電子元器件可靠性技術(shù)發(fā)展綜述

魏莎莎，李真

（1.中國(guó)電科芯片技術(shù)研究院，重慶 400060；2.中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所，重慶 400060）

0 引言

在全球一體化的大趨勢(shì)下，龐大的市場(chǎng)和參差不齊的產(chǎn)品質(zhì)量使得競(jìng)爭(zhēng)越來越激烈，同時(shí)隨著我國(guó)軍工事業(yè)的快速發(fā)展，保證產(chǎn)品質(zhì)量才是提高核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵。電子元器件作為現(xiàn)在該領(lǐng)域研究的重點(diǎn)，不僅決定了整個(gè)系統(tǒng)的質(zhì)量，還是我國(guó)軍工事業(yè)發(fā)展的基石，由此可見，提高電子元器件的質(zhì)量和可靠性研究至關(guān)重要。

在工程中，可靠性是指一個(gè)系統(tǒng)或電子元器件在規(guī)定的條件和規(guī)定的時(shí)間內(nèi)履行其所需功能的能力。因此，定量可靠性預(yù)測(cè)與評(píng)估的基本任務(wù)是考慮電子元器件設(shè)計(jì)和工作環(huán)境，確定系統(tǒng)的失效時(shí)間分布函數(shù)和相關(guān)的可靠性需求。一些輸出度量如平均失效時(shí)間（MTTF：Mean Time to Failure），失效率都可以由失效時(shí)間分布函數(shù)導(dǎo)出。一種有效的系統(tǒng)可靠性預(yù)測(cè)與評(píng)估方法不僅可以識(shí)別失效，還可以進(jìn)行靈敏度分析，定量確定不同部件對(duì)系統(tǒng)失效的影響。

鑒于目前及未來電子元器件的可靠性分析都是各個(gè)系統(tǒng)必不缺少的一步，而電子元器件的失效率給研究人員的可靠性分析帶來巨大的挑戰(zhàn)，本文面向電子元器件質(zhì)量與可靠性發(fā)展進(jìn)行了綜述。

1 國(guó)內(nèi)外電子元器件可靠性發(fā)展現(xiàn)狀

以前人們對(duì)質(zhì)量的認(rèn)知僅僅停留在質(zhì)量檢驗(yàn)上，通過有效的檢驗(yàn)方法能夠針對(duì)出廠之后的各項(xiàng)工序進(jìn)行質(zhì)量管理，不過隨著可靠性和產(chǎn)品質(zhì)量的發(fā)展、社會(huì)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，以及企業(yè)生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，傳統(tǒng)的檢驗(yàn)技術(shù)已無法滿足產(chǎn)品可靠性的要求[1]。20 世紀(jì)50 年代后，美國(guó)提出質(zhì)量管理的理念和技術(shù)，在產(chǎn)品研發(fā)和制作的過程中有效提高了產(chǎn)品的整體質(zhì)量，也保證了技術(shù)的可靠性。Choi 等[2]通過加速壽命試驗(yàn)（ALT：Accelerated Life Test）研究了瞬變電磁法的壽命分布和形狀參數(shù)，并討論了如何通過失效物理來提高瞬變電磁法的壽命；Squiller 等[3]提出了基于POF 的系統(tǒng)級(jí)可靠性評(píng)估程序，該程序確定了3 個(gè)主要子系統(tǒng)的主要故障機(jī)制，即：電源模塊、直流鏈接電容器和控制電路等。

