絕緣支撐用環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料的空間電荷特性研究

吳 鵬， 王靜昕， 雷戰(zhàn)斐， 魏鼎欣， 史 磊， 秦有蘇， 謝宗良， 劉 鵬

（1.國(guó)網(wǎng)寧夏電力有限公司超高壓公司，寧夏 銀川 750011；2.西安交通大學(xué) 電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，陜西 西安 710049）

0 引 言

隨著特高壓直流輸電的快速發(fā)展，電網(wǎng)系統(tǒng)輸電規(guī)模日益擴(kuò)大，電壓等級(jí)不斷提高，電力設(shè)備在運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)期承受著電、熱、力聯(lián)合作用的嚴(yán)苛考驗(yàn)，其絕緣性能水平必須滿足逐步提高的電氣性能要求[1-2]。

環(huán)氧樹(shù)脂及其復(fù)合材料由于具有優(yōu)異的絕緣特性、機(jī)械強(qiáng)度、耐腐蝕性和阻燃性，已被廣泛應(yīng)用于電力設(shè)備絕緣中，成為我國(guó)特高壓輸電的一類(lèi)絕緣材料[3-6]。由于環(huán)氧樹(shù)脂自身韌性較差，其作為澆注絕緣材料時(shí)，在材料自身固化過(guò)程中內(nèi)應(yīng)力作用下以及后期外力作用下易產(chǎn)生微裂紋等絕緣缺陷，加速材料熱老化、機(jī)械老化和電老化過(guò)程，影響材料的使用壽命。在實(shí)際工業(yè)應(yīng)用中，為了避免材料缺陷帶來(lái)的絕緣失效問(wèn)題，通常選擇向環(huán)氧樹(shù)脂中摻雜在某些性能方面具有優(yōu)異表現(xiàn)的微米金屬氧化物進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)。在工程中選擇摻雜大量微米氧化鋁（粉體加入比例為250%～400%）來(lái)提高彎曲強(qiáng)度等力學(xué)性能[7]。文獻(xiàn)[8]指出，當(dāng)不同粒徑的微米氧化鋁添加比例為300%時(shí)，各澆注體系的力學(xué)性能均達(dá)到最佳。用于支撐件和絕緣件的環(huán)氧復(fù)合材料需要具有較高的熱導(dǎo)率，高含量的微米氧化鋁與環(huán)氧樹(shù)脂混合后，其高導(dǎo)熱性有助于環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料的散熱，降低材料熱老化帶來(lái)的危害[9]，且添加的含量越高，導(dǎo)熱系數(shù)越高[10]。同時(shí)，添加氧化鋁能降低環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料的整體成本，因此大摻雜比例的微米氧化鋁/環(huán)氧復(fù)合材料被用作低成本、可靠的高壓設(shè)備絕緣材料。

文獻(xiàn)[11-13]研究表明，當(dāng)微米氧化鋁/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料中微米氧化鋁質(zhì)量分?jǐn)?shù)很高時(shí)，其電氣性能會(huì)下降。研究發(fā)現(xiàn)，適當(dāng)填充微米顆?？梢蕴岣呋w材料的耐局部放電特性，大幅提升環(huán)氧復(fù)合材料的耐電弧燒蝕能力，但隨著微米氧化鋁質(zhì)量分?jǐn)?shù)的提高，復(fù)合材料的介電強(qiáng)度會(huì)急劇下降，電氣強(qiáng)度也逐漸降低。目前，對(duì)于環(huán)氧樹(shù)脂及其復(fù)合材料的研究主要集中于在不同工況和不同環(huán)境下的空間電荷分布特性，并著力于通過(guò)納米摻雜[14-17]、表面改性[18-21]等方式設(shè)計(jì)環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料，提升其電荷抑制能力和絕緣性能。然而，針對(duì)大摻雜環(huán)氧/微米氧化鋁試樣的空間電荷研究尚少，難以為工程實(shí)際中的特高壓電力設(shè)備設(shè)計(jì)、制造與電荷效應(yīng)評(píng)價(jià)提供參考。

