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      照明與顯示用綠光發(fā)光材料的研究進(jìn)展

      2023-02-17 07:28:46李星燦鹿莉莉邵晨陽王桂錄鄭喜貴馬躍龍
      液晶與顯示 2023年2期
      關(guān)鍵詞:綠光熒光粉白光

      李星燦 , 鹿莉莉 , 邵晨陽 , 王桂錄 , 鄭喜貴 , 馬躍龍 ,4*, 田 野 *

      (1.河南工業(yè)大學(xué) 機(jī)電工程學(xué)院, 河南 鄭州 450001;2.河南工業(yè)大學(xué) 糧油食品學(xué)院, 河南 鄭州 450001;3.鄭州科技學(xué)院 機(jī)械工程學(xué)院, 河南 鄭州 450064;4.嵩山實(shí)驗(yàn)室, 河南 鄭州 450046)

      1 引 言

      新型固態(tài)照明具有超高亮度、超高效率、節(jié)能環(huán)保、使用壽命長等優(yōu)勢,稱為“新一代光源”,將被應(yīng)用于室內(nèi)外照明、激光電視、汽車大燈以及工業(yè)顯示等領(lǐng)域[1-2]。固態(tài)照明又分為白光LED照明和激光(LD)照明,受限于激發(fā)源的物理極限,白光LED/LD在低、高功率驅(qū)動下各有優(yōu)勢[3-4]。根據(jù)三基色理論,單一顏色無法獲得白光,只有通過多種顏色組合才能實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)白光發(fā)射[5]。紅-綠-藍(lán)三基色混合是實(shí)現(xiàn)白光的形式之一,亦是獲得高效率和高品質(zhì)光源的潛在方案[6]。值得提及的是,在這幾種顏色中,人類眼睛對綠光最敏感。所以,探索高品質(zhì)的綠色發(fā)光材料是制造熒光轉(zhuǎn)換型照明與顯示器件的重要環(huán)節(jié)。

      對于激光顯示而言,主流技術(shù)方案是投影式激光顯示系統(tǒng),其主要由三基色光源、光學(xué)引擎和屏幕3部分組成,其中紅、綠、藍(lán)三基色激光光源是核心部件且制造成本最高。目前產(chǎn)生綠光的方式主要分為綠光激光器、綠色LED陣列和熒光轉(zhuǎn)換型3種。綠光激光器是通過非線性結(jié)晶對紅外半導(dǎo)體激光器發(fā)射的1 064 nm紅外光進(jìn)行波長轉(zhuǎn)換,使其發(fā)射532 nm的綠色光。以藍(lán)光激發(fā)熒光粉轉(zhuǎn)換色輪(分段涂覆不同顏色的熒光粉)的技術(shù)方案和“紅綠藍(lán)三基色激光器/雙色激光系統(tǒng)結(jié)合綠色熒光粉”的激光顯示均受限于綠色激光器技術(shù)[7-8]。在綠光半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域,其主要專利被日本和德國企業(yè)把控。綠光LED陳列由安裝在基底上的多個(gè)綠光LED排列構(gòu)成。通過熒光轉(zhuǎn)換方式獲得的綠光光源,具有體積小、效率高和發(fā)光穩(wěn)定等特點(diǎn)。鑒于此,研發(fā)激光照明與顯示用熒光轉(zhuǎn)換型綠光轉(zhuǎn)換元件已迫在眉睫[9-10]。

      從目前發(fā)展趨勢來看,熒光轉(zhuǎn)換型固態(tài)照明與顯示技術(shù)是行業(yè)發(fā)展的主流技術(shù)方向。開發(fā)和研究照明與顯示用綠光發(fā)光材料具有廣闊的應(yīng)用前景[11]。綠光發(fā)光材料根據(jù)物理形態(tài)分為粉末、陶瓷、薄膜和玻璃等。隨著激光顯示器件對高功率綠光的需求,傳統(tǒng)硅膠(樹脂)封裝的綠光熒光粉輪在長時(shí)間的旋轉(zhuǎn)和激光輻射后,導(dǎo)致其顏色不均勻和表面碳化,引起器件效率下降甚至失效[12]。綠光熒光玻璃制備工藝簡單,通過調(diào)節(jié)摻雜熒光粉的種類和含量可獲得可控的發(fā)光性能。然而,其導(dǎo)熱性差、功率飽和密度低,不利于熱量的有效散失,且極易出現(xiàn)熱猝滅效應(yīng)。熒光薄膜雖然發(fā)光效率高、熱穩(wěn)定性好,但是其在高溫煅燒后,薄膜層與基質(zhì)層會出現(xiàn)開裂,致密度低及表面濕潤不匹配等問題[13-14]。熒光陶瓷具有高的熱導(dǎo)率、高的轉(zhuǎn)換效率以及可以承受較高的溫度等特征,有望成為激光顯示技術(shù)突破創(chuàng)新的核心器件,但是其制備過程中需要高溫和高真空工藝環(huán)境,阻礙了陶瓷的規(guī)模化生產(chǎn)[15]。各類綠光發(fā)光材料的制備工藝不同,相應(yīng)的光學(xué)性能也各有特點(diǎn)。因此,國內(nèi)外研究者對不同物理形態(tài)的綠光發(fā)光材料進(jìn)行了大量研究并取得顯著成果。

      本文針對照明與顯示用粉末、陶瓷、薄膜和玻璃等綠光發(fā)光材料的最新進(jìn)展,綜述了通過基質(zhì)優(yōu)化和離子替換等策略提升綠光發(fā)光材料的熱穩(wěn)定性、光品質(zhì)及拓寬色域的研究進(jìn)展。

      2 β-Sialon綠光熒光體

      隨著固態(tài)照明與顯示器件功率的增加,無論是哪種類型的綠光發(fā)光材料,其熱穩(wěn)定性和發(fā)射光譜半高寬均已成為瓶頸問題。國內(nèi)外研究人員通過摻雜不同類型離子來提升材料性能,并采用不同的制備方法將材料加工為多種物理形態(tài)。β-Sialon∶Eu2+綠色熒光體因理化性能穩(wěn)定、猝滅溫度高和半高寬窄等優(yōu)勢被廣泛研究。

      2.1 β-Sialon熒光粉末

      日本國立材料研究所Hirosaki等[16]首次報(bào)道了β-Sialon∶Eu2+綠色熒光粉,研究發(fā)現(xiàn)其發(fā)射光譜半高寬為55 nm,激發(fā)峰為303 nm,發(fā)射峰為535 nm。β-Sialon熒光粉的發(fā)現(xiàn)為固態(tài)照明與顯示器件提供了一種有潛力的綠光發(fā)光材料,國內(nèi)外研究者紛紛展開了進(jìn)一步的研究。

      2017年,廈門大學(xué)解榮軍等[17]在爐內(nèi)溫度為1 900 ℃氣壓燒結(jié)爐中燒結(jié)2 h后獲得原始β-Sialon∶Eu2+粉末,隨后將粉末放入氣壓燒結(jié)爐中,在還原氣氛下燒結(jié)10 h后得到β-Sialon∶Eu2+熒光粉。結(jié)果表明,經(jīng)過在還原氣氛下熱處理后該熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度提高了2.3倍,發(fā)射光譜的半高寬從57 nm壓縮至54 nm。將β-Sialon∶Eu2+和 K2SiF6∶Mn4+(KSF∶Mn4+)紅色熒光粉結(jié)合,制備的白光LED器件的發(fā)光效率為136 lm/W,色域?yàn)?6% National Television Standards Committee(NTSC),如圖1(a)~(b)所示。隨后,該課題組[18]通過溶膠-凝膠法將 TiO2包覆在 β-Sialon∶Eu2+熒光粉顆粒表面。研究表明,TiO2包覆層與熒光粉表面發(fā)生了局部等離子共振,使β-Sialon∶Eu2+粉體的發(fā)光強(qiáng)度提高了24%。2019年,劉泉林等[19]將所有原材料在一個(gè)充滿氮?dú)獾氖痔紫渲蟹Q重、研磨后,放入爐內(nèi)溫度為1 850 ℃高溫石墨爐中,在還原氣氛下,煅燒4 h后獲得了Sr-Sialon∶Eu2+綠色熒光粉,研究了不同Eu2+的摻雜濃度對其發(fā)光熱穩(wěn)定性的影響。研究發(fā)現(xiàn),在390 nm激發(fā)下,該粉體的發(fā)射光譜半高寬僅為66 nm,425 K時(shí)的發(fā)射強(qiáng)度為室溫的80%。將其與KSF∶Mn4+封裝為白光LED器件,在15 mA電流的驅(qū)動下,色域?yàn)?2% NTSC,如圖1(c)~(d)所示。

