鍇威特：聚焦高可靠半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代　SiC功率器件進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段

謝玉璘

凡是涉及電路控制和電能轉(zhuǎn)換的產(chǎn)品均離不開(kāi)功率半導(dǎo)體，現(xiàn)階段中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品依賴接近90%，尤其在工業(yè)控制領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品與高可靠領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，國(guó)產(chǎn)化替代需求更加迫切。8月18日，聚焦高性能與高可靠“自主創(chuàng)芯”的鍇威特（688693.SH）登陸上交所科創(chuàng)板。功率半導(dǎo)體可分為功率器件和功率IC兩大類，作為國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)，鍇威特?fù)碛邪ㄆ矫鍹OSFET、功率IC等700余款產(chǎn)品。2020年至2022年度，公司營(yíng)收分別為1.37億、2.1 億、2.35 億，扣非后凈利分別為-179.75萬(wàn)元、4389.76萬(wàn)元、4956.95萬(wàn)元。

功率器件種類較多，以MOSFET、IGBT等器件的結(jié)構(gòu)最為復(fù)雜，工藝門(mén)檻和生產(chǎn)成本相對(duì)較高，而隨著電壓和工作頻率要求的提升，MOSFET成為功率器件的主流產(chǎn)品。根據(jù)芯謀研究，2021年中低壓平面（400V以下）MOSFET的國(guó)產(chǎn)化率約為42.2%，高壓平面MOSFET的國(guó)產(chǎn)化率約為29.9%，超高壓平面MOSFET的國(guó)產(chǎn)化率約為18.2%。

鍇威特瞄準(zhǔn)國(guó)產(chǎn)平面MOSFET產(chǎn)業(yè)痛點(diǎn)，以“高可靠性元胞結(jié)構(gòu)”“新型復(fù)合終端結(jié)構(gòu)及實(shí)現(xiàn)工藝技術(shù)”等核心技術(shù)作為驅(qū)動(dòng)，主攻高壓和超高壓MOSFET產(chǎn)品研發(fā)。目前，公司已形成中低壓、高壓、超高壓功率MOSFET產(chǎn)品系列，擁有近500款不同規(guī)格的產(chǎn)品，其中超高壓平面MOSFET最高耐壓已達(dá)1700V，在國(guó)內(nèi)同行業(yè)中處于領(lǐng)先水平。

憑借技術(shù)優(yōu)勢(shì)，公司不斷推動(dòng)產(chǎn)品技術(shù)的高效升級(jí)。一方面，公司在平面MOSFET 工藝平臺(tái)基礎(chǔ)上，利用“高壓MOSFET的少子壽命控制及工藝實(shí)現(xiàn)技術(shù)”開(kāi)發(fā)了集成快恢復(fù)高壓功率MOSFET（FRMOS）系列產(chǎn)品。另一方面，公司向溝槽型MOSFET和超結(jié)MOSFET方面延伸，并針對(duì)新能源汽車用的高壓大電流超結(jié)MOSFET的芯片封裝技術(shù)展開(kāi)布局。

依托可靠性高、參數(shù)一致性好等產(chǎn)品性能，公司客戶群已覆蓋國(guó)內(nèi)高可靠領(lǐng)域電源龍頭企業(yè)，并獲得眾多高可靠領(lǐng)域客戶的高度認(rèn)可。在工業(yè)控制領(lǐng)域，公司持續(xù)深挖工業(yè)儲(chǔ)能、光伏逆變、新能源汽車及充電樁、工業(yè)電源等細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品需求，銷售規(guī)模穩(wěn)步提升。據(jù)招股書(shū)，公司在2021年平面MOSFET國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率約為1.26%；在FRMOS市場(chǎng)份額位列本土企業(yè)第四位（前三位分別為華潤(rùn)微、士蘭微、華微電子）。

在功率IC領(lǐng)域，公司產(chǎn)品包括PWM控制IC和柵極驅(qū)動(dòng)IC，已形成80余款功率IC產(chǎn)品，擁有多項(xiàng)經(jīng)驗(yàn)證的IP核和相關(guān)技術(shù)積累。其中，PWM 控制IC技術(shù)門(mén)檻高、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)復(fù)雜多樣，主要應(yīng)用于AC-DC和隔離式DC-DC開(kāi)關(guān)電源模塊，是開(kāi)關(guān)電源中的核心元器件。公司柵極驅(qū)動(dòng)IC主要為電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC，多用于直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中。

功率IC作為模擬集成電路，除了線路設(shè)計(jì)之外，企業(yè)是否擁有定制開(kāi)發(fā)器件的能力也是核心競(jìng)爭(zhēng)力之一。公司基于晶圓代工廠0.5um 600V SOI BCD 和0.18um 40VBCD 等工藝自主搭建了設(shè)計(jì)平臺(tái)，新增600V PMOS 器件、100V/200V/600V 肖特基二極管、耗盡型NMOS、耐壓達(dá)200V的高壓電容等多種定制化特色器件，可滿足客戶的多樣化開(kāi)發(fā)需求。報(bào)告期間，公司功率IC客戶數(shù)量快速增長(zhǎng)，高可靠產(chǎn)品客戶數(shù)量從3個(gè)增至64個(gè)，并為其提供定制化開(kāi)發(fā)的技術(shù)服務(wù)。自2020年至2022年，公司功率IC產(chǎn)品收入從322萬(wàn)元增長(zhǎng)至5692萬(wàn)元，營(yíng)收占比從2.41%提高到25.07%，公司產(chǎn)品矩陣進(jìn)一步優(yōu)化。

公司高度注重戰(zhàn)略性產(chǎn)品的研發(fā)投入，持續(xù)深度拓展前沿技術(shù)的應(yīng)用。近三年研發(fā)投入5，546.77萬(wàn)元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到27.91%。截至2023年7月13日，公司已積累了10項(xiàng)核心技術(shù)，獲得71項(xiàng)授權(quán)專利（其中發(fā)明專利28項(xiàng)，實(shí)用新型專利43項(xiàng)）和53項(xiàng)集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)。在第三代半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，公司SiC功率器件已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，并利用“短溝道碳化硅MOSFET器件系列產(chǎn)品溝道控制及其制造技術(shù)”實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET穩(wěn)定的性能和優(yōu)良的良率控制，是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的具備650V—1700V SiCMOSFET產(chǎn)品設(shè)計(jì)能力的企業(yè)之一。

未來(lái)，公司將在功率器件和模塊封裝可靠性、功率IC產(chǎn)品多品類研發(fā)、SiC高溫封裝應(yīng)用、SiC MOSFET光繼電器以及數(shù)字電源等產(chǎn)品進(jìn)行持續(xù)深入研究，并進(jìn)一步推動(dòng)第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品的量產(chǎn)落地與技術(shù)升級(jí)，并圍繞新能源汽車、智能電網(wǎng)、儲(chǔ)能等領(lǐng)域進(jìn)行系列化開(kāi)發(fā)，形成新的利潤(rùn)來(lái)源。