深紫外光刻工藝的環(huán)境控制

范欽文，顧愛軍

（中國電子科技集團公司第五十八研究所，江蘇無錫214035）

1 引言

光刻工藝是集成電路制造中的關鍵工藝，在整個集成電路制造過程中需要進行多次光刻，光刻費用占據(jù)集成電路制造總成本的30%[1]。隨著光刻工藝的發(fā)展，器件的特征尺寸不斷縮小，工作速度、集成度和生產(chǎn)能力大幅提高，生產(chǎn)成本不斷下降。

進入21 世紀，半導體工業(yè)按照摩爾定律持續(xù)快速發(fā)展，超大規(guī)模集成電路的光刻次數(shù)大于20 次，深紫外光刻機和深紫外化學放大光刻膠大量替代紫外光刻機和紫外光刻膠[2]。對比g 線和i 線紫外光刻機，深紫外光刻機采用KrF 準分子激光器和ArF準分子激光器作為光源，光源波長分別縮短到248 nm和193 nm。

光刻工藝中，首先在硅片表面均勻涂布光刻膠，經(jīng)光刻機曝光把掩模版圖形縮小投射到光刻膠上，通過顯影在光刻膠上形成掩模版圖形。與紫外光刻膠相比，深紫外光刻膠為化學放大光刻膠，容易受工藝環(huán)境中空氣分子污染物的影響而出現(xiàn)胺中毒等問題[3]。與紫外光刻機相比，深紫外光刻機使用波長為248 nm或193 nm 的準激光光源，其照明系統(tǒng)更容易受空氣分子污染物、顆粒、溫濕度波動和振動的影響，從而造成光線閃耀、均勻性差、透光率低和鏡片變形等問題，直接影響光刻工藝質量[4-6]。深紫外光刻機使用的波長為193 nm 的深紫外光還會使光路周圍環(huán)境空氣中的氧氣產(chǎn)生化學反應，生成臭氧，從而帶來更多問題[7-9]，因而對超凈空氣和氮氣的使用提出了更加嚴苛的要求。深紫外光刻機采用掃描步進的工作方式，相比于步進式紫外光刻機，對防微振也提出了更高的要求。

上述有關深紫外光刻工藝環(huán)境控制的問題必須得到有效解決，才能保證深紫外光刻工藝質量穩(wěn)定。本文通過研究室外環(huán)境、凈化廠房環(huán)境和光刻機設備內部環(huán)境的空氣顆粒污染物、空氣分子污染物和振動問題以及對深紫外光刻工藝環(huán)境的影響，總結形成解決方案。

2 光刻工藝環(huán)境模型

圖1 為光刻工藝環(huán)境模型圖，光刻工藝環(huán)境包括室外環(huán)境、凈化廠房環(huán)境和設備內部微環(huán)境3 個層面。第一層室外環(huán)境對光刻工藝的影響因素包括大氣環(huán)境中的空氣顆粒污染物、空氣分子污染物、溫濕度變化和廠房周圍的各種振動源；第二層凈化廠房環(huán)境對光刻工藝的影響因素包括廠房內部生產(chǎn)設備、動力設施、原材料供應系統(tǒng)、各類人員帶來的空氣顆粒污染物、空氣分子污染物、溫濕度變化和振動；第三層設備內部微環(huán)境對光刻工藝的影響因素包括光刻設備內部運動部件、發(fā)熱部件和原材料帶來的空氣顆粒污染物、空氣分子污染物、溫濕度變化和振動[10-12]。

圖1 光刻工藝環(huán)境模型

3 室外環(huán)境的影響因素及控制手段

日常生產(chǎn)和生活中的燃料燃燒、交通、工業(yè)和農(nóng)業(yè)活動均會排放大量的污染物，常見的有一氧化碳、臭氧、二氧化硫、氨氧化物、PM2.5和PM10等。空氣的溫度、濕度、風速、氣壓和降水等氣象條件因素又影響了污染物的分布。

3.1 室外環(huán)境的影響因素

室外環(huán)境對光刻工藝環(huán)境的影響因素包括空氣顆粒污染物、空氣分子污染物、溫濕度變化以及自然和人為帶來的振動污染。

3.1.1 空氣顆粒污染物

空氣顆粒污染物主要以物理方式影響光刻工藝環(huán)境，造成集成電路產(chǎn)品的短路、表面缺陷等問題，隨著技術的發(fā)展，器件特征尺寸不斷縮小，相應地，要求控制的空氣顆粒污染物尺寸也越來越小[13-14]。

