成氫鍵網(wǎng)絡(luò),而較高的含水量會(huì)導(dǎo)致水分子/DMSO/高嶺土插層復(fù)合物的穩(wěn)定性下降。 熱力學(xué)研究表明,含水情況下DMSO 插層過(guò)程的形成能明顯低于無(wú)水情況下的[37],且DMSO 和水分子在高嶺土/DMSO 插層結(jié)構(gòu)中的穩(wěn)定性會(huì)發(fā)生強(qiáng)烈的相互影響[70]。

醋酸鉀插層高嶺土?xí)r,插層率受醋酸鉀插層劑濃度影響較大,插層率隨著醋酸鉀濃度的增加而增加,最終趨于穩(wěn)定。 水含量過(guò)多會(huì)導(dǎo)致醋酸鉀被稀釋,從而減弱高嶺土的插層效果,而當(dāng)醋酸鉀濃度為50%時(shí)插層率能達(dá)到93%,趨于最大值[53]。 較高醋酸鉀濃度會(huì)造成分離過(guò)程醋酸鉀的損耗增大,目前,研究中通常使用飽和醋酸鉀濃度的條件促進(jìn)KAc 分子插層嵌入高嶺土層間[71],因此適當(dāng)?shù)乃坑欣诖姿徕洸鍖痈邘X土的工業(yè)化應(yīng)用。

綜上所述,選用DMSO 為插層劑時(shí),含水率在適當(dāng)范圍(9%～10%)插層效果最優(yōu)。 而醋酸鉀為插層劑時(shí),適宜濃度是30%～75%,為了避免醋酸鉀的浪費(fèi),通常醋酸鉀最佳濃度條件在30%～50%之間。

2.3.3 反應(yīng)時(shí)間的影響

插層反應(yīng)時(shí)間是影響高嶺土插層率的重要因素之一,液相、超聲和微波作用于高嶺土插層過(guò)程時(shí),在適宜的反應(yīng)條件下,插層率隨反應(yīng)時(shí)間的增加而顯著增大。 常規(guī)的液相插層過(guò)程中,50～60 ℃下反應(yīng)72 h 左右,DMSO 插層高嶺土的插層率一般可達(dá)90%[45,72],而30%濃度到飽和濃度的醋酸鉀溶液插層高嶺土?xí)r,室溫條件下反應(yīng)12～80 h 后,插層率可迅速達(dá)到80%以上,同時(shí)插層率會(huì)因高嶺土產(chǎn)地不同而發(fā)生波動(dòng)[53,66,73-75]。

2.4 插層工藝的影響

2.4.1 直接插層工藝的影響

采用直接插層工藝時(shí)通常需要考慮插層劑的物相狀態(tài)。 DMSO 為插層劑時(shí),插層劑為液態(tài),因而可將DMSO 插層高嶺土的插層方法分為溶液(液相)法、超聲波輔助法和微波輻射輔助法這3 類(lèi);KAc 為插層劑時(shí),插層劑為固態(tài)或者液態(tài),因而可將KAc 插層高嶺土的插層方法分為溶液法(飽和液相或非飽和液相)、干磨法和微波輻射輔助法。 高頻的超聲波可以在高嶺土顆粒局部產(chǎn)生超高溫、超高壓,一方面有利于高嶺土的分散以及表面雜質(zhì)的去除,另一方面有利于推動(dòng)插層劑進(jìn)入高嶺石層間,并在超聲過(guò)程的熱效應(yīng)下大幅縮短插層時(shí)間、提高插層效率。 微波對(duì)偶極矩較大的DMSO 產(chǎn)生刺激,促使其向著高偶極矩的方向變化,使極性分子變?yōu)閬喎€(wěn)狀態(tài),更容易插入高嶺石層間,從而實(shí)現(xiàn)高插層效率。

蘇州高嶺土經(jīng)過(guò)超聲波插層后,DMSO 插層率由普通液相插層法的86.23%提高到90%,時(shí)間也由原來(lái)的12 h 大大縮短到3 h[61,69]。 TANG 等[71]以DMSO 為前驅(qū)體,通過(guò)超聲4 h 制備了高嶺土/DMSO 插層復(fù)合物,高嶺土層間距為1.56 nm,插層率為98%;王新震等[75]發(fā)現(xiàn),當(dāng)超聲時(shí)間為2 h,高嶺土的插層率達(dá)到100%,并發(fā)現(xiàn)超聲功率的增大會(huì)使插層率先升高后降低。

