做好半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)化工作，促進(jìn)行業(yè)可持續(xù)發(fā)展

賀東江

（有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司，北京 100080）

2021年是建黨100周年和“十四五”規(guī)劃的開局之年，黨中央、國(guó)務(wù)院印發(fā)了《國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展綱要》，為未來15年中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展設(shè)定了目標(biāo)和藍(lán)圖，提出標(biāo)準(zhǔn)是經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的技術(shù)支撐和制度建設(shè)的重要方面，在推進(jìn)國(guó)家治理體系和治理能力現(xiàn)代化中發(fā)揮著基礎(chǔ)性、引領(lǐng)性作用。作為高科技產(chǎn)業(yè)的基石，半導(dǎo)體材料立足自力更生、自主研發(fā)，是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)可持續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)。因此，新時(shí)代我們需要更好的做好標(biāo)準(zhǔn)化工作，促進(jìn)行業(yè)可持續(xù)發(fā)展，共建更加美好的世界。

1 國(guó)際環(huán)境及背景

隨著新冠疫情的擴(kuò)展和蔓延，全球經(jīng)濟(jì)開始集體下行，因智能手機(jī)和基站等5G相關(guān)業(yè)務(wù)、社交受限而面向游戲及數(shù)據(jù)中心、受美國(guó)制裁華為加快囤貨以及汽車電子市場(chǎng)的巨大需求等因素，半導(dǎo)體市場(chǎng)卻出現(xiàn)了增長(zhǎng)，覆蓋成熟制程的MCU、電源管理芯片、功率分立器件以及先進(jìn)制程的手機(jī)主芯片、顯卡GPU等各類產(chǎn)品，導(dǎo)致芯片短缺成為困擾全產(chǎn)業(yè)鏈的問題。在全球經(jīng)濟(jì)逐步適應(yīng)與疫情共存并持續(xù)復(fù)蘇的情況下，相關(guān)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)許多問題會(huì)在2022年得到緩解，通脹壓力和供應(yīng)鏈中斷風(fēng)險(xiǎn)將成為關(guān)注的重點(diǎn)。除疫情的演變外，影響全球經(jīng)濟(jì)進(jìn)程的不確定性因素就來自于中美關(guān)系的變化了。美國(guó)出臺(tái)了相關(guān)法案持續(xù)升級(jí)對(duì)華科技戰(zhàn)，國(guó)家“十四五”規(guī)劃也調(diào)整了硬科技發(fā)展戰(zhàn)略，重點(diǎn)鼓勵(lì)創(chuàng)新以減少對(duì)國(guó)外技術(shù)的依賴。半導(dǎo)體無疑是中美科技戰(zhàn)的關(guān)鍵，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或迎來重大調(diào)整期，聚焦集成電路、軟件和高端芯片，新一代半導(dǎo)體材料在關(guān)鍵領(lǐng)域和前沿基礎(chǔ)研究方面取得針對(duì)性的突破變得非常關(guān)鍵。另一方面，氣候變暖形勢(shì)不容樂觀，環(huán)境問題是全人類未來的核心問題和長(zhǎng)期挑戰(zhàn)已成為共識(shí)，減少碳排放作為一個(gè)全球性重大議題，日益受到各個(gè)國(guó)家和地區(qū)以及各行各業(yè)的廣泛關(guān)注。發(fā)達(dá)國(guó)家需繼續(xù)率先承擔(dān)減排義務(wù)，中國(guó)也對(duì)國(guó)際社會(huì)做出了2030年前實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰、2060年前實(shí)現(xiàn)碳中和的莊嚴(yán)承諾。隨著技術(shù)進(jìn)步和發(fā)電成本的迅速下降，清潔能源如光伏發(fā)電等方面對(duì)半導(dǎo)體材料的需求在平價(jià)時(shí)代正在被打開。