      圖1 (a) 經(jīng)過還原氣氛退火處理前后,在 365 nm激發(fā)下 β-Sialon∶Eu2+粉體的光致發(fā)光特性的對比;(b) β-Sialon∶Eu2+和K2SiF6∶Mn4+封裝的白光LED的CIE色坐標(biāo);(c) 熒光粉Sr3-3xSi13Al3O2N21∶3xEu2+的發(fā)射強(qiáng)度與溫度的關(guān)系;(d) 白光 LED 的色坐標(biāo)[17-19]。Fig.1 (a) Comparison of photoluminescence properties of β-Sialon∶Eu2+ powders excited at 365 nm before and after annealing in reducing atmosphere;(b) CIE chromaticity coordinates of β-Sialon∶Eu2+ and K2SiF6∶Mn4+ encapsulated white LEDs;(c) Relationship between emission intensity and temperature of phosphor Sr3-3xSi13Al3O2N21∶3xEu2+ ;(d) CIE chromaticity coordinates of the white LED[17-19].

      2.2 β-Sialon熒光玻璃

      熒光玻璃具有制備工藝簡單、成本低和燒結(jié)溫度低等優(yōu)勢,得到了廣泛研究。碲酸鹽、硅酸鹽、磷酸鹽等玻璃基質(zhì)被選擇和β-Sialon熒光粉混合制備熒光玻璃。然而,玻璃基質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)之間的差異及熱穩(wěn)定性問題,使其量子效率和發(fā)光效率受到了極大限制。

      2019年,韓國陶瓷工程技術(shù)研究院Kim等[20]通過優(yōu)化β-Sialon∶Eu2+熒光粉的含量和燒結(jié)溫度,研究了其對熒光玻璃發(fā)光效率的影響。結(jié)果表明,當(dāng)入射藍(lán)光功率達(dá)到4 W時(shí),獲得的熒光玻璃發(fā)光效率為220 lm/W。向衛(wèi)東等[21]研究了不同濃度、厚度的SiO2-Na2CO3-H3BO3-CaO基β-Sialon∶Eu2+綠光熒光玻璃。在450 nm的LD激發(fā)下,熒光玻璃的最高光通量為363 lm,發(fā)光效率為154 lm/W,如圖2所示。

      圖2 不同濃度(a)和厚度(b)的熒光玻璃上測量激光功率與發(fā)光功率的關(guān)系[21]Fig.2 Relationship between laser power density and luminous efficiency measured on samples of different concentrations(a) and thicknesses (b)[21]

      2.3 β-Sialon熒光薄膜

      溫州大學(xué)向衛(wèi)東等[22]以硼硅酸鹽玻璃為無機(jī)粘合劑,通過共包覆藍(lán)寶石和β-Sialon熒光粉制備了綠光熒光薄膜。研究表明,制備的熒光薄膜導(dǎo)熱系數(shù)為8.6 W/(m·K)。在450 nm激發(fā)下,該薄膜的發(fā)射峰為540 nm,發(fā)射光譜的半高寬為50 nm。在425 K時(shí),其發(fā)射強(qiáng)度保持為室溫的70%,高于β-Sialon熒光粉末。2021年,徐鵬等[23]采用葉片涂層法將β-Sialon∶Eu2+制備成綠光熒光薄膜用于改善熒光飽和效應(yīng)。結(jié)果表明,隨著入射功率的增加,薄膜的發(fā)射強(qiáng)度和溫度呈線性增加,沒有出現(xiàn)發(fā)光飽和現(xiàn)象。獲得的飽和閥值大于26.4 W/mm2,但是,薄膜表面最高溫度為420 ℃(功率為3.13 W),如圖3所示。

      圖3 (a) 不同激光功率和功率密度下薄膜的光通量;(b) 薄膜在36.4 W/mm2激光照射下的紅外熱像圖[23]。Fig.3 (a) Total spectral flux from the film measured under different laser power/power densities;(b) Infrared thermal image of the film under 26.4 W/mm2 laser irradiation[23].

      綜上所述,β-Sialon熒光體是一種極具潛力的綠光材料,通過進(jìn)一步調(diào)控β-Sialon綠光熒光體的制備方法、基質(zhì)晶格配位環(huán)境、熱傳導(dǎo)性能和物理形態(tài)能夠顯著提升其發(fā)光性能。然而,β-Sialon熒光粉體的合成需要高溫高壓環(huán)境,導(dǎo)致其生產(chǎn)成本昂貴。因此,低成本、高效制備β-Sialon粉體是一種巨大的挑戰(zhàn)。

      3 Me(A,B)4X4結(jié)構(gòu)的綠光發(fā)光材料

      UCr4C4的化合物通式為 Me(A,B)4X4,其中Me為堿金屬或堿土金屬離子,A和B為配位離子。在結(jié)構(gòu)上,[AX4]和[BX4]四面體通過共邊或共頂點(diǎn)形式連接形成[011]方向的Vierer環(huán),而Me原子容納于環(huán)形通道內(nèi),形成致密度K(AB/X)=1的剛性結(jié)構(gòu)。基于Eu2+離子的發(fā)光結(jié)構(gòu),研究人員利用Eu2+取代UCr4C4礦物結(jié)構(gòu)中唯一高度對稱的陽離子Me格位設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了Eu2+離子的綠光窄帶發(fā)光。

      2018 年,北京科技大學(xué)夏志國等[24]研究了RbLi(Li3SiO4)2∶Eu2+綠光熒光粉發(fā)射光譜的半高寬、發(fā)光熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性。結(jié)果表明,其半高寬為商用 β-Sialon∶Eu2+的 78%,在 150 ℃時(shí)的發(fā)射強(qiáng)度保持為室溫的103%。但RbLi(Li3SiO4)2∶Eu2+熒光粉放置在相對濕度為80%,溫度為80 ℃的環(huán)境下1 h后,檢測到樣品的發(fā)射強(qiáng)度僅保持在初始狀態(tài)時(shí)的13%。將其與KSF∶Mn4+封裝后,在20 mA電流驅(qū)動下,白光LED的流明效率為97.28 lm/W,色域?yàn)?07% NTSC。隨后,為進(jìn)一步提升RbLi(Li3SiO4)2∶Eu2+的理化穩(wěn)定性,該團(tuán)隊(duì)[25]在RbLi(Li3SiO4)2基質(zhì)中引入Na+離子取代Li+離子。研究發(fā)現(xiàn),粉體在空氣暴露20天,發(fā)射強(qiáng)度保持在初始狀態(tài)的91%。在425 K時(shí),熒光粉的發(fā)射強(qiáng)度保持在300 K時(shí)的102%。將其與KSF∶Mn4+封裝為白光LED器件,在20 mA電流的驅(qū)動下,其色域?yàn)?13%NTSC,如圖4所示。

      圖4 (a) RbNa(Li3SiO4)2∶Eu2+、RLSO∶Eu2+和 β-Sialon∶Eu2+的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜;(b) 原始 RbNa(Li3SiO4)2∶Eu2+(插圖:樣品暴露于大氣環(huán)境下不同天數(shù)的PL光譜);(c) 在455 nm激發(fā)下,RbNa(Li3SiO4)2∶Eu2+溫度依賴性發(fā)射光譜;(d) 白光LED器件的CIE色坐標(biāo)[25]。Fig.4 (a) PLE and PL spectra of RN∶Eu2+, RLSO∶Eu2+ (red dotted line), and β-Sialon∶Eu2+ (blue short dotted line);(b) PL spectra of the pristine RbNa(Li3SiO4)2∶Eu2+ and the sample exposed to ambient atmosphere for different days, and the inset shows the dependence of normalized integrated PL intensities on the time;(c) Temperature dependent emission spectra of RbNa(Li3SiO4)2∶Eu2+ at 455 nm excitation;(d) CIE chromaticity coordinates of white LED device[25].

