1T-NbSeTe 電子結(jié)構(gòu)的角分辨光電子能譜*

魏志遠(yuǎn) 胡勇2)? 曾令勇 李澤宇 喬振華? 羅惠霞?? 何俊峰??

1) (中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系,中科院強(qiáng)耦合量子材料物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,合肥 230026)

2) (瑞士保羅謝爾研究所,菲利根 CH-5232)

3) (中山大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,廣州 510275)

過渡金屬二硫族化物因其廣泛存在超導(dǎo)、電荷密度波等新奇的物理現(xiàn)象成為了近些年來凝聚態(tài)物理研究中的一大熱點(diǎn),同時(shí)這也為研究超導(dǎo)和電荷密度波等電子序之間的相互作用提供了典型的材料體系.本文利用角分辨光電子能譜對1T 結(jié)構(gòu)的NbSeTe 單晶進(jìn)行系統(tǒng)的研究,揭示了其電子結(jié)構(gòu).沿高對稱方向的能帶測量發(fā)現(xiàn),1T-NbSeTe 布里淵區(qū)M 點(diǎn)附近存在一個(gè)范霍夫奇點(diǎn),能量位于費(fèi)米能以下約250 meV 處.對能帶色散的仔細(xì)分析發(fā)現(xiàn)該體系中沒有明顯電子-玻色子(聲子)耦合帶來的能帶扭折.基于上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果,對過渡金屬二硫族化物中電荷密度波和超導(dǎo)的產(chǎn)生以及1T-NbSeTe 中電荷密度波和超導(dǎo)被抑制的可能原因進(jìn)行了討論.

1 引言

近些年來人們在二維材料中發(fā)現(xiàn)了大量新奇的物理現(xiàn)象,這對凝聚態(tài)物理基礎(chǔ)研究及潛在應(yīng)用帶來了極大的促進(jìn)作用[1,2].這其中就包括了過渡金屬二硫族化物(TMDs),過渡金屬二硫族化物化學(xué)形式為AB2型,其中A 是過渡金屬元素,B 是硫族元素.TMDs 材料中除了花樣繁多的元素組合外還存在不同的結(jié)構(gòu)類型,如最常見的1T,2H,3R,4Hb等結(jié)構(gòu)相,這都使得TMDs 中出現(xiàn)了包括超導(dǎo)電性、電荷密度波、自旋密度波、電子關(guān)聯(lián)等種類繁多的物理性質(zhì)[1?4].在這些材料里,2H-NbSe2中同時(shí)存在超導(dǎo)電性和電荷密度波,且其超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度(7.3 K)和電荷密度波臨界溫度(33.5 K)都相對較高.這使得該材料成為研究電荷密度波起源以及超導(dǎo)與電荷密度波之間相互作用的典型材料[5?7].近些年來,人們不斷在嘗試通過化學(xué)元素取代、控制材料的原子層數(shù)以及施加高壓等手段調(diào)控該類材料中超導(dǎo)以及電荷密度波等物理性質(zhì)[8?15],從而幫助人們進(jìn)一步理解超導(dǎo)和電荷密度波之間的相互作用機(jī)理.比如,研究者使用堿金屬元素Rb 對NbSe2進(jìn)行插層得到RbxNbSe2,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明隨著插層的Rb 元素含量的增大,其超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度從7.3 K 被快速抑制到低于4 K[16];使用Te 元素取代Se 元素的方式制備出2H-NbSe2–xTex樣品,并發(fā)現(xiàn)其超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度會隨著Te 元素含量的增大被抑制[17];研究者也嘗試了利用Cu 和S 對NbSe2進(jìn)行雙摻雜得到CuxNbSe2–ySy以及CuxNb1–xSe2–ySy樣品,電輸運(yùn)結(jié)果表明Cu 和S 的摻雜會降低超導(dǎo)電性的臨界溫度[18].到目前為止,角分辨光電子能譜(ARPES)研究主要集中在2H-NbSe2這一材料體系,而對1T-NbSe2的研究卻相對較少,這也與1T相的塊體單晶難以生長有直接關(guān)系.目前對1T-NbSe2的研究主要是基于分子束外延生長的薄膜完成的.研究發(fā)現(xiàn)單層1T-NbSe2中存在明顯的電荷密度波相變[19],實(shí)驗(yàn)也發(fā)現(xiàn)單層1T-NbSe2表現(xiàn)出莫特絕緣體行為[19,20],這與金屬性的2H-NbSe2形成了極大反差.那么能否通過對2H-NbSe2和1TNbSe2進(jìn)行摻雜得到類似的單晶材料,從而對超導(dǎo)、電荷密度波物理性質(zhì)等進(jìn)行調(diào)控呢? 這對于研究超導(dǎo)和電荷密度波的演化以及其相互作用有重要意義.2019 年,通過對NbSe2進(jìn)行同族Te 元素的摻雜,高質(zhì)量的1T-NbSeTe 單晶被成功合成;實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)該樣品表現(xiàn)出金屬性的行為,輸運(yùn)測試結(jié)果中沒有發(fā)現(xiàn)與2H-NbSe2類似的電荷密度波相變[21,22],并且超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度(約1.3 K)相比于2HNbSe2也被極大抑制[22].為研究1T-NbSeTe 中電荷密度波和超導(dǎo)被抑制的原因,進(jìn)而理解TMDs材料中的超導(dǎo)電性,本文運(yùn)用角分辨光電子能譜直接測量了1T-NbSeTe 材料的電子結(jié)構(gòu).實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明1T-NbSeTe 中存在與2H-NbSe2類似的范霍夫奇點(diǎn),其能量在費(fèi)米能級之下約250 meV 處,而2H-NbSe2中的范霍夫奇點(diǎn)卻在費(fèi)米能級附近[23?25];對動量空間中不同方向能帶的擬合結(jié)果表明在1T-NbSeTe 中沒有發(fā)現(xiàn)電子-玻色子(聲子)耦合帶來的能帶扭折,而TMDs 材料中超導(dǎo)產(chǎn)生的機(jī)理通常被BCS 理論所描述,被認(rèn)為是由電子-聲子相互作用所導(dǎo)致的[7,26,27].