2 行業(yè)基本情況

（1）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展重心向中國(guó)轉(zhuǎn)移，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快。數(shù)據(jù)顯示，2020年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)同比增長(zhǎng)6.5%，中國(guó)增長(zhǎng)17%，中國(guó)在消費(fèi)市場(chǎng)中占比超過60%，雖然“十三五”期間年均增速近20%，為全球同期增速的4倍，但在設(shè)備、設(shè)計(jì)、材料、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、代加工、封裝、測(cè)試環(huán)節(jié)中占比大多低于20%，自給率仍然較低，如果僅考慮集成電路設(shè)備，國(guó)內(nèi)自給率只有5%左右，市場(chǎng)占比不到2%。在這種形勢(shì)下，國(guó)家對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)加大了政策扶持力度，2021年全球新增的19座大容量晶圓廠中16座來自于中國(guó)地區(qū)；芯片國(guó)產(chǎn)化率也在逐年提高，預(yù)測(cè)將由2020年的16%提高到2025年的19%，自給率由2020年的40%提高到2025年的70%。隨著我國(guó)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資和政策的持續(xù)加碼，國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)明顯，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展重心向中國(guó)轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)已經(jīng)形成。

（2）半導(dǎo)體硅片向大尺寸方向發(fā)展，帶動(dòng)相關(guān)材料設(shè)備需求。事實(shí)上，集成電路的未來發(fā)展趨勢(shì)被進(jìn)一步看好。半個(gè)世紀(jì)以來，在半導(dǎo)體制造工藝方面主要有兩個(gè)因素：一個(gè)是加工尺寸不斷變小，半導(dǎo)體芯片工藝節(jié)點(diǎn)已達(dá)3nm；另一個(gè)方面是硅片尺寸不斷變大，從最初的2英寸發(fā)展到了目前的12英寸，已約占整體硅片市場(chǎng)的68.4%，成為當(dāng)前主流硅片尺寸，隨著制造工藝的不斷提升，不僅對(duì)電子級(jí)多晶硅的質(zhì)量穩(wěn)定性要求越來越高，也給單晶爐、切片機(jī)、研磨機(jī)、拋光機(jī)等硅片關(guān)鍵設(shè)備帶來了挑戰(zhàn)，材料和設(shè)備的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。

（3）光伏晶硅、鍺以及第二代化合物半導(dǎo)體材料穩(wěn)步增長(zhǎng)。光伏用硅材料產(chǎn)業(yè)在產(chǎn)量、成本和技術(shù)水平上已取得全球領(lǐng)先地位，設(shè)備和工藝已全部國(guó)產(chǎn)化，單晶占比的持續(xù)上升、n型硅片的量產(chǎn)以及下游企業(yè)對(duì)顆粒硅的使用，新一輪技術(shù)變革將加快重塑行業(yè)發(fā)展格局，晶硅光伏產(chǎn)業(yè)將助力中國(guó)“雙碳”目標(biāo)的早日實(shí)現(xiàn)。鍺材料生產(chǎn)已形成從原料到精深加工的完整產(chǎn)業(yè)鏈，提取提純技術(shù)達(dá)到世界先進(jìn)水平，高純金屬鍺的產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到國(guó)際市場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)。精深加工方面，國(guó)內(nèi)具備了紅外鍺單晶、光纖用四氯化鍺和太陽能鍺襯底的生產(chǎn)技術(shù)，但在超高純鍺單晶方面與發(fā)達(dá)國(guó)家相比差距仍較大。隨著移動(dòng)通信和以光纖通信為基礎(chǔ)的信息高速公路和互聯(lián)網(wǎng)興起，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導(dǎo)體材料近幾年發(fā)展加快，隨著華為加快上游布局，再投第二代半導(dǎo)體材料又為光芯片添把火，但國(guó)內(nèi)仍限于LED用低端低阻材料生產(chǎn)，大直徑、半絕緣材料的核心技術(shù)仍掌握在美日歐等少數(shù)國(guó)際大公司手中。同時(shí)由于鎵、銦資源的稀缺性和砷的劇毒性，使得第二代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用具有一定的局限性。

（4）多領(lǐng)域需求驅(qū)動(dòng)，第三代半導(dǎo)體材料快速增長(zhǎng)。以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、能源互聯(lián)網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，與第一代、第二代半導(dǎo)體技術(shù)互補(bǔ)，成為目前全球戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)新的制高點(diǎn)。氧化鎵被用于鎵基半導(dǎo)體材料的絕緣層以及紫外線濾光片，在紫外探測(cè)、高頻功率器件特別是大功率應(yīng)用等領(lǐng)域吸引了越來越多的關(guān)注和研究，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景。