本文以特高壓電力設(shè)備絕緣支撐用環(huán)氧/微米氧化鋁材料為對(duì)象，研究不同溫度、場(chǎng)強(qiáng)下材料的空間電荷分布特性，并與環(huán)氧材料進(jìn)行對(duì)比，探究大摻雜微米氧化鋁顆粒對(duì)環(huán)氧材料空間電荷特性的影響，結(jié)合陷阱特性分析，開(kāi)展不同條件下電荷產(chǎn)生、遷移、入陷等機(jī)理研究，將機(jī)理分析與材料實(shí)驗(yàn)特性相結(jié)合，以期對(duì)進(jìn)一步提升特高壓電力設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的技術(shù)水平提供參考。

1 試 驗(yàn)

1.1 主要原材料

環(huán)氧樹(shù)脂材料為雙酚A 二縮水甘油醚（E51），南通星辰合成材料有限公司；固化劑為甲基六氫鄰苯二甲酸酐（MeH-HPA），廣州市深創(chuàng)化工有限公司；促進(jìn)劑為N,N-二甲基芐胺，國(guó)藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司；微米氧化鋁，粒徑約為10 μm，平高集團(tuán)有限公司。

1.2 試樣制備

將環(huán)氧樹(shù)脂、固化劑和促進(jìn)劑按照1∶0.85∶0.003 的質(zhì)量比加入燒杯中，機(jī)械攪拌30 min，保證溶液混合均勻。然后，將混合均勻的溶液放入真空烘箱進(jìn)行真空脫氣處理，并在設(shè)計(jì)的固化程序（65℃/600 min+80℃/360 min+115℃/180 min+135℃/360 min+115℃/360 min+80℃/240 min+50℃/240 min+30℃）下進(jìn)行階梯升溫固化和緩慢降溫，釋放內(nèi)應(yīng)力，避免環(huán)氧表面形成明顯的固化收縮紋。制得環(huán)氧樹(shù)脂材料，命名為EP-O，反應(yīng)示意圖如圖1所示。

圖1 環(huán)氧樹(shù)脂制備反應(yīng)示意圖Fig.1 Schematic diagram of epoxy resin preparation reaction

將微米氧化鋁粉末與環(huán)氧樹(shù)脂溶液按照3∶1的質(zhì)量比混合，通過(guò)機(jī)械攪拌30 min，并按上述環(huán)氧樹(shù)脂材料的制樣及固化流程處理。制得氧化鋁/環(huán)氧復(fù)合材料，命名為EP-A。

1.3 試驗(yàn)方法

使用掃描電子顯微鏡（SEM）（VE9800S 型，日本KEYENCE 公司）對(duì)EP-O 與EP-A 的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征測(cè)試，試樣預(yù)先在液氮中進(jìn)行脆斷處理。使用傅里葉變換紅外光譜儀（FTIR）（Nicolet iS50 型，Thermo Fisher 公司），采用衰減全反射ATR 模式，對(duì)EP-O與EP-A的官能團(tuán)組成與化學(xué)組分進(jìn)行表征測(cè)試。使用電聲脈沖系統(tǒng)（PEA，如圖2所示）測(cè)量EPO與EP-A的空間電荷動(dòng)態(tài)分布特性，脈沖源的寬度為5 ns，測(cè)量場(chǎng)強(qiáng)為10、20、30 kV/mm，測(cè)量溫度為20、40、60、80、100℃，極化時(shí)間和去極化時(shí)間分別為1 h。

圖2 PEA法空間電荷測(cè)量系統(tǒng)Fig.2 PEA space charge measurement system

2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

2.1 理化特性

圖3 為EP-O 與EP-A 的斷面掃描電子顯微鏡（SEM）測(cè)試結(jié)果圖。從圖3(a)和3(b)可以看出，EPO的斷面較為平整，而EP-A的斷面除了存在較淺凸起和凹陷，顆粒感也較為明顯；圖3(c)中的白色小亮點(diǎn)為微米氧化鋁，較均勻地分散于環(huán)氧樹(shù)脂基體內(nèi)，證明試樣制備結(jié)果比較理想。