通常所說的十級、百級和千級凈化等級，采用美國聯(lián)邦標準FED-STD209E（英制）。國際標準ISO 14644-1（公制）因其適用的范圍更廣而更多地被采用。ISO 14644-1 定義，不同尺寸的固態(tài)或液態(tài)顆粒物為空氣顆粒污染物，其中直徑小于0.1 μm 的為超細空氣顆粒污染物，大于5 μm 的為超大空氣顆粒污染物[15-16]。ISO 14644-1 對0.1～5 μm 的空氣顆粒污染物進行了控制等級劃分，共分為9 級，每一級再依據(jù)空氣顆粒污染物的尺寸計算出單位體積內控制的空氣顆粒污染物數(shù)量標準，ISO 14644-1 空氣顆粒污染物凈化等級標準如表1 所示，具體算法為

表1 ISO 14644-1 空氣顆粒污染物凈化等級標準[17]

式中，Cn為每立方米空氣內允許的空氣顆粒污染物數(shù)量，N 為凈化等級數(shù)，D 為空氣顆粒污染物尺寸。

3.1.2 空氣分子污染物

空氣分子污染物主要以化學方式影響光刻工藝環(huán)境和光刻工藝質量，工藝環(huán)境中空氣分子污染物尺寸在2 nm 以下，由于其尺寸太小而無法被激光顆粒儀檢測到。國際半導體技術與材料協(xié)會根據(jù)空氣分子污染物的化學性質和對工藝質量的危害性，把集成電路凈化廠房環(huán)境的空氣分子污染物分為酸性、堿性、可凝性和摻雜性4 大類[18-19]。

凈化間黃光區(qū)深紫外光刻工藝敏感的空氣分子污染物主要有揮發(fā)性酸性物質、揮發(fā)性堿性物質、可凝固性和非凝固性有機物，其來源有光刻膠、顯影液、增黏劑、化學試劑、油漆、塑料、環(huán)氧樹脂和人員等。酸性污染物主要腐蝕設備金屬表面，堿性污染物影響化學放大光刻膠顯影，有機污染物直接影響掩模版和光學鏡片表面[20-22]。

國際標準ISO 14644-8 建立了有關空氣分子污染物的空氣化學污染物凈化等級標準，ISO 14644-8 空氣化學污染物凈化等級標準如表2 所示，該等級標準代表在單位體積空氣中指定的化學成分或者一組化學成分的最大允許濃度。這里不包括歸入空氣顆粒污染物的大分子和微生物?？諝饣瘜W污染物凈化等級標準計算方法為

表2 ISO 14644-8 空氣化學污染物凈化等級標準[23]

式中，M 為空氣化學污染物凈化等級，Cx為在單位體積空氣中指定的化學成分或者一組化學成分的最大允許濃度。

3.1.3 溫濕度變化

空氣溫度的變化主要受季節(jié)、氣候和日照情況的影響。空氣濕度是指空氣中水蒸氣的含量，影響空氣濕度的主要因素包括氣溫、氣壓、風速、地形等。氣溫升高，水蒸氣增加，濕度隨之升高，所以夏季氣溫高、濕度大，冬季氣溫低、濕度小。氣壓升高，空氣中的水蒸氣減少，濕度降低，相反，濕度升高。風速也會影響空氣濕度，當風速較大時空氣中的水蒸氣被吹散，空氣濕度降低，相反，空氣濕度升高。海邊或湖邊起風時空氣濕度相對較低。

3.1.4 振動源

廠房周圍的振動源包括自然振動和人為振動，自然振動一般由地震、火山爆發(fā)等自然現(xiàn)象引起，嚴重的會造成房屋倒塌、人員傷亡，生產(chǎn)中斷。人為振動包括廠房振動、工程振動、道路交通振動和低頻空氣振動。振動經(jīng)土壤傳播到周圍建筑物基礎處，引起建筑物的振動響應，可能導致墻壁龜裂、地基變形，威脅到建筑物的安全。由于共振放大作用，其放大倍數(shù)可由數(shù)倍到幾十倍，振動帶來的危害性會更加嚴重。