除了上述典型材料，還有有機(jī)半導(dǎo)體、陶瓷半導(dǎo)體、藍(lán)寶石和輔助材料等，種類繁多，各細(xì)分領(lǐng)域的高標(biāo)準(zhǔn)高要求對(duì)半導(dǎo)體材料的可持續(xù)發(fā)展和競(jìng)爭(zhēng)力的提升均非常關(guān)鍵，都不可或缺。

3 半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)基本情況

截止到2021年12月，已發(fā)布的半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)共270項(xiàng)，其中國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)163項(xiàng)，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)77項(xiàng)，協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)30項(xiàng)。按領(lǐng)域分通用標(biāo)準(zhǔn)7項(xiàng)（均為國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)），硅材料標(biāo)準(zhǔn)119項(xiàng)，鍺材料標(biāo)準(zhǔn)43項(xiàng)，化合物（除寬禁帶）半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)23項(xiàng)，寬禁帶半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)14項(xiàng)，藍(lán)寶石標(biāo)準(zhǔn)13項(xiàng)，原輔材料標(biāo)準(zhǔn)51項(xiàng)，半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了全產(chǎn)業(yè)鏈上的全部主流產(chǎn)品以及相關(guān)輔助材料，形成了一套完整、動(dòng)態(tài)的與行業(yè)發(fā)展相配套，技術(shù)先進(jìn)、科學(xué)合理、適應(yīng)性強(qiáng)的標(biāo)準(zhǔn)體系。

4 具體工作思路和措施

綜上，在這種情況下，半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)化工作應(yīng)有國(guó)際視野，并結(jié)合國(guó)家宏觀戰(zhàn)略、產(chǎn)業(yè)政策和行業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)來開展，一方面要緊盯國(guó)際爭(zhēng)端激烈的高科技領(lǐng)域如芯片、大規(guī)模集成電路等方面對(duì)半導(dǎo)體材料的需求，在國(guó)產(chǎn)替代、科技成果轉(zhuǎn)化等方面逐步突破國(guó)外技術(shù)封鎖和壟斷，制定具有一定突破性和引領(lǐng)性的標(biāo)準(zhǔn)，逐步或一步解決關(guān)鍵領(lǐng)域中關(guān)鍵材料“卡脖子”的技術(shù)問題；另一方面積極適應(yīng)全球聯(lián)合應(yīng)對(duì)氣候變化，大力發(fā)展清潔能源如光伏發(fā)電等方面對(duì)半導(dǎo)體材料的需求，以國(guó)家對(duì)雙碳達(dá)標(biāo)承諾為目標(biāo)，在節(jié)能降耗、清潔生產(chǎn)、環(huán)境保護(hù)以及國(guó)際化等方面通過滿足產(chǎn)品更新?lián)Q代和對(duì)品質(zhì)不斷提升的更高更嚴(yán)的要求，助力企業(yè)在全球市場(chǎng)中占得先機(jī)?？傮w說來，就是應(yīng)充分利用標(biāo)準(zhǔn)的本質(zhì)作用，通過融合共性技術(shù)，提升技術(shù)支撐平臺(tái)，打造行業(yè)規(guī)制，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈和供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性；固化科研和工藝成果，力促企業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)；強(qiáng)化貿(mào)易便利化支撐，加快中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)中國(guó)產(chǎn)品走出去；優(yōu)化標(biāo)準(zhǔn)體系，加強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施和監(jiān)督，更加有效的推動(dòng)行業(yè)綜合競(jìng)爭(zhēng)力的提升，使標(biāo)準(zhǔn)化工作在國(guó)家構(gòu)建新發(fā)展格局中發(fā)揮更大的作用。