      2021年,吳福根等[26]采用 Na+取代 Rb+的策略,促使Rb4(Li3SiO4)4中的Rb2O8發(fā)生NaO8多面體轉(zhuǎn)變,實(shí)現(xiàn)了發(fā)光中心的Stokes位移減少和結(jié)構(gòu)剛度增強(qiáng),進(jìn)而提高了量子效率和熱穩(wěn)定性。在 460 nm 激發(fā)下,Rb3Na(Li3SiO4)4∶Eu2+的發(fā)射光譜半高寬為42 nm,外量子效率為85.3%,內(nèi)量子效率為40.4%。在150 ℃時(shí),其發(fā)射強(qiáng)度保持在溫室時(shí)的 102%。但 Rb3Na(Li3SiO4)4∶Eu2+樣品在相對濕度為80%,溫度為80 ℃的環(huán)境下,放置1 h后,其發(fā)射強(qiáng)度保持在初始狀態(tài)下的59.5%。將其與KSF∶Mn2+封裝成白光LED器件,在20 mA電流的驅(qū)動下,獲得的發(fā)光效率為128.3 lm/W,色域?yàn)?03.5% NTSC。2022年,戴鵬鵬等[27]通過Rb+取代RbNa3(Li3SiO4)4∶Eu2+熒光粉中的Na+,使其由發(fā)射光由藍(lán)色變?yōu)榫G色,并證實(shí)綠光發(fā)射是由Rb+取代引發(fā)了四方晶體到單斜晶體的相變,使Eu2+進(jìn)入兩個(gè)新立方Rb和Na位點(diǎn)所引起的。在373 nm激發(fā)下,該熒光粉的發(fā)射峰為526 nm,發(fā)射光譜的半高寬為43 nm,內(nèi)量子效率為90.2%。在150 ℃時(shí),粉末的發(fā)射強(qiáng)度保持在室溫時(shí)的105.7%,如圖5所示。將其與KSF∶Mn4+封裝為白光LED器件,在20 mA電流驅(qū)動下,獲得的色域?yàn)?11.2% NTSC。

      圖5 (a) 在373 nm激發(fā)下,Rb1+xNa2.97-x(Li3SiO4)∶Eu2+(0≤x≤2.5)熒光粉的發(fā)射光譜;(b) Rb3Na(Li3SiO4)4∶Eu2+的發(fā)射強(qiáng)度和發(fā)射峰強(qiáng)度與溫度的關(guān)系[27]。Fig.5 (a) PL spectra of Rb1+xNa2.97-x(Li3SiO4)4∶Eu2+ (0≤x≤2.5) phosphors;(b) Normalized integrated emission intensities and peak intensities of Rb3Na(Li3SiO4)4∶Eu2+as a function of temperature[27].

      2019年,師進(jìn)生等[28]采用固相反應(yīng)法在還原氣氛下燒結(jié)制備了 CsKNa(Li3SiO4)4∶Eu2+綠色熒光粉。結(jié)果表明,熒光粉的發(fā)射光譜半高寬為55 nm,在190 ℃時(shí)的發(fā)射強(qiáng)度保持為室溫時(shí)的61.2%。將其與 BaMgA10O17∶Eu2+(BAM∶Eu2+)藍(lán)光熒光粉和(Sr,Ca)AlSiN3∶Eu2+紅光熒光粉封裝后,在100 mA電流的驅(qū)動下,白光LED器件的相關(guān)色溫為6 097 K,色坐標(biāo)為(0.321 9,0.309 9)。

      綜上所述,UCr4C4∶Eu2+綠光材料具有優(yōu)異的光學(xué)性能(如表1所示)。然而,較差的化學(xué)穩(wěn)定性嚴(yán)重限制了UCr4C4∶Eu2+綠光材料的應(yīng)用空間。采用無機(jī)保護(hù)層能夠解決UCr4C4熒光材料在高濕度環(huán)境下化學(xué)穩(wěn)定性差的問題,但其發(fā)光效率下降嚴(yán)重。因此,需要進(jìn)一步研究提升其化學(xué)穩(wěn)定性和發(fā)光效率的方法。

      表1 UCr4C4∶Eu2+綠光發(fā)光材料的性能對比Tab.1 Comparison of properties of UCr4C4∶Eu2+ green luminescent materials

      4 鎂鋁尖晶石型綠光熒光體

      MgAl2O4尖晶石作為基質(zhì)材料具有價(jià)格廉價(jià)、環(huán)保、高熱穩(wěn)定性以及較低的聲子頻率(670 cm-1)等優(yōu)勢,引入稀土和過渡族金屬發(fā)光心中后,MgAl2O4在固態(tài)照明和顯示領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊。

      張勤遠(yuǎn)等[29]采用固相反應(yīng)法制備了MgAl2O4∶Mn2+綠光熒光粉。在450 nm激發(fā)下,該粉體的發(fā)射峰為525 nm,發(fā)射光譜半高寬為35 nm,比商業(yè)β-Sialon∶Eu2+的半高寬窄35%。在300 ℃時(shí),熒光粉的發(fā)射強(qiáng)度保持在23 ℃時(shí)的109.5%。將其與KSF∶Mn4+封裝成白光LED器件,在20 mA電流驅(qū)動下,獲得的色域?yàn)?16% NTSC。

      梁玉軍等[30]研究了Sr2MgAl22O36∶Mn2+(SMAO∶Mn2+)晶體結(jié)構(gòu)與窄帶發(fā)射的關(guān)系。SMAO基體具有剛性六邊形結(jié)構(gòu),空間群為P-6m2,可以減少電子交互作用的概率。Mg2+離子摻入晶體結(jié)構(gòu)中取代了Al3+,占據(jù)了晶體中間Al3+位點(diǎn),具有較高的對稱性,導(dǎo)致結(jié)構(gòu)無序和弛豫時(shí)間較低,Sr2MgAl22O36∶Mn2+結(jié)構(gòu)的高剛性和高對稱性促進(jìn)其窄帶發(fā)射。進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn),在450 nm激發(fā)下SMAO∶Mn2+熒光粉的發(fā)射峰為518 nm,發(fā)射光譜半高寬為26 nm。將其與KSF∶Mn4+封裝為白光LED器件,在100 mA電流的驅(qū)動下,獲得的色域?yàn)?27% NTSC。

      貝拿勒斯印度大學(xué)Rai等[31]首次研究了Er3+和Yb3+離子共摻雜MgAl2O4熒光粉的發(fā)光行為,并通過引入Bi3+離子提高其發(fā)光強(qiáng)度。結(jié)果表明,在980 nm激發(fā)下,該熒光粉在521 nm和543 nm處出現(xiàn)兩個(gè)強(qiáng)發(fā)射峰,Bi3+的加入使其綠色發(fā)光帶的發(fā)射強(qiáng)度提高了30倍。韓國國民大學(xué)Do等[32]通過共摻雜Eu2+和Mn2+離子制備了SrMgAl10O17∶Eu2+,Mn2+綠光熒光粉,發(fā)現(xiàn)位于Sr2+格位的Eu2+離子和位于Mg2+格位的Mn2+離子之間的距離縮短,這導(dǎo)致3d-3d躍遷增加,促使Mn2+-Eu2+之間的能量傳遞增加,從而提高粉體的發(fā)光效率。結(jié)果表明,在423 nm激發(fā)下,粉體在發(fā)射峰518 nm處的半高寬為26 nm,光致發(fā)光量子效率為98%,如圖6所示。將其與KSF∶Mn4+封裝成白光LED器件,在20 mA電流的驅(qū)動下,獲得的發(fā)光效率為92 lm/W,色域?yàn)?14% NTSC。張婷婷等[33]通過在Sr2(Mg,Mn)Al22O36中引入Eu2+,使Eu2+-Mn2+之間發(fā)生高效的能量傳遞,進(jìn)而提高該熒光粉的發(fā)射強(qiáng)度。結(jié)果表明,小劑量的Eu2+敏化劑加入使Mn2+的綠光發(fā)射強(qiáng)度提高到初始值的260%。在473 K時(shí),其發(fā)射強(qiáng)度保持在室溫時(shí)的70%,如圖7所示,鎂鋁尖晶石型綠光熒光體的發(fā)射波長峰值、半峰寬和外量子效率對比如表2所示。

      表2 鎂鋁尖晶石型綠光熒光體的性能對比Tab.2 Comparison of properties of green light fluorophores of magnesium-aluminum spinel type

      圖6 (a) SrMgAl10O17∶Eu2+,Mn2+熒光粉的空間結(jié)構(gòu)。在Sr-O導(dǎo)電層中,Eu2+離子取代了Sr2+離子。在MgAl10O16尖晶石中,Mn2+離子取代了Mg2+離子;(b) 在 430 nm激發(fā)下的SrMgAl10O17∶0.4 Eu2+,0.6 Mn2+的發(fā)射光譜[32]。Fig.6 (a) Spatial structure of SrMgAl10O17∶Eu2+,Mn2+ phosphors.In the Sr-O conductive layer, Eu2+ ion replaces the Sr2+ ion.In MgAl10O16 spinel, Mn2+ ions replace Mg2+ ions;(b) PL spectrum of the phosphor SrMgAl10O17∶0.4 Eu2+,0.6 Mn2+ excited by 430 nm[32].