3.2 對室外環(huán)境影響因素的控制手段及要求

控制室外環(huán)境影響因素中的空氣顆粒污染物、空氣分子污染物和溫濕度變化主要是通過廠房凈化空調的新風機組來實現(xiàn)，新風機組的結構如圖2 所示。其中，活性炭吸附器、水浴裝置和化學過濾器用于消除空氣分子污染物，高效過濾器用于消除空氣顆粒污染物，預熱盤管、冷盤管和加濕器用于控制溫濕度。通過新風機組的處理，送入室內的新風空氣的潔凈度和溫濕度達到技術指標，同時有效去除大氣環(huán)境中的各種空氣分子污染物。

圖2 新風機組的結構

根據(jù)廠房所在工程地質的《巖土工程勘察報告》的數(shù)據(jù)，依據(jù)現(xiàn)行的GB 50011《建筑抗振設計規(guī)范》、GB 50223《建筑工程抗振設防分類標準》、GB 50010《混凝土結構設計規(guī)范》和GB 50007《建筑地基基礎設計規(guī)范》等設計規(guī)范和技術標準，凈化廠房設計為丙類廠房，采用鋼筋混凝土框架結構，深埋鋼筋混凝土防微振實體墻，加大梁柱和防微振平臺等措施，以消除凈化廠房周圍工程建設和交通設施等振動源的影響。

4 凈化廠房環(huán)境的影響因素及控制手段

4.1 凈化廠房環(huán)境的影響因素

凈化廠房內安裝了工藝設備、公用設施、化學試劑配送系統(tǒng)、現(xiàn)場尾氣處理裝置和大量管道，現(xiàn)場還有作業(yè)人員，日常工作中會產(chǎn)生空氣顆粒污染物、空氣分子污染物和振動污染，還會引起溫濕度變化。

4.1.1 空氣顆粒污染物

集成電路制程長、工藝環(huán)節(jié)多，其中干法刻蝕、干法去膠和化學氣相沉積等工藝環(huán)節(jié)會產(chǎn)生空氣顆粒污染物，影響凈化間的潔凈度，從而影響工藝質量，降低成品良率。

4.1.2 空氣分子污染物

凈化廠房內大量使用的化學試劑、有機溶劑、特種氣體和固體液態(tài)摻雜源等原材料，工藝產(chǎn)生的各種工藝廢物、廢液和廢氣，以及現(xiàn)場人員活動過程，都會產(chǎn)生空氣分子污染物，進而影響工藝環(huán)境。

綜合考慮深紫外光刻機設備內部微環(huán)境的專用化學過濾器的使用壽命和長期運行的經(jīng)濟性，凈化間黃光區(qū)分子污染物指標應達到表3 的要求，為深紫外光刻工藝建立一個基礎環(huán)境條件。

表3 凈化間黃光區(qū)分子污染物指標

4.1.3 溫濕度變化

凈化廠房內的氧化爐和高溫工藝墻體等熱源以及清洗工藝大量使用的純水和化學試劑液體的揮發(fā)，都會引起凈化廠房內環(huán)境溫濕度的變化，影響產(chǎn)品表面薄膜質量，引起金屬表面的氧化腐蝕。

4.1.4 振動源

凈化廠房內的振動來源包括輸送管道、真空泵、機械手、電動機、快沖槽、物料搬運和人員活動等。凈化間設備對于振動的敏感程度可以用常見的振動大小來衡量，對振動要求最苛刻的是檢測、測量和光刻機等設備區(qū)域。

4.2 對凈化廠房環(huán)境影響因素的控制手段及要求

在凈化間新風口和黃光區(qū)循環(huán)風口處安裝純水噴淋器和活性炭化學過濾器，可以高效去除空氣中的分子級污染物。在凈化間黃光區(qū)超高效空氣過濾器上方再安裝化學過濾器，可以進一步降低凈化間黃光區(qū)空氣中分子級污染物的含量[24-26]。

評估凈化間設備的防振技術要求，統(tǒng)籌考慮工藝設備和公用設施的布局和防振設計方案，合理選用架空地板、隔離件和消音裝置等防振手段。針對深紫外光刻機的特殊防振需求，選擇的設備機架應在明確環(huán)境振動以外的承受力參數(shù)基礎上，增加加速度、遷移率和力學剛性等專門的承受力參數(shù)的要求。