（1）結(jié)合國(guó)家戰(zhàn)略部署和產(chǎn)業(yè)政策，落實(shí)《國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展綱要》相關(guān)要求。標(biāo)準(zhǔn)的最終目的是為經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展服務(wù)，標(biāo)準(zhǔn)的制修訂又是標(biāo)準(zhǔn)化工作中最基本、最重要的工作，因此半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)化仍然要站在國(guó)家和行業(yè)的高度結(jié)合國(guó)家戰(zhàn)略和各項(xiàng)政策來積極開展工作。綜合性政策法規(guī)及規(guī)劃有：《國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》《國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展綱要》《2021年全國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化工作要點(diǎn)》《2021年工業(yè)和信息化標(biāo)準(zhǔn)工作要點(diǎn)》《國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化體系建設(shè)發(fā)展規(guī)劃（2016-2020年）》《新材料標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)航行動(dòng)計(jì)劃（2018-2020年）》《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)分類（2018）》《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2021年版）》《中國(guó)制造2025》《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2019年本）》《原材料工業(yè)質(zhì)量提升三年行動(dòng)方案（2018-2020年）》《工業(yè)節(jié)能與綠色標(biāo)準(zhǔn)化行動(dòng)計(jì)劃（2017-2019年）》《有色金屬工業(yè)綠色制造標(biāo)準(zhǔn)化三年行動(dòng)計(jì)劃》《國(guó)家智能制造標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南》和《有色金屬行業(yè)智能加工工廠建設(shè)指南（試行）》等。

根據(jù)《國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展綱要》和《建設(shè)高標(biāo)準(zhǔn)市場(chǎng)體系行動(dòng)方案》的相關(guān)要求，到2025年要實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)供給由政府主導(dǎo)向政府與市場(chǎng)并重轉(zhuǎn)變，標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)用由產(chǎn)業(yè)與貿(mào)易為主向經(jīng)濟(jì)社會(huì)全域轉(zhuǎn)變，標(biāo)準(zhǔn)化工作由國(guó)內(nèi)驅(qū)動(dòng)向國(guó)內(nèi)國(guó)際相互促進(jìn)轉(zhuǎn)變，標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展由數(shù)量規(guī)模型向質(zhì)量效益型轉(zhuǎn)變；到2035年使結(jié)構(gòu)優(yōu)化、先進(jìn)合理、國(guó)際兼容的標(biāo)準(zhǔn)體系更加健全，具有中國(guó)特色標(biāo)準(zhǔn)化體制更加完善，市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)、政府引導(dǎo)、企業(yè)為主、社會(huì)參與、開放融合的格局全面形成。半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)化工作將以此為遵循，根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)與協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)的不同定位，兼顧各利益相關(guān)方意見，做好國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)發(fā)展，在做好標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)工作的同時(shí)，也應(yīng)對(duì)一些具有前瞻性的項(xiàng)目針對(duì)性的展開先期預(yù)研工作，對(duì)一些重要的和強(qiáng)制性的標(biāo)準(zhǔn)，適時(shí)開展宣貫和實(shí)施監(jiān)督工作。

（2）加強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)和優(yōu)化工作。標(biāo)準(zhǔn)體系需優(yōu)化政府頒布標(biāo)準(zhǔn)與市場(chǎng)自主制定標(biāo)準(zhǔn)二元結(jié)構(gòu)，全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)委會(huì)作為國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)委選擇的5家國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)體量大、團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)工作活躍、標(biāo)準(zhǔn)化工作基礎(chǔ)較好、改革積極性較高的體系優(yōu)化試點(diǎn)單位，應(yīng)根據(jù)《2021年國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)體系優(yōu)化試點(diǎn)工作方案》要求，按照體系優(yōu)先、明確定位，進(jìn)出有序、動(dòng)態(tài)調(diào)整，對(duì)標(biāo)國(guó)際、推進(jìn)兼容，總結(jié)經(jīng)驗(yàn)、固化機(jī)制的工作原則，對(duì)本領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)體系情況進(jìn)行梳理、評(píng)估、優(yōu)化和重構(gòu)，整合、新提、修訂、廢止、轉(zhuǎn)化一批國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，采信一批團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，合理界定和協(xié)調(diào)上下游標(biāo)準(zhǔn)，并探討建立國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)退出機(jī)制和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)采信團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)機(jī)制，“部分現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)退出國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)序列”，暢通政府標(biāo)準(zhǔn)與市場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)的轉(zhuǎn)化通道，建立結(jié)構(gòu)合理、動(dòng)態(tài)平衡、銜接配套的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)體系，形成標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)和優(yōu)化的長(zhǎng)效工作機(jī)制，持續(xù)提升提升國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量水平。