      圖7 (a) Sr2(Mg,Mn)Al22O36∶Eu2+的發(fā)射強(qiáng)度隨Eu2+摻雜濃度的變化;(b) Sr2(Mg,Mn)Al22O36∶Eu2+的發(fā)射強(qiáng)度隨溫度變化圖譜[33]。Fig.7 (a) Eu2+ concentration-dependent PL spectra of Sr2(Mg,Mn)Al22O36∶Eu2+samples (λex = 360 nm);(b) Temperaturedependent PL spectra of optimal Sr2(Mg,Mn)Al22O36∶Eu2+sample (λex = 360 nm)[33].

      基于固相反應(yīng)法制備的鎂鋁尖晶石型綠光熒光體具有工藝簡單、半高寬窄和熱穩(wěn)定性高的特征。然而,鎂鋁尖晶石存在固有的晶格缺陷,且該缺陷與其光學(xué)性能的作用機(jī)制尚不夠清晰,因此,有效利用鎂鋁尖晶石的缺陷效應(yīng)值得進(jìn)一步探索。

      5 石榴石型綠色熒光體

      釔鋁石榴石(Y3Al5O12,YAG)具有優(yōu)異的機(jī)械性能、導(dǎo)熱性及理化穩(wěn)定性,其結(jié)構(gòu)相容性良好,Y3+和Al3+離子能夠被不同半徑和電價(jià)的陽離子替代。因此,YAG被認(rèn)為是理性的發(fā)光材料基體??蒲腥藛T在YAG基體中引入稀土Ce3+離子,在藍(lán)光激發(fā)下發(fā)射出黃綠光。此外,在YAG∶Ce中引入Ga3+離子后,在藍(lán)光的激發(fā)下實(shí)現(xiàn)綠光發(fā)射,其發(fā)射光譜從565 nm藍(lán)移至515 nm。

      張志軍等[34]采用固相反應(yīng)結(jié)合兩步燒結(jié)法制備了Y2.985Al5-xGaxO12∶0.015 Ce (YAGG∶Ce,x=0~5)熒光陶瓷,并研究了Ga含量對陶瓷發(fā)光性能和熱穩(wěn)定性的影響。該方法有效避免了Ga在高溫下的蒸發(fā)。結(jié)果表明,隨著Ga摻雜濃度的增加,CIE色坐標(biāo)由暖黃色區(qū)域逐漸轉(zhuǎn)移到綠色區(qū)域,獲得的發(fā)光效率從124.48 lm/W下降至5.61 lm/W。當(dāng)Ga的濃度小于60%時(shí),其在150 ℃時(shí)的發(fā)射強(qiáng)度保持在25 ℃的83.6%,如圖8所示。

      圖8 (a) YAGG∶Ce陶瓷封裝LED的色坐標(biāo)(插圖:藍(lán)色LED芯片激發(fā)下 Y3Al5-xGaxO12∶Ce(x=0~4)陶瓷的圖片);(b) Y3Al5-xGaxO12∶Ce(x=0~4)陶瓷的相對變溫光譜強(qiáng)度[34]。Fig.8 (a) CIE Chromaticity coordinates of LED encapsulated with YAGG∶Ce ceramics (Inset: picture of Y3Al5-xGaxO12∶Ce(x=0~4) ceramics excited by blue LED chip);(b) Temperature-dependent luminescence intensity of Y3Al5-xGaxO12∶Ce (x=0~4) ceramics[34].

      向衛(wèi)東等[35]通過改變 Y3Al3.5Ga1.5O12∶Ce3+熒光粉的含量,低溫共燒結(jié)制備了YAGG∶Ce熒光玻璃。研究發(fā)現(xiàn),獲得的熒光玻璃熱導(dǎo)率為1.712 W/(m·K),內(nèi)量子效率為92.7%。在503 K時(shí),其發(fā)射強(qiáng)度保持在室溫時(shí)的91.6%,比YAGG∶Ce熒光粉末高0.06%。在藍(lán)光LD激發(fā)下,獲得的發(fā)光效率為254.5 lm/W,光通量為555.6 lm。隨后該課題組[36]采用葉片涂層法在單晶寶石上涂覆Y3Al3.08Ga1.92O12∶Ce3+制備了綠光熒光薄膜。在功率密度為16.2 W/mm2的藍(lán)光LD激發(fā)下,該薄膜仍能正常工作。當(dāng)輸入密度為12.86 W/mm2時(shí),熒光粉含量為50%、厚度為0.2 mm的薄膜最大光通量可達(dá)967 lm,流明效率為167 lm/W。200 ℃時(shí)的發(fā)射強(qiáng)度保持在室溫時(shí)的90.2%,優(yōu)于YAGG∶Ce粉末,如圖9所示。

      圖9 (a) 厚度為0.2 mm的薄膜在不同輸入功率密度激發(fā)下的流明效率和光通量;(b) 在 25~300 ℃的溫度范圍內(nèi),YAGG薄膜與熒光粉的發(fā)射強(qiáng)度與溫度的關(guān)系[36]。Fig.9 (a) Luminous efficiency and luminous flux of films with thickness of 0.2 mm under excitation of different input power densities;(b) Temperature dependence of the integrated luminescence intensities for YAGG phosphor and composite films in the temperature range of 25~300 ℃[36].

      Lu3Al5O3∶Ce(LuAG∶Ce)熒光體具有高熱穩(wěn)定性和優(yōu)異的發(fā)光效率而被廣泛研究。Kim等[37]采 用 光 學(xué) 浮 區(qū) 法 制 備 了 Lu3Al5O12∶Ce3+(LuAG∶Ce3+)單晶并基于聲子運(yùn)動研究了熒光體的發(fā)光熱穩(wěn)定性。結(jié)果表明,在200 ℃時(shí),LuAG∶Ce3+單晶的拉曼強(qiáng)度下降了22%,該現(xiàn)象可歸因于聲子數(shù)的減少導(dǎo)致電子-聲子相互作用減少,從而降低了熱猝滅的概率。在藍(lán)光LD激發(fā)下,LuAG∶Ce3+在200 ℃時(shí)的發(fā)射強(qiáng)度保持在室溫時(shí)的105%,量子效率僅為63%。將其與5 W的LD封裝后,在3.6 A電流的驅(qū)動下,工作40 min后單晶的溫度為62 ℃,相關(guān)色溫為5 700 K。因此,要實(shí)現(xiàn)LuAG∶Ce3+單晶的商業(yè)化應(yīng)用,需進(jìn)一步改善其量子效率和降低制備成本。山東大學(xué)張玉軍等[38]采用LiF作為助溶劑結(jié)合微波誘導(dǎo)溶液燃燒法制備了LuAG∶Ce3+綠色熒光粉。研究顯示,LiF不僅增強(qiáng)了熒光粉的結(jié)晶度,且在一定程度上提高了LuAG∶Ce3+發(fā)光強(qiáng)度,但過量的LiF會增加熒光粉的晶體缺陷,不利于其發(fā)光性能的提高。此外,隨著煅燒溫度的提高,粉體表面的缺陷逐漸減少、結(jié)晶度進(jìn)一步提高,發(fā)光強(qiáng)度得到了明顯的提升,當(dāng)煅燒溫度為1 000 ℃時(shí),發(fā)光強(qiáng)度最佳。

      向衛(wèi)東等[39]研究了玻璃基體成分、熒光粉摻雜濃度、玻璃厚度和燒結(jié)工藝對LuAG∶Ce熒光玻璃的光學(xué)性能影響,抑制了LuAG∶Ce熒光粉與玻璃基體(SiO2-B2O3-Ca2O-Na2CO3)之間的界面反應(yīng),使該熒光玻璃的內(nèi)量子效率達(dá)到93.8%。LuAG∶Ce熒光玻璃(活化能ΔE=0.293 eV)在543 K時(shí)的發(fā)射強(qiáng)度仍保持在室溫時(shí)的47%,優(yōu)于LuAG∶Ce熒光粉(ΔE=0.264 eV)。在20 W的LD激發(fā)下,熒光粉摻雜濃度為50%,厚度為0.6 mm的熒光玻璃發(fā)光效率為225 lm/W。