我國(guó)電子元器件可靠性技術(shù)的發(fā)展較晚，20世紀(jì)70 年代，才開始在電子工業(yè)和航空工業(yè)中初步形成體系，并應(yīng)用于軍工產(chǎn)品[4]。21 世紀(jì)前，我國(guó)在過程缺陷影響分析與控制的基礎(chǔ)上，研究了電子元器件PCM、REM 和SPC 的質(zhì)量控制與可靠性測(cè)試與評(píng)價(jià)技術(shù)，使可靠性工程從測(cè)試階段上升到設(shè)計(jì)和生產(chǎn)階段，實(shí)現(xiàn)了從單純的測(cè)試與評(píng)價(jià)向?yàn)榭煽啃远O(shè)計(jì)和過程控制的發(fā)展。21 世紀(jì)以來，在HEMT 器件的退化機(jī)理及壽命評(píng)估、CMOS 電路ESD/EOS 加固設(shè)計(jì)和驗(yàn)證、標(biāo)準(zhǔn)VDSM 加工平臺(tái)的工藝可靠性評(píng)價(jià)、多層布線VISI 的故障診斷與缺陷定位、微電路抗輻射特性的測(cè)試與評(píng)價(jià)、KGD的可靠性保證、其他基于POF 的可靠性技術(shù)失效機(jī)理模擬、可靠性設(shè)計(jì)驗(yàn)證、加速應(yīng)力測(cè)試和故障定位，以及微缺陷分析等方面取得了重要進(jìn)展[4]。不僅如此，電子元器件、新材料、新工藝和軟件技術(shù)等各項(xiàng)新技術(shù)在裝備上的應(yīng)用越來越普及，裝備的可靠性技術(shù)也經(jīng)歷了跨越式的發(fā)展，從單一可靠性擴(kuò)展到 “六性” 的范疇，包括可靠性、維修性、保障性、安全性、測(cè)試性和環(huán)境適應(yīng)性。我國(guó)建立了電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、可靠性與環(huán)境工程技術(shù)國(guó)防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等國(guó)家級(jí)實(shí)驗(yàn)室，簡(jiǎn)稱具備大型綜合環(huán)境試驗(yàn)?zāi)芰Φ脑囼?yàn)室，標(biāo)志著我國(guó)可靠性科研與應(yīng)用水平進(jìn)入了世界先進(jìn)行列[5]。

2 電子元器件可靠性技術(shù)分析

2.1 可靠性預(yù)測(cè)方法

可靠性預(yù)測(cè)通常在產(chǎn)品開發(fā)生命周期的早期階段對(duì)采用特定的系統(tǒng)設(shè)計(jì)起著重要的作用。與競(jìng)爭(zhēng)者相比，提供更高的可靠性是當(dāng)今電子產(chǎn)品行業(yè)取得成就的重要組成部分?？煽啃詥栴}的概念必須從設(shè)計(jì)過程的最早起點(diǎn)開始實(shí)施，以實(shí)現(xiàn)高項(xiàng)目可靠性。電子可靠性預(yù)測(cè)方法通常分兩個(gè)階段進(jìn)行[6]。

a）零件數(shù)量分析

需要系統(tǒng)的次要信息，通常在設(shè)計(jì)階段的初始階段使用，以獲得初步的可靠性估計(jì)。

b）零件應(yīng)力分析

需要對(duì)系統(tǒng)有充分的了解，從而提高可靠性預(yù)測(cè)的準(zhǔn)確性。選擇正確的可靠性預(yù)測(cè)方法是可靠性工程中的難題之一。

嚴(yán)格的分析是必須的，以確保系統(tǒng)的可靠性。在設(shè)計(jì)階段，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者需要利用可靠性相關(guān)信息提前預(yù)測(cè)系統(tǒng)可靠性，以便在系統(tǒng)可靠性達(dá)不到目標(biāo)可靠性時(shí)采取糾正措施?？煽啃灶A(yù)測(cè)方法的需求性質(zhì)根據(jù)系統(tǒng)開發(fā)生命周期的不同階段而不同，因此每個(gè)階段的預(yù)測(cè)方法也不同?？煽啃灶A(yù)測(cè)的主要目的是：

a）檢驗(yàn)可靠性要求是否可行；

b）找出一個(gè)特定的設(shè)計(jì)是否符合其規(guī)格；

c）對(duì)系統(tǒng)的不同設(shè)計(jì)和相應(yīng)的可靠性評(píng)估進(jìn)行比較；

d）評(píng)估保修費(fèi)用和維修支持需求；

e）潛在危害評(píng)價(jià)；

f）為安全分析提供支持；

g）用于評(píng)估關(guān)鍵部件的保修期[7-8]。

2.1.1 自下而上的統(tǒng)計(jì)方法

自下而上的統(tǒng)計(jì)方法（BS：Bottom -up Statistical Methods）使用的預(yù)測(cè)模型來自于部件失效數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)曲線擬合，這些數(shù)據(jù)可能是在現(xiàn)場(chǎng)、實(shí)驗(yàn)室或制造商那里收集的。假設(shè)系統(tǒng)或設(shè)備的故障原因與故障相互獨(dú)立的部件有內(nèi)在聯(lián)系。BS 方法所采用的模型主要有零件計(jì)數(shù)分析模型和零件應(yīng)力分析模型兩類。零件數(shù)量分析模型假設(shè)零件在典型的工作條件下工作，而零件應(yīng)力分析模型需要輸入零件失效率模型λ 中包含的參數(shù)[9]微電路。BS方法使用的模型實(shí)例如式（1）～（4）所示。

