稀土專利摘編

一種鉍取代稀土鐵石榴石的劃切方法

申請(qǐng)?zhí)枺篊N202210792208.6

（公開）日期：2022.12.02

申請(qǐng)（專利權(quán)）人：電子科技大學(xué)

一種鉍取代稀土鐵石榴石的劃切方法，屬于光通訊器件技術(shù)領(lǐng)域。包括以下步驟：1)采用液相外延法在SGGG 基片上制備Bi 取代稀土類鐵石榴石單晶膜，得到帶單晶膜的SGGG 基片；2)通過(guò)在藍(lán)膜上黏貼軟彈性墊后再將帶單晶膜的SGGG 基片固定于軟彈性墊上，或者通過(guò)PDMS 封裝的方式，將帶單晶膜的SGGG 基片固定于藍(lán)膜上；3)采用劃片機(jī)將帶單晶膜的SGGG 基片切割為11 毫米×11 毫米的小片。本發(fā)明提出的一種鉍取代稀土鐵石榴石的劃切方法，采用具有彈性的軟體保護(hù)晶片，使晶片完美貼合軟體，抑制晶片在切割過(guò)程中的振動(dòng)和位移；同時(shí)通過(guò)軟體緩沖晶片切割過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力釋放，有效防止了劃切過(guò)程中的崩裂。

一種利用改性蒙脫土富集回收低濃度稀土離子的方法

申請(qǐng)?zhí)枺篊N202110166551.5

（公開）日期：2022.12.30

申請(qǐng)（專利權(quán)）人：武漢工程大學(xué)

本發(fā)明提供一種利用改性蒙脫土富集回收低濃度稀土離子的方法，屬于稀土離子富集技術(shù)領(lǐng)域，包括以下步驟；S1.制備改性蒙脫土：將蒙脫土與H2SO4溶液混合，60 ℃～ 100 ℃溫度條件下水浴加熱攪拌2～ 5 小時(shí)，得改性蒙脫土；S2.吸附稀土離子：將步驟S1 制得的改性蒙脫土放入含低濃度稀土離子的介質(zhì)中，振蕩10～ 17 小時(shí)，得到稀土離子載體混合物；S3.固液分離：抽濾分離，收集稀土離子載體混合物的濾渣；S4.將步驟S3 中所得的濾渣烘干得到稀土離子載體混合物固體；S5.稀土離子載體混合物固體與(NH4)2SO4混合攪拌，離心，所得濾液為富集了稀土離子的濾液。本發(fā)明使蒙脫土晶體結(jié)構(gòu)層間距變大，削弱層間結(jié)合力，結(jié)構(gòu)更為疏松，對(duì)稀土離子的吸附能力提高8～ 11 倍左右，洗脫率高于90%。

膨脹珍珠巖稀土改性材料的配比裝置

申請(qǐng)?zhí)枺篊N202221305810.4

（公開）日期：2022.12.16

申請(qǐng)（專利權(quán)）人：山東博元達(dá)新材料科技有限公司

本實(shí)用新型公開了膨脹珍珠巖稀土改性材料的配比裝置，包括殼體，殼體的內(nèi)部豎向穿設(shè)有攪拌桿，攪拌桿的外表面上等距分布有多個(gè)固定環(huán)，固定環(huán)外表面上均勻插接有攪拌葉片，攪拌葉片的尾部設(shè)置有連接組件，連接組件包括固定連接于攪拌葉片尾部的連接塊，固定環(huán)的外表面上與連接塊相對(duì)應(yīng)處開設(shè)有連接槽，連接塊插接于連接槽內(nèi)，連接槽上、下兩側(cè)槽壁外部對(duì)稱分布有兩個(gè)安裝槽，安裝槽開設(shè)于固定環(huán)的內(nèi)部，并與連接槽連通，安裝槽遠(yuǎn)離連接塊的一側(cè)壁面上固定有第一連接板，第一連接板上固定連接有彈簧，彈簧的端部上安裝有第二連接板，第二連接板上安裝有卡塊，卡塊卡接于連接塊上與卡塊相對(duì)應(yīng)處開設(shè)的弧形卡槽中。

一種具有稀土電機(jī)轉(zhuǎn)速控制系統(tǒng)的磨煤機(jī)

申請(qǐng)?zhí)枺篊N202111216118.4

（公開）日期：2022.12.02

申請(qǐng)（專利權(quán)）人：杭州登元科技有限公司

本發(fā)明公開了一種具有稀土電機(jī)轉(zhuǎn)速控制系統(tǒng)的磨煤機(jī)，包括磨煤筒和設(shè)置在所述磨煤筒內(nèi)的磨煤機(jī)構(gòu)，所述磨煤機(jī)構(gòu)通過(guò)稀土電機(jī)驅(qū)動(dòng)將煤塊磨碎，在所述磨煤筒的入料口和出料口處均設(shè)置有用于監(jiān)測(cè)煤流量的流量傳感器，所述稀土電機(jī)通過(guò)轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)控制轉(zhuǎn)速，在所述磨煤筒的入料口設(shè)置有用于供給送料的傳送機(jī)構(gòu)。本發(fā)明通過(guò)流量傳感器獲取煤粉的流量信息并反饋至數(shù)據(jù)處理機(jī)構(gòu)，數(shù)據(jù)處理機(jī)構(gòu)通過(guò)處理接收的信息調(diào)控傳送機(jī)構(gòu)對(duì)煤塊的送料流量。同時(shí)調(diào)控稀土電機(jī)的轉(zhuǎn)速，使得磨煤機(jī)構(gòu)能夠根據(jù)實(shí)際需求調(diào)整加工效率，避免了能量浪費(fèi)，且避免了煤粉爐不能根據(jù)實(shí)際需求獲取對(duì)應(yīng)的煤粉量導(dǎo)致實(shí)際工作效率下降或者煤粉量過(guò)大發(fā)生故障的問題。