      羅朝華等[40]設(shè)計(jì)Ba2+-Si4+離子對取代Lu3+-Al3+并采用退火消除氧空位缺陷,從而調(diào)控Lu3Al5O12∶Ce3+(LuAG∶Ce)熒光陶瓷的發(fā)光性能。結(jié)果表明,經(jīng)退火處理后,該熒光陶瓷的發(fā)射強(qiáng)度提高了30%,內(nèi)量子效率從42.6%提高至75.1%,半高寬由106 nm壓縮至101 nm,發(fā)光效率由115.3 lm/W增加到187.1 lm/W,在423 K時(shí)其發(fā)射強(qiáng)度由81.3%提高到91%。進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn),Ba2+離子的引入增強(qiáng)了LuAG∶Ce的晶格剛度,從而提高了熱穩(wěn)定性。

      石榴石中存在3個(gè)不同的陽離子格位,使得Ce3+摻雜石榴石在調(diào)控發(fā)光性能方面具有顯著的靈活性。釔鎵石榴石Y3Ga5O12(YGG),具有結(jié)構(gòu)簡單、化學(xué)穩(wěn)定性好、帶隙大等優(yōu)點(diǎn),而受到廣泛關(guān)注。長春理工大學(xué)曾繁明等[41]采用溶膠-凝膠法制備了一系列YGG∶Ce3+熒光粉,并研究了Ce3+濃度對YGG熒光粉發(fā)光性能的影響。結(jié)果表明,YGG∶Ce3+存在晶格缺陷,隨著摻雜Ce3+濃度的增加,晶格缺陷的數(shù)量不斷增加。當(dāng)晶格缺陷增加到一定程度之后,會出現(xiàn)猝滅中心,將電子困在導(dǎo)帶中,從而導(dǎo)致發(fā)光效率的降低??梢姡琘GG∶Ce3+熒光粉的發(fā)光性能嚴(yán)重依賴于Ce3+濃度,當(dāng)Ce3+摻雜濃度為0.01時(shí),此熒光粉的發(fā)光性能達(dá)到最佳。

      綜上所述,通過調(diào)整基質(zhì)化學(xué)組成和熒光材料的物理形態(tài)可以有效提高YAG熒光體的發(fā)光性能。石榴石型綠色熒光體的性能對比如表3所示。Y3Al4GaO12∶Ce陶瓷、Y3Al3.5Ga1.5O12∶Ce3+玻璃和Lu3Al5O12∶Ce3+玻璃等都具有較高的內(nèi)量子效率,但是較低的外量子效率在一定程度上限制了其商業(yè)化發(fā)展。然而,對于綠光熒光材料,要求其具有窄的半高寬和高的發(fā)光效率。通過增加或減小晶體場劈裂使光譜移動的方法具有明顯局限性。

      表3 石榴石型綠色熒光體的性能對比Tab.3 Comparison of properties of garnet type green fluorophores

      6 其他類型綠光熒光材料

      6.1 Eu2+作為發(fā)光中心的綠光發(fā)光材料

      Eu2+離子的4f65d1→4f7躍遷對晶體場環(huán)境(對稱性、共價(jià)鍵、鍵長、場強(qiáng))有很強(qiáng)的敏感性,根據(jù)基體材料的不同,其發(fā)光范圍涉及紫外到紅光[42-43]。因此,Eu2+離子作為發(fā)光中心的綠光發(fā)光材料受到了廣泛的研究。

      周智等[44]采用水熱法合成了 Sr8ZnY(PO4)7∶Eu2+(SZYP∶Eu2+)綠光熒光粉,研究了Pr3+、Tm3+、Yb3+等離子共摻雜后對其熱穩(wěn)定性的影響。結(jié)果表明,在365 nm激發(fā)下,在150 ℃時(shí),其發(fā)射強(qiáng)度保持在室溫時(shí)的45.03%,分別共摻雜Pr3+、Tm3+、Yb3+后,熒光粉的發(fā)射強(qiáng)度分別保持在初始狀態(tài)的44.3%、39.8%和51.1%。此外,SZYP∶Eu2+的發(fā)射峰為520 nm,發(fā)射光譜的半高寬為86 nm,內(nèi)量子效率為69.22%。將其與BAM∶Eu2+和(Ca,Sr)AlSiN3∶Eu2+封裝成白光 LED 器件,在20 mA電流的驅(qū)動下,獲得的相關(guān)色溫為4 791 K,顯色指數(shù)為95.8。

      陳登銘等[45]采用固相反應(yīng)法制備了Ba5Si2O6Cl6∶Eu2+綠光熒光粉。該熒光粉的激發(fā)光譜范圍從紫外光覆蓋到藍(lán)光,發(fā)射峰位于510 nm處,獲得的量子效率為44%。在430 K時(shí),熒光粉的發(fā)射強(qiáng)度僅保持為室溫時(shí)的50%。將其與Sr2Si5N8∶Eu2+和BaAl10MgO17∶Eu2+封裝為白光LED器件,在100~450 mA電流驅(qū)動下,獲得的相關(guān)色溫為5 890 K。

      費(fèi)廣濤等[46]采用3A沸石分子篩(2/3K2O·1/3Na2O·Al2O3·2SiO2·9/2H2O,Zeolite-3A)作為基體,通過高溫處理制備了Zeolite-3A∶Eu熒光粉。研究發(fā)現(xiàn),沸石含有四面體AlO4基團(tuán)框架,可以將生成的Eu2+與氧隔離。該熒光粉的發(fā)射帶位于310~450 nm,發(fā)射峰位于523 nm,獲得的量子效率為36.6%。將其與近紫外芯片封裝成LED器件,在3 V電壓工作下,獲得的CIE色坐標(biāo)為(0.295,0.537)。呂偉等[47]在 950 ℃下保溫4 h 制備了 K2Ba3Si8O20∶Ce2+,Eu2+(KBSO∶Ce3+,Eu2+)綠光熒光粉,研究了Ce3+和Eu2+的摻雜對其發(fā)光性能的影響。結(jié)果表明,由于Eu2+與Ce2+之間發(fā)生了效率為35.6%的能量傳遞,使Eu2+在近紫外譜段的吸收得到了增強(qiáng),此外,KBSO∶Ce3+,Eu2+熒光粉在發(fā)射峰502 nm處的發(fā)射強(qiáng)度也實(shí)現(xiàn)了提升。

      休斯頓大學(xué)Brgoch等[48]通過優(yōu)化合成工藝使Eu2+取代位于中心多面體位點(diǎn)的Na+制備了NaBaB9O15∶Eu2+綠光熒光粉。在430 nm激發(fā)下,該熒光粉在發(fā)射峰515 nm處的半高寬為61 nm,內(nèi)量子效率為83%。由于Eu2+對Na+的異價(jià)取代導(dǎo)致晶體結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)缺陷,使其發(fā)射強(qiáng)度隨溫度升高而增強(qiáng),如圖10所示。將其與KSF∶Mn4+封裝成白光LED器件,在20 mA電流驅(qū)動下,其色域?yàn)?3%,比β-Sialon∶Eu2+熒光粉寬0.15%,比Ba1.14Sr0.86SiO4∶Eu2+熒光粉寬0.09%。

      圖10 (a) 在430 nm激發(fā)下,NaBaB9O15∶Eu2+的發(fā)射強(qiáng)度隨溫度的等高線圖,NaBaB9O15∶Eu2+的發(fā)射峰和發(fā)射峰強(qiáng)度隨溫度的變化曲線;(b) 藍(lán)光 LED 和 K2SiF6∶Mn4+分別與(Na0.97Eu0.03)BaB9O15、Ba1.14Sr0.86SiO4∶Eu2+、β-Sialon∶Eu2+封裝成白光LED器件的色坐標(biāo)[48]。Fig.10 (a) At 430 nm excitation, the emission intensity of NaBaB9O15∶Eu2+ varied with temperature, and the emission peak and emission peak intensity of NaBaB9O15∶Eu2+ varied with temperature;(b) Blue LED and K2SiF6∶Mn4+encapsulated with (Na0.97Eu0.03)BaB9O15, Ba1.14Sr0.86SiO4∶Eu2+ and β -SiAlON∶Eu2+ , respectively, to form the CIE Chromaticity coordinates of white LED devices[48].