對1T-NbSeTe 電子結(jié)構(gòu)的研究有助于進(jìn)一步理解在類似的TMDs 材料中同族元素取代以及結(jié)構(gòu)變化帶來的電子結(jié)構(gòu)的變化,以及各種基態(tài)之間相互作用所產(chǎn)生的改變.這為理解超導(dǎo)及電荷密度波等電子序之間的相互作用提供了新的思考.

2 實(shí)驗(yàn)方法

實(shí)驗(yàn)所使用的1T-NbSeTe 單晶通過化學(xué)氣相輸運(yùn)的方法生長獲得,具體生長方法在之前文獻(xiàn)中已有詳細(xì)描述[22].X 射線衍射(XRD)(圖1(a))和掃描電子顯微鏡(SEM)(圖1(c))結(jié)果均表明生長出的單晶具有很高的質(zhì)量,利于ARPES 實(shí)驗(yàn)的開展.圖1(d)為樣品的能量色散X 射線譜和元素原子百分比,結(jié)果表明Se 與Te 并不是嚴(yán)格的1∶1,Se要多于Te,實(shí)際材料更接近NbSe1.15Te0.69,同時(shí)XRD 結(jié)果顯示材料的結(jié)構(gòu)為1T.簡單起見,本文使用1T-NbSeTe 代表該摻雜材料.高分辨率角分辨光電子能譜實(shí)驗(yàn)在美國斯坦福國家加速器實(shí)驗(yàn)室同步輻射光源5-2 線站進(jìn)行,實(shí)驗(yàn)使用的光子能量為90 eV,樣品在超高真空中解理并進(jìn)行測量,測量溫度為30 K,真空度好于3×10–11Torr(1 Torr=133.322 Pa),實(shí)驗(yàn)時(shí)的能量分辨率約13 meV.計(jì)算使用VASP (Viennaab initiosimulation package)軟件包中投影綴加波方法實(shí)現(xiàn)的[28],并采用了廣義梯度近似交換關(guān)聯(lián)泛函(PBE)[29].平面波截?cái)嗄茉O(shè)為500 eV.根據(jù)Monkhorst-Pack 提出的方案[30],采用了15×15×5 的網(wǎng)格進(jìn)行自洽計(jì)算.在結(jié)構(gòu)優(yōu)化過程中,所有原子都完全弛豫直到所有原子受力小于0.01 eV/?.為了正確處理元素的替換,使用虛晶近似方法及具有有序Se 和Te位點(diǎn)的胞計(jì)算NbSeTe 的性質(zhì).該類TMDs 材料kz色散較弱,簡單起見,本文使用其二維布里淵區(qū)進(jìn)行表示.

