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    一種新型寬電壓范圍的DHC-LT雙向諧振型DC-DC變換器

    2022-12-15 08:16:48張書槐吳學(xué)智王忠瀟
    關(guān)鍵詞:諧振增益電容

    張書槐,吳學(xué)智,王忠瀟

    (1.北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院,北京 100091;2.北京動力源科技股份有限公司,北京 100070)

    大量分布式儲能DG(distribution generation)、電動汽車EV(electric vehicle)、不間斷電源UPS(uninterrupted power supply)的接入,對寬電壓范圍的高頻高效率雙向DC-DC變換器提出了更高的要求[1-5]。考慮到電氣隔離的實(shí)際需求,隔離型雙向DC-DC變換器已被廣泛應(yīng)用。隔離型雙向DC-DC變換器被劃分為兩種,一種是PWM型雙向DC-DC變換器,另一種是諧振型雙向DC-DC變換器[6]。PWM型雙向DC-DC變換器多通過調(diào)節(jié)占空比和移相角度,輕松實(shí)現(xiàn)對功率和電壓的調(diào)節(jié),并獲得零電壓開關(guān) ZVS(zero voltage switching)軟開關(guān)特性[7-9]。而且,很多PWM型雙向DC-DC變換器可實(shí)現(xiàn)功率的自然雙向變換。然而,PWM型電路中的關(guān)斷電流難以達(dá)到0,因此不易實(shí)現(xiàn)零電流開關(guān)ZCS(zero current switching)軟開關(guān)。為提升變換效率,近年來多采用諧振型雙向DC-DC變換器,通過電容和電感諧振的方式,使得電路中的電流呈現(xiàn)出正弦狀,從而獲得ZCS特性并進(jìn)一步提升變換器效率[10-15]。但是,如何在保證高效率的前提下獲得雙向的寬電壓增益范圍,以適應(yīng)分布式儲能和電動汽車充放電等場景,依舊是一個(gè)研究熱點(diǎn)。以常規(guī)的48 V電池組為例,其充電和放電時(shí)的實(shí)際運(yùn)行端電壓在40~60 V之間波動,對于經(jīng)常工作在主諧振頻率附近的諧振電路來說不易實(shí)現(xiàn)如此寬的電壓增益范圍。為此,眾多學(xué)者針對此課題進(jìn)行了深入研究。

    圍繞著獲得更高的增益進(jìn)行了大量的研究。文獻(xiàn)[16]采用了斷續(xù)模式的LLC電路,提升了變換器增益,經(jīng)過對比,其效率要高于DAB拓?fù)洌写M(jìn)一步提升;文獻(xiàn)[17]在橋臂中點(diǎn)之間加入了一個(gè)勵(lì)磁電感,使得LLC在升壓工作時(shí)獲得了和降壓方向工作時(shí)同樣的增益,但是其樣機(jī)功率不高,需要在更大功率的場景下得到驗(yàn)證。為了提高單機(jī)功率,文獻(xiàn)[6]參考了串聯(lián)諧振LLC和CLLC拓?fù)?,最終在LLC的基礎(chǔ)上添加了一個(gè)輔助變壓器和一個(gè)低壓側(cè)諧振電容,獲得了雙向的高電壓增益。采用類似結(jié)構(gòu),文獻(xiàn)[18]提出了一種新型的CDT-LC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可以在很窄的頻率范圍內(nèi),獲得很寬的電壓增益范圍;為進(jìn)一步減小諧振電流有效值,文獻(xiàn)[19]提出了一種LLCL雙向DC-DC變換器,在LLC基礎(chǔ)上,增加一個(gè)電感和變壓器并聯(lián),并且將LLC原先的諧振電容轉(zhuǎn)移到低壓側(cè),最終擴(kuò)大了增益范圍。綜上,使用復(fù)雜的諧振腔可獲得高增益,但如何減小體積,提升效率依舊值得研究。