      目前,采用傳統(tǒng)的固相反應(yīng)法無法制備獲得單相SrSi2O2N2∶Eu2+熒光材料,且制備過程產(chǎn)生的雜相對其發(fā)光強(qiáng)度和熱穩(wěn)定性有嚴(yán)重影響。因此,研究純相SrSi2O2N2∶Eu2+的制備、衍生雜相對其發(fā)光性能的影響機(jī)制具有重要意義。

      大連工業(yè)大學(xué)張彥杰等[49]首先在不同溫度下制備了Sr2SiO4∶Eu3+前驅(qū)體,隨后加入大量Si3N4與Sr2SiO4∶Eu3+在還原氣氛下燒結(jié)5 h后,獲得純相SrSi2O2N2∶Eu2+綠色熒光粉。經(jīng)過X射線光電子能譜分析,發(fā)現(xiàn)熒光粉表面存在的Eu3+能夠有效避免該熒光粉內(nèi)部Eu2+在熱處理過程中被進(jìn)一步氧化。波蘭西里西亞工業(yè)大學(xué)Spoicka等[50]制備了一系列 Sr0.98Eu0.02Si2O(5-1.5x)Nx熒光粉,通過改變材料初始混合物中氮的含量,研究了N3-和O2-離子對合成氮氧硅酸鹽結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響。研究顯示,當(dāng)初始混合物中氮含量x=2.33時(shí),所獲得的樣品為純?nèi)毕郤rSi2O2N2。在藍(lán)光激發(fā)下,粉體的量子效率僅為20%;而當(dāng)初始混合物中氮含量為x=2.0時(shí),得到的樣品中除了含有三斜相之外,還包含有Sr3Si6O9N4晶格,而此時(shí)在同樣的藍(lán)光激發(fā)下,其量子效率卻達(dá)到68%,證明衍生相的存在改善了該熒光粉的量子效率,如圖11所示。在450 nm的LED激發(fā)下,獲得的Sr0.98Eu0.02Si2O2N2相關(guān)色溫為5 728 K,顯色指數(shù)僅有55,可見其顯色性仍需進(jìn)一步研究。

      圖11 (a) 當(dāng)初始混合物中氮含量x=2.33時(shí),Sr0.98Eu0.02Si2O(5-1.5x)Nx熒光粉在室溫下的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜;(b)當(dāng)初始混合物中氮含量x=2時(shí),Sr0.98Eu0.02Si2O(5-1.5x)Nx熒光粉在室溫下的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜[50]。Fig.11 (a) Room temperature photoluminescence (PL) and photoluminescence excitation (PLE) spectra of x=2.33;(b) Room temperature photoluminescence (PL) and photoluminescence excitation (PLE) spectra of x=2[50].

      綜上所述,以Eu2+作為發(fā)光中心的綠光發(fā)光材料能夠?qū)崿F(xiàn)照明器件高效率、高顯指和低色溫。該類型綠光發(fā)光材料的熱穩(wěn)定性并不理想,量子效率偏低也是目前急需解決攻克的難題(如表4所示)。此外,為避免Eu2+氧化為高價(jià)態(tài),研究人員多采用還原氣氛進(jìn)行退火,導(dǎo)致制備過程繁瑣且生產(chǎn)成本高昂。

      表4 以Eu2+為發(fā)光中心的綠光發(fā)光材料的性能對比Tab.4 Comparison of properties of green luminescent materials with Eu2+ as luminescence center

      6.2 Mn2+作為發(fā)光中心的綠光發(fā)光材料

      與稀土Eu2+摻雜綠光熒光粉的4d-5f躍遷相比,過渡金屬M(fèi)n2+離子的d-d躍遷獲得光譜的半高寬較窄且對宿主晶格有依賴性。Mn2+離子作為發(fā)光中心的熒光材料能夠被近紫外光或藍(lán)光有效激發(fā),是一種性能優(yōu)異的綠光熒光材料。

      為提升材料的熱穩(wěn)定性,李國崗等[51]采用具有三維各向同性籠狀結(jié)構(gòu)和零熱膨脹特性的Zn4B6O13基體,在還原氣氛下燒結(jié)制備了Zn4B6O13∶Mn2+綠光熒光粉。研究發(fā)現(xiàn),在427 nm激發(fā)下,Zn4B6O13∶Mn2+粉體發(fā)射光譜的半高寬為33 nm,在250 ℃時(shí)其發(fā)射強(qiáng)度保持在溫室的98%,如圖12所示。將其與紅色CaAlSiN3∶Eu2+熒光粉和藍(lán)光芯片封裝為白光LED器件,在20 mA電流的驅(qū)動下,獲得的發(fā)光效率為18.5 lm/W,相關(guān)色溫為3 960 K。

      圖12 (a) Zn4B6O13∶Mn2+熒光粉的激發(fā)和發(fā)射光譜;(b)Zn4B6O13∶Mn2+與典型熒光粉的熱穩(wěn)定性比較[51]。Fig.12 (a) PLE and PL spectra of ZBO∶Mn2+ sample;(b) Thermal stability(integrated emission intensity) comparison between ZBO∶Mn2+ and some representative phosphors[51].

      王闖等[52]通過降低ZnO的化學(xué)計(jì)量制備了Zn2SiO4∶Mn2+熒光粉。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)加入ZnO量減少時(shí),隨機(jī)分布的氧空位增加,導(dǎo)致其偏離對稱晶格位反轉(zhuǎn)中心,從而提高量子效率。在420 nm激發(fā)下,ZnSiO4∶Mn2+熒光粉發(fā)射峰為524 nm,發(fā)射光譜的半高寬為42 nm,量子效率可達(dá)76.2%,比原始粉末高1.26%。在140 ℃時(shí),其發(fā)射強(qiáng)度保持在室溫時(shí)的70%。2018年,王育華等[53]采用固相反應(yīng)法制備了ZnB2O4∶Mn2+綠光熒光粉。研究發(fā)現(xiàn),在藍(lán)光激發(fā)下,粉體的發(fā)射光譜半高寬為41 nm,比 β-Sialon∶Eu2+熒光粉小 25%。在 250 ℃時(shí),其發(fā)射強(qiáng)度保持在室溫時(shí)的70%,如圖13所示。海鷗等[54]采用固相反應(yīng)法制備了Li2Mg1-xSiO4∶xMn2+綠光熒光粉,研究了Mn2+的摻雜量對其發(fā)光性能的影響。結(jié)果表明,隨著Mn2+摻雜量的增加,該熒光粉在537 nm處的發(fā)射強(qiáng)度逐漸增加,在摻雜量達(dá)到0.06時(shí)發(fā)生濃度猝滅。在398 K時(shí),其發(fā)射強(qiáng)度保持在室溫時(shí)的67.63%。周竹發(fā)等[55]研究了 Mn2+的摻雜濃度對 Na2ZnSiO4∶Mn2+熒光粉的壽命和發(fā)光性能的影響。隨著Mn2+摻雜濃度(摩爾分?jǐn)?shù))在0.2%~0.8%范圍內(nèi)增加,該熒光粉的壽命從7.51 ms下降到7.39 ms。

      圖13 (a) ZnB2O4∶Mn2+和商用綠色熒光粉(BaSr)2SiO4∶Eu2+和 β-Sialon∶Eu2+的發(fā)射光譜;(b) ZnB2O4∶Mn2+和(BaSr)2SiO4∶Eu2+熒光粉的熱猝滅溫度[53]。Fig.13 (a) Emission spectra of ZBO∶Mn2+ and commercial green phosphor (BaSr)2SiO4∶Eu2+ and β -SiAlON∶Eu2+;(b) Thermal quenching data of ZBO∶0.05 Mn2+ and (BaSr)2SiO4∶Eu2+ phosphor[53].