（3）以市場(chǎng)需求為牽引，力爭(zhēng)突破。一是做好全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重大戰(zhàn)略調(diào)整期的應(yīng)對(duì)工作，助力電子級(jí)多晶硅及大尺寸硅片的標(biāo)準(zhǔn)化規(guī)模生產(chǎn)，取得下游用戶對(duì)國(guó)產(chǎn)材料的認(rèn)證和認(rèn)可。2019年《瓦森納協(xié)議》對(duì)于大硅片技術(shù)管制的內(nèi)容為“對(duì)300mm直徑硅晶圓的切割、研磨、拋光達(dá)到局部平整度的技術(shù)要求，在任意26mm×8mm的面積內(nèi)平整度差小于等于20nm，以及邊緣去除方面小于等于2mm”，對(duì)應(yīng)的是14nm制程工藝的大硅片生產(chǎn)制造技術(shù)，涉及到該指標(biāo)的技術(shù)、設(shè)備等都在出口管制之內(nèi)。因此只有實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體制造國(guó)產(chǎn)化，才能真正擺脫核心科技被國(guó)外“卡脖子”的現(xiàn)狀。同時(shí)需要開展前沿檢測(cè)技術(shù)研究，如高純電子級(jí)多晶硅、單晶硅中深能級(jí)雜質(zhì)的分布及檢測(cè)、超痕量金屬雜質(zhì)的檢測(cè)、晶體結(jié)構(gòu)的檢測(cè)、硅片邊緣輪廓的測(cè)試、納米形貌的測(cè)試等。二是在鍺材料領(lǐng)域，針對(duì)光伏用的直拉法零位錯(cuò)鍺單晶、探測(cè)器用超高純鍺單晶、芯片用電子級(jí)四氟化鍺同位素，深入開展產(chǎn)品制備技術(shù)及標(biāo)準(zhǔn)的研究。同時(shí)開展相關(guān)檢測(cè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)方法的研究，如大尺寸鍺晶片表面質(zhì)量的測(cè)試、鍺不同同位素的測(cè)試、高純鍺化合物的測(cè)試等。三是在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，聯(lián)合國(guó)內(nèi)高純銦、高純鎵、高純砷、高純磷等上游優(yōu)勢(shì)企業(yè)，積極開展高純半絕緣級(jí)砷化鎵單晶襯底片、磷化銦單晶襯底片的研制和標(biāo)準(zhǔn)制修訂，突破提升多晶合成、單晶生長(zhǎng)及晶片加工的生產(chǎn)技術(shù)及化學(xué)成分、物理性能、表面質(zhì)量的檢測(cè)技術(shù)等。針對(duì)第三代半導(dǎo)體材料，積極開展大功率器件及探測(cè)器、激光器用高質(zhì)量氮化鎵、氮化鋁單晶襯底；5G用氮化鎵射頻外延材料；電力電子器件用氮化鎵和碳化硅外延材料；高導(dǎo)熱封裝用氮化鋁陶瓷基板；多晶金剛石基板；短波長(zhǎng)UVC等光電器件用氮化硼、氧化鎵外延材料和封裝等產(chǎn)品及高溫?zé)岱€(wěn)定性、強(qiáng)度、絕緣測(cè)試表征、晶體質(zhì)量、曲率、耐壓性能等各項(xiàng)指標(biāo)的測(cè)試。四是做好藍(lán)寶石及相關(guān)輔助材料的標(biāo)準(zhǔn)化工作。半導(dǎo)體材料制程涉及諸多行業(yè)，涵蓋多個(gè)學(xué)科，資金投入大、技術(shù)門檻高、認(rèn)證周期長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)與國(guó)際成熟企業(yè)還有一定的差距。在“長(zhǎng)晶、切片、拋光、外延”四大核心環(huán)節(jié)中對(duì)拋光液、拋光墊、閥門、坩堝、磁流體、藍(lán)寶石等輔料耗材和零部件的選用至關(guān)重要；在“清潔、包裝”工序中潔凈度的要求對(duì)材料的性能參數(shù)和未來應(yīng)用也起著關(guān)鍵性的作用。國(guó)內(nèi)輔料耗材的材質(zhì)、性能、測(cè)試和應(yīng)用尚未形成完整的體系，缺乏統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)，需要上下游企業(yè)在各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域協(xié)同攻關(guān)。我們將實(shí)時(shí)把握行業(yè)脈動(dòng)，積極規(guī)劃，做好相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)化工作，以期解決各相關(guān)領(lǐng)域亟需突破的產(chǎn)業(yè)瓶頸問題，規(guī)范和助力各相關(guān)領(lǐng)域的有序發(fā)展。五是配合主管部門《“碳達(dá)峰”標(biāo)準(zhǔn)化行動(dòng)計(jì)劃》《工業(yè)領(lǐng)域“碳達(dá)峰”標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南》，將資源節(jié)約與再生利用納入到“雙碳”標(biāo)準(zhǔn)工作范疇中，注重節(jié)能降耗、資源綜合利用、環(huán)境保護(hù)、清潔生產(chǎn)等領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)制修訂工作，盡快建立健全支撐“雙碳”目標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn)體系，支撐整個(gè)行業(yè)生態(tài)圈的高質(zhì)量均衡發(fā)展，落實(shí)好碳達(dá)峰實(shí)施方案。六是要做好配套的檢測(cè)方法標(biāo)準(zhǔn)。產(chǎn)品的測(cè)試貫穿了整個(gè)半導(dǎo)體制程，從芯片設(shè)計(jì)、晶片制造到封裝，不同環(huán)節(jié)都各有檢測(cè)方法標(biāo)準(zhǔn)。在晶片制造環(huán)節(jié)主要通過光學(xué)檢測(cè)晶片的不同材質(zhì)及層結(jié)構(gòu)的微觀形貌和宏觀缺陷，包括膜厚、OCD、SEM、套刻誤差的測(cè)量、缺陷檢測(cè)、電子束檢測(cè)以及AOI等，來驗(yàn)證晶片的物理功能、電學(xué)特性、可靠性等。因此在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)確定的情況下，我們應(yīng)做好配套的檢測(cè)方法標(biāo)準(zhǔn)，這對(duì)提升半導(dǎo)體制程的良率和芯片的品質(zhì)非常重要。

