張 杰,王 高,李志玲,劉云東,梁海堅(jiān),黃漫國
(1.中北大學(xué) 省部共建動(dòng)態(tài)測(cè)試技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,山西 太原 030051;2.太原工業(yè)學(xué)院 電子工程系,山西 太原 030051;3.北京長(zhǎng)城航空測(cè)控技術(shù)研究所狀態(tài)監(jiān)測(cè)特種傳感技術(shù)航空科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100022)
科學(xué)研究及工程應(yīng)用中,常常需要測(cè)量物體表面的溫度變化。多數(shù)活動(dòng)通常暴露在快速變化的熱通量下,且測(cè)量環(huán)境惡劣,如航空發(fā)動(dòng)機(jī)氣缸壁、渦輪葉片的表面以及用于切削金屬零件的刀具等。熱電偶作為一種經(jīng)濟(jì)、高效的溫度傳感器,能夠滿足上述環(huán)境的測(cè)試需求。絲狀熱電偶在測(cè)量時(shí)需要嵌入被測(cè)物內(nèi)部,嚴(yán)重影響了被測(cè)物的機(jī)械性能和熱物性,干擾被測(cè)物的正常熱傳導(dǎo)和溫度分布。而薄膜熱電偶直接沉積在測(cè)試樣品的表面,將對(duì)測(cè)試結(jié)構(gòu)和對(duì)表面產(chǎn)生的負(fù)面影響降到最低,是當(dāng)下最理想的溫度傳感器[1,2]。
當(dāng)前國內(nèi)外對(duì)薄膜熱電偶的研究大多都停留在對(duì)靜態(tài)特性的研究,少數(shù)對(duì)動(dòng)態(tài)特性的研究主要以實(shí)驗(yàn)測(cè)量為主,缺乏理論基礎(chǔ)。威士康星大學(xué)的Choi H等人采用脈沖寬度為10 ns的Q開關(guān)Nd︰YAG激光器作為熱源,對(duì)基底厚度為250 μm的K型薄膜熱電偶進(jìn)行動(dòng)態(tài)性能測(cè)試,測(cè)得薄膜熱電偶的響應(yīng)時(shí)間為28 ns;上海交通大學(xué)的王剛等人采用相同的實(shí)驗(yàn)條件對(duì)K型薄膜熱電偶進(jìn)行動(dòng)態(tài)標(biāo)定測(cè)得被測(cè)樣件的響應(yīng)時(shí)間為40 μm。由于實(shí)驗(yàn)對(duì)象參數(shù)存在不同導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)結(jié)果存在誤差,測(cè)得的溫度傳感器動(dòng)態(tài)特性不具有普遍參考性[3]。
本文以In2O3/ITO薄膜熱電偶為研究對(duì)象,利用有限元仿真軟件分析了In2O3/ITO薄膜熱電偶的傳熱模型,研究了不同基底厚度對(duì)薄膜熱電偶動(dòng)態(tài)特性的影響。通過搭建以高功率半導(dǎo)體激光器為熱源的高溫動(dòng)態(tài)標(biāo)定系統(tǒng),驗(yàn)證軟件仿真結(jié)果,為未來薄膜熱電偶的制備及動(dòng)態(tài)測(cè)試提供了參考。
輸入信號(hào)通常作為傳感器的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性判斷依據(jù):階躍信號(hào)適用于瞬態(tài)變化的輸入信號(hào);正弦周期輸入信號(hào)適用于典型輸入信號(hào)。本文實(shí)驗(yàn)所選用的輸入信號(hào)皆為階躍輸入信號(hào)[4~6]。對(duì)于熱電偶來說,其階躍溫差隨時(shí)間而變化的響應(yīng)特性稱為熱電偶的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性。
由于熱電偶具有熱惰性,其階躍響應(yīng)可以看作一階線性系統(tǒng)處理:不考慮測(cè)量傳感器的內(nèi)部溫場(chǎng)分布和熱交換,只考慮薄膜熱電偶功能層表面的對(duì)流換熱。其動(dòng)態(tài)響應(yīng)用微分方程表示為
(1)
將式(1)變換得到
(2)
記τ=MCP/hA得到式(3)
(3)
式中M為熱電偶偶結(jié)的質(zhì)量,Cp為熱電偶材料的比熱容,T為熱電偶的測(cè)量溫度,t為時(shí)間,h為對(duì)流換熱系數(shù),A為偶結(jié)的面積,Te為偶結(jié)溫度,T0為環(huán)境溫度,τ為時(shí)間常數(shù)。由式(3)得到熱電偶對(duì)階躍溫度的響應(yīng)為
