全無機(jī)鈣鈦礦CsPbX3在發(fā)光顯示領(lǐng)域的研究進(jìn)展

徐蔚姌，蔡園園

（中央民族大學(xué) 理學(xué)院，北京 100081）

0 引言

顯示屏作為人機(jī)交互的媒介，人們對其功能和質(zhì)量的要求都越來越高。人類歷史上最早出現(xiàn)的顯示屏技術(shù)是陰極射線管（CRT），但其由于工作電壓高、有輻射、體積大等缺點(diǎn)逐漸被人們所淘汰。在20世紀(jì)80年代中期，液晶顯示屏（LCD）因其優(yōu)異的性能逐漸將人類帶進(jìn)平板顯示時(shí)代，液晶顯示器是由一個(gè)白光背光源、偏光紅綠藍(lán)（RGB）三色濾光片、液晶層及其控制電路組成，白光光源發(fā)出的白光首先被極化，能夠與器件頂部的偏光片的偏正相匹配，然后通過RGB濾色片后形成三種單色光，最后通過控制液晶的轉(zhuǎn)向來決定是否讓光射出，最后形成彩色畫面。隨著人類科技水平的提高，液晶顯示器由于其發(fā)光效率低、響應(yīng)速度慢、畫面失真和不滿足曲面/柔性顯示等要求，也將逐漸退出歷史舞臺(tái)。

針對LCD不能滿足人們生活需求的問題，科學(xué)家們逐漸開發(fā)出具有電致主動(dòng)發(fā)光、色域?qū)?、發(fā)光峰窄和柔性可彎曲等特點(diǎn)的新型顯示材料。典型的新型顯示材料包括有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）、量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）和鈣鈦礦發(fā)光二極管（PeLED）。近年來，有機(jī)發(fā)光二極管因其優(yōu)異的發(fā)光性能已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于人們生活的各個(gè)領(lǐng)域，其基本的工作原理是把小分子和聚合物染料當(dāng)做發(fā)光層，然后配合各個(gè)P型和N的半導(dǎo)體材料作為功能層，形成一個(gè)有機(jī)二極管，當(dāng)有電流通過時(shí)，內(nèi)部形成的電場驅(qū)動(dòng)正負(fù)極的空穴和電子注入到發(fā)光層，兩種載流子在發(fā)光層由基態(tài)變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)，這種能量以光的形式釋放，這就是電致發(fā)光。

OLED雖然已經(jīng)產(chǎn)業(yè)化，但是其仍然存在一些缺點(diǎn)會(huì)影響到人們的使用，首先OLED是由有機(jī)材料構(gòu)成，相比于無機(jī)材料，有機(jī)材料易受水氧的影響，其壽命和穩(wěn)定性都有一些問題；其次OLED的各種顏色是由多種材料構(gòu)成的，其中紅光和綠光的純度不夠高，藍(lán)光的效率太低。因此科學(xué)家們陸續(xù)提出利用量子點(diǎn)和鈣鈦礦等材料來制備顯示屏[1]，希望達(dá)到更優(yōu)的發(fā)光性能和更高的穩(wěn)定性。所謂的量子點(diǎn)就是一種能夠發(fā)光的無機(jī)半導(dǎo)體納米晶，其半徑在三個(gè)維度上都小于其對應(yīng)半導(dǎo)體材料的波爾半徑，由少量原子構(gòu)成，直徑一般在2～20nm之間，一般為球形或者類球形，由于量子尺寸效應(yīng)的存在，可以通過調(diào)整納米顆粒的大小來調(diào)節(jié)發(fā)光的波長，因此具有色純度高、色彩飽和、可以覆蓋整個(gè)可見光范圍和溶液可加工等優(yōu)點(diǎn)，有成為新一代顯示設(shè)備的潛力。量子點(diǎn)顯示根據(jù)驅(qū)動(dòng)方式的不同可以將其分為光致發(fā)光和電致發(fā)光，在外部能量（光照、電壓）的驅(qū)動(dòng)下，電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，處于激發(fā)態(tài)的電子和空穴容易復(fù)合形成激子，當(dāng)電子從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)時(shí)，所釋放的能量以光的形式發(fā)出。

