王 強(qiáng), 楊婷婷, 薛小斌, 臧俊斌, 張?jiān)鲂? 薛晨陽(yáng)
(中北大學(xué) 儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測(cè)試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,山西 太原 030051)
超聲換能器在許多領(lǐng)域都被廣泛應(yīng)用,如醫(yī)學(xué)成像、無(wú)損檢測(cè)、目標(biāo)識(shí)別等領(lǐng)域[1,2]。隨著微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical system,MEMS)技術(shù)的日益進(jìn)步,MEMS超聲換能器取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。MEMS超聲換能器相比于傳統(tǒng)的超聲換能器展示出了許多優(yōu)勢(shì),如體積小,功耗低,可批量制造,一致性好[3]。目前MEMS超聲換能器主要有電容式MEMS超聲換能器和壓電式超聲換能器兩種[4]。電容式MEMS超聲換能器可以達(dá)到較高的機(jī)電耦合系數(shù),但是也需要小的空氣間隔和大的偏置電壓,制造難度較大。壓電式超聲換能器則不需要偏置電壓也可以工作。目前廣泛應(yīng)用的壓電材料主要是鋯鈦酸鉛(PZT)和氮化鋁(AlN)。雖然AlN的壓電系數(shù)較PZT低,但AlN的介電常數(shù)更小,這使得用AlN可以達(dá)到比PZT更高的性能。
本文設(shè)計(jì)了一種以AlN為壓電材料的超聲換能器陣列,通過(guò)有限元分析和理論推導(dǎo)對(duì)其進(jìn)行了動(dòng)態(tài)性能分析。用安捷倫精密阻抗分析儀Aglient4284測(cè)量了所加工的壓電MEMS超聲換能器的阻抗曲線,推導(dǎo)出其機(jī)電耦合系數(shù)為0.16 %。
圖1為MEMS超聲換能器的結(jié)構(gòu)示意圖,器件由兩部分組成:Mo/AlN/Mo壓電層和刻蝕有空腔的SOI襯底。
圖1 MEMS超聲換能器的結(jié)構(gòu)示意
在外加電場(chǎng)V的作用下,壓電層中的應(yīng)變可以用應(yīng)變—電荷本構(gòu)方程得出
[εxxεyyεzzεxyεxzεxy]=dTV
(1)
式中d為AlN的耦合矩陣,ε為壓電層中的應(yīng)變
當(dāng)電場(chǎng)沿著z方向時(shí),εxx=εyy=d31Vzεzz=d33Vz。壓電層在z方向拉伸,而在x,y兩個(gè)方向收縮。當(dāng)電場(chǎng)為交變電場(chǎng)時(shí),壓電層做周期性地拉伸與收縮,從而向環(huán)境發(fā)出聲信號(hào)。
模態(tài)分析可用于確定超聲換能器工作時(shí)的振動(dòng)特性。超聲換能器工作在諧振頻率下向周?chē)橘|(zhì)發(fā)送聲波。圖2為超聲換能器的前四階諧振頻率的模態(tài)圖。從圖中可以看出在一階模態(tài)下超聲換能器有著最大的振幅和最大的表面平均速度,因而可以實(shí)現(xiàn)更高的聲耦合。
圖2 超聲換能器的前四階模態(tài)
對(duì)于平面膜來(lái)說(shuō)其一階諧振頻率為
(2)
通??梢酝ㄟ^(guò)改變空腔的半徑和振動(dòng)薄膜的厚度來(lái)改變超聲換能器的諧振頻率,由于諧振頻率與空腔的半徑的平方成反比,空腔半徑的變化對(duì)諧振頻率的影響更大,一般通過(guò)改變空腔的半徑來(lái)使超聲換能器工作在所期望的頻率。如圖3所示。
圖3 諧振頻率的影響因素
薄膜振動(dòng)產(chǎn)生的軸向聲壓可以表示為
(3)
式中c0為聲速,u0為振動(dòng)速度的幅值,ρ0為密度,kw為波數(shù),r為距離聲源的距離。圖4是在COMSOL中超聲換能器施加幅值為1 V、頻率為0.2 MHz的激勵(lì)電源時(shí)的聲場(chǎng)傳播的示意圖。
圖4 聲場(chǎng)傳播示意
在外加電場(chǎng)V下,壓電層中徑向和切向的應(yīng)力分別為[5]
(4)
(5)
式中p為換能器所受到的載荷,E和υ為壓電材料的楊氏模量和泊松比,a為空腔半徑,r為上電極半徑,zp為壓電層的中平面與振動(dòng)膜的中性面的距離,D為振動(dòng)膜的的抗彎剛度。
為了提高超聲換能器發(fā)射聲場(chǎng)的效率,上電極的邊緣應(yīng)位于壓電層中應(yīng)力為0的地方
σr(r)+σθ(r)=0
(6)
圖5是在COMSOL中超聲換能器施加幅值為1 V、頻率為0.2 MHz的激勵(lì)電源時(shí)壓電層中的應(yīng)力云圖,可以看出在空腔半徑的70 %處應(yīng)力的符號(hào)出現(xiàn)了反轉(zhuǎn),與理論計(jì)算結(jié)果一致。
圖5 電源激勵(lì)下壓電層的應(yīng)力云圖
經(jīng)過(guò)MEMS標(biāo)準(zhǔn)工藝加工后,壓電MEMS超聲換能器陣列在共聚焦顯微鏡下如圖6所示。
圖6 共聚焦顯微鏡下超聲換能器的正面
所加工的超聲換能器陣列為4×4,空腔半徑為50 μm,相比于單個(gè)超聲換能器,陣列式的機(jī)電耦合系數(shù)會(huì)有效地增加。
用安捷倫精密阻抗分析儀Aglient4284測(cè)試所加工的超聲換能器其阻抗—頻率曲線,結(jié)果如圖7所示。
圖7 壓電超聲換能器的阻抗曲線
機(jī)電耦合系數(shù)是用來(lái)表征換能器的電能與機(jī)械能轉(zhuǎn)化效率的一個(gè)重要參數(shù),可以從阻抗譜線計(jì)算得出[6]
(7)
式中fa和fr分別為反諧振頻率和諧振頻率,圖7中反諧振頻率和諧振頻率分別為2.38 MHz和2.36 MHz。代入式(7),計(jì)算得到的機(jī)電耦合系數(shù)為1.6 %。
本文通過(guò)有限元仿真軟件COMSOL Multiphysics結(jié)合MEMS超聲換能器的理論推導(dǎo),對(duì)所設(shè)計(jì)的壓電MEMS超聲換能器做了模態(tài)分析、諧振頻率分析和應(yīng)力分析,優(yōu)化了上電極的半徑。對(duì)所加工的壓電超聲換能器測(cè)量其阻抗曲線并計(jì)算出機(jī)電耦合系數(shù)為1.6 %,為后續(xù)壓電MEMS超聲換能器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用提供了一定的參考價(jià)值。