一種稀土浸出液除雜方法

申請(qǐng)?zhí)枺篊N202010430679.3

（公開）日期：2022.12.16

申請(qǐng)（專利權(quán)）人：江西理工大學(xué)

本發(fā)明屬于有色金屬冶金領(lǐng)域，涉及一種稀土浸出液除雜方法，該方法在添加晶種的條件下，采用霧化加料方式將堿液加入到稀土浸出液中沉淀脫除鐵、鋁、硅雜質(zhì)，待堿液加入完畢后，鼓入CO2繼續(xù)反應(yīng)一定時(shí)間，即可過(guò)濾，過(guò)濾后即可得到低雜質(zhì)含量的稀土浸出液和低稀土含量的雜質(zhì)沉淀渣。本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單、成本低、雜質(zhì)脫除率高、沉淀渣過(guò)濾性能好、渣含稀土低等優(yōu)點(diǎn)，具有較好的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用前景。

一種硼摻雜的稀土氧化物介電薄膜及其制備方法與應(yīng)用

申請(qǐng)?zhí)枺篊N202211282496.7

（公開）日期：2022.12.27

申請(qǐng)（專利權(quán)）人：集美大學(xué)

本發(fā)明涉及薄膜晶體管器件技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種硼摻雜的稀土氧化物介電薄膜及其制備方法與應(yīng)用，為了降低介電薄膜中雜質(zhì)離子含量和提高薄膜耐吸濕性，所述制備方法通過(guò)硼摻雜能抑制氧空位和羥基等缺陷的產(chǎn)生，使薄膜具有更高的致密度和更低的孔隙率，減少薄膜對(duì)空氣中水的吸收，降低可移動(dòng)氫離子含量，提升薄膜質(zhì)量，從而有效地阻斷漏電流，改善溶液法制備的介電薄膜的介電性能；進(jìn)一步硼是以硼酸根離子的形式摻入到薄膜中，硼酸根離子限制了生成羥基雜質(zhì)的機(jī)會(huì)，并且攜帶更多的氧原子，可減少薄膜中的氧空位和羥基等缺陷。同時(shí)，硼酸根離子會(huì)結(jié)合羥基形成金屬氧化物網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，從而使得薄膜變得更加致密，可產(chǎn)生的游離態(tài)氫離子含量也隨之減少。

一種環(huán)保型稀土抗菌陶瓷

申請(qǐng)?zhí)枺篊N202221367020.9

（公開日期）：2022.12.16

申請(qǐng)（專利權(quán)）人：廣西北流市加好陶瓷有限公司

本實(shí)用新型涉及陶瓷技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種環(huán)保型稀土抗菌陶瓷，包括稀土陶瓷基體，所述稀土陶瓷基體的表面設(shè)有釉質(zhì)層，所述釉質(zhì)層的表面設(shè)有抗菌層，所述抗菌層的表面設(shè)有氧化鈦層。本實(shí)用新型能夠提高陶瓷制品的抗菌能力，避免一些細(xì)菌容易殘留在陶瓷凹槽內(nèi)且較難清理，需要長(zhǎng)時(shí)間殺菌的問題。

一種真空吸注液態(tài)稀土金屬用恒溫臺(tái)包

申請(qǐng)?zhí)枺篊N202010902358.9

（公開日期）：2022.12.06

申請(qǐng)（專利權(quán)）人：包頭市金為達(dá)稀土材料有限公司

本發(fā)明提供了一種真空吸注液態(tài)稀土金屬用恒溫臺(tái)包，由金屬液盛裝包、吸液管、出液口密封啟閉組件、真空管路部件、兩個(gè)包體連接件、傾動(dòng)部件和電加熱盤構(gòu)成，本發(fā)明的儲(chǔ)液內(nèi)膽內(nèi)的氣體壓力可調(diào)，真空抽吸過(guò)程中能避免金屬氧化，避免吸液管在插管過(guò)程中電解質(zhì)進(jìn)入儲(chǔ)液內(nèi)膽，并具有將金屬及電解質(zhì)等從儲(chǔ)液內(nèi)膽內(nèi)徹底倒出的功能，避免金屬或電解質(zhì)在臺(tái)包內(nèi)結(jié)渣的現(xiàn)象發(fā)生，本發(fā)明的保溫層結(jié)構(gòu)大幅度減少了熱損失，電加熱功能可使儲(chǔ)液內(nèi)膽內(nèi)金屬液溫度恒定，滿足同一臺(tái)包分別在不同電解池抽取液態(tài)金屬并匯集到一起澆注(鑄錠)的需求，單次澆鑄金屬錠量成倍數(shù)增大，成分更加均勻，并具有減少人工瓢、勺的斷電時(shí)間，降低勞動(dòng)強(qiáng)度，提高產(chǎn)、質(zhì)量的優(yōu)點(diǎn)。