圖3 EP-O與EP-A的SEM測(cè)試結(jié)果Fig.3 SEM test results of EP-O and EP-A

圖4 為EP-O 與EP-A 的傅里葉變換紅外光譜（FTIR）測(cè)試結(jié)果圖。從圖4可以看出，在EP-O材料中，亞甲基的吸收峰出現(xiàn)在2 961 cm-1和2 864 cm-1處，分別為C-H 的不對(duì)稱伸縮振動(dòng)和對(duì)稱伸縮振動(dòng)峰；1 725 cm-1處為羰基C=O 鍵的伸縮振動(dòng)峰，1 606 cm-1、1 508 cm-1處為苯環(huán)中C=C 鍵的骨架振動(dòng)特征峰，1 460cm-1處為烴基中C-H 鍵的彎曲振動(dòng)峰，1 257、1 174、1 034 cm-1處為C-O 鍵的伸縮振動(dòng)峰，831 cm-1處為苯環(huán)中C-H 鍵的面內(nèi)搖擺振動(dòng)吸收峰。在EP-A 材料中，3 000～2 800 cm-1處亞甲基的吸收峰出現(xiàn)了明顯減弱，且在1 460 cm-1處的吸收峰強(qiáng)度也明顯減弱，說(shuō)明在該材料中部分烴基結(jié)構(gòu)被破壞；1 606、1 508、824 cm-1處吸收峰的存在表明樣品中的苯環(huán)結(jié)構(gòu)未被破壞，在1 243、1 124、1 034 cm-1處C-O 鍵的特征峰也依然保留，在734 cm-1處出現(xiàn)新的吸收峰，歸屬于Al-O 鍵的扭曲振動(dòng)峰，說(shuō)明該樣品中有氧化鋁存在。

圖4 EP-O與EP-A的FTIR譜圖Fig.4 FTIR spectra of EP-O and EP-A

2.2 空間電荷動(dòng)態(tài)特性

由于在不同溫度下試樣內(nèi)部的聲速不同，PEA波形的相對(duì)位置會(huì)發(fā)生偏移，高溫下聲速的增大使得聲波信號(hào)更早到達(dá)，導(dǎo)致測(cè)得的波形發(fā)生左偏。通過(guò)波形校正，獲得EP-O與EP-A在不同場(chǎng)強(qiáng)（溫度為40℃）和不同溫度（場(chǎng)強(qiáng)為20 kV/mm）下的空間電荷動(dòng)態(tài)分布特性，如圖5～6 所示，其中圖(c)、(d)為去壓5 min 時(shí)的電荷分布線圖，(e)、(f)為去除感應(yīng)電荷后的加壓電荷分布彩圖，(g)、(h)為去壓5 min時(shí)平均電荷密度與場(chǎng)強(qiáng)/溫度的關(guān)系示意圖。

圖5 不同溫度與場(chǎng)強(qiáng)下EP-O空間電荷分布特性Fig.5 Space charge distribution characteristics of EP-O at different temperature and field strength

從圖5(b)、(d)、(f)、(h)可以看出，在較低的溫度區(qū)間內(nèi)（20～60℃）極化1 h 后，EP-O 試樣內(nèi)部存在同極性空間電荷積聚，電荷來(lái)源為電極/試樣界面處的肖特基注入。隨著溫度的升高，熱刺激注入過(guò)程變得更明顯，注入電荷量增大，在相同的捕獲系數(shù)下試樣內(nèi)部積累的電荷量增大。在高溫（80℃和100℃）下，電荷注入量與試樣內(nèi)部電荷遷移速度大幅增大，在1 h 的去極化過(guò)程后電荷仍難以消散，產(chǎn)生電荷積聚和電場(chǎng)畸變。

將圖6(a)、(c)、(e)、(g)，與圖5(a)、(c)、(e)、(g)進(jìn)行對(duì)比，可以看出場(chǎng)強(qiáng)對(duì)EP-A 電荷注入的影響更為明顯。隨著場(chǎng)強(qiáng)的提高，試樣內(nèi)部產(chǎn)生了大量的電荷積聚，在電場(chǎng)力的作用下雙極性電荷遷移至作用區(qū)域重疊。觀察6(b)、(d)、(f)、(h)，通過(guò)對(duì)比不同溫度下EP-A 的電荷分布規(guī)律可以發(fā)現(xiàn)，低溫下EP-A內(nèi)部已產(chǎn)生大量電荷積聚，但隨著溫度的進(jìn)一步升高至80℃與100℃，電荷積聚量變少，這是由于高溫下EP-A 電荷的遷移率高，內(nèi)部積聚的電荷在高溫下獲得能量后迅速遷移至附近電極并消散。