用微波輻射插層比超聲波作用獲得的插層率高,插層時(shí)間更短。 LI 等[76]使用微波輻射插層的新方法制備了高嶺土/DMSO 插層復(fù)合物,經(jīng)過(guò)2 h 的插層后插層率可高達(dá)93.8%,大幅縮短了插層時(shí)間并提高了插層率。 對(duì)于Kaznějov 高嶺土,微波也可以顯著提高高嶺土的插層率,隨著反應(yīng)時(shí)間由0.5 h 延長(zhǎng)至2 h,高嶺土插層率可達(dá)87.3%[49]。 對(duì)比上述3 種插層輔助方式,微波和超聲處理均可在較短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)較高的插層率,其插層效果遠(yuǎn)高于常規(guī)的溶液插層。

當(dāng)KAc 作為插層劑時(shí),非飽和濃度下插層率較低,即使長(zhǎng)時(shí)間插層也很難獲得較高的插層率,飽和濃度液相插層法在適宜溫度條件下能實(shí)現(xiàn)較高的插層率(約93%)[53]。 干磨插層法獲得的插層率較小,僅為45%左右[51],低于溶液插層法。 微波輔助KAc溶液插層能在2 h 內(nèi)提升插層速度,縮短時(shí)間,進(jìn)而提高插層效率。 因此,高嶺土在較短時(shí)間內(nèi)插層可以?xún)?yōu)先選擇飽和醋酸鉀溶液法和微波輔助插層法。

2.4.2 置換插層工藝的影響

表2 和表3 統(tǒng)計(jì)了以DMSO 和KAc 為插層劑時(shí),置換插層工藝過(guò)程對(duì)高嶺土的層間距和插層率的影響。 由于高嶺土是無(wú)膨脹黏土,本身陽(yáng)離子交換量不高,因此插層反應(yīng)很難發(fā)生,只有少數(shù)的極性分子如二甲基亞砜、尿素、醋酸鉀和甲酰胺等可以直接插入高嶺土層間,擴(kuò)大其層間距,而通過(guò)置換插層法則可以使其他的小分子和大分子進(jìn)入高嶺土層間,擴(kuò)大高嶺土片層層間距,提高其表界面性質(zhì)。

表2 以DMSO 為預(yù)插層劑時(shí)置換插層工藝過(guò)程與高嶺土層間距的關(guān)系Table 2 Relationship between displacement intercalation process and layer spacing with DMSO as preintercalation agent

表3 以KAc 為預(yù)插層劑時(shí)置換插層工藝過(guò)程與高嶺土層間距的關(guān)系Table 3 Relationship between displacement intercalation process and layer spacing with KAc as preintercalation agent

由表2 可知,當(dāng)前驅(qū)體為DMSO 時(shí),可以成功地將甲醇、苯乙烯、聚乙二醇、苯甲酰胺等置換插入高嶺土層間,得到二次置換的高嶺土。 其中,苯乙烯和聚乙二醇置換插層后高嶺土的層間距約為1.1 nm[77],苯甲酰胺或?qū)ο趸桨分脫Q后層間距增大到1. 49 nm[78]。 與DMSO 插層后的層間距相比,甲醇置換插層后高嶺土層間距一般約1.1 nm,加熱脫水后轉(zhuǎn)化為甲基接枝高嶺土,其層間距縮減為0. 82～0. 87 nm[79-82]。

當(dāng)前驅(qū)體為DMSO-甲醇二次置換后的高嶺土?xí)r,可進(jìn)一步將對(duì)硝基苯胺、癸酸、十二烷基胺、月桂酸、己胺、肉豆蔻酸、十二烷基三甲基氯化銨、棕櫚酸、十六烷基三甲基氯化銨、十二胺、硬脂酸、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、十二烷基硫酸鈉、硬脂酸鈉和十八胺等插層進(jìn)入高嶺土層間。 3 次置換插層的大分子大致可分為季銨鹽、烷基胺、脂肪酸、脂肪酸鹽、氨基硅烷等幾類(lèi)。 隨著分子量及其空間尺寸的增大,高嶺土層間距最大從原來(lái)的0.710 nm 擴(kuò)大到5.730 nm。通常第一步先用DMSO 處理,其次再用甲醇進(jìn)行甲氧基接枝處理,最后通過(guò)上述大分子插層劑進(jìn)行置換處理,該方法可以顯著增大高嶺土層間距并促進(jìn)片層分離及高效剝片。