量子點(diǎn)發(fā)光材料雖然具有優(yōu)異的發(fā)光性能，但是典型的量子點(diǎn)發(fā)光材料硒化鎘（CdSe）含有重金屬鎘（Cd），對環(huán)境十分不友好，很難實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，因此鈣鈦礦發(fā)光材料應(yīng)運(yùn)而生。鈣鈦礦材料是指具有ABX3結(jié)構(gòu)的這一類半導(dǎo)體化合物，其晶體結(jié)構(gòu)一般為立方體，鈣鈦礦材料不僅具有無機(jī)物優(yōu)異的電學(xué)性能，還具有有機(jī)物的柔性可彎曲、光電轉(zhuǎn)換效率高等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于太陽能電池、發(fā)光二極管、光電探測器等領(lǐng)域[2]。鈣鈦礦發(fā)光材料分為有機(jī)-無機(jī)雜化和全無機(jī)材料，鈣鈦礦材料合成簡單、光電性能好，廣泛應(yīng)用于發(fā)光器件，尤其是全無機(jī)鈣鈦礦，相比于QLED和OLED，有著更穩(wěn)定的性能，色純度更高、色域更廣等優(yōu)異的光學(xué)性能，更符合人們對于高性能顯示屏的要求，研究者們對從材料、結(jié)晶過程、加工方法等多個(gè)方面研究全無機(jī)鈣鈦礦材料，致力于將其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

本文總結(jié)了全無機(jī)鈣鈦礦CsPbX3在發(fā)光顯示中的發(fā)展現(xiàn)狀。首先對CsPbX3的分子結(jié)構(gòu)以及發(fā)光特性進(jìn)行了簡單的回顧，對材料本身的研究有利于在發(fā)光二極管的制備中對器件性能進(jìn)行優(yōu)化；然后總結(jié)了近些年來全無機(jī)鈣鈦礦CsPbX3在發(fā)光二極管方面的研究進(jìn)展，分別總結(jié)了紅綠藍(lán)三色發(fā)光二極管的研究現(xiàn)狀，探討了鈣鈦礦應(yīng)用于顯示屏的可能性；最后針對顯示屏制備所必需的圖案化的制造技術(shù)，重點(diǎn)總結(jié)了噴墨打印技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用實(shí)例，為后續(xù)鈣鈦礦顯示屏的研究指明了方向[3]。

1 材料特性

1.1 分子結(jié)構(gòu)

鈣鈦礦材料是俄羅斯礦物學(xué)家Lev Perovski發(fā)現(xiàn)于烏拉爾山的變質(zhì)巖石中，是一種由鈣鈦氧化物組成的鈦酸鈣礦物質(zhì)，其化學(xué)式為CaTiO3，后來為了紀(jì)念他便以他的名字命名[4]。將具有CaTiO3這種正八面體結(jié)構(gòu)的物質(zhì)稱之為鈣鈦礦，其結(jié)構(gòu)通式ABX3。其中A為有機(jī)離子：甲胺離子（MA+）、乙胺離子（FA+）或者是無機(jī)離子銫離子（Cs+）；B為2價(jià)金屬離子，可以是Pb2+，Sn2+等離子；X為鹵素離子：Cl-，Br-，I-等。隨著研究的深入，人們已發(fā)現(xiàn)的類似這種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的材料已達(dá)數(shù)百余種，它們都具有許多獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)[5]，發(fā)光/吸光性、電催化性等，這讓其在化學(xué)、物理、生物等領(lǐng)域都有著巨大的應(yīng)用前景。

圖1(a)為鈣鈦礦材料的結(jié)構(gòu)模型圖，一般來說可以通過改變A和B兩點(diǎn)的原子種類，來調(diào)節(jié)鈣鈦礦材料的禁帶寬度，從而獲得具有不同物化性質(zhì)的鈣鈦礦材料。而對于CsPbX3（X=Cl,Br,I）而言，用無機(jī)金屬Cs+、Pb2+和鹵素離子（Cl-，Br-，I-）分別占據(jù)結(jié)構(gòu)模型中A、B、X的原子位置，形成全無機(jī)鈣鈦礦材料。這種材料具有優(yōu)異的電子傳輸能力、高的量子產(chǎn)率、以及熱穩(wěn)定性和濕度穩(wěn)定性，是光電器件領(lǐng)域的重要材料[6]。