利用式（1），繪制不同溫度（場(chǎng)強(qiáng)為20 kV/mm）和不同場(chǎng)強(qiáng)（溫度為40℃）下去極化過(guò)程的電荷積分曲線如圖7所示。

圖7 不同溫度與場(chǎng)強(qiáng)下EP-O與EP-A的去極化電荷積分曲線Fig.7 Depolarization charge integral curves of EP-O and EPA at different temperature and field strength

從圖7可以看出，隨著去壓時(shí)間的增加，空間電荷逐漸消散，且消散速度逐漸降低，電荷消散的途徑主要是在試樣內(nèi)部遷移，并通過(guò)電極耗散于測(cè)試系統(tǒng)的電阻、電感、電容中。在去極化過(guò)程中，開(kāi)始階段在空間電荷自建電場(chǎng)作用下，電荷遷移與消散速度較快。隨著去壓時(shí)間的增加，電荷自建電場(chǎng)局部場(chǎng)強(qiáng)降低，電荷消散速度降低。

式（1）中：Q(t)為時(shí)間為t時(shí)平均空間電荷密度；d為試樣厚度；ρ(x,t)為t時(shí)刻x處空間電荷密度。

利用式（2），計(jì)算不同場(chǎng)強(qiáng)（溫度為40℃）和不同溫度（場(chǎng)強(qiáng)為20 kV/mm）下EP-O 與EP-A 中場(chǎng)強(qiáng)分布特性，如圖8 所示。從圖8 可以看出，同極性空間電荷積聚會(huì)增大試樣內(nèi)部的場(chǎng)強(qiáng)，且該效應(yīng)在高溫與高場(chǎng)下更加明顯。在加壓過(guò)程中，隨著外施電場(chǎng)和環(huán)境溫度的上升，EP-O中的電荷積聚量與場(chǎng)強(qiáng)畸變值逐漸增加，對(duì)材料整體的絕緣特性提出更大考驗(yàn)。對(duì)于EP-A，在高溫下（＞60℃）電荷積聚量變低，這可能是由于高導(dǎo)熱氧化鋁在高溫下更有利于試樣內(nèi)部的電荷消散過(guò)程，避免了局部電荷大量積聚產(chǎn)生的電場(chǎng)畸變。

圖8 不同溫度與場(chǎng)強(qiáng)下EP-O與EP-A電場(chǎng)分布特性Fig.8 Electric field distribution characteristics of EP-O and EP-A at different temperature and field strength

式（2）中：E(x)為x處電場(chǎng)強(qiáng)度；ε0為真空介電常數(shù)；εr為相對(duì)介電常數(shù)。

3 電荷特性對(duì)比與機(jī)理分析

橫向?qū)Ρ确治霾煌瑘?chǎng)強(qiáng)（溫度為40℃）和不同溫度（場(chǎng)強(qiáng)為20 kV/mm）下EP-O 與EP-A 的電荷特性及其在不同電、熱條件下總電荷量，結(jié)果如圖9與表1所示。從圖9和表1可以看出，在高場(chǎng)強(qiáng)下，EPA 試樣中電荷積聚現(xiàn)象更為明顯，從而導(dǎo)致同等條件下其電場(chǎng)畸變程度較為嚴(yán)重。與EP-O 相比，EPA 的電場(chǎng)敏感度更高，在單位條件變化下所產(chǎn)生的對(duì)于材料電場(chǎng)分布的畸變程度更加明顯。電場(chǎng)敏感度反映單位電場(chǎng)變化ΔE作用下材料的電荷特性響應(yīng)。從材料的電荷遷移與電荷入陷過(guò)程考慮，由于微米氧化鋁顆粒的摻雜，環(huán)氧復(fù)合體系內(nèi)產(chǎn)生缺陷和斷鏈，從而導(dǎo)致載流子遷移率升高。相比于純環(huán)氧材料，微米摻雜使得載流子在ΔE作用下的載流子遷移速度變化率μ·ΔE（單位為m/s）更大，從而導(dǎo)致載流子趨向于往試樣更深處移動(dòng)。