以KAc 為預(yù)插層劑時(shí),ZSIRKA 等[88]研究了Poland、Czech、Hungary、German 等不同結(jié)晶度的高嶺土,統(tǒng)計(jì)發(fā)現(xiàn)高嶺土有序度的不同并沒(méi)有影響插層復(fù)合物的層間距,層間距保持在1.41 nm。 經(jīng)過(guò)EG、GL和HA 置換插層劑后,其層間距均分別為1.08 nm、1.15 nm 和2. 65 nm[88-89]。 而SHAHVERDI 等[91]用PI 和PEO 置換醋酸鉀分子后,高嶺土的層間距均低于1.40 nm,且高嶺土在插層置換過(guò)程中發(fā)生剝離。

綜上所述,直接插層工藝中的超聲和微波能縮短插層反應(yīng)所需的時(shí)間,置換插層工藝能較大程度地?cái)U(kuò)大高嶺土層間距,使高嶺土易于剝片和卷曲并改變其表界面親疏水及反應(yīng)性質(zhì)。

2.5 小 結(jié)

近年來(lái)的高嶺土插層技術(shù)研究,主要集中在插層因素(插層劑種類(lèi)、高嶺土產(chǎn)地、反應(yīng)溫度、水含量和反應(yīng)時(shí)間等)對(duì)插層過(guò)程的影響,發(fā)現(xiàn)的主要規(guī)律包括:① 高結(jié)晶指數(shù)、大晶粒尺寸、低雜質(zhì)含量的高嶺土插層效率更高。 ② DMSO 和KAc 的插層率受溫度和含水量的影響機(jī)制不同,前者在較高溫度、少量水添加量下可促進(jìn)插層效率的提升,而后者在較低的室溫條件能獲得較好的插層率且插層率隨含水量增加而顯著下降。 選用DMSO 對(duì)高嶺土進(jìn)行插層時(shí),較適宜的插層溫度為60 ℃以上,含水率在適當(dāng)范圍(9%～10%)插層效果最優(yōu);選用KAc 對(duì)高嶺土進(jìn)行插層時(shí),較適宜的溫度為20～30 ℃,適宜濃度為30%～50%。 ③ 在適宜的插層反應(yīng)條件下,隨著時(shí)間的增加,插層率通常逐漸增大直至穩(wěn)定。 一般來(lái)說(shuō),反應(yīng)24 h 即可獲得較好的插層率,但插層率受高嶺土結(jié)晶指數(shù)、雜質(zhì)賦存狀態(tài)和片層形貌等因素的影響較大。

3 高嶺土的剝片技術(shù)研究現(xiàn)狀

高嶺土的剝片方法包括物理剝片法、化學(xué)剝片法和物理化學(xué)協(xié)同剝片方法等。 物理剝片法通常包括低速或高速攪拌、超聲、微波作用和球磨處理等工藝過(guò)程,具有能耗低、無(wú)污染、對(duì)環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn),但同時(shí)存在片層大小不能較好地控制、礦物顏色變黑或出現(xiàn)片層嚴(yán)重?fù)p壞的缺點(diǎn)。 此外,長(zhǎng)時(shí)間的磨剝也會(huì)導(dǎo)致研磨介質(zhì)的磨耗加重,不利于工業(yè)生產(chǎn)。 化學(xué)剝片法主要包括化學(xué)浸泡法和插層水洗法,此方法通過(guò)高嶺土層間插層化學(xué)藥劑使高嶺土層間距發(fā)生膨脹,最終高嶺土層結(jié)構(gòu)發(fā)生自然剝落或者水洗剝落。 物理化學(xué)協(xié)同剝片法主要包括插層—磨剝剝片法和插層—超聲剝片法等。

3.1 物理剝片法

高嶺土的物理剝片實(shí)際上是高嶺土的超細(xì)粉碎過(guò)程,馬正先等[92]曾總結(jié)了非金屬礦的超細(xì)粉碎技術(shù),并指出了當(dāng)時(shí)的一些問(wèn)題和發(fā)展方向。 近20 a來(lái),高嶺土的物理法剝片技術(shù)發(fā)展迅速,通常使用機(jī)械球磨機(jī)、剝片機(jī)、分散機(jī)、攪拌磨、蒸汽射流磨[93]和砂磨機(jī)等設(shè)備制備超細(xì)高嶺土納米片。