      2021年,梁玉軍等[56]在具有[ZnO4]四面體的六方相結(jié)構(gòu)BaZnAl10O17中摻雜Mn2+制備了綠光熒光粉,該結(jié)構(gòu)特性能夠避免Mn2+的d-d躍遷引起的結(jié)構(gòu)無序,減少耦合相互作用,進(jìn)而提高發(fā)光熱穩(wěn)定性和發(fā)光效率。結(jié)果表明,在450 nm激發(fā)下,粉體的發(fā)射光譜半高寬為31 nm,在423 K時(shí),其發(fā)射強(qiáng)度保持在298 K時(shí)的95%。將其與KSF∶Mn4+封裝為白光LED器件,在40 mA電流的驅(qū)動下,獲得的發(fā)光效率為30.77 lm/W,色域?yàn)?10% NTSC。

      王前明等[57]通過 Mg2+離子取代 Zn2+離子優(yōu)化Zn3.98-xMgxB6O13∶0.02 Mn2+綠光熒光粉的發(fā)射強(qiáng)度和熱穩(wěn)定性。研究顯示,熒光粉的發(fā)射強(qiáng)度提高120%,熱穩(wěn)定性提高了25%。在450 nm激發(fā)下,粉體(發(fā)射峰542 nm)發(fā)射光譜的半高寬為39 nm。將其與KSF∶Mn4+封裝為白光LED器件,在20 mA電流的驅(qū)動下,獲得的色域?yàn)?05%NTSC。

      韓國釜慶大學(xué) Jeong 等[58]采用 Mn2+摻雜Zn2GeO4在空氣氣氛中燒結(jié)制備了Zn2GeO4∶Mn2+綠光熒光粉。在323 nm激發(fā)下,該熒光粉的發(fā)射峰為534 nm,發(fā)射光譜的半高寬為49.5 nm,內(nèi)量子效率為98.5%。將其與BAM∶Eu2+和Y2O3∶Eu3+封裝為白光LED器件,在20~160 mA電流的驅(qū)動下,其顯色指數(shù)始終保持在90以上。2019年,曾慶光等[59]采用固相反應(yīng)法制備了SrAl2Si2O8∶Mn2+綠光熒光粉。結(jié)果表明,在450 nm激發(fā)下,熒光粉的發(fā)射光譜半高寬為26 nm。在420 K時(shí),其發(fā)射強(qiáng)度保持在室溫時(shí)的92%。將其與KSF∶Mn4+封裝為白光LED器件,在20 mA電流的驅(qū)動下,獲得的色域?yàn)?20% NTSC。

      以Mn2+為發(fā)光中心的綠光發(fā)光材料的性能對比如表5所示。顯然,該類綠光材料具有較窄的半峰寬和高熱穩(wěn)定性的優(yōu)勢,但其發(fā)光效率卻低于其他類型的綠光發(fā)光材料。低量子效率是此類綠光材料應(yīng)用于寬色域顯示與白光照明領(lǐng)域面臨的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。

      表5 以Mn2+為發(fā)光中心的綠光發(fā)光材料的性能對比Tab.5 Comparison of properties of green luminescent materials with Mn2+ as luminescence center

      6.3 Tb3+為發(fā)光中心的綠光發(fā)光材料

      由于稀土Tb3+離子的5D4-7FJ(J=3,4,5,6)躍遷,其在534 nm產(chǎn)生綠光發(fā)射。Tb3+離子是制備綠光熒光材料優(yōu)異的發(fā)光中心。然而,由于Tb3+的4f-4f禁阻躍遷,其對應(yīng)的綠光熒光粉不能被近紫外光有效激發(fā),嚴(yán)重阻礙了在白光LED中的應(yīng)用。

      南非自由州大學(xué)Swart等[60]采用檸檬酸鹽凝膠法制備了不同Tb3+摻雜濃度的NaSrBO3∶Tb3+綠光熒光粉。結(jié)果表明,隨著Tb3+濃度的不斷增加,Tb3+間的能量轉(zhuǎn)移隨著離子間距的減小而增加,最終導(dǎo)致濃度猝滅的發(fā)生。在近紫外光激發(fā)下,獲得的色坐標(biāo)為(0.31,0.61)。韓國建國大學(xué) Singh等[61]采用溶膠-凝膠法制備了 Sr2ZnSi2O7∶Tb3+綠光熒光粉。研究顯示,在近紫外光激發(fā)下,Sr2ZnSi2O7∶Tb3+熒光粉在543 nm處表現(xiàn)出強(qiáng)烈的發(fā)射峰,色坐標(biāo)為(0.266 1,0.432 0)。當(dāng)Tb3+的摻雜濃度為0.05時(shí),該熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到最佳。對于上述兩種熒光粉的熱穩(wěn)定性、發(fā)光效率等參數(shù)尚未發(fā)現(xiàn)相關(guān)報(bào)道,因此對于其實(shí)際應(yīng)用,仍需進(jìn)一步探索。

      朱靜等[62]采用微波輔助固相反應(yīng)法,在1 050 K下燒結(jié)1 h后制備了Ba3(ZnB5O10)PO4∶Tb3+(BZBO∶Tb3+)綠光熒光粉。與傳統(tǒng)固相反應(yīng)法相比,該方法獲得的熒光粉發(fā)射強(qiáng)度是普通方法的兩倍,如圖14所示。研究發(fā)現(xiàn),隨著Tb3+摻雜量的增加,BZBO∶Tb3+熒光粉的發(fā)射強(qiáng)度逐漸增強(qiáng),在Tb3+的摻雜量達(dá)到0.07%(摩爾分?jǐn)?shù))后發(fā)生濃度猝滅。在473 K時(shí),其發(fā)射強(qiáng)度保持在室溫時(shí)的92%。

      圖14 (a) 分別采用傳統(tǒng)固相反應(yīng)和微波輔助固相反應(yīng)法的BZBP∶0.07 Tb3+熒光粉的發(fā)射光譜對比圖;(b) BZBP∶0.07 Tb3+熒光粉的發(fā)射強(qiáng)度圖譜(298~473 K)[62]。Fig.14 (a) Emission spectra of BZBP∶0.07 Tb3+ phosphors using traditional solid state reaction method and microwave assisted solid state reaction method;(b) Normalized PL intensity depending on temperature ranging from 298 K to 473 K[62].

      張約品等[63]采用固相反應(yīng)法制備了NaBaB9O15∶Tb3+(NBBO∶Tb3+)綠光熒光粉。Tb3+非等價(jià)取代了NBBO基體中的Na+形成缺陷,熱激活缺陷捕獲電子并將能量傳遞到Tb3+,以補(bǔ)償高溫下的發(fā)射損失,進(jìn)而使該熒光粉具有高熱穩(wěn)定性。研究顯示,在370 nm激發(fā)下,其發(fā)射強(qiáng)度在250 ℃時(shí)未發(fā)生熱猝滅,優(yōu)于Y3Al5O2∶Ce3+和(Ba,Sr)2SiO4∶Eu2+。將其與 BAM∶Eu2+和 CaAlSiN3∶Eu2+封裝成白光LED器件,在120 mA電流的驅(qū)動下,獲得的相關(guān)色溫為4 041 K,顯示指數(shù)為83.7。玉蘇甫 等[64]采 用 高 溫 固 相 反 應(yīng) 法 制 備 了 KAlSiO4∶Tb3+,xLi+綠色熒光粉,研究了Li+摻雜對其發(fā)光性能的影響。結(jié)果表明,隨著Li+的摻雜,該熒光粉在發(fā)射峰550 nm處的發(fā)射光譜的半高寬由15.55 nm壓縮至13.83 nm,發(fā)光強(qiáng)度增強(qiáng)為原來的4倍,色純度和內(nèi)量子效率分別提高到83.3%和42%,如圖15所示。在200 ℃時(shí),其發(fā)射強(qiáng)度保持在室溫時(shí)的95.1%。

      圖15 (a) KAlSiO4∶1.5% Tb3+,x%Li+熒光粉在 550 nm處 x 與半高寬的關(guān)系;(b) KAlSiO4∶1.5% Tb3+,1.5% Li+的發(fā)射強(qiáng)度隨溫度的變化[64]。Fig.15 (a) Relationship between x and FWHM at 550 nm for KAlSiO4∶1.5% Tb3+ , x% Li+ sample;(b)Variation of spectral light intensity of KAlSiO4∶1.5% Tb3+, 1.5% Li+ with temperature[64].