表1 不同溫度、電場(chǎng)條件下EP-O與EP-A電荷量對(duì)比Tab.1 Comparison of charge quantity between EP-O and EPA at different temperature and electric field

圖9 不同溫度與場(chǎng)強(qiáng)下EP-O與EP-A電荷對(duì)比Fig.9 Charge comparison of EP-O and EP-A at different temperature and field strength

另一方面，考慮載流子入陷過(guò)程。根據(jù)文獻(xiàn)[22]計(jì)算載流子入陷率B，如式（3）所示。

式（3）中：σ為陷阱捕獲截面的面積，m2；μ為遷移率，m2/(V·s)；N為陷阱的密度，C/m3。

在單位場(chǎng)強(qiáng)變化ΔE作用下材料的入陷率變化ΔB更大，因此相較于純環(huán)氧材料，氧化鋁/環(huán)氧復(fù)合材料對(duì)于電場(chǎng)的敏感度更高，這也是在低溫時(shí)相同場(chǎng)強(qiáng)條件下EP-A的絕緣性能較于EP-O有所降低的原因之一。

對(duì)于氧化鋁/環(huán)氧復(fù)合材料，較低的溫度范圍內(nèi)，電荷量積聚隨溫度升高而增加，這是由于溫度升高后，場(chǎng)致熱發(fā)射電流增大，電荷注入量增加；隨著溫度的進(jìn)一步升高，EP-A 中電荷快速消散，電荷積聚量小于EP-O，特別是在100oC 時(shí)，EP-A 中僅產(chǎn)生12.69 nC 的電荷積聚，相較于EP-O（39.97 nC）降低了68.25%。究其原因，在高溫下，環(huán)氧氧化鋁復(fù)合材料電荷遷移速度顯著增加，導(dǎo)致載流子迅速向?qū)γ骐姌O方向遷移，而PEA 測(cè)試反映的是宏觀電荷密度，在電荷共存區(qū)域無(wú)法區(qū)分正、負(fù)電荷，快速的載流子遷移使正、負(fù)電荷的交疊區(qū)域電荷量中和，宏觀電荷密度降低，因此從實(shí)驗(yàn)結(jié)果上造成溫度持續(xù)升高，去壓電荷量反而依次遞減的趨勢(shì)。

對(duì)于純環(huán)氧材料與環(huán)氧氧化鋁復(fù)合材料溫度敏感性的區(qū)別，可以從材料中載流子遷移率的角度進(jìn)行考慮。絕緣材料中常采用跳躍電導(dǎo)模型描述材料內(nèi)部的載流子遷移過(guò)程，跳躍電導(dǎo)公式如式（4）所示。

式（4）中：a為空穴平均單次跳躍距離；v為空穴熱振動(dòng)頻率；Δ為陷阱深度；k=1.38×10-23J/K，為玻爾茲曼常數(shù)；T為絕對(duì)溫度；E為外施電場(chǎng)強(qiáng)度；qe為電荷電量，本文中認(rèn)為每個(gè)電荷都是單價(jià)態(tài)，即qe=1.6×10-19C。

采用Arrhenius 溫度譜模型描述材料電導(dǎo)率隨溫度的變化規(guī)律，如式（5）所示。

式（5）中：ΔH為電導(dǎo)激活能（通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)得）；A為常數(shù)，由特定溫度（一般為室溫）下對(duì)應(yīng)的電導(dǎo)率來(lái)確定。

由于純環(huán)氧與環(huán)氧氧化鋁材料的活化能不同，二者電導(dǎo)率隨單位溫度變化的變化不同，導(dǎo)致載流子深度產(chǎn)生差異，從而產(chǎn)生電荷動(dòng)態(tài)分布差異，宏觀上即為兩種材料的電荷分布溫度敏感性不同。

為了進(jìn)一步分析EP-O與EP-A電荷特性差異的內(nèi)在機(jī)理，利用式（6）～（8）對(duì)電荷衰減曲線進(jìn)行擬合[23]，該種擬合方式主要是依據(jù)電荷衰減曲線推測(cè)試樣內(nèi)部的陷阱特性，并用指數(shù)分布的形式表征，得到EP-O與EP-A的特征陷阱參數(shù)如圖10所示。