    為獲得更低的增益,諧振型雙向DC-DC變換器可采用間歇工作模式[20]、PWM控制[21]、拓?fù)渥儞Q[22]和移相控制[23]4種方式。間歇工作模式簡單可行,但會帶來較大的輸出電壓紋波;PWM控制通過調(diào)節(jié)驅(qū)動信號的占空比,調(diào)節(jié)諧振腔輸入電壓的交流分量,從而降低輸出直流電壓,但該方式容易失去ZVS特性;拓?fù)渥儞Q將全橋逆變器變成半橋逆變器,相同負(fù)載和相同開關(guān)頻率下增益降低一半,但該方式只適合特定的拓?fù)浜吞囟ǖ膱鼍?,不具備普適性;移相控制,通過調(diào)節(jié)全橋電路內(nèi)部超前橋臂和滯后橋臂的相位差,對輸出功率和電壓進(jìn)行控制。此方法使得每個(gè)管子關(guān)閉的時(shí)刻都有較大的關(guān)斷電流,因此開關(guān)管開通時(shí)容易出現(xiàn)負(fù)電流,此舉容易實(shí)現(xiàn)ZVS并提升效率。

    針對上述問題,本文提出了一種新型的雙高壓側(cè)電容器DHC(double high-voltage-side capacitors)-LT拓?fù)?,相比于CLTC和CDT-LC兩種電路,將諧振電容從低壓側(cè)放置到高壓側(cè),減小了DC-DC變換器的體積和導(dǎo)通損耗。本文分析了該電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、工作模態(tài)、諧振頻率和ZVS特性。通過斷續(xù)模式DCM(discontinuous conduction mode)下的增益分析可知該電路可以獲得較高的輸出電壓,而通過對移相控制的分析可知該電路可以獲得較低的輸出電壓。此外,本文還提出了一種新型的磁偏信號檢測和調(diào)節(jié)方案,有效調(diào)節(jié)了DHC-LT的變壓器磁偏現(xiàn)象。最終,在實(shí)驗(yàn)室中搭建了一臺2.5 kW的樣機(jī),驗(yàn)證以上理論分析。

    1 變換器的工作原理

    1.1 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)說明

    本節(jié)對所提出電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和工作模態(tài)進(jìn)行了分析。圖1展示了DHC-LT諧振型雙向DC-DC變換器BDC(bidirectional DC-DC converter)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。圖中,Cr1和Cr2為2只高壓側(cè)諧振電容,LT代表1只諧振電感Lr和2只高頻變壓器T1和T2,UH為高壓側(cè)的母線電壓,UL為低壓側(cè)母線電壓,CH是高壓側(cè)母線濾波電容,CL是低壓側(cè)母線濾波電容,Coss_L為低壓側(cè)MOSFET的輸出電容,Coss_H為高壓側(cè)MOSFET的輸出電容,8只MOSFET組成了高壓側(cè)和低壓側(cè)的2個(gè)全橋,其中M1~M4組成了高壓側(cè)的單相全橋,M5~M8組成了低壓側(cè)的單相全橋。諧振電感Lr和諧振電容Cr1位置和CLTC與CDT-LC保持一致。T1為主變壓器,匝比為n1∶1;T2為輔助變壓器,匝比為n2∶1。雙變壓器的結(jié)構(gòu)改變了諧振腔特性,也使得降壓和升壓兩個(gè)方向工作時(shí)諧振腔基本保持對稱,兩個(gè)方向均可以獲得高于1的增益。相對于CDT-LC[18],DHC-LT的諧振腔內(nèi)無功功率更小,因此其導(dǎo)通損耗會隨之降低。相對于CLTC[6],本文中提出的DHC-LT電路拓?fù)鋵LTC的低壓側(cè)諧振電容改放在諧振腔的高壓側(cè),達(dá)到了降低諧振電容導(dǎo)通功耗和提升功率密度的效果,有利于擴(kuò)充單機(jī)最大功率。

    圖1 DHC-LT諧振型雙向DC-DC變換器Fig.1 DHC-LT resonant BDC

    1.2 降壓模式

    該變換器采用脈沖頻率調(diào)制PFM(pulse frequency modulation)的方式,在降壓模式下,M5~M8使用同步整流SR(synchronous rectification)做驅(qū)動。在升壓模式下,不使用同步整流,由M1~M4的體二極管D1~D4做不控整流。