a）零件計(jì)數(shù)分析模型

b）零件數(shù)量分析模型

式（1）～（4）中：

λG，λa——一般失效率或平均失效率，根據(jù)設(shè)備的復(fù)雜性和技術(shù)而定；

ΠO——質(zhì)量因素，取決于器件的質(zhì)量；

ΠL——器件因素，取決于器件的制造時(shí)間；

C1，C2——故障率常數(shù)，取決于設(shè)備的復(fù)雜性（電路、技術(shù)、封裝和引腳數(shù)）；

ΠB——封裝工藝因素；

ΠT——工藝與功能因素；

ΠS——封裝引腳因素；

Πt——溫度加速因子（穩(wěn)態(tài)工作溫度）；

ΠV——電壓應(yīng)力因子，取決于施加電壓與組件額定電壓的比值；

ΠE——環(huán)境因子，取決于對(duì)環(huán)境的表格描述。

BS 方法的另一個(gè)發(fā)展是使用PRISM 軟件[10]，PRISM 包括了溫度循環(huán)和焊點(diǎn)的失效率。該方法還可以進(jìn)行簡(jiǎn)單的相似度分析，利用現(xiàn)場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)庫，用工藝分級(jí)因子對(duì)整體質(zhì)量因子進(jìn)行加權(quán)。這些因素取決于零部件、設(shè)計(jì)、制造、供應(yīng)鏈、機(jī)械疲勞、管理和分析工具。這是一種與自頂向下相似性分析方法（TD：Top-down Similarity Analysis Methods）相結(jié)合的方法。一旦計(jì)算出每個(gè)部件的失效率，就可以通過將所有λ 加起來計(jì)算出電路板的可靠性。

2.1.2 自頂向下的相似性分析方法

基于專有數(shù)據(jù)庫的TD，使用已知可靠性水平的以前的系統(tǒng)或子系統(tǒng)與新設(shè)計(jì)的系統(tǒng)之間進(jìn)行相似性分析。所有失效原因都要考慮，而不僅僅是部件的故障率，因此，失效原因分析是至關(guān)重要的。典型的TD 方法可概括為以下步驟[11-12]。

a）從字段中收集失效數(shù)據(jù)。

b）現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)的評(píng)估（特別是設(shè)備/板失效原因，相關(guān)可靠性的計(jì)算）。

c）在電路卡組裝（CCA：Circuit Card Assembly）級(jí)別上，根據(jù)每個(gè)設(shè)備唯一CCA 的數(shù)量來確定失效率。

d）根據(jù)每個(gè)CCA 的零件和互連數(shù)，確定零件和互連級(jí)別的失效率。

e）根據(jù)物理模型類別，使用所有之前的信息創(chuàng)建失效率數(shù)據(jù)庫。

f）將現(xiàn)有的設(shè)計(jì)與擬議的設(shè)計(jì)或相似過程進(jìn)行比較，步驟如下：

1）檢查可獲得現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)的產(chǎn)品；

2）識(shí)別特征差異（例如設(shè)計(jì)、制造等）；

3）量化特征差異對(duì)每個(gè)物理模型類別的影響；

4）合并現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)（每個(gè)物理模型類別的百分比、整體終端項(xiàng)目或裝配失敗率）；

5）計(jì)算新項(xiàng)目（單板、CCA 或設(shè)備）失效率：

式（5）中：λp——前一個(gè)項(xiàng)的字段失敗率；

Da——物理模型的分布百分比；

Fa——新項(xiàng)目和以前項(xiàng)目之間的差異因子；

n——物理模型類別的總數(shù)量。

2.1.3 自底向上物理失效分析方法

自底向上物理失效分析方法（BP：Bottom-up Physics-of-Failure Methods）需要對(duì)熱、機(jī)械、電氣和化學(xué)生命周期環(huán)境，以及導(dǎo)致現(xiàn)場(chǎng)失效的過程有全面的了解，以便應(yīng)用適當(dāng)?shù)氖Ｐ汀?/p>