(4)
由式(4)可知,當(dāng)t=τ時(shí),熱電偶的測(cè)量溫度T與環(huán)境溫度T0的差值等于總溫度階躍(Te-T0)的63.2%,如圖1所示,τ為系統(tǒng)的時(shí)間常數(shù)。
圖1 時(shí)間常數(shù)示意
薄膜熱電偶的動(dòng)態(tài)測(cè)試,其階躍溫差隨時(shí)間而變化,且邊界上的物體與周圍流體見得表面?zhèn)鳠嵯禂?shù)h及周圍環(huán)境的溫度T確定,因此被看作非穩(wěn)態(tài)導(dǎo)熱的第三類邊界條件[7~9]。
在測(cè)試時(shí)間已經(jīng)確定的情況下,薄膜熱電偶的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性影響如式(5)所示
(5)
式中d為薄膜厚度,δ1為熱阻層厚度,δ2為基底厚度,λ1和λ2分別為對(duì)應(yīng)材料的導(dǎo)熱系數(shù)。式(5)證明薄膜熱電偶的基底厚度對(duì)傳感器的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性存在影響。
高溫動(dòng)態(tài)標(biāo)定系統(tǒng)如圖2所示,系統(tǒng)由激光器調(diào)制模塊、半導(dǎo)體激光器、準(zhǔn)直聚焦光學(xué)透鏡組和數(shù)據(jù)采集裝置組成。其中,所用激光器額定最大輸出功率6 000~6 200 W,中心波長(zhǎng)為915 nm;使用LabVIEW連接激光器調(diào)制模塊控制激光器輸出功率及脈寬;準(zhǔn)直聚焦光學(xué)透鏡組輸出激光能量均勻化,保證動(dòng)態(tài)校準(zhǔn)系統(tǒng)的精度和可重復(fù)性[10];數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)選用16道多功能隔離模塊調(diào)理箱,最大采樣頻率1.5 kHz。
圖2 高溫動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)示意
本文以In2O3/ITO薄膜熱電偶為研究對(duì)象,其熱結(jié)點(diǎn)面積為3 mm×3 mm;薄膜溫度傳感器由Al2O3材料的玻璃保護(hù)層、In2O3/ITO材料的熱電偶功能層、Al2O3的熱絕緣層、熱障層NiCrAlY以及Ni基合金組成[10];其中,熱電偶功能層的尺寸為10 mm×5 mm×10 μm。薄膜熱電偶結(jié)構(gòu)如圖3所示。
圖3 薄膜熱電偶結(jié)構(gòu)示意
2.1.1 激光光斑半徑
利用COMSOL軟件模擬激光加熱下的薄膜熱電偶動(dòng)態(tài)響應(yīng),首先需要確定激光光斑的大小。由于薄膜熱電偶偶結(jié)尺寸為3 mm×3 mm,為了覆蓋偶結(jié)部分同時(shí)減小不必要的誤差,設(shè)定激光光斑半徑為1.5 mm。
2.1.2 能量密度
用激光進(jìn)行薄膜熱電偶動(dòng)態(tài)標(biāo)定時(shí),需要合理設(shè)置激光器功率,否則過大的能量密度會(huì)導(dǎo)致熱電偶功能層的損壞[11,12]。
半導(dǎo)體激光器的能量可以用脈沖能量Q表征為
Q=P×t
(6)
則脈沖能量密度Q0為
(7)
薄膜熱電偶表面所能承受的最大能量密度Q0max為
(8)
式中λ為材料的熱導(dǎo)率,t為激光加熱時(shí)間。對(duì)于脈沖激光器,th為脈沖寬度,R為材料的反射率,a為材料的吸收系數(shù),Tm為材料的相變溫度。
當(dāng)激光脈寬為10 ms時(shí),激光器的最大功率為974 W;當(dāng)激光功率為600 W,光斑半徑為1.5 mm,則能量密度Q0≈0.848 MW/m2。
2.1.3 傳熱方程
激光作用于薄膜熱電偶時(shí),輻射能量被表面材料的電子吸收并迅速轉(zhuǎn)換為內(nèi)能。能量通過熱傳導(dǎo)的方式向物體內(nèi)部傳輸,進(jìn)而形成溫度場(chǎng)。忽略熱輻射和熱對(duì)流現(xiàn)象,僅考慮材料內(nèi)的熱傳導(dǎo)現(xiàn)象[13~16]。對(duì)于均勻的各向同性材料,熱傳導(dǎo)方程一般形式為
(9)
在無內(nèi)熱源、導(dǎo)熱系數(shù)為常數(shù)的情況下,式(9)簡(jiǎn)化為
(10)
2.1.4 傳熱模型建立