    為了便于分析,圖2中的降壓工作模態(tài)給出了DHC-LT的電壓電流和門級信號。圖中,i14為M1和M4上通過的電流,i23為M2和M3上流經(jīng)的電流,i58為M5和M8上流經(jīng)的電流,i67為M6和M7上流經(jīng)的電流,為流經(jīng)Lr的電流,為流經(jīng)Cr2的電流,Uds1和Uds4為M1和M4的漏源之間電壓,Uds2和Uds3為M2和M3的漏源之間電壓,S1和S4為開關(guān)管M1和M4的驅(qū)動信號,S2和S3為開關(guān)管M2和M3的驅(qū)動信號,S5和S8為開關(guān)管M5和M8的驅(qū)動信號,S6和S7為開關(guān)管M6和M7的驅(qū)動信號。

    圖2 DHC-LT雙向諧振型變換器降壓工作的模態(tài)Fig.2 DHC-LT resonant BDC in step-down operation mode

    從高壓側(cè)向低壓側(cè)傳遞能量時(shí)等效電路如圖3所示。和LLC一致,DHC-LT變換器可以工作在斷續(xù)模式或連續(xù)模式下。當(dāng)工作頻率低于主諧振頻率時(shí),DHC-LT工作在斷續(xù)DCM模式下;當(dāng)工作頻率高于主諧振頻率時(shí),DHC-LT工作在連續(xù)模式CCM(continuous conduction mode)下。圖3為半個(gè)開關(guān)周期中的模態(tài),斷續(xù)模式下有3種模態(tài),依次為模態(tài)Ⅰ、模態(tài)Ⅱ和模態(tài)Ⅲ;而連續(xù)模式下有2種模態(tài),依次為模態(tài)Ⅰ和模態(tài)Ⅱ。半周期工作模態(tài)的具體分析如下。

    圖3 降壓模式下的等效電路Fig.3 Equivalent circuits in step-down mode

    模態(tài)Ⅰ[t0-t1]:模態(tài)Ⅰ為高壓側(cè)MOSFET之間的死區(qū)時(shí)間。在該模態(tài)剛剛開始的階段,M2和M3剛剛關(guān)斷,高壓側(cè)諧振腔里的電流給M2和M3的結(jié)電容充電,給M1和M4的結(jié)電容放電,直到M1和M4的二極管開通,M1和M4的電壓被鉗位。該狀態(tài)保持到t1時(shí)刻,本模態(tài)結(jié)束,高壓側(cè)MOSFET實(shí)現(xiàn)ZVS開通。

    模態(tài)Ⅱ[t1-t2]:模態(tài)Ⅱ?yàn)楦邏簜?cè)MOSFET開通之后的第1段時(shí)間,該模態(tài)中能量從高壓側(cè)傳遞向低壓側(cè)。M1、M4、M5和M8于t1時(shí)刻開通,諧振電流以頻率為fr(第1諧振頻率)的正弦波工作。在t2時(shí)刻,iLr

    模態(tài)Ⅲ[t2-t3]:模態(tài)Ⅲ為高壓側(cè)MOSFET開通之后的第2段時(shí)間,該模態(tài)中沒有能量從高壓側(cè)傳遞向低壓側(cè)。由于在t2時(shí)刻iCr2和i58為0,M5和M8實(shí)現(xiàn)了ZCS,其關(guān)斷損耗得以降低。高壓側(cè)諧振腔內(nèi)進(jìn)入第2段諧振,其諧振頻率為fr2,SD。t3時(shí)刻,M1和M4關(guān)斷,半周期結(jié)束。

    1.3 升壓模式

    圖4為升壓模式下的工作模態(tài),其中Uds5和Uds8為M5和M8的漏源之間電壓,Uds6和Uds7為M6和M7的漏源之間電壓,iCr1為流經(jīng)Cr1的電流。

    圖4 DHC-LT雙向諧振型變換器升壓工作的模態(tài)Fig.4 DHC-LT resonant BDC in step-up operation mode

    和降壓工作時(shí)一樣,當(dāng)工作頻率低于主諧振頻率時(shí),DHC-LT工作在DCM下;當(dāng)工作頻率高于主諧振頻率時(shí),DHC-LT工作在CCM下。圖5為半個(gè)開關(guān)周期中的模態(tài)圖,斷續(xù)模式下有3種模態(tài),依次為模態(tài)Ⅰ、模態(tài)Ⅱ和模態(tài)Ⅲ;而連續(xù)模式下有2種模態(tài),依次為模態(tài)Ⅰ和模態(tài)Ⅱ。半周期中具體分析如下。