5 設備內部微環(huán)境的影響因素及控制手段

深紫外光刻機設備由準分子激光器、光路、透鏡、版庫系統(tǒng)、硅片系統(tǒng)和工作臺等部分組成。準分子激光器作為光源，產(chǎn)生的激光經(jīng)過光路照射到掩模版上，再通過透鏡等比例縮小后照射到硅片表面涂布的深紫外化學放大光刻膠上。版庫系統(tǒng)含版庫和上版系統(tǒng)，版庫用于存放掩模版，上版系統(tǒng)用于掩模版的取放、對準和輸送。硅片系統(tǒng)含硅片盒和傳片系統(tǒng)，硅片盒用于存放硅片，傳片系統(tǒng)用于硅片的取放、對準和輸送。工作臺用于承載硅片，完成光照過程中的掃描和步進功能。

5.1 設備內部微環(huán)境的影響因素

深紫外光刻機內部環(huán)境需要保持恒定的溫度和濕度，運動部件產(chǎn)生的顆粒物需要及時清除干凈，發(fā)熱元件需要冷卻，在設備內部關鍵區(qū)域需要形成空氣層流從而產(chǎn)生超凈的微環(huán)境[27-29]。

5.1.1 空氣顆粒污染物

根據(jù)超大規(guī)模集成電路對應的器件特征尺寸，深紫外光刻工藝設備內部微環(huán)境的空氣顆粒污染物凈化等級選擇ISO 14644-1 1 級。

深紫外光刻機設備內部微環(huán)境中各種部件的材料會散發(fā)空氣顆粒污染物，各種電機、絲杠和氣缸等運動部件在工作過程中會摩擦產(chǎn)生空氣顆粒污染物。

準分子激光器采用的準分子是非穩(wěn)定的分子，由激發(fā)態(tài)和基態(tài)兩種狀態(tài)混合而成，基態(tài)極不穩(wěn)定，在10-13s 內會分解，而激發(fā)態(tài)比較穩(wěn)定，在10-8s 內會出現(xiàn)結合態(tài)，并通過輻射衰減。準分子激光器的諧振腔內充入不同的稀有氣體和鹵素氣體混合物，可產(chǎn)生不同波長的脈沖激光[30-31]。減小光源波長可以提高光刻分辨率，而減小激光光源波長主要通過研發(fā)更短波長的準分子激光器。

20 世紀90 年代，248 nm 波長的KrF 準分子激光器在光刻工藝中開始實現(xiàn)商用化，滿足0.18～0.10 μm線寬光刻工藝的要求。隨著集成電路制造技術要求的不斷提高，193 nm 波長的ArF 準分子激光器開始大量使用，滿足90～45 nm 線寬光刻工藝的要求[32-34]。深紫外光刻機所用的ArF 準分子激光器功率達到40 W 以上，產(chǎn)生的193 nm 波長激光脈沖能量達到10 mJ，可以使周圍空氣中的氧氣發(fā)生化學反應轉化為臭氧，臭氧能與光刻膠反應形成顆粒，附著在鏡片表面會縮短光路維護保養(yǎng)周期，或懸浮在空氣中直接影響光路的透光性[35-37]。

5.1.2 空氣分子污染物

深紫外光刻工藝使用了光刻膠、抗反射涂料、去邊劑和眾多有機化學試劑，它們會產(chǎn)生各種空氣分子污染物。

1995 年，集成電路制造線寬進入0.25 μm 技術節(jié)點，化學放大光刻膠開始應用，直至現(xiàn)在還被應用到7 nm 甚至5 nm、3 nm 等更先進的技術節(jié)點中?；瘜W放大光刻膠含一定比例的感光性光酸產(chǎn)生劑和大量聚合物，經(jīng)深紫外光刻機曝光后，光子引起感光性光酸產(chǎn)生劑分解生成少量酸，在加熱條件下，酸會催化聚合物分子鏈發(fā)生反應，使聚合物的溶解性能發(fā)生變化，并重新釋放出酸，而釋放出的酸又能繼續(xù)催化聚合物發(fā)生變化，生成水基顯影液的基團聚合物，從而改變光刻膠的溶解度?；瘜W放大光刻膠內的聚合物酸解使聚合物完全反應所需要的能量變小，這就降低了曝光所需要的能量，從而大幅度提高了光刻膠的光敏性。