圖10 不同溫度下EP-O與EP-A陷阱特性對(duì)比Fig.10 Comparison of trap characteristics in EP-O and EP-A at different temperature

式（6）中：ET(t)為時(shí)間為t時(shí)的陷阱深度；v為嘗試逃逸頻率，其值為1012Hz。

式（7）中：j為衰減電流密度；r為平均電荷重心，為0.12 nm；S為試樣噴金區(qū)域面積；τ為衰減時(shí)間常數(shù)；e為元電荷量；d為樣品厚度。

式（8）中：N(ET(t))為陷阱深度為ET(t)時(shí)的陷阱密度；f0(ET(t))為陷阱初始占有率，為0.5。

當(dāng)溫度作用于高分子聚合物時(shí)，分子鏈運(yùn)動(dòng)會(huì)對(duì)材料的能量、結(jié)構(gòu)和自由體積產(chǎn)生影響，致使材料的電荷陷阱特性發(fā)生改變。從圖10可以看出，隨著溫度升高，無(wú)定形區(qū)的分子鏈段運(yùn)動(dòng)加劇使被束縛的部分陷阱電荷得到釋放，材料內(nèi)更多的陷阱電荷發(fā)生脫陷。深陷阱中的電荷在高溫下更容易發(fā)生脫陷，試樣內(nèi)部更深的陷阱能夠在高溫和場(chǎng)強(qiáng)的作用下將入陷電荷釋放，但具體到升高溫度能夠表征更深陷阱的內(nèi)在機(jī)理還有待進(jìn)一步研究。

相較于EP-O，EP-A 中深陷阱密度較小，不同溫度下，EP-A 陷阱密度基本小于EP-O 的50%，因此EP-A 難以將注入的空間電荷限制于極板/聚合物界面附近區(qū)域，使電荷趨于向試樣內(nèi)部遷移，造成內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)的嚴(yán)重畸變。在高溫下這種情形尤為嚴(yán)重，這是由于肖特基注入電流隨著溫度升高而增大，熱刺激下有更多電荷能夠獲得足夠的能量越過(guò)極板/聚合物界面勢(shì)壘，進(jìn)入試樣。此外，由于EP-A 中載流子遷移率較大，在同等捕獲率下載流子遷移深度更深，從而也會(huì)導(dǎo)致試樣內(nèi)部的電荷積聚更加明顯，場(chǎng)強(qiáng)畸變更為嚴(yán)重。

4 結(jié) 論

（1）隨著溫度的升高和外施場(chǎng)強(qiáng)的增大，環(huán)氧樹(shù)脂及其復(fù)合材料的自由電荷量總體呈增加趨勢(shì)，電荷遷移速率增大，電荷積聚現(xiàn)象變得更為嚴(yán)重，從而導(dǎo)致場(chǎng)強(qiáng)畸變更加劇烈。但在高溫下（80℃和100℃），由于高導(dǎo)熱填料氧化鋁的加入，EP-A 中的電荷消散較快，從而一定程度削弱了電荷積聚程度。

（2）相比于EP-O，EP-A 的電荷分布場(chǎng)強(qiáng)敏感度更大，在相同電場(chǎng)條件下產(chǎn)生的電荷積聚量更大，場(chǎng)強(qiáng)畸變更加嚴(yán)重，因而導(dǎo)致EP-A 絕緣性能弱于EP-O。在高溫區(qū)（80℃和100℃），EP-A 在高溫下的電荷遷移率較大，電荷消散量大，從而導(dǎo)致EP-A 的高溫電荷特性優(yōu)于EP-O，在高溫下積聚的電荷與電場(chǎng)畸變程度更為緩和。

（3）EP-A 相比于EP-O 中的陷阱密度較小，因此EP-A 很難將電極處注入的電荷限制在極板附近的區(qū)域，致使電荷朝試樣內(nèi)部遷移，造成了同等條件下EP-A 中較大的電荷積聚與較為惡劣的電場(chǎng)畸變。