3.1.1 磨剝法

僅使用一個(gè)剝片機(jī)很難快速減小高嶺土的粒度,通過(guò)剝片機(jī)串聯(lián)使用的方式能提升高嶺土的剝片效果。 高嶺土進(jìn)漿濃度為40%時(shí),采用1.5～2.5 mm 的氧化鋯瓷球,在流量為10 m3/h、分散劑為六偏磷酸鈉(干粉質(zhì)量1.5%)的條件下,利用GJ5×2 雙槽高強(qiáng)度攪拌磨對(duì)高嶺土層結(jié)構(gòu)進(jìn)行剝離,一段剝片后-2 μm 的含量?jī)H為64%;將攪拌磨串聯(lián)5 段使用時(shí),剝片后產(chǎn)品中-2 μm 的含量提升至84%。 針對(duì)龍巖高嶺土,利用300 L 的剝片機(jī)對(duì)高嶺土進(jìn)行磨剝,進(jìn)漿濃度為30%時(shí),采用4 段串聯(lián)的方式對(duì)高嶺土進(jìn)行球磨,產(chǎn)品中-2 μm 的含量由一段的72%增加到96%[94]。 結(jié)果表明:增加段數(shù)會(huì)提高磨剝效果;最佳礦漿濃度為36%～38%;分散劑的加入顯著提高了高嶺土的分散性及礦漿流動(dòng)性,其中六偏磷酸鈉的磨剝效果比聚丙烯酸鈉的效果明顯。 不同剝片機(jī)的串聯(lián)使用可進(jìn)一步提高高嶺土的剝片效果,當(dāng)高效磨剝機(jī)三段連用時(shí)產(chǎn)品中-2 μm 的含量可達(dá)91%[95]。

不同容量的剝片機(jī)對(duì)高嶺土的磨剝效率有很大的影響。 研究中常使用的剝片機(jī)規(guī)格通常為300 L、1 000 L 和3 000 L,此外還有可以連續(xù)剝片的大流量臥式砂磨機(jī)。 300 L 的剝片機(jī)一段使用時(shí)產(chǎn)品中-2 μm 的含量可以達(dá)72%,3 000 L 的濕法攪拌磨在一段剝片時(shí)產(chǎn)品中-2 μm 的含量可高達(dá)91%[94]。 大流量臥式剝片機(jī)具有連續(xù)性、效率高等特點(diǎn)。 一般來(lái)說(shuō),大容量的剝片機(jī)更容易獲得較細(xì)的高嶺土粒度,符合工業(yè)化應(yīng)用的需要。 最新研究表明,大流量臥式砂磨機(jī)的使用提高了廣東某地高嶺土的質(zhì)量,使高嶺土-2 μm 的含量由未磨剝時(shí)的85.00%提高至93.83%,其各項(xiàng)指標(biāo)均已接近美國(guó)造紙高嶺土指標(biāo)[96]。

不同的礦漿濃度會(huì)顯著影響高嶺土的剝片效果。研究表明,在剝片時(shí)通常需要考慮礦漿的濃度,礦漿濃度過(guò)低會(huì)導(dǎo)致剝片效率低下,而礦漿濃度過(guò)大會(huì)導(dǎo)致礦漿流動(dòng)性變差、磨剝時(shí)礦漿溫度上升、六偏磷酸鈉分散作用下降,最終造成磨剝效果下降。 以砂磨機(jī)處理廣東高嶺土為例,當(dāng)濃度從35%增加到60%的過(guò)程中,-2 μm 的含量呈現(xiàn)先上升后下降的趨勢(shì),在濃度為50%時(shí),含量達(dá)到最大值,再增加濃度,剝片效率會(huì)下降,最終獲得的-2 μm 的含量?jī)H為91%,從此研究中可以看出,合適的礦漿濃度會(huì)提升剝片效率[96]。

3.1.2 高壓擠出法

高壓擠出剝片法,其原理是利用柱塞泵的高壓力差,對(duì)料漿施加一定的壓力,使高壓料漿通過(guò)狹窄的間隙噴嘴并以一定的高速?lài)姵龅匠喝~輪或擋板上,利用高速流體的強(qiáng)剪切力空化效應(yīng)及碰撞作用,實(shí)現(xiàn)高嶺土的超細(xì)剝片[97]。 高壓擠出法克服了機(jī)械剝磨法的主要缺點(diǎn),具有不需要磨礦介質(zhì)、無(wú)二次污染等優(yōu)點(diǎn),但仍存在能耗高、成本大、設(shè)備易損等缺點(diǎn),特別是對(duì)高壓設(shè)備質(zhì)量和材料的要求很?chē)?yán)格,且剝片過(guò)程中雜質(zhì)礦物不能排除,需對(duì)篩分后的高嶺土進(jìn)行細(xì)磨分級(jí)處理。