    圖5 升壓模式下的等效電路Fig.5 Equivalent circuits in step-up mode

    模態(tài)Ⅰ[t0-t1]:模態(tài)Ⅰ為低壓側(cè)MOSFET的死區(qū)時(shí)間。在該模態(tài)剛剛開始的階段,M6和M7剛剛關(guān)斷,低壓側(cè)諧振腔里的電流給M6和M7的結(jié)電容充電,給M5和M8的結(jié)電容放電,直到M5和M8的二極管開通,M5和M8的電壓被鉗位。該狀態(tài)保持到t1時(shí)刻,本模態(tài)結(jié)束,低壓側(cè)MOSFET實(shí)現(xiàn)ZVS開通。

    模態(tài)Ⅱ[t1-t2]:模態(tài)Ⅱ?yàn)榈蛪簜?cè)MOSFET開通之后的第1段時(shí)間,該模態(tài)中能量從低壓側(cè)傳遞向高壓側(cè)。在該模態(tài)中,M5和M8于t1時(shí)刻開通,諧振電流以頻率為fr(第1諧振頻率)的頻率工作,呈現(xiàn)正弦波。在t2時(shí)刻,iCr1、i14變?yōu)?。

    模態(tài)Ⅲ[t2-t3]:模態(tài)Ⅲ為低壓側(cè)MOSFET開通之后的第2段時(shí)間,該模態(tài)i23中能量在低壓側(cè)循環(huán),不消耗能量也不向高壓側(cè)傳遞能量。低壓側(cè)諧振腔內(nèi)進(jìn)入第22段諧振,其諧振頻率為fr2,SU。由于t2時(shí)刻的高壓側(cè)電流iCr1為0,因此M1和M4的體二極管D1和D4以零電流關(guān)斷。此階段中,由于高壓側(cè)的MOSFET沒有向高壓母線傳遞能量,因此D1和D4的漏源電壓在UH/2附近波動。

    2 電路特性分析

    2.1 諧振頻率

    計(jì)算主諧振頻率,可將諧振腔的輸出短路,計(jì)算輸入阻抗為0時(shí)對應(yīng)的頻率,該頻率為主諧振頻率fr。該頻率在兩個(gè)方向工作時(shí)保持一致,ωr和J為計(jì)算中的中間變量,表示為

    同樣地,將諧振腔的輸出開路,可以獲得降壓和升壓工作時(shí)的第2諧振頻率。由于計(jì)算過程過于復(fù)雜,降壓工作時(shí),忽略Cr2。第2諧振頻率fr2,SD約為

    升壓工作時(shí),第2諧振頻率fr2,SU約為

    2.2 ZVS分析

    降壓工作時(shí),若實(shí)現(xiàn)ZVS,高壓側(cè)的MOSFET需要滿足串聯(lián)電感上的能量可為高壓側(cè)2只MOSFET的結(jié)電容充電,為另外2只結(jié)電容放電,有

    高壓側(cè)的MOSFET關(guān)斷電流ISD,off可以表示為

    式中,Ts為開關(guān)周期。

    升壓工作時(shí),若實(shí)現(xiàn)ZVS,也需要滿足高壓側(cè)串聯(lián)諧振電感上的能量,可給低壓側(cè)兩只MOSFET的結(jié)電容充電,給另外2只結(jié)電容放電,有

