朱 杰,彭同江,孫紅娟,王 婭,劉 波,羅利明
(1.西南科技大學 環(huán)境與資源學院,四川 綿陽 621010;2.西南科技大學 礦物材料及應(yīng)用研究所,四川 綿陽 621010;3.西南科技大學 固體廢物處理與資源化教育部重點實驗室,四川 綿陽 621010;4.西南科技大學 分析測試中心,四川 綿陽 621010)
膨脹石墨以其優(yōu)異的物理化學性能和良好的環(huán)境協(xié)調(diào)性被廣泛應(yīng)用于化工、石油、能源、環(huán)境修復和密封等領(lǐng)域[1-2],是一種發(fā)展?jié)摿薮蟮墓δ艿V物材料。為了獲得膨脹倍數(shù)高的優(yōu)質(zhì)膨脹石墨,對膨脹石墨的制備工藝及其微觀結(jié)構(gòu)進行了研究。
膨脹石墨的制備方法主要有插層法和氧化法,其中氧化法包括化學氧化法和電化學氧化法。化學氧化法是工業(yè)應(yīng)用最成熟的方法[3],具體步驟是將鱗片石墨經(jīng)過插層和氧化,再經(jīng)水洗、干燥和高溫膨脹后獲得一種疏松多孔的蠕蟲狀物質(zhì)[4-5]。對于插層法,石墨的層狀結(jié)構(gòu)及碳原子層中含有的π電子決定了插層的可能性[6]。在強氧化劑的作用下,含氧官能團可與網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的碳形成共價鍵,這導致石墨結(jié)構(gòu)層之間的距離增大,有利于其他離子或分子進入。因此,天然鱗片石墨與氧化劑發(fā)生反應(yīng)可使石墨邊緣被打開,從而可以使插層劑進入石墨層間形成石墨層間化合物。在已有的研究中,鱗片石墨在強酸和強氧化劑的共同作用下能夠形成膨脹石墨,如:吳會蘭等[7]以HClO3為插層劑,以CrO3、KMnO4等為氧化劑,常溫下反應(yīng)40 min,獲得了220 ℃下膨脹容為201 mL/g的膨脹石墨;馮曉彤等[8]以K2CrO7為氧化劑、H2SO4為插層劑,反應(yīng)120 min,獲得的膨脹石墨的膨脹容達260 mL/g;SYKAM等[9]以鱗片石墨為原料、KMnO4為氧化劑,在高氯酸與醋酸酐混合液中反應(yīng)10 s,再經(jīng)微波處理50 s,獲得的膨脹石墨的最大膨脹容可達565 mL/g。如前所述,傳統(tǒng)插層方法一般采用K2CrO7、KMnO4、KClO3等作為固體氧化劑,采用HNO3、金屬氧化物等作為插層劑,插層效果良好[10]。但此類方法所用的氧化劑不僅成本較高,而且生產(chǎn)中產(chǎn)生的含重金屬離子的廢水難以處理,限制了其在工業(yè)上的應(yīng)用。H2O2是一種液體氧化劑,分解后的產(chǎn)物是水,對環(huán)境無危害。因此,用濃H2SO4、H2O2進行化學氧化插層是一種簡單可行的制備膨脹石墨的方法[11],但是該法所得膨脹石墨的膨脹容往往較低,不能滿足實際使用要求。
利用過硫酸鹽制備膨脹石墨的方法已有報道,且過硫酸鈉相對于其他過硫酸鹽(如過硫酸鉀、過硫酸銨)具有成本低、氧化穩(wěn)定等優(yōu)點[12-13],同時,過硫酸鈉是一種常用的廢液處理劑和漂白劑,對環(huán)境污染相對較小,但過硫酸鈉對膨脹石墨制備過程及其性能的影響尚未得到深入研究。因此,本實驗針對插層法制備膨脹石墨存在膨脹容低、化學法存在重金屬污染等問題,在濃硫酸和雙氧水體系中,選用過硫酸鈉為插層劑,通過對鱗片石墨進行插層制備系列膨脹石墨樣品,探討過硫酸鈉用量對膨脹石墨膨脹容的影響,并通過對樣品結(jié)構(gòu)、微觀形貌等的表征進一步揭示過硫酸鈉的插層機理。
天然鱗片石墨(碳質(zhì)量分數(shù)不低于99.5%)、過硫酸鈉(質(zhì)量分數(shù)不低于98%)、濃硫酸(分析純級,質(zhì)量分數(shù)為95%~98%)、過氧化氫(分析純級,質(zhì)量分數(shù)為30%)、去離子水(電阻率高于18.25 MΩ?cm)。