3.2 化學(xué)剝片法

化學(xué)剝片法,一般先使用一些有機(jī)無(wú)機(jī)小分子(DMSO、KAc 等)進(jìn)行插層,然后通過(guò)水洗、醇洗等方法進(jìn)行插層劑去除,同時(shí)實(shí)現(xiàn)高嶺土的剝片。 比如沈忠悅等[98]對(duì)高嶺土進(jìn)行KAc 插層,然后對(duì)高嶺土復(fù)合物進(jìn)行水洗處理,實(shí)現(xiàn)高嶺土層結(jié)構(gòu)剝離,所得高嶺土-2 μm 的含量從原來(lái)的35%增加到82%。 一般來(lái)說(shuō),KAc 插層—水洗工藝能將高嶺土片層厚度從40～50 nm 減小到20 nm 左右,熱水洗的剝片效果會(huì)更好。 對(duì)DMSO、NMF 等插層的高嶺土進(jìn)一步通過(guò)甲醇置換插層,可減小高嶺土片層厚度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)高嶺土的表面改性[80-82]。 這些小分子插層劑的插層剝片工藝一般不會(huì)引起高嶺土的片層卷曲,可使高嶺土保持良好的片層形貌。 近10 a 來(lái),甲醇的置換插層極大地推動(dòng)了工業(yè)上高嶺土在復(fù)合材料領(lǐng)域推廣應(yīng)用。

在此基礎(chǔ)上,還可使用烷基胺、季銨鹽、脂肪酸鹽等碳鏈比較長(zhǎng)的大分子物質(zhì)作為插層劑,實(shí)現(xiàn)高嶺土的高效剝片。 這些大分子置換高嶺土后,其片層更易于發(fā)生分離、剝落,但同時(shí)會(huì)發(fā)生片層卷曲現(xiàn)象,導(dǎo)致高嶺石向埃洛石轉(zhuǎn)變[81]。 LIU 等[47]采用不同鏈長(zhǎng)的烷基胺(己胺、十八胺)對(duì)張家口高嶺土進(jìn)行插層處理,高嶺土層間距約為2.87～5.73 nm,水洗剝片處理后高嶺土形態(tài)從原先的板片狀變?yōu)榫砬鸂?并發(fā)現(xiàn)Kaol/HEA 的卷曲程度較弱,僅在邊緣處發(fā)現(xiàn),而高嶺土/OCA 的卷曲較大,形成了完整的納米管形貌。Kaol/HEA 和Kaol/OCA 插層化合物卷曲度的差異是由HEA 和OCA 這2 種物質(zhì)的分子鏈長(zhǎng)度差異造成的。 較大的基底間距提供了有利的卷曲空間,從而在插層劑作用力下誘導(dǎo)發(fā)生片層卷曲。

需要指出的是,化學(xué)剝片法采用的水洗工藝,常會(huì)導(dǎo)致高嶺土表面及層間殘留較多的插層劑,會(huì)對(duì)高純高嶺土粉體造成一定的污染,從而影響高嶺土在生物醫(yī)藥等高端應(yīng)用領(lǐng)域的使用。

3.3 物理化學(xué)剝片法

物理化學(xué)剝片法,一般先通過(guò)DMSO 等小分子的插層作用使高嶺土層間距擴(kuò)大,然后施加一定的機(jī)械作用力(超聲、球磨等)促進(jìn)高嶺土片層發(fā)生分離。此外,也常使用甲醇置換插層后通過(guò)十六烷基三甲基氯化銨(CTAC)、十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)、十八胺等大分子插層實(shí)現(xiàn)高嶺土的高效剝片。

表4 統(tǒng)計(jì)了不同產(chǎn)地的高嶺土采用化學(xué)法(#)或者物理化學(xué)法(?)剝片后的層間距、孔容、比表面積及形貌等特征。

表4 插層復(fù)合物的層間距、孔容、比表面積和形貌匯總Table 4 The d-spacing,pore volume,surface area and morphology of intercalation complex