一種方法是在部件級(jí)別使用制造商的可靠性數(shù)據(jù)測(cè)試結(jié)果（高度加速應(yīng)力測(cè)試、溫度濕度偏差和溫度循環(huán)等）。部件失效率是所有失效率（熱、濕度、電壓和熱循環(huán)）的總和，單板失效率是所有部件失效率的總和[13]。最高級(jí)別的BP 方法（CALCE軟件）通過針對(duì)組件或裝配的各個(gè)位置最常見的失效機(jī)制來預(yù)測(cè)板或組件的失效時(shí)間，所需信息包括材料特性、幾何形狀、環(huán)境和操作負(fù)載。同樣，在組件級(jí)別也可以使用相同的方法。

2.1.4 預(yù)測(cè)方法總結(jié)

一般來說，數(shù)據(jù)來源和環(huán)境越一般越好。然而，每種方法考慮的環(huán)境不同。BS 方法根據(jù)失效模式使用環(huán)境和負(fù)載擬合因子（對(duì)于有存儲(chǔ)或沒有存儲(chǔ)的操作模式），而BP 方法使用負(fù)載剖面。這是因?yàn)锽S 方法的環(huán)境來自于失敗數(shù)據(jù)庫，可能會(huì)受到以下問題的阻礙：建立具有代表性的裝置需要大量的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)；外在失效（如電氣過應(yīng)力（EOS：Electrical Over Stress））和內(nèi)在失效（如氧化弱）混合在一起，在沒有數(shù)學(xué)或物理論證的情況下被用來得到一個(gè)總體數(shù)據(jù)。

類似地，TD 方法需要定期更新他們的失效在役數(shù)據(jù)庫，這取決于公司的政策和投資。最終，需要分析所有的排除，跟蹤失效，并存儲(chǔ)每個(gè)級(jí)別（項(xiàng)目、設(shè)備、電路板和組件）的每個(gè)失效原因的失效率。

就BS 方法而言，PRISM 略有不同，允許進(jìn)行不同類型的進(jìn)一步輸入：可以在系統(tǒng)或子系統(tǒng)級(jí)別對(duì)設(shè)計(jì)、制造、供應(yīng)和測(cè)試過程進(jìn)行評(píng)估，以減輕總體結(jié)果（過程分級(jí)）。同樣，PRISM 也允許直接輸入環(huán)境和操作參數(shù)（溫度循環(huán)、沖擊、相對(duì)濕度和振動(dòng)頻率）。然而，在大多數(shù)情況下，BS 方法的結(jié)果反映的是組件的可靠性，由于質(zhì)量的提高和系統(tǒng)復(fù)雜性的增加，組件不再是系統(tǒng)可靠性的主要貢獻(xiàn)者（系統(tǒng)級(jí)失效被忽略）。

TD 方法的結(jié)果可以通過大量的測(cè)試和現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)來完善。像CALCE 軟件這樣的BP 方法需要詳細(xì)的信息知識(shí)，這些信息可能被制造商認(rèn)為是專有的。這些方法也需要大量的時(shí)間資源。為了選擇適合實(shí)際失效機(jī)制的模型，還需要預(yù)先了解失效產(chǎn)品的失效機(jī)制。同樣，也有大量的操作參數(shù)和環(huán)境參數(shù)的選擇，這也證明了定制方法的優(yōu)勢(shì)。

2.2 可靠性分析

元器件可靠性分析是指用物理或化學(xué)手段，從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、原材料選用和制造工藝等方面對(duì)元器件進(jìn)行深層次的技術(shù)分析，從而為評(píng)價(jià)元器件可靠性提供客觀的證據(jù)。以下簡(jiǎn)單列舉了幾種元器件可靠性分析方法[14]。