1.2 發(fā)光特性

近幾年，鈣鈦礦及相關(guān)材料被廣泛應(yīng)用[7]，在太陽能電池、有機(jī)發(fā)光二極管等領(lǐng)域的發(fā)展速度令人驚嘆，短短幾年時(shí)間，效率已經(jīng)提升到了一個(gè)非常高的值。這其中非常重要的一個(gè)因素就是，鈣鈦礦材料自身的禁帶寬度可以通過對材料進(jìn)行改進(jìn)來調(diào)節(jié)，因此能夠保證較高吸光系數(shù)，最大限度提高太陽光的利用率。改變鈣鈦礦材料的帶隙，可以擴(kuò)大材料對太陽光的吸收范圍。鈣鈦礦材料的禁帶寬度可以通過以下幾種途徑進(jìn)行調(diào)整。第一：改變A處占位原子的基團(tuán)，在鈣鈦礦ABX3的結(jié)構(gòu)中，可以改變占據(jù)A原子的種類，調(diào)節(jié)化學(xué)鍵的角度和長度，從而影響材料的禁帶寬度。研究表明用HC(NH2)2+(FA+)取代MA+基團(tuán)制備的鈣鈦礦材料的禁帶寬度減少了0.07eV，最終將可利用光的波長擴(kuò)展了40nm[8]。第二：改變B占位原子的種類，用Sn2+來取代MAPbI3材料中Pb2+離子，通過改變兩種陽離子比例可以讓鈣鈦礦材料的禁帶寬度在1.17-1.55eV可調(diào)。第三：改變X鹵素原子的比例或者種類，也可以調(diào)節(jié)其禁帶寬度，進(jìn)而得到全光譜發(fā)光的鈣鈦礦材料[9]。

全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)是指將ABX3結(jié)構(gòu)通式中A,B,X原子分別用Cs,Pb或Sn和鹵素原子（Cl,Br,I或者兩者的混合物）替代。因量子限域效應(yīng)的存在，CH3NH3PbX3和CsPbX3量子點(diǎn)均顯示出非常高的量子產(chǎn)率(70%-90%)，尤其是對CsPbX3量子點(diǎn)而言，其量子產(chǎn)率甚至可以達(dá)到90%[9]。鈣鈦礦材料的合成比較簡單，一般可以通過調(diào)節(jié)反應(yīng)溫度從而控制其尺寸大小，其中粒徑介于1～20nm之間的鈣鈦礦材料稱之為鈣鈦礦量子點(diǎn)。此外，通過調(diào)控鹵素離子的組成及比例也可以改變熒光波長。Protesescu等人首次實(shí)現(xiàn)CsPbX3納米晶的合成，通過調(diào)整材料組分和量子尺寸效應(yīng)，帶隙能量和發(fā)射光譜在410～700nm的整個(gè)可見光譜區(qū)域都很容易被調(diào)諧圖1(b)。獲得的全無機(jī)鈣鈦礦CsPbX3納米晶體的光致發(fā)光特性是：12～42nm的半峰寬，寬的色域覆蓋NTSC色標(biāo)的140%，高的量子產(chǎn)率高達(dá)90%，輻射壽命在1～29ns[9]。