圖1 1T-NbSeTe 的晶體結(jié)構(gòu)表征 (a) 沿(001)方向的單晶X 射線衍射結(jié)果;(b) 1T-NbSeTe 晶體結(jié)構(gòu)示意圖;(c) SEM 測試的形貌特征;(d) 1T-NbSeTe 的能量色散X 射線譜和元素原子比例Fig.1.Characterization of the 1T-NbSeTe sample:(a) X-ray diffraction pattern along (001);(b) illustration of the 1T-NbSeTe crystal structure;(c) scanning electron microscopy image of the sample surface;(d) energy dispersive X-ray spectroscopy and the element ratio.

3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

圖2 是1T-NbSeTe 在不同能量處的等能面(測量溫度為30 K).各等能面均表現(xiàn)出六重對稱性,圖中光電子信號強(qiáng)度利用色彩度進(jìn)行描述,如圖2 右下角所示.圖2(a)為1T-NbSeTe 的費(fèi)米面,其費(fèi)米面存在較高的電子態(tài)密度,黑色六邊形實(shí)線表示其布里淵區(qū),高對稱點(diǎn)也在圖中相應(yīng)位置進(jìn)行了標(biāo)記.費(fèi)米面以下100—500 meV 的等能面分別展示在圖2(b)—(f).從圖2(a)—(c)可以看出,在Γ點(diǎn)周圍存在一個(gè)強(qiáng)度較強(qiáng)的圓形結(jié)構(gòu),隨著結(jié)合能的增大這個(gè)圓形結(jié)構(gòu)也在變大,說明這個(gè)圓形結(jié)構(gòu)由一個(gè)空穴型的能帶構(gòu)成.為對其電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行更精確的研究,測量了該材料沿布里淵區(qū)中不同高對稱方向的能帶結(jié)構(gòu)并進(jìn)行分析.

圖2 1T-NbSeTe 的等能面 (a)費(fèi)米面;(b)—(f)分別為費(fèi)米面以下100,200,300,400,500 meV 處的等能面Fig.2.Constant energy maps at different binding energies:(a) Fermi surface;(b)–(f) constant energy maps at 100,200,300,400,500 meV below the Fermi level,respectively.

圖3 是1T-NbSeTe 沿布里淵區(qū)中不同高對稱方向所測量得到的能帶結(jié)構(gòu).圖3(a)和圖3(b)分別為沿M-Γ-M和K-M-K兩個(gè)高對稱方向測量得到的能帶結(jié)構(gòu),其測量方向分別如圖3(c)中藍(lán)色和紅色線所示.發(fā)現(xiàn)沿著M-Γ-M方向,在M點(diǎn)附近的能帶結(jié)構(gòu)表現(xiàn)為開口向下的空穴型能帶,帶頂在M點(diǎn);如果沿著K-M-K方向,在M點(diǎn)附近的能帶結(jié)構(gòu)卻表現(xiàn)為開口向上的電子型能帶,帶底在M點(diǎn).這意味著M點(diǎn)可能存在一個(gè)范霍夫奇點(diǎn).為更清楚理解該電子結(jié)構(gòu),將圖3(a)和圖3(b)中紅色虛線方框內(nèi)的能帶結(jié)構(gòu)拼接在一起得到圖3(d)中沿K-M-Γ方向的能帶結(jié)構(gòu).如圖中紅色曲線所示,可以看出在M點(diǎn)費(fèi)米能級以下約250 meV 處存在一個(gè)明顯的范霍夫奇點(diǎn).

圖3 1T-NbSeTe 能帶結(jié)構(gòu)中的范霍夫奇點(diǎn) (a)沿M-Γ-M 方向的能帶結(jié)構(gòu);(b)沿K-M-K 方向的能帶結(jié)構(gòu);(c) 布里淵區(qū)和高對稱方向;(d)沿K-M-Γ 方向的能帶結(jié)構(gòu)Fig.3.van Hove singularity in the band structure of 1T-NbSeTe:(a) Band structure along the M-Γ-M direction;(b) band structure along the K-M-K direction;(c) Brillouin zone and the high symmetry directions;(d) band structure along the K-M-Γ direction.