    低壓側(cè)的MOSFET關(guān)斷電流ISU,off可以表示為

    2.3 增益特性

    為研究本文所提拓?fù)涞脑鲆嫣匦?,采用了基波等效分析方法,繪制了降壓和升壓2種模式下的增益曲線,如圖6所示。可以看到,降壓模式下,同LLC相似,在主諧振頻率附近電壓增益基本不隨負(fù)載R的變化而變化。隨著開關(guān)頻率的降低,電路中呈現(xiàn)出更多的感性,特別是2個(gè)變壓器勵(lì)磁電感的存在,使得增益可以在諧振點(diǎn)增益的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升。負(fù)載越輕,輸出直流電阻越大,勵(lì)磁電感起到改變增益的作用越強(qiáng),因此電壓增益上抬越明顯。同時(shí),升壓模式下,此變換器利用2個(gè)變壓器之間的壓差,在Cr2上形成電流并傳遞到高壓側(cè)母線上去。因此,在參數(shù)設(shè)計(jì)時(shí),Lm2一般會小于Lm1,保證升壓模式下,本變換器可以傳遞更大的電流并形成更高的高壓側(cè)電壓。

    圖6 增益曲線Fig.6 Voltage gain curves

    3 移相控制

    為拓寬DHC-LT的輸出電壓范圍,本文采用了定頻加橋內(nèi)移相的方式,降低了輸出電壓[23]。以降壓模式舉例,當(dāng)超前橋臂的MOSFET關(guān)斷之后,橋內(nèi)兩上管或兩下管同時(shí)開通。輸入一側(cè)的中點(diǎn)間電壓降低為0,此時(shí)流過諧振電感Lr的電流依舊大于變壓器T2的勵(lì)磁電流,因此變壓器繼續(xù)向輸出側(cè)傳遞能量。之后,諧振電感電流下降而T2勵(lì)磁電流上升,直到兩者相同。此時(shí)變壓器不再向后傳遞能量,此狀態(tài)被稱為非連續(xù)模式。如果在半個(gè)開關(guān)周期結(jié)束之前,諧振電感的電流依舊大于T2的勵(lì)磁電流,則不出現(xiàn)第2段諧振。此狀態(tài)被稱為連續(xù)模式。具體工作模態(tài)的移相示意如圖7所示,降壓工作時(shí),M1和M2組成了超前橋臂,M3和M4組成了滯后橋臂,定義0~t1之間的時(shí)間為有效占空比時(shí)間DTs/2。

    圖7 降壓斷續(xù)模式下的移相示意Fig.7 Schematic of phase-shift in step-down mode(DCM)

    當(dāng)占空比D減小時(shí),變換器向低壓側(cè)傳遞的電流減小,因此輸出電壓會降低。使用時(shí)域分析方法,對該變換器建模,可以精確還原各個(gè)狀態(tài)變量的數(shù)值。但是該方法在工程應(yīng)用中不夠簡單和直接,因此本章不對該變換器進(jìn)行精確建模,只通過近似計(jì)算的方式,獲得DHC-LT的器件應(yīng)力,并計(jì)算移相模式下的軟開關(guān)條件。

    由于從0到半周期結(jié)束的時(shí)段內(nèi),Cr2的電壓平均值為0,因此近似認(rèn)為2個(gè)變壓器的高壓側(cè)電壓ULm1和ULm2在0~t1時(shí)段內(nèi)相等。則有

    近似認(rèn)為uCr1在t2時(shí)刻之后不再增長,維持不變,則Cr1和Cr2在t2時(shí)刻的端電壓為

    式中:MSD為主諧振點(diǎn)處降壓模式下的電壓增益,MSD=UL/UH;RSD為降壓模式下的低壓側(cè)電阻負(fù)載。

    因此,在t1和t2之間的時(shí)段內(nèi),諧振電感Lr上承受的電壓為

    因此有

    而t2時(shí)刻的剛好等于此刻的總和,所以

    由于 0~t1時(shí)段內(nèi),iLr以正弦波Asin(ωt+θ)的方式變化。因此聯(lián)立方程,求解正弦波幅值A(chǔ)和初始相位角θ和t2,得

    求解式(15)可得

    由式(11)和式(16)可以得知,開關(guān)頻率變低,負(fù)載加重,諧振電容的電壓應(yīng)力會提升。而開關(guān)頻率變低,負(fù)載加重和移相角度的加大,會使得高壓側(cè)MOSFET的電流峰值增加。

    此外,參考第2.2節(jié)可以得知,相同開關(guān)頻率下,移相會導(dǎo)致高壓側(cè)MOSFET關(guān)斷電流減小,因此不利于ZVS。但高壓側(cè)MOSFET關(guān)斷電流只要滿足式(6),依然可以實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)。