電子級(jí)硅材料、大尺寸硅片、氮化鎵單晶襯底、氮化鎵外延片、碳化硅單晶襯底、碳化硅外延片、藍(lán)寶石材料等產(chǎn)品及其相關(guān)方法標(biāo)準(zhǔn)是需要優(yōu)先考慮的項(xiàng)目，補(bǔ)齊如表面雜質(zhì)的去除、刻蝕、化學(xué)氣相沉積、拋光以及焊接工藝等方面的短板是重中之重。

（4）加強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)英文版工作，支撐國(guó)際貿(mào)易。應(yīng)繼續(xù)加強(qiáng)半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)英文版工作，通過翻譯、推廣和宣傳中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步增強(qiáng)中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)際影響力，推動(dòng)中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)繼而推動(dòng)中國(guó)產(chǎn)品走出去。SEMI標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格意義上說是團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，自成體系。產(chǎn)品在競(jìng)爭(zhēng)，標(biāo)準(zhǔn)也在競(jìng)爭(zhēng)。目前，半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)英文版已報(bào)批、發(fā)布國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)8項(xiàng)，可采用標(biāo)準(zhǔn)制修訂與英文版計(jì)劃同步申報(bào)的方式，為國(guó)際貿(mào)易提供服務(wù)和支撐。