多體相互作用在材料中通常扮演著重要的角色,為了研究該材料中的多體相互作用,對該材料的能帶色散進(jìn)行了仔細(xì)分析,重點(diǎn)探尋是否存在電子-玻色子(聲子)耦合的跡象.通常,電子-玻色子耦合在能帶結(jié)構(gòu)中表現(xiàn)為在玻色子對應(yīng)能量處的能帶扭折,這在多種材料的電子結(jié)構(gòu)測量中都得到很好的驗(yàn)證[4,31].通過對不同能量處的動量分布曲線(MDCs)進(jìn)行擬合,并得到材料中的電子色散關(guān)系,從而判斷是否存在能帶扭折,再結(jié)合材料中存在的聲子模及其能量來判斷是否存在電子-玻色子(聲子)耦合[4,31].因此,基于測量得到的沿不同高對稱方向的能帶結(jié)構(gòu)(圖4(a),(c),(e)),對費(fèi)米能附近的主要能帶進(jìn)行了擬合,并得到相應(yīng)的色散關(guān)系.圖4(a),(c),(e)中藍(lán)色虛線方框表示擬合的能帶區(qū)域,最終擬合得到的色散關(guān)系分別如圖4(b),(d),(f)所示.為了判斷是否存在能帶扭折,對能量范圍為EF到EF–200 meV 內(nèi)的色散關(guān)系進(jìn)行線性擬合,結(jié)果如圖中黑線所示.可以看到,由MDCs擬合得到的色散關(guān)系在上述能量范圍內(nèi)可以很好地被線性擬合所描述,沒有發(fā)現(xiàn)類似2H-NbSe2中的明顯能帶扭折現(xiàn)象.

為了更直觀理解1T-NbSeTe 的電子結(jié)構(gòu),嘗試通過密度泛函理論(DFT)計(jì)算進(jìn)一步理解1TNbSeTe 的電子結(jié)構(gòu),并將其與實(shí)驗(yàn)結(jié)果(圖4(g))進(jìn)行比較.圖4(h)為DFT 計(jì)算沿圖4(g)中相同高對稱方向路徑得到的能帶色散關(guān)系.整體而言,計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果存在一定的相似性.在K-ΓK方向,計(jì)算結(jié)果中Γ點(diǎn)的空穴型能帶與實(shí)驗(yàn)結(jié)果比較符合;但是在Γ與K中點(diǎn)位置附近的電子型能帶結(jié)構(gòu)上,計(jì)算與實(shí)驗(yàn)結(jié)果有所差異.在KM-K方向,計(jì)算和實(shí)驗(yàn)結(jié)果都表現(xiàn)為電子型能帶,但其帶底能量位置有所差異.此外,實(shí)驗(yàn)在K-MΓ方向發(fā)現(xiàn)在M點(diǎn)費(fèi)米能以下約250 meV 處存在一個(gè)范霍夫奇點(diǎn),而計(jì)算結(jié)果沒有在該處發(fā)現(xiàn)范霍夫奇點(diǎn).

圖4 不同高對稱方向的能帶色散 (a) K-Γ-K 方向的能帶結(jié)構(gòu);(b)在靠近費(fèi)米能的低能區(qū)域((a)中藍(lán)色虛線方框)通過MDC擬合提取的電子色散;(c),(d)與(a),(b)類似,但沿著K-M-K 方向;(e),(f)與(a),(b)類似,但沿著M-Γ-M 方向;(g)和(h)分別為高對稱方向路徑的實(shí)驗(yàn)結(jié)果與DFT 計(jì)算結(jié)果Fig.4.Band dispersion along different high symmetry directions:(a) Band structure along the K-Γ-K direction;(b) extracted band dispersion by fitting MDCs in the low energy region near the Fermi level ((marked by the blue dashed box in (a));(c),(d),same as(a),(b),but along the K-M-K direction;(e),(f),same as (a),(b),but along the M-Γ-M direction;(g) and (h) are the experimental results and DFT calculation results along the high symmetry directions,respectively.