    4 磁偏調(diào)節(jié)

    升壓工作模式下,低壓側(cè)變壓器容易出現(xiàn)磁偏現(xiàn)象。為了平衡兩變壓器的磁通量,消除磁偏,維持DHC-LT變換器的穩(wěn)定運(yùn)行,本文提出了一種新的磁偏信號處理方式。本文變換器采用了文獻(xiàn)[24]中提出的拾取繞組,有效地檢測出磁偏信號,且不影響變壓器的原有體積。

    磁偏信號的具體處理流程如圖8所示。圖中,GM7(t)是對Ugs7上升沿的微分,使得開關(guān)管M9在Ugs7開通的時(shí)刻開通;同樣地,GM8(t)是對Ugs8上升沿的微分,使得開關(guān)管M10在Ugs8開通的時(shí)刻開通;2個(gè)拾取繞組的輸出電壓信號u1(t)和u2(t),在M9和M10開通的時(shí)刻,被傳遞到了后方,再經(jīng)過R1和R2兩個(gè)電阻的分壓,被傳遞到了數(shù)字信號處理器DSP(digital signal processor)的AD采樣口BF1和BF2;與此同時(shí),GM7(t)和GM8(t)也被傳遞到了DSP的AD采樣口,作為BF1和BF2采樣的同步時(shí)鐘。所以當(dāng)GM7(t)和GM8(t)信號出現(xiàn)了高電平的時(shí)候,DSP可以采集到磁偏信號BF1或BF2。

    圖8 磁偏檢測硬件電路Fig.8 Hardware circuit for bias detection

    圖9所示為DSP處理磁偏信號BF1和BF2的流程。DSP每20 μs按照圖9的流程執(zhí)行一次,每次只對超前橋臂M5和M6的驅(qū)動進(jìn)行修正。每個(gè)變壓器的2個(gè)磁偏信號出現(xiàn)了一個(gè)高另一個(gè)低的狀態(tài),其對應(yīng)開關(guān)管(M5或M6)的高電平時(shí)間都要在上一控制周期數(shù)值的基礎(chǔ)上相應(yīng)縮減30 ns。出現(xiàn)2個(gè)信號都是低或者2個(gè)都是高的情況,則認(rèn)為不存在磁偏,因而可以不調(diào)節(jié)S5和S6的高電平時(shí)間。此方案簡單可行,DSP可快速檢測到磁偏并進(jìn)行實(shí)時(shí)響應(yīng),達(dá)到平衡磁通消除磁偏的效果。

    圖9 磁偏信號軟件處理流程Fig.9 Flow chart of bias signal software processing

    5 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

    為驗(yàn)證本文的理論分析,在實(shí)驗(yàn)室中搭建了一套2.5 kW的DHC-LT樣機(jī),如圖10所示,并采用TMS320F280048的DSP對該樣機(jī)進(jìn)行數(shù)字控制。具體樣機(jī)參數(shù)見表1。

    圖102 .5 kW DHC-LT樣機(jī)Fig.10 2.5 kW DHC-LT prototype

    表1 樣機(jī)參數(shù)Tab.1 Parameters of prototype

    如圖10所示,該樣機(jī)尺寸為250 mm×82 mm×32 mm,其功率密度為2 207.2 W/m3。由于將諧振電容的位置改變,相比于CLTC,DHC-LT擁有更高的功率密度和更低的電容導(dǎo)通損耗。SRC60R022FB的導(dǎo)通電阻為22 mΩ,且有快恢復(fù)體二極管。而低壓側(cè)選擇了開關(guān)管FDP2D3N10C,導(dǎo)通阻抗低,適合做同步整流使用。為實(shí)現(xiàn)軟開關(guān),勵(lì)磁電感選擇了比較小的數(shù)值。