稱取1.0 g鱗片石墨放入150 mL燒杯中,然后加入6 mL 質(zhì)量分數(shù)為98%的濃硫酸并用玻璃棒攪拌均勻;再分別稱取0、1、2、3、4、5、6、7 g過硫酸鈉粉末,加入燒杯中用玻璃棒攪拌均勻后置于磁力攪拌器上繼續(xù)攪拌;取1.25 mL雙氧水(過氧化氫)沿玻璃棒緩慢滴加至燒杯中得到懸濁液,并用水銀溫度計控制反應(yīng)溫度,攪拌反應(yīng)2 h;將燒杯取下靜置24 h,使鱗片石墨自發(fā)插層和膨脹;反應(yīng)結(jié)束后,用超純水過濾、洗滌,至中性后置于60 ℃烘箱中烘干,獲得系列膨脹石墨樣品。樣品編號為EFG-n,n代表過硫酸鈉用量。
采用掃描電子顯微鏡(SEM)對樣品形貌進行表征;采用Nicolet-5700 型紅外光譜儀對樣品進行FTIR分析;采用X'pert Pro型X射線衍射儀(XRD)對樣品結(jié)構(gòu)進行分析;采用InVia型激光拉曼光譜儀對樣品進行Raman光譜測試。
圖1為鱗片石墨原樣(FG)與過硫酸鈉用量為6 g時制備的膨脹石墨樣品的SEM圖。由圖1(a)可以看出,鱗片石墨呈片形板狀,表面光滑平整,致密性好;由圖1(b)可以看出,經(jīng)化學插層自膨脹處理后獲得的膨脹石墨樣品已沿層間域膨脹解理,形成疊瓦狀構(gòu)造,膨大的孔洞之間多相互連通,個別較為封閉,表面起伏不平,呈瓦壟狀。
圖1 鱗片石墨原樣和膨脹石墨樣品的SEM圖
圖2為鱗片石墨原樣與過硫酸鈉(Na2S2O8)用量不同時制備的膨脹石墨樣品的XRD圖。
圖2 鱗片石墨原樣與Na2S2O8用量不同時制備的膨脹石墨樣品的XRD圖
由圖2可知:鱗片石墨的特征衍射峰為d002=3.356 3 ×10-10m;在濃硫酸和雙氧水體系中,經(jīng)Na2S2O8處理后,膨脹石墨的特征衍射峰向低角度偏移,d值整體表現(xiàn)為隨著Na2S2O8用量的增加先增大后減?。籈FG-2樣品的d002=3.384 5×10-10m,達到最大,同時特征衍射峰的寬度也逐漸寬化。分析認為:隨著插層劑分子沿石墨邊緣進入層間域中,石墨層間距變大,化學助劑產(chǎn)生的氧氣的氣體壓力導致石墨膨脹,而化學助劑的氧化作用導致石墨結(jié)構(gòu)層的完整性和有序性降低;同時,在d值增大后,減小了石墨結(jié)構(gòu)層之間的分子聯(lián)結(jié)力。
圖3是鱗片石墨原樣與Na2S2O8用量不同時制備的膨脹石墨樣品的FTIR。由圖3可以看出:膨脹石墨樣品(EFG-1-EFG-7)相對于原樣(FG)在1 200 cm-1附近出現(xiàn)了一個弱峰,為羥基的伸縮振動峰,表明鱗片石墨在Na2S2O8、H2O2和濃硫酸作用下除產(chǎn)生氣體插層膨脹外,還引入了羥基;在1 050 cm-1附近出現(xiàn)了新的SO42-對稱伸縮振動峰[4],隨著Na2S2O8用量的增加,峰強總體有所下降,峰形逐漸寬化,這表明SO42-插層進入了石墨層間;在3 450 cm-1及1 650 cm-1附近出現(xiàn)的強振動峰分別屬于吸附水伸縮振動峰和彎曲振動吸收峰[14];2 950 cm-1和2 860 cm-1處的吸收峰為-CH2的反對稱與對稱伸縮振動峰,這與環(huán)境氣氛和溴化鉀壓片引入的雜質(zhì)有關(guān)[15]。
圖4是鱗片石墨原樣與Na2S2O8用量不同時制備的膨脹石墨樣品的Raman光譜。由圖4可知:鱗片石墨原樣分別在1 578 cm-1、2 723 cm-1處出現(xiàn)了G峰和2D峰[16],表明晶體結(jié)構(gòu)完整,結(jié)構(gòu)有序度高;經(jīng)過插層膨脹處理后的膨脹石墨樣品,隨著Na2S2O8用量的增加在1 350 cm-1處出現(xiàn)了D峰,且峰強逐漸增大,表明插層膨脹過程中Na2S2O8對鱗片石墨具有一定的氧化作用,在碳原子層上接入羥基后,導致結(jié)構(gòu)有序度降低。