接下來對實(shí)驗(yàn)結(jié)果的物理內(nèi)涵及意義展開討論.首先,通過對比1T-NbSeTe 和2H-NbSe2的電子結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)它們具有很多的相似性.例如:在費(fèi)米面M點(diǎn)和K點(diǎn)周圍均存在圓形費(fèi)米口袋的結(jié)構(gòu).在2H-NbSe2中,每個(gè)原胞中包含兩個(gè)原子層,也就是兩層A-B-A 結(jié)構(gòu);因此,其電子結(jié)構(gòu)會表現(xiàn)出雙層劈裂現(xiàn)象[7,32],在費(fèi)米面上就會表現(xiàn)出兩套能帶.比如:2H-NbSe2中,費(fèi)米面在Γ點(diǎn)周圍就存在兩個(gè)圓形結(jié)構(gòu).而在對1T-NbSeTe 的測量中只存在一套,比如圖2(a)中顯示的費(fèi)米面在Γ點(diǎn)周圍就只存在一個(gè)圓形結(jié)構(gòu).這也說明該NbSeTe 樣品的原胞為一層A-B-A 結(jié)構(gòu),符合1T結(jié)構(gòu)的特征.另外,其不同等能面中表現(xiàn)出的六重對稱性也與圖1(b)所示的晶體結(jié)構(gòu)的對稱性是一致的[22].圖2(a)中1T-NbSeTe 在費(fèi)米能處有較高的電子態(tài)密度也直接說明了該材料具有金屬性,這與電輸運(yùn)的測試結(jié)果也是一致的[22].

對比1T-NbSeTe 和2H-NbSe2中的范霍夫奇點(diǎn),發(fā)現(xiàn)以前的ARPES 結(jié)果表明2H-NbSe2在費(fèi)米能級以下約35 meV 處存在范霍夫奇點(diǎn)(鞍點(diǎn))[23?25],而1T-NbSeTe 中的范霍夫奇點(diǎn)卻在費(fèi)米能級以下約250 meV 處.由于范霍夫奇點(diǎn)具有較高的電子態(tài)密度,有報(bào)道指出,費(fèi)米能附近的范霍夫奇點(diǎn)可能會對電荷密度波起到一定程度的促進(jìn)[23,33];而當(dāng)范霍夫奇點(diǎn)遠(yuǎn)離費(fèi)米能級時(shí),它對電荷密度波幾乎沒有影響.之前報(bào)道指出,在2H-NbSe2中輸運(yùn)測量發(fā)現(xiàn)電荷密度波轉(zhuǎn)變溫度為33.5 K,且ARPES測量發(fā)現(xiàn)其范霍夫奇點(diǎn)在電荷密度波相變時(shí)發(fā)生了明顯變化[23].在1T-NbSeTe 中,輸運(yùn)測量沒有發(fā)現(xiàn)明顯的電荷密度波相變的跡象[22],而測量發(fā)現(xiàn)范霍夫奇點(diǎn)位于費(fèi)米能級以下約250 meV 處.因此,1T-NbSeTe 中范霍夫奇點(diǎn)遠(yuǎn)離費(fèi)米能級與電荷密度波的減弱或消失可能存在一定的聯(lián)系.

TMDs 材料中超導(dǎo)的產(chǎn)生通常被認(rèn)為是由基于BCS 理論的電子-聲子相互作用所引起的.分析圖4 發(fā)現(xiàn),在超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度約為1.3 K 的1T-NbSe Te 中不同動量區(qū)間均沒有發(fā)現(xiàn)明顯的由電子-玻色子(聲子)耦合導(dǎo)致的能帶扭折現(xiàn)象.而之前對超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度約為7.3 K 的2H-NbSe2的ARPES實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果卻在大范圍的動量空間中發(fā)現(xiàn)了明顯的與電子-玻色子(聲子)耦合相關(guān)的能帶扭折現(xiàn)象[32,34].如果認(rèn)為在2H-NbSe2中的能帶扭折對應(yīng)的電子-玻色子(聲子)耦合對該體系的超導(dǎo)負(fù)責(zé),那么在1T-NbSeTe 中沒有出現(xiàn)明顯的能帶扭折,意味著其中的電子-玻色子(聲子)耦合非常弱,這也跟該材料中相對較低的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度(約1.3 K)是一致的.