2.2.1 破壞物理分析

破壞物理分析（DPA：Destruction Physics Analysis）是對(duì)電子部件進(jìn)行拆卸、測(cè)試和檢查，以驗(yàn)證內(nèi)部設(shè)計(jì)、材料、結(jié)構(gòu)和工藝的過程。這一樣品檢驗(yàn)過程用于幫助確保電子元件的制造符合要求的標(biāo)準(zhǔn)。DPA 也被有效地用于發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)批量問題的過程缺陷。在DPA 中，零件要檢查各種各樣的設(shè)計(jì)、工藝和加工問題，這些問題可能不會(huì)在部件制造商之前進(jìn)行的檢查、測(cè)試和篩選活動(dòng)中顯示出來[15]。通過DPA 檢測(cè)到的異常和缺陷可能會(huì)在以后的某一天導(dǎo)致設(shè)備所使用的系統(tǒng)的退化或故障。DPA 是在從批次中隨機(jī)抽取的樣品上進(jìn)行的，根據(jù)組件和包裝的類型，包括一系列不同的測(cè)試和檢查。其中包括：外部目檢、X 射線檢查、檢漏、粒子沖擊噪聲檢測(cè)（PIND：Particle Impact Noise Detection）、內(nèi)部氣體成分分析、內(nèi)部目檢、掃描電子顯微鏡（SEM：Scanning Electron Microscope）、鍵合強(qiáng)度和芯片剪切強(qiáng)度等檢查項(xiàng)目。

從已做DPA 試驗(yàn)不合格項(xiàng)目統(tǒng)計(jì)中表明：可通過篩選淘汰的不合格品項(xiàng)目如外部目檢、PIND和檢漏所占比例為36.9%，而通過篩選不能剔除的缺陷，如內(nèi)部目檢、剪切強(qiáng)度和鍵合強(qiáng)度等比例達(dá)到63.1%，由此可見無法通過篩選剔除的數(shù)量更多，這也進(jìn)一步說明了開展DPA 的重要性[16]。

2.2.2 失效分析

失效分析是指進(jìn)行調(diào)查以確定失效的原因，其目的通常是采取糾正措施來解決問題和減少進(jìn)一步的失效。失效分析是在制造業(yè)的所有分支機(jī)構(gòu)進(jìn)行的，以防止未來的資產(chǎn)和產(chǎn)品失效，并保護(hù)人們和環(huán)境免受潛在的危險(xiǎn)風(fēng)險(xiǎn)。

失效分析是收集和分析數(shù)據(jù)以確定失效原因的過程，通常以確定糾正措施或責(zé)任為目標(biāo)。它在制造業(yè)的許多分支中都是一門重要的學(xué)科，例如：在電子工業(yè)領(lǐng)域，其是開發(fā)新產(chǎn)品和改進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品的重要工具。失效分析過程依賴于收集失效成分，使用各種各樣的方法（特別是顯微鏡和光譜學(xué)）以進(jìn)行后續(xù)的失效原因檢查。

失效率（FR：Failure Rate），也稱故障率，是一個(gè)工程系統(tǒng)或零件失效的頻率，它以每單位時(shí)間內(nèi)的失敗次數(shù)來表示，是可靠度工程中的重要參數(shù)。圖1 中展示了失效率曲線作為時(shí)間的函數(shù)，也稱為浴缸曲線[17]。浴缸曲線在時(shí)間上分為3 個(gè)不同的區(qū)域，分別是：

圖1 浴缸曲線

a）失敗率下降的第一個(gè)區(qū)域稱為嬰兒死亡率或初期失??；

b）第二個(gè)區(qū)域，失效率相對(duì)不變，稱為有效壽命；

c）第三個(gè)也是最后一個(gè)區(qū)域，失效率增加，稱為磨損故障期。

然而實(shí)際上，報(bào)告中一般會(huì)使用平均失效間隔（MTBF：Mean Time between Failures）而不使用失效率來進(jìn)行元器件的失效分析。若是失效率假設(shè)是定值的話，此做法是有效的（定值失效率的假設(shè)一般常用在復(fù)雜元件/系統(tǒng)，軍事或航天的一些可靠度標(biāo)準(zhǔn)中的也接受此假設(shè)），但是只有在浴缸曲線中平坦的部分（這也稱為可用生命期）才符合失效率是定值的情形，因此不適合將平均失效間隔去預(yù)估元件的生命期，因?yàn)闀?huì)碰到浴缸曲線的損耗階段，失效率會(huì)大幅提高，生命期會(huì)比失效率推算的時(shí)間要短。