化學放大型光刻膠的高曝光靈敏度可以減小對準分子激光器光源輸出能量的依賴，還可以通過控制曝光后烘烤的溫度與時間來更加精密地調節(jié)成像質量，提升對比度、焦深和側壁輪廓垂直度。但是，化學放大光刻膠在曝光后烘烤期間，若空氣分子污染物中的胺、氨等堿性物質擴散進入光刻膠表面，會導致附近的酸發(fā)生酸堿中和反應形成氨鹽，導致化學放大光刻膠作用減弱。這種氨鹽一方面會使酸催化反應的效率受到影響，導致曝光區(qū)膠膜在顯影液中的溶解性質未產(chǎn)生足夠大的變化，另一方面在堿性顯影液中無法溶解，從而導致部分頂層的光刻膠變得不可溶解。當堿性污染物數(shù)量足夠多時，頂層的光刻膠會變得完全不可溶解，導致無法順利完成掩模版上圖形的轉移。實驗結果表明，化學放大光刻膠曝光后處在堿性物質的質量濃度大于10-8g·m-3的環(huán)境時，就會出現(xiàn)化學放大光刻膠表層不溶解的情況[38-39]。

5.1.3 溫濕度變化

深紫外光刻機作為大型超精密機器，由眾多的功能模塊搭建而成。其中，電氣控制箱安裝了控制電路板，長時間連續(xù)工作會產(chǎn)生大量熱量；傳送系統(tǒng)的電機線圈和對準系統(tǒng)采用的激光器在長時間工作后也會發(fā)熱。設備內部的各種熱源引起溫濕度的變化，進而引起光學鏡片的變形，導致光線變化，無法正常工作。

5.1.4 振動源

光刻過程運動部件產(chǎn)生振動會給深紫外光刻機的工作造成致命的影響，導致光刻圖形誤差增大和工藝窗口下降。深紫外光刻機照明系統(tǒng)對于振動特別敏感，振動使得光強均勻性變差，嚴重時會出現(xiàn)光線閃爍效應，無法進行曝光。工作臺的振動會造成光刻圖形關鍵尺寸的均勻性、線條邊緣粗糙度和套刻精度等指標超標，嚴重時不能完成掩模版和硅片的自動定位[40-41]。

衡量振動響應的指標有振動位移、振動速度和振動加速度。振動位移適用于低頻振動，振動加速度適用于高頻振動，振動速度兼顧低頻和高頻振動，以此衡量容許振動更加合理[42-43]。3 個指標可以相互轉換，振動指標采用振動位移或振動加速度衡量時，若需要可以轉換為振動速度。在已知振動頻率的情況下，振動位移U、振動加速度A 和振動速度V 存在如下關系：

其中，f 為振動頻率。

Colin Gordon 公司提出的振動標準被美國環(huán)境科學與技術學會采納并推薦為通用環(huán)境微振的等級，該振動標準含有從VC-A 到VC-G 的7 條曲線，覆蓋了振動敏感設備儀器和納米技術設備的容許振動限值，我國的GB51076—2015《電子工業(yè)防微振動設計規(guī)范》也參考了此標準[44]。

深紫外光刻機的靜態(tài)振動控制要求是：主機平臺高架地板振動頻率處于1～100 Hz 時，容許振動速度為3 μm/s；準分子激光器安裝平臺振動頻率處于1～100 Hz 時，容許振動速度為6 μm/s。為此，需專門為深紫外光刻機主機配備阻尼諧振頻率小于100 Hz 的隔振平臺，以滿足靜態(tài)振動的控制要求。

深紫外光刻機在光刻膠曝光過程中掩模版處于掃描運動狀態(tài)，區(qū)別于紫外光刻機在光刻膠曝光過程中掩模版的靜止狀態(tài)，因此深紫外光刻機在靜態(tài)容許振動標準的基礎上，還專門引進了動態(tài)阻尼振動的控制要求。

5.2 對設備內部微環(huán)境影響因素的控制手段及要求

深紫外光刻機的微環(huán)境控制柜主要由微循環(huán)風機、超高效空氣過濾器、化學過濾器組件、熱交換器和溫濕度控制器等組件組成。

深紫外光刻機的曝光區(qū)域、硅片傳送區(qū)域、硅片工作臺、版庫和上版區(qū)域分別形成了局部層流，建立各區(qū)域的凈化微環(huán)境，超高效過濾器出口氣流達到0.45 m/s；潔凈度達到ISO 14644-1 1 級，即微環(huán)境中每立方米空氣中直徑為0.1 μm 以下的顆粒不超過10顆、直徑為0.1～0.2 μm 的顆粒不超過2 顆、直徑為0.3 μm 以上的顆粒為0 顆；空氣分子污染物中酸性物質的質量濃度小于10-9g/m3、堿性物質的質量濃度小于10-9g/m3、可凝固有機物的質量濃度小于2×10-8g/m3；環(huán)境溫度控制在（22±0.1）℃；環(huán)境相對濕度控制在45%±3%[45]。同時，為保證光刻機光學鏡片壽命和光刻工藝的穩(wěn)定性，選用低放氣率的深紫外光刻膠[46]。