圖4 鱗片石墨原樣與Na2S2O8用量不同時制備的膨脹石墨樣品的Raman光譜
2.5.1 膨脹容
圖5為Na2S2O8用量對膨脹石墨膨脹容的影響曲線。由圖5可以看出:采用化學插層自膨脹法獲得了具有良好膨脹性能的膨脹石墨;膨脹石墨的膨脹容隨著Na2S2O8用量的增加呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢;當Na2S2O8用量為6 g時膨脹容達到最大,為179 mL/g,表明此條件下的膨脹效果最好。Na2S2O8用量較小時,進入石墨層間的Na2S2O8分子數(shù)較少,與水反應(yīng)釋放的氧氣分子數(shù)較少,因而對石墨結(jié)構(gòu)層的膨脹壓力較小,所形成的膨脹石墨的膨脹容也較?。浑S著Na2S2O8用量的增加,Na2S2O8的強氧化性使石墨產(chǎn)生氧化作用,并在石墨結(jié)構(gòu)層上接入羥基。
圖5 Na2S2O8用量對膨脹石墨膨脹容的影響曲線
分析認為,當Na2S2O8用量達到一定閾值(如高于6 g)后,由于Na2S2O8產(chǎn)生的氧氣消耗在石墨結(jié)構(gòu)層的氧化上,降低了氧氣對結(jié)構(gòu)層的膨脹壓力,從而使膨脹石墨的膨脹容變小。在所設(shè)定的化學插層自膨脹反應(yīng)體系中,Na2S2O8、H2SO4、H2O2進入石墨層間后發(fā)生了如下反應(yīng):
2Na2S2O8+2H2O=2Na2SO4+2H2SO4+O2,
(1)
2H2O2=2H2O+O2。
(2)
式(1)、式(2)反應(yīng)生成的氧氣[13,17]的壓力有效地撐開了石墨片層,實現(xiàn)了石墨的膨脹。石墨膨脹過程見圖6。
圖6 化學插層自膨脹法制備膨脹石墨的過程
2.5.2 電導率
表1為Na2S2O8用量不同時制備的膨脹石墨樣品的電導率。
表1 膨脹石墨樣品的電導率
由表1可以看出,膨脹石墨樣品的電導率的總體變化趨勢是隨著Na2S2O8用量的增加而逐漸降低,表明在反應(yīng)過程中隨著Na2S2O8用量的增加,其對石墨的氧化作用也逐漸增強。相比傳統(tǒng)化學氧化法制備的膨脹石墨,該法制備的膨脹石墨的電導率提高了1~2個數(shù)量級[15,18]。
2.5.3 其他性能
對優(yōu)化條件下(H2SO4、H2O2、Na2S2O8用量分別為6 mL、1.25 mL、6 g)制備的膨脹石墨樣品EFG-6,按照GB 10698-1989要求測定了主要技術(shù)性能指標,結(jié)果見表2。
表2 膨脹石墨技術(shù)性能指標
由表2可知,采用化學插層自膨脹法制備的膨脹石墨的技術(shù)指標滿足GB 10698-1989中KP300-Ⅲ型優(yōu)等品的性能指標要求。
a.以天然鱗片石墨為原料,在濃硫酸和雙氧水體系中,進一步添加Na2S2O8作為插層劑,成功制備了結(jié)構(gòu)有序度高、電導率高的膨脹石墨。
b.隨著Na2S2O8用量的增加,膨脹石墨的特征衍射峰明顯寬化,強度降低,并且向低角度偏移。膨脹石墨樣品(EFG-1-EFG-7)相對于原樣(FG)在1 200 cm-1附近出現(xiàn)了一個弱峰,為羥基的伸縮振動峰,在1 050 cm-1附近出現(xiàn)了新的SO42-對稱伸縮振動峰,表明SO42-插層進入了石墨層間。
c.Na2S2O8用量對膨脹石墨的膨脹容具有明顯的影響,當H2SO4、H2O2、Na2S2O8用量分別為6 mL、1.25 mL、6 g時,膨脹石墨的膨脹容最大,為179 mL/g。在H2SO4-H2O2體系中,加入Na2S2O8制備的膨脹石墨的主要技術(shù)指標優(yōu)于GB 10698-1989中KP 300-Ⅲ型膨脹石墨優(yōu)等品的指標。