(1)插層—球磨。 插層—球磨工藝被較多高嶺土企業(yè)嘗試過(guò),一般是利用砂磨機(jī)、超細(xì)研磨機(jī)、剝片機(jī)等對(duì)插層后的高嶺土進(jìn)行球磨處理,后因其效果不理想而較少研究。

(2)插層—超聲/乳化。 插層—超聲工藝是近年來(lái)研究較多的,且普遍效果較好。 DMSO、KAc 等小分子插層劑插入高嶺土層間后,通過(guò)超聲或乳化處理,可利用空穴效應(yīng)、流體強(qiáng)剪切作用等大幅提升高嶺土片層分離的效果,并促進(jìn)插層劑的去除。 如對(duì)醋酸鉀插層高嶺土進(jìn)行超聲剝片時(shí),其層厚度可從40～50 nm 左右降低到15 nm 左右[100]。 李曉光[99]對(duì)比了超聲輔助對(duì)插層高嶺土比表面積的影響。 結(jié)果表明,進(jìn)行超聲處理時(shí)張家口高嶺土的比表面積和孔容分別由51 m2/g 和0. 22 cm3/g 增加到101 m2/g 和0.48 cm3/g,經(jīng)過(guò)超聲后高嶺土的比表面積變化率由原來(lái)的410%提高到909%,相應(yīng)的孔容也發(fā)生明顯的提高。 該類(lèi)工藝獲得的高嶺土,一般具有比表面積大、徑厚比高等特點(diǎn),但高嶺土的形貌易卷曲為管狀形態(tài)。

(3)插層—置換插層—超聲。 近年來(lái)的研究發(fā)現(xiàn),利用經(jīng)過(guò)大分子置換插層的高嶺土進(jìn)行超聲處理,可進(jìn)一步提升高嶺土的剝片效果。 MATUSIK等[101]發(fā)現(xiàn)埃及高嶺土經(jīng)過(guò)己胺或十八胺置換插層及超聲處理后比表面積從12.35 m2/g 增加到29.43 m2/g。 ABUKHADRA 等[18]研究了高嶺土經(jīng)過(guò)CTAB置換插層及超聲處理后高嶺土的比表面積及形貌的變化,發(fā)現(xiàn)經(jīng)過(guò)超聲處理后高嶺土的比表面積從10 m2/g 增加到105 m2/g,高嶺土形貌由原來(lái)片狀轉(zhuǎn)變成邊緣彎曲的管狀形態(tài)。 此外,有學(xué)者發(fā)現(xiàn),類(lèi)似石墨的剝片工藝,通過(guò)添加一些輔助試劑,也可促進(jìn)插層高嶺土的片層分離。 LIU 等[102]通過(guò)將高嶺石-DMSO 插層復(fù)合物與H2O2進(jìn)行置換反應(yīng)并超聲處理后顯著降低了高嶺土的片層厚度。 該方法通過(guò)輔助試劑H2O2促進(jìn)了高嶺土片層的分離,獲得的高嶺土片層厚度可低至數(shù)納米[50]。 該類(lèi)工藝可獲得徑厚比高、比表面積大、片層厚度低的片狀高嶺土。 然而,由于大多數(shù)置換插層的有機(jī)分子需要通過(guò)DMSO、甲醇置換的方式才能進(jìn)入高嶺石層間,該工藝仍存在工藝繁瑣、時(shí)間長(zhǎng)、試劑消耗量大等問(wèn)題。 此外,在片層厚度低于10 nm 的高嶺土的制備與存儲(chǔ)過(guò)程中,這些超薄高嶺土納米片會(huì)出現(xiàn)因環(huán)境溫度加熱而發(fā)生片層重新粘附堆疊的現(xiàn)象,從而阻礙其粉體在橡膠、涂料高端應(yīng)用領(lǐng)域的規(guī)?；?。

3.4 小 結(jié)