    圖11為DHC-LT的實(shí)驗(yàn)波形。圖11(a)中,第1段諧振持續(xù)時(shí)間約等于半個(gè)諧振周期4 μs。第1段諧振結(jié)束之后第2段諧振出現(xiàn),直到高壓側(cè)MOSFET關(guān)閉。圖11(b)為升壓工作時(shí)的低壓側(cè)MOSFET軟開關(guān)波形,M5的漏源電壓先下降,然后其驅(qū)動信號由0變1,因此M5實(shí)現(xiàn)了ZVS軟開關(guān)。圖11(c)為降壓工作時(shí)的波形,DHC-LT的開關(guān)頻率約為160 kHz,高于主諧振頻率125 kHz,而iLr波形近似直線,也證明了此時(shí)的工作頻率明顯高于諧振頻率,第2段諧振尚未出現(xiàn)半個(gè)開關(guān)周期就已經(jīng)結(jié)束,與理論分析保持一致。圖11(d)中UAB為高壓側(cè)中點(diǎn)間的電壓,定頻(開關(guān)頻率200 kHz)移相模式下的波形,由于移相時(shí)間(中點(diǎn)間電壓為0的時(shí)間)過長,變換器進(jìn)入了斷續(xù)模式,高壓側(cè)MOSFET難以實(shí)現(xiàn)ZVS。圖11(e)為定頻(開關(guān)頻率200 kHz)移相模式下的波形,由于移相時(shí)間較短,變壓器維持在連續(xù)模式,高壓側(cè)MOSFET的關(guān)斷電流較11(d)更高,因此高壓側(cè)MOSFET可以實(shí)現(xiàn)ZVS。圖11(f)為磁偏調(diào)節(jié)的波形,從左到右M6驅(qū)動Ugs6的高電平時(shí)間逐步縮短,對應(yīng)的磁偏信號BF1也逐步接近低電平。證明第4節(jié)的磁偏調(diào)節(jié)策略有效。

    圖11 DHC-LT的實(shí)驗(yàn)波形Fig.11 Experimental waveforms of DHC-LT

    圖12為DHC-LT的效率曲線。降壓模式下,輸出電壓50 V時(shí)的最高效率約為97.3%,滿載效率為96.8%;而升壓模式下,輸入電壓50 V時(shí)的最高效率為97.4%,滿載效率為95.7%。對比2 kW的PWM型變換器[5]的最高效率94.9%和滿載2 kW效率94.0%可知,DHC-LT采用諧振技術(shù)降低了開關(guān)損耗,因而在效率上有一定優(yōu)勢。對比同為2.5kW的CDT-LC變換器的最高效率97.0%和滿載效率96.2%可知,DHC-LT電路由于改變了諧振電容的位置并減小了諧振腔內(nèi)的無功傳輸,因而可以獲得更高的效率。

    圖12 DHC-LT的效率曲線Fig.12 Efficiency curves of DHC-LT

    6 結(jié)語

    本文提出了一種新型的DHC-LT諧振型雙向DC-DC變換器。通過對電路模態(tài)、諧振頻率和ZVS特性的分析可知,該變換器有ZVS和ZCS的特性,因而可以獲得較高的效率。相比于CLTC和CDTLC兩種電路,將諧振電容從低壓側(cè)放置到高壓側(cè),可減小DC-DC變換器的體積和導(dǎo)通損耗。此外,其輸出電壓范圍寬,較大功率下依舊可以獲得高增益,適合應(yīng)用于分布式儲能,微電網(wǎng)和車載電源等場景中。隨后,采用了簡化的時(shí)域計(jì)算方法,還原了移相模式下諧振腔內(nèi)部的行為,獲得了開關(guān)管的電流應(yīng)力和諧振電容的電壓應(yīng)力表達(dá)式,并分析了移相模式對ZVS的影響。此外,本文還提出了一種新型的變壓器磁偏調(diào)節(jié)方式,利用全新的磁偏信號調(diào)理電路和DSP數(shù)字處理方式,實(shí)現(xiàn)了磁偏的動態(tài)消除。最終,搭建了一臺2.5 kW的DHC-LT實(shí)驗(yàn)樣機(jī),功率密度為2 207.2 W/m3。使用該樣機(jī)對本文所提出的理論進(jìn)行了驗(yàn)證,降壓工作輸出50 V時(shí)的最高效率為97.3%,升壓工作輸入電壓50 V時(shí)的最高效率為97.4%,對比同功率等級的PWM變換器和CDT-LC諧振型變換器具有一定優(yōu)勢。

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