為驗(yàn)證基底對(duì)薄膜熱電偶動(dòng)態(tài)特性的影響,設(shè)置不同厚度的基底厚度對(duì)薄膜熱電偶進(jìn)瞬態(tài)熱分析,總體劃分成 14.2萬個(gè)網(wǎng)格,熱結(jié)點(diǎn)處細(xì)劃成7 462個(gè)網(wǎng)格。正面網(wǎng)格劃分結(jié)果如圖4所示。
圖4 網(wǎng)格劃分結(jié)果
對(duì)薄膜熱電偶的動(dòng)態(tài)分析仿真選用激光加熱,定義激光光源中心波長(zhǎng)為915 mm,激光功率600W,脈沖寬度10 ms,激光光斑半徑為1.5 mm。由式(7)可知:熱流密度為0.848 MW/m2,初始溫度設(shè)置為300 K。溫度分布如圖5所示。
圖5 溫度分布
分別對(duì)基底厚度為0.1,0.2,0.3,0.4 mm的薄膜熱電偶進(jìn)行仿真,不同基底厚度的熱電響應(yīng)曲線如圖6所示。如表1所示,薄膜熱電偶的時(shí)間常數(shù)分別為2.27,3.16,3.51,4.45 ms。
圖6 不同基底厚度的響應(yīng)曲線
表1 仿真結(jié)果
為進(jìn)一步探究基底厚度對(duì)熱電偶動(dòng)態(tài)特性的影響,建立基底厚度為1 μm~1 mm的薄膜熱電偶模型,保留其他參數(shù)不變。分別在有限元模型中進(jìn)行仿真,得到不同基底厚度下薄膜熱電偶的動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間常數(shù),其分布如圖7所示。
圖7 不同基底厚度的時(shí)間常數(shù)
仿真結(jié)果表明:當(dāng) In2O3/ITO薄膜熱電偶的基底厚度小于10 μm 時(shí),基底厚度對(duì)薄膜熱電偶的動(dòng)態(tài)特性影響可以忽略不計(jì),其時(shí)間常數(shù)穩(wěn)定在30μs左右;當(dāng)薄膜熱電偶的基底厚度大于10 μm時(shí),基底厚度對(duì)薄膜樣件的動(dòng)態(tài)特性有顯著影響,且程度隨厚度的增加而增加。仿真結(jié)果證明薄膜熱電偶基底厚度對(duì)其動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性有影響。
為驗(yàn)證仿真結(jié)果,采用高溫動(dòng)態(tài)標(biāo)定系統(tǒng)對(duì)薄膜熱電偶動(dòng)態(tài)標(biāo)定,制備并選用基底厚度為100,500,1 000 μm的薄膜熱電偶樣件。將樣件用夾具固定,通過激光器指示光將薄膜熱電偶放置在距離激光器聚焦透鏡440 mm的位置,此時(shí)激光光斑半徑為1.5 mm,薄膜熱電偶的偶結(jié)被能量均勻化的光斑覆蓋。熱電偶通過補(bǔ)償導(dǎo)線連接到采集裝置上,采集裝置采樣頻率為1 000 Hz。部分薄膜熱電偶樣件及實(shí)驗(yàn)場(chǎng)景如圖8所示。
圖8 部分薄膜熱電偶樣件與實(shí)驗(yàn)場(chǎng)景
在激光脈寬為10 ms、激光輸出功率為600 W的實(shí)驗(yàn)條件下,不同基底厚度的薄膜熱電偶標(biāo)定結(jié)果如圖9所示。
圖9 不同基底厚度的熱電響應(yīng)
多次實(shí)驗(yàn)得到基底厚度為100,500,1 000 μm的薄膜樣件的平均時(shí)間常數(shù)分別為2.38,4.97,9.17 ms。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與仿真結(jié)果相似,從而驗(yàn)證了理論結(jié)果。
本文以In2O3/ITO薄膜熱電偶為研究對(duì)象,用COMSOL軟件對(duì)薄膜熱電偶的溫度場(chǎng)分布和動(dòng)態(tài)響應(yīng)進(jìn)行有限元仿真分析,研究了不同基底厚度對(duì)薄膜熱電偶動(dòng)態(tài)特性的影響。通過搭建以半導(dǎo)體激光器為熱源的高溫動(dòng)態(tài)標(biāo)定系統(tǒng),驗(yàn)證軟件仿真結(jié)果。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:當(dāng)基底厚度大于10 μm時(shí),薄膜熱電偶的基底厚度對(duì)薄膜樣件的動(dòng)態(tài)特性有明顯影響且程度隨厚度增加而增加。綜合以上結(jié)果,能夠有效和準(zhǔn)確地對(duì)薄膜熱電偶溫度傳感器進(jìn)行動(dòng)態(tài)標(biāo)定。為未來薄膜熱電偶的制備及動(dòng)態(tài)測(cè)試提供了參考。