首選使用MTBF 數(shù)字的原因是，使用較大的正數(shù)（如2 000 h）比非常小的數(shù)字（如0.000 5/h）更直觀、更容易記憶。在需要管理失效率的系統(tǒng)中，特別是在安全系統(tǒng)中，MTBF 是一個(gè)重要的系統(tǒng)參數(shù)。MTBF 經(jīng)常出現(xiàn)在工程設(shè)計(jì)要求中，并控制所需系統(tǒng)維護(hù)和檢查的頻率。在更新過程中，從失效中恢復(fù)的時(shí)間可以忽略，失效的可能性與時(shí)間保持恒定，失效率簡(jiǎn)單地是MTBF 的乘逆。

3 電子元器件可靠性發(fā)展趨勢(shì)

3.1 高水平的失效分析

5G、車載電子和消費(fèi)電子等模塊的快速興起，半導(dǎo)體和高可靠元器件市場(chǎng)需求迎來爆發(fā)式增長(zhǎng)，不斷進(jìn)步的制程、材料和封裝導(dǎo)致元器件失效分析的難度大大增加，技術(shù)更加復(fù)雜多樣化。近幾年，國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程晶圓代工廠的業(yè)務(wù)蓬勃發(fā)展，帶來了大量的失效分析需求。但由于目前國(guó)內(nèi)相關(guān)能力嚴(yán)重不足，晶圓級(jí)芯片失效分析業(yè)務(wù)需求大量外溢。再者，隨著電子元器件國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程的展開，其整體水平上落后于國(guó)外的產(chǎn)品，因此提高失效分析水平也是可靠性分析的重中之重。因此，在未來對(duì)電子元器件的可靠性分析除了需要對(duì)晶圓級(jí)芯片的失效定位和故障排查技術(shù)，還包括幫助晶圓廠或設(shè)計(jì)公司確認(rèn)芯片設(shè)計(jì)、工藝和制造設(shè)備參數(shù)設(shè)置問題，以及IC 芯片實(shí)際使用過程中功能性缺陷（如ESD 能力、抗閂鎖能力等）[18]。

3.2 可靠性預(yù)測(cè)方法的驗(yàn)證

在研究可靠性設(shè)計(jì)與預(yù)測(cè)方法的同時(shí)，提高可靠性試驗(yàn)的能力也是我們當(dāng)下關(guān)注的重點(diǎn)?？煽啃灶A(yù)測(cè)只能通過結(jié)合使用不同的方法來實(shí)現(xiàn)，這取決于設(shè)計(jì)、開發(fā)或制造階段。對(duì)在給定的產(chǎn)品開發(fā)階段使用哪種方法的描述，使用這種方法的原因，以及在整個(gè)過程中與各種應(yīng)用方法相關(guān)聯(lián)的結(jié)果的交付，將確保滿足可靠性要求。進(jìn)一步地，我們需要開展可靠性試驗(yàn)[19]，驗(yàn)證可靠性設(shè)計(jì)方案及可靠性預(yù)測(cè)，為不同的電子元器件的質(zhì)量與可靠性提供試驗(yàn)數(shù)據(jù)。當(dāng)下要全面推廣目前已經(jīng)成熟的仿真試驗(yàn)、強(qiáng)化試驗(yàn)、加速試驗(yàn)、安全性分析和工藝可靠性鑒定等相關(guān)工作；在未來，針對(duì)無人化和智能化等新型裝備，開展新技術(shù)在可靠性工作中的研究與應(yīng)用，如復(fù)雜環(huán)境適應(yīng)性驗(yàn)證技術(shù)、高可靠性指標(biāo)驗(yàn)證和臨近空間環(huán)境模擬與試驗(yàn)等[20]。

4 結(jié)束語

科技不斷發(fā)展，在智能集成化越來越普遍的趨勢(shì)下，電子元器件的使用場(chǎng)景是無處不在的，提高電子元器件的可靠性必是大勢(shì)所趨。近年我國(guó)建立的一系列的國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室使我國(guó)的科研和應(yīng)用水平處在世界前列，因此，我們要不斷增強(qiáng)電子元器件的質(zhì)量與可靠性技術(shù)，在未來不斷提高試驗(yàn)水平、攻克技術(shù)難關(guān)。