      Ce3+離子在近紫外波長范圍內(nèi)具有吸收帶,其能與近紫外LED芯片良好匹配。因此,Ce3+敏化Tb3+能夠有效克服上述問題。趙磊等[65]采用Ce3+,Tb3+共摻雜具有C12/C1空間群單斜晶體結(jié)構(gòu)的CaAl4O7基體制備了CaAl4O7∶Ce3+,Tb3+綠色熒光粉。結(jié)果表明,該熒光粉在350 nm激發(fā)下的內(nèi)量子效率為92.55%。將其與BAM∶Eu2+和 CaAlSiN3∶Eu2+封裝為白光 LED器件,在350 mA電流驅(qū)動下,獲得的顯色指數(shù)為81.44,相關(guān)色溫為4 706 K。黃小勇等[66]研究了Ce3+/Tb3+單摻雜和共摻雜Ga2GdHf2Al3O12(CGHAO)熒光粉的激發(fā)和發(fā)射光譜,證實(shí)了CGHAO∶Ce3+,Tb3+熒光粉在408 nm激發(fā)下的綠發(fā)發(fā)射源自于Ce3+-Tb3+能量傳遞過程引起的,如圖16所示。優(yōu)化后粉體的內(nèi)量子效率和外量子效率分別為82.7%和60.6%。將其與BAM∶Eu2+和CaAlSiN3∶Eu2+封裝為白光LED器件,在120 mA電流驅(qū)動下,獲得的發(fā)光效率為27.40l m/W,相關(guān)色溫為3 575 K。隨后,該課題組[67]又采用相同的策略制備了Ca2LuHf2(AlO4)3∶Ce3+,Tb3+綠光熒光粉,在408 nm激發(fā)下,粉體的內(nèi)外量子效率分別為77.1%和55.8%。將其與BAM∶Eu2+和CaAlSiN3∶Eu2+封裝為白光LED器件,在80 mA電流驅(qū)動下,獲得的發(fā)光效率為29.35 lm/W,相關(guān)色溫為3 574 K。

      圖16 (a) CGHAO∶0.04 Ce3+的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜;(b) CGHAO∶0.04 Tb3+的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜;(c) CGHAO∶0.04 Ce3+(λem=543 nm)和CGHAO∶0.04 Tb3+(λex=408 nm)的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜對比;(d) CGHAO∶0.04 Ce3+,0.4 Tb3+的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜(λem=543 nm; λex=408 nm)[66]。Fig.16 Excitation and emission spectra of the(a) CGHAO∶0.04 Ce3+(λem=499 nm; λex=408 nm) and (b) CGHAO∶0.4 Tb3+ (λem=543 nm; λex=266 nm) phosphors;(c) Comparison of excitation spectrum of CGHAO∶0.4 Tb3+(λem=543 nm) and emission spectrum of CGHAO∶0.04 Ce3+ (λex=408 nm) phosphors, demonstrating the existence of spectral overlap;(d) Excitation and emission spectra of CGHAO∶0.04 Ce3+,0.4 Tb3+ phosphors (λem=543 nm; λex=408 nm)[66].

      綜上所述,采用Ce3+和Tb3+之間能量傳遞策略,可以有效提高綠光熒光材料的發(fā)射強(qiáng)度。然而,隨著固態(tài)照明和顯示器件功率的提升,在高溫環(huán)境下此熒光材料的熱穩(wěn)定性普遍較低,且Ce3+和Tb3+之間的能量傳遞效率不高且能量傳遞穩(wěn)定性也是該類熒光材料面臨的又一挑戰(zhàn)。從表6中的相關(guān)參數(shù)不難發(fā)現(xiàn),此類熒光粉與商用熒光粉所封裝而成的白光LED器件具有優(yōu)異的光學(xué)品質(zhì)。因此,以Tb3+為發(fā)光中心的綠光發(fā)光材料有望在固態(tài)照明領(lǐng)域獲得應(yīng)用。

      表6 以Tb3+為發(fā)光中心的綠光發(fā)光材料與商業(yè)粉封裝為白光LED器件后的性能對比Tab.6 Performance comparison of green luminescent materials with Tb3+ as luminescence center and commercial powder packaged as white LED devices

      6.4 其他離子摻雜的綠光發(fā)光材料

      韓國釜慶大學(xué)Jeong等[68]采用固相反應(yīng)法制備了 NaSrLa(MoO4)O3∶Er3+綠光熒光粉,研究了Er3+摻雜量對其發(fā)光性能的影響。結(jié)果表明,該熒光粉的發(fā)射強(qiáng)度隨Er3+離子濃度的增加而增強(qiáng),在摻雜濃度(摩爾分?jǐn)?shù))為4%時(shí)發(fā)生濃度猝滅。在377 nm激發(fā)下,粉末在529 nm和550 nm處有兩個(gè)強(qiáng)發(fā)射峰。在423 K時(shí),其發(fā)射強(qiáng)度保持在室溫時(shí)的76%。楊鳳麗等[69]采用電荷補(bǔ)償方法消除Al3+和Mn2+之間電荷不平衡的缺陷用以提高γ-AlON∶Mn2+,Mg2+的光學(xué)性能。結(jié)果表明,在445 nm激發(fā)下,Si4+和Na+的引入使該熒光粉在515 nm處的發(fā)射強(qiáng)度分別比之前提高了2.36倍和1.89倍,發(fā)射光譜的半高寬分別為32 nm和37.6 nm。在150 ℃時(shí),摻雜Li+的粉末的發(fā)射強(qiáng)度保持在室溫時(shí)的93%,比原始熒光粉提高了0.09%,如圖17所示。夏志國等[70]利用硼酸作為助熔劑反應(yīng)合成了(Na[(UO2)B6O10(OH)]·2H2O綠光熒光粉。在-5~38 ℃室溫條件下,粉體在空氣中儲存3年后,其發(fā)射強(qiáng)度仍保持在初始狀態(tài)時(shí)的83.1%。由于UO22+獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu),粉體能被藍(lán)光更有效地激發(fā)。在180 ℃,其發(fā)射強(qiáng)度保持在室溫時(shí)的89.2%。將其與KSF:Mn4+封裝成白光LED器件,在20 mA電流驅(qū)動下,獲得的色域?yàn)?5% NTSC。

      圖17 γ-AlON∶0.07 Mn2+,0.10 Mg2+,0.07 M(M=Li+,Na+,K+,Si4+)PL圖譜。(a) 發(fā)射光譜和半高寬圖譜;插圖顯示了發(fā)射強(qiáng)度和發(fā)射光譜的半高寬與不同電荷補(bǔ)償器的相關(guān)性;(b) 發(fā)射強(qiáng)度隨溫度的變化圖譜[69]。Fig.17 (a) PL spectra of γ-AlON∶0.07 Mn2+, 0.10 Mg2+, 0.07 M (M=Li+,Na+,K+,Si4+).The inset shows the correlation of integrated emission intensity and FWHM with different charge compensators;(b) Dependence of the normalized emission intensity of γ-AlON∶0.07 Mn2+, 0.10 Mg2+, 0.07 M(M=Li+,Na+,K+,Si4+) as a function of temperature[69].

      7 總結(jié)與展望

      高功率照明與顯示器件對綠光發(fā)光材料的光學(xué)、熱學(xué)和理化性能提出了更高的使用要求。為加速新型高功率照明與顯示器件的應(yīng)用發(fā)展,研究人員對粉末、陶瓷、微晶玻璃、薄膜等綠光發(fā)光材料的熱穩(wěn)定性、半高寬、色域、色度參數(shù)等特征進(jìn)行了裁剪設(shè)計(jì)和性能精細(xì)化調(diào)控,并取得了顯著的研究成果。

      目前,領(lǐng)域內(nèi)主要采用引入還原氣氛、粉體陶瓷化、表面修飾等方法提高綠光發(fā)光材料的發(fā)光效率。提升綠光熒光體熱穩(wěn)定性的策略包括調(diào)節(jié)基體的結(jié)構(gòu)剛度、提升導(dǎo)熱性能和利用或引入有益缺陷等。此外,增加敏化劑、調(diào)整發(fā)光中心種類、基質(zhì)化學(xué)組成和反向利用缺陷等方法也被用于提升熒光體的發(fā)光品質(zhì)。

      針對固態(tài)照明和顯示用綠光熒光體應(yīng)用要求,仍需進(jìn)一步提高綠光熒光體的發(fā)光效率、色域、熱穩(wěn)定性和發(fā)光品質(zhì)等性能特征。此外,采用激光作為激發(fā)源的照明和顯示器件的遠(yuǎn)程封裝模式、新型熱沉設(shè)計(jì)和熒光體-金屬一體化設(shè)計(jì)也是提高其性能的關(guān)鍵技術(shù)。

      通過新型工藝技術(shù)、遴選新型綠光熒光材料、復(fù)合復(fù)相綠光材料、極端尺寸制備技術(shù)等制備性能優(yōu)異的高功率照明與顯示用綠光熒光體將是未來一段時(shí)期的研究重點(diǎn)。

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