（5）結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)討論和技術(shù)研討，支撐行業(yè)和地方經(jīng)濟(jì)發(fā)展。產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，企業(yè)是主體，也離不開各地政府的支持，各地政府對(duì)標(biāo)準(zhǔn)工作也越來越重視。因此，半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)化工作應(yīng)爭(zhēng)取企業(yè)所在地區(qū)政府的支持，加強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)平臺(tái)建設(shè)，支撐行業(yè)和地方經(jīng)濟(jì)發(fā)展。正是本著這個(gè)思路，半材標(biāo)委會(huì)在2021年召開了相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)交流及研討會(huì)，除對(duì)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行討論外，還精心組織了行業(yè)內(nèi)的權(quán)威專家、企業(yè)家和標(biāo)準(zhǔn)專家，做了多場(chǎng)技術(shù)報(bào)告及招商推介會(huì)，就標(biāo)準(zhǔn)如何助力行業(yè)和地方經(jīng)濟(jì)的發(fā)展進(jìn)行了研討，提高了當(dāng)?shù)仄髽I(yè)在行業(yè)內(nèi)以及行業(yè)在當(dāng)?shù)氐挠绊懥?，得到了各方的好評(píng)。今后我們將以需求為牽引，針對(duì)重點(diǎn)地區(qū)和相關(guān)企業(yè)，圍繞行業(yè)特點(diǎn)與區(qū)域經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)，探討如何將全國(guó)性的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化工作與當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)的發(fā)展相結(jié)合，通過各種方式，集聚合力，為實(shí)現(xiàn)行業(yè)和地方經(jīng)濟(jì)發(fā)展的多贏局面打下良好的基礎(chǔ)。

（6）積極開展與其他相關(guān)團(tuán)體組織的合作。應(yīng)繼續(xù)積極參加和支持SEMI、硅業(yè)分會(huì)、稀散金屬分會(huì)、寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)聯(lián)盟、電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)、中企會(huì)等團(tuán)體組織的相關(guān)行業(yè)論壇、標(biāo)準(zhǔn)化和技術(shù)活動(dòng)，通過走訪、調(diào)研、參加論壇、學(xué)術(shù)報(bào)告等多種形式與其他聯(lián)盟展開合作，擴(kuò)大半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)的影響。

5 做好標(biāo)準(zhǔn)化工作，促進(jìn)行業(yè)可持續(xù)發(fā)展

企業(yè)等實(shí)體按照標(biāo)準(zhǔn)編制、申請(qǐng)和接受審查的步驟行事，這需要高水平的專業(yè)知識(shí)和資金投入。半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)化工作應(yīng)繼續(xù)以市場(chǎng)為導(dǎo)向，以企業(yè)為主體，著眼于新產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)，建立科技研發(fā)、標(biāo)準(zhǔn)研制和產(chǎn)業(yè)發(fā)展同步推進(jìn)的協(xié)同機(jī)制，滿足下游對(duì)高可靠、性能優(yōu)異、質(zhì)量穩(wěn)定一致的半導(dǎo)體材料的需求，助推行業(yè)突破相關(guān)技術(shù)難關(guān)。

中國(guó)是全球主要的電子信息制造業(yè)基地，也是全球規(guī)模最大、增速最快的半導(dǎo)體市場(chǎng)。但高性能半導(dǎo)體制造越來越集中于幾個(gè)行業(yè)巨頭，形成了較高的行業(yè)壁壘，我們應(yīng)逐步實(shí)現(xiàn)中低端產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)化替代。這是一個(gè)緩慢的進(jìn)程，應(yīng)憑借著地緣、價(jià)格和服務(wù)的優(yōu)勢(shì)以及政策的扶持對(duì)一些關(guān)鍵領(lǐng)域和關(guān)鍵技術(shù)實(shí)現(xiàn)針對(duì)性的突破。未來，在中國(guó)經(jīng)濟(jì)穩(wěn)健增長(zhǎng)和5G、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、智能網(wǎng)聯(lián)汽車等新型應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下，隨著集成電路、太陽能光伏、LED、消費(fèi)電子行業(yè)景氣度不斷提升，半導(dǎo)體行業(yè)將再次進(jìn)入繁榮期，新一代半導(dǎo)體行業(yè)或?qū)⒅乩L高技術(shù)版圖。因此我們應(yīng)與全行業(yè)一道，攜手前行，發(fā)揮標(biāo)準(zhǔn)在經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展中的作用和功能，做好半導(dǎo)體材料的標(biāo)準(zhǔn)化工作，促進(jìn)行業(yè)高質(zhì)量的可持續(xù)發(fā)展，在全球高科技領(lǐng)域日益激烈的競(jìng)爭(zhēng)中，夯實(shí)基礎(chǔ)，銳意進(jìn)取，為提升我國(guó)硬科技實(shí)力貢獻(xiàn)應(yīng)有的力量。