近年來(lái)的高嶺土剝片技術(shù)研究,主要在高嶺土剝片設(shè)備、物理化學(xué)剝片法上取得了一些新成果,主要包括:① 新型大容量研磨設(shè)備的開(kāi)發(fā)以及研磨介質(zhì)及礦漿濃度等工藝參數(shù)的優(yōu)化,進(jìn)一步提高了我國(guó)高嶺土企業(yè)的超細(xì)研磨效率。 然而,傳統(tǒng)的磨剝法和高壓擠出法雖能大幅減小高嶺土粒徑,但徑厚比降低仍不明顯。 超聲破碎儀會(huì)造成高嶺土片層結(jié)構(gòu)破壞而超聲池的直接剝片效果不理想,仍未實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。 總體而言,現(xiàn)有的物理剝片工藝雖可降低高嶺土粒度卻難以大幅提升其徑厚比。 ② 插層工藝能較大程度地增大高嶺土的層間距值并改變其表面性質(zhì),有利于剝片效果的大幅提升,但會(huì)引起有機(jī)大分子殘留或?qū)е赂邘X石向埃洛石的形貌轉(zhuǎn)變。 插層、超聲、球磨等工藝結(jié)合的物理化學(xué)協(xié)同方法能實(shí)現(xiàn)高嶺石的高效剝片,獲得比表面積大、徑厚比高的納米高嶺石,但高嶺土的剝片率及其片層形貌會(huì)受到具體剝片工藝影響,且存在化學(xué)試劑使用量大的問(wèn)題。

4 結(jié)論與展望

近十余年來(lái)的國(guó)內(nèi)外高嶺土插層剝片研究,進(jìn)一步探索了插層劑種類(lèi),高嶺土產(chǎn)地及溫度、水含量和反應(yīng)時(shí)間等插層反應(yīng)條件以及插層工藝對(duì)高嶺土插層率、層間距及片層形貌的影響,開(kāi)發(fā)了物理法、化學(xué)法和物理化學(xué)協(xié)同剝片法等多種高嶺土剝片新方法,提升了高嶺土的比表面積、孔容、徑厚比等指標(biāo),并解析了一些插層與剝片過(guò)程的熱力學(xué)及動(dòng)力學(xué)微觀機(jī)制。 在未來(lái)的發(fā)展中,針對(duì)高嶺土高值化利用的高端應(yīng)用需求及當(dāng)前工業(yè)背景,從超薄高嶺土、水基插層剝片新技術(shù)、綠色插層劑與剝片新工藝等方面入手,可進(jìn)一步研究的方向主要有:

(1)超薄高嶺土的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用。 開(kāi)發(fā)徑厚比大于100、層厚小于10 nm 的超薄高嶺土的插層剝片技術(shù),有望大幅提升高嶺土在生物醫(yī)藥、涂料、航空航天等高端領(lǐng)域的應(yīng)用性能。 現(xiàn)有的磨剝—插層—超聲等工藝結(jié)合的物理化學(xué)剝片方法獲得的納米高嶺土距此仍有一定距離,且存在工藝復(fù)雜、化學(xué)試劑消耗量大、成本高等問(wèn)題。 因此,開(kāi)發(fā)更高效的插層剝片工藝、篩選更綠色環(huán)保的插層劑等,將是高嶺土礦物高值化加工技術(shù)的重要發(fā)展方向,有利于我國(guó)高嶺土工業(yè)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的綠色持續(xù)發(fā)展。

(2)水基插層剝片新技術(shù)的開(kāi)發(fā)。 水分子可促進(jìn)DMSO 等插層劑進(jìn)入高嶺土層間結(jié)構(gòu)的新發(fā)現(xiàn),為高嶺土—插層劑—水的復(fù)雜界面作用打開(kāi)了一扇新的門(mén)戶(hù)。 進(jìn)一步解析水對(duì)插層工藝的影響規(guī)律,發(fā)掘水為主要插層劑的插層新工藝,從而大幅減少有機(jī)試劑的使用、降低成本,將是實(shí)現(xiàn)高嶺土高值化利用的可行方向。 此外,針對(duì)多次置換插層工藝甲醇使用量大的問(wèn)題,探索低甲醇使用量的新工藝也值得探索。

(3)理論計(jì)算指導(dǎo)綠色插層劑與新工藝的研發(fā)。近年來(lái),國(guó)內(nèi)外學(xué)者通過(guò)理論計(jì)算解析高嶺土插層與剝片過(guò)程的熱力學(xué)及動(dòng)力學(xué)微觀機(jī)制方面取得了成功。 未來(lái)發(fā)展中,通過(guò)理論計(jì)算從原子、電子層次開(kāi)展高嶺土插層剝片過(guò)程的礦物界面作用機(jī)制研究,將有助于新型綠色插層劑及插層剝片新工藝的理性設(shè)計(jì),有助于新一代插層剝片技術(shù)的開(kāi)發(fā)。