最后,討論ARPES 實(shí)驗(yàn)結(jié)果(圖4(g))與DFT計(jì)算(圖4(h))的能帶結(jié)構(gòu)之間差異的可能原因.首先,考慮是否因?yàn)闃悠酚须s相引起.如圖1(a)所示,單晶XRD 結(jié)果僅存在1T結(jié)構(gòu)相關(guān)的4 個(gè)衍射峰,這說明晶體結(jié)晶較好且不存在明顯的雜相,即使雜相存在也是非常微弱的,這不太可能導(dǎo)致ARPES 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與DFT 計(jì)算結(jié)果之間的差異.其次注意到,在廣泛研究的2H-NbSe2中,DFT 計(jì)算結(jié)果也與實(shí)驗(yàn)得到的能帶結(jié)構(gòu)有較大差異.因此,考慮是否存在一定的電子關(guān)聯(lián)效應(yīng),導(dǎo)致DFT結(jié)果與實(shí)驗(yàn)之間的差異.之前的報(bào)道指出,在1T結(jié)構(gòu)的TMD 材料,如1T-NbSe2,1T-TaS2和1TTaSe2中,均存在電子關(guān)聯(lián)效應(yīng)[19,20,35?37].對1TNbSe2使用Te 元素進(jìn)行同族元素?fù)诫s得到的1TNbSeTe 也可能出現(xiàn)電子關(guān)聯(lián)效應(yīng),從而使得DFT計(jì)算結(jié)果不能定量描述材料能帶結(jié)構(gòu).當(dāng)然,該體系中電子關(guān)聯(lián)效應(yīng)及其強(qiáng)度還需要今后更進(jìn)一步的研究.

4 結(jié)論

通過對1T-NbSeTe 進(jìn)行角分辨光電子能譜研究,本文首次揭示了該材料體系的電子能帶結(jié)構(gòu).在動量空間M點(diǎn),費(fèi)米能級以下約250 meV 處,發(fā)現(xiàn)存在一個(gè)范霍夫奇點(diǎn)并具有較強(qiáng)的電子態(tài)密度.相比于2H-NbSe2中的范霍夫奇點(diǎn),1T-NbSeTe中存在的范霍夫奇點(diǎn)離費(fèi)米能很遠(yuǎn),很難對材料的電荷密度波或其他輸運(yùn)性質(zhì)產(chǎn)生影響.在該材料中多體相互作用的探索方面,對1T-NbSeTe 的能帶色散關(guān)系進(jìn)行了線性擬合,沒有發(fā)現(xiàn)與電子-玻色子(聲子)耦合對應(yīng)的明顯能帶扭折特征,顯示出1T-NbSeTe 中電子-玻色子耦合較弱,這也與2HNbSe2中的結(jié)果不同[32,34].在2H-NbSe2等TMDs材料中,一般認(rèn)為材料中較強(qiáng)的電子-玻色子(聲子)耦合會對材料的超導(dǎo)電性起到促進(jìn)作用.本文研究結(jié)果為1T-NbSeTe 中較低的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度提供了可能的解釋.另一方面,在1T-NbSeTe 的輸運(yùn)實(shí)驗(yàn)中,沒有發(fā)現(xiàn)電荷密度波的證據(jù)[22].如果認(rèn)為TMDs 材料中的電荷密度波與電子-玻色子(聲子)耦合密切相關(guān),那么上述輸運(yùn)結(jié)果也與電子結(jié)構(gòu)測量的結(jié)果一致.從這個(gè)角度講,在該材料體系中,超導(dǎo)與電荷密度波并不是簡單的競爭關(guān)系.我們注意到,在1T-NbSe2薄膜中存在明顯的電荷密度波態(tài)[19].那么從1T-NbSe2到1T-NbSeTe,電荷密度波是如何隨著Te 元素?fù)诫s演變值得進(jìn)一步研究.這對于理解TMDs 中電荷密度波的起源有著積極作用.

感謝SSRL 同步輻射光源的路東輝博士和Hashimoto Makoto 博士對實(shí)驗(yàn)的幫助與支持.感謝SSRL 同步輻射光源對實(shí)驗(yàn)的支持,SSRL 同步輻射光源得到美國能源部、科學(xué)辦公室、基礎(chǔ)能源科學(xué)辦公室的支持(合同編號為DEAC02-76SF00515).