掩模版庫采用標準機械接口（SMIF）的方式與光刻機內的環(huán)境連成一體，通過光刻機內部的層流，形成溫濕度和潔凈度符合要求的微環(huán)境，確保掩模版在存放過程中處在一個超凈的安全環(huán)境里。深紫外光刻機選用前開式晶圓傳送盒（FOUP），F(xiàn)OUP 由超純聚碳酸酯材料制作而成，滿足空氣分子污染物的管控要求，能通過下降前開門把FOUP 與光刻機緊密連接為一體，通過上升前開門把FOUP 與光刻機分離，形成密封獨立空間，內部充滿超凈惰性氣體，形成溫濕度和潔凈度符合要求的正壓微環(huán)境[47]。

193 nm 深紫外光刻機的光路區(qū)域采用超凈氮氣形成保護氣氛[48]，可以避免臭氧的生成，同時保護光路區(qū)域的光學鏡片安全。氮氣為惰性氣體，若大量泄露到環(huán)境中，會造成窒息性安全隱患，必須安裝氧含量儀，在線實時監(jiān)控。

193 nm 深紫外光刻機的鏡頭區(qū)域用超凈壓縮空氣形成吹掃氣流[48-49]，可以避免因臭氧的累積引起光路通透率下降，同時保護鏡頭的安全。

深紫外光刻機內部使用的超凈氮氣的污染物含量指標要求見表4，使用的超凈壓縮空氣指標要求見表5。

表4 超凈氮氣的污染物含量指標要求[50]

表5 超凈壓縮空氣的指標要求[51]

在凈化間深紫外光刻機內部微環(huán)境和外部上方超高效空氣過濾器出風面分別安裝化學發(fā)光實時堿性分子污染物檢測儀，實時在線監(jiān)控環(huán)境中堿性分子污染物的含量，確保深紫外光刻機內部微環(huán)境堿性分子污染物的含量符合要求。化學發(fā)光實時堿性分子污染物檢測儀包括總氮轉換器、臭氧發(fā)生器、真空泵和尾氣處理裝置等部件，可用于含氮的堿性分子污染化合物檢測，由于其具有濃度檢測范圍大、抗干擾性強、能區(qū)分氣態(tài)氨和銨鹽、儀器調試簡單、響應時間短（僅為1 min）、日常維護費用低和在線信號穩(wěn)定性強等諸多優(yōu)點，適用于深紫外光刻工藝質量控制在線檢測[52-54]。

為了進一步隔絕設備內部微振源的影響，深紫外光刻機設備內部的硅片工作臺需安裝防微振氣墊，在設備內部形成穩(wěn)定的環(huán)境[55-57]。表6 是某集成電路制造工廠采用的深紫外光刻機工藝環(huán)境控制方案，在實際運行中可以達到環(huán)境控制要求。

表6 某集成電路制造工廠的深紫外光刻機工藝環(huán)境控制方案

6 結論

通過研究現(xiàn)有文獻成果，結合實踐經(jīng)驗數(shù)據(jù)總結形成深紫外光刻工藝的環(huán)境控制要求，歸納提出深紫外光刻工藝的環(huán)境控制措施：空氣顆粒污染物的控制措施是安裝新風機組和凈化間高效過濾器、微環(huán)境超高效過濾器，采用SMIF 和FOUP 連接；空氣分子污染物的控制措施是安裝新風機組和循環(huán)風水浴、活性炭吸附、化學過濾器、凈化間和微環(huán)境化學過濾器組件；溫濕度的控制措施是安裝新風機組和循環(huán)風熱冷盤管、加濕器、微環(huán)境溫濕度控制柜，采用壓空冷卻、熱排風等裝置；振動的控制措施包括深埋防微振實體墻，加大梁柱，統(tǒng)籌布局和防振設計，合理選用架空地板、隔離件，安裝設備工作臺防微振氣墊。方案從外部環(huán)境、凈化間環(huán)境和設備內部微環(huán)境3 個層面實施控制措施，可以達到深紫外光刻工藝環(huán)境的控制要求。