圖1 (a)鈣鈦礦的正八面體結(jié)構(gòu) (b)光譜隨組分變化而變化

2 CsPbX3發(fā)光二極管

2.1 綠光發(fā)光二極管

自2014年劍橋大學(xué)Richard H.Friend教授首次點(diǎn)亮鈣鈦礦LED以來，鈣鈦礦二極管得到了突飛猛進(jìn)的發(fā)展，其中以CsPbX3多晶薄膜作為發(fā)光層的全無機(jī)鈣鈦礦發(fā)光二極管是研究的熱門領(lǐng)域[10]。2015年，曾海波教授課題組首次基于CsPbX3納米晶薄膜制備了發(fā)光二極管，其二極管器件結(jié)構(gòu)為 ITO/ PEDOT:PSS/ PVK/ 鈣鈦礦/TPBi/ LiF/Al（見圖2a），其中 PEDOT:PSS和PVK 分別為空穴注入層和空穴傳輸層，TPBi 和LiF分別為電子傳輸層和電子注入層，全無機(jī)鈣鈦礦CsPbX3為發(fā)光層，該器件實(shí)現(xiàn)了綠光PeLED的亮度為946cd m-2（圖2b），但是外量子效率（EQE）只有0.12%，然后基于鈣鈦礦納米晶的性質(zhì)，對鈣鈦礦組分進(jìn)行調(diào)整[11]，實(shí)現(xiàn)了藍(lán)色和橘色LED的制備。雖然已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了全無機(jī)鈣鈦礦發(fā)光二極管的制備，但是極低的EQE限制了其應(yīng)用價(jià)值，2016年加拿大多倫多大學(xué)Sargent教授課題組利用配體交換法，將鈣鈦礦的熒光量子產(chǎn)率（PLQY）從49%提升到71%，最終將綠光鈣鈦礦的外量子效率提高到3%，亮度達(dá)到330 cd m-2，同樣的方法用到藍(lán)光LED，效率可以達(dá)到1.9%，亮度達(dá)到35cd m-2[12]。2017年，日本山行大學(xué)的Takayuki等人用一種含有乙酸丁酯的酯溶劑對鈣鈦礦進(jìn)行處理[13]，得到了半峰寬為19nm、量子點(diǎn)產(chǎn)率為42%的鈣鈦礦薄膜，最終實(shí)現(xiàn)了外量子效率為8.73%的綠光鈣鈦礦發(fā)光器件的制備。同年，浙江大學(xué)金一政教授課題組和南京工業(yè)大學(xué)王建浦教授團(tuán)隊(duì)合作[14]，用PBA(phenylbutylammonium)對CsPbX3納米晶薄膜進(jìn)行鈍化，最終形成一種具有量子肼結(jié)構(gòu)PBA2(CsPbBr3)n-1PbBr4鈣鈦礦薄膜，基于這種鈣鈦礦薄膜，得到了外量子效率為10.4%的鈣鈦礦發(fā)光器件，這是全無機(jī)鈣鈦礦CsPbX3發(fā)光二極管的外量子效率首次超過10%。2018年，曾海波教授課題組[15]通過三配體表明工程策略，使用TOAB (tetraoctylammonium bromide),DDAB (didodecyldimethylammonium bromide)和OTAc (octanoic acid)對鈣鈦礦薄膜進(jìn)行處理，達(dá)到了外量子效率達(dá)到61%的鈣鈦礦薄膜，最終的鈣鈦礦發(fā)光器件的EQE達(dá)到11.6%[16]。同年，華僑大學(xué)魏展畫教授課題組[17]在鈣鈦礦發(fā)光層和電子傳輸層之間加入聚合物PMMA作為阻斷層，同時(shí)利用MABr包裹CsPbBr3晶體的方式，平衡載流子的注入，MABr殼可以減少晶體表面非輻射缺陷，提高了量子產(chǎn)率。最終得到發(fā)光器件的外量子效率為20.31%（圖2c和d），這表明綠光鈣鈦礦發(fā)光器件的外量子效率已經(jīng)接近理論發(fā)光效率，為鈣鈦礦顯示屏的研發(fā)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)[18]。

圖2 (a)綠光發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)圖 (b)綠光器件光電性能測試圖(c)綠光發(fā)光器件實(shí)物圖 (d)綠光器件性能測試圖

2.2 紅光和藍(lán)光發(fā)光二極管

鈣鈦礦綠光發(fā)光二極管是目前為止發(fā)展的最好的鈣鈦礦發(fā)光材料，但是要想實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦顯示屏的制備，紅綠藍(lán)三基色的發(fā)光二極管研發(fā)必不可少，相比于綠光發(fā)光二極管，紅光和藍(lán)光的發(fā)光二極管的發(fā)展則相對滯后。2015年，曾海波教授[17]首次開發(fā)了全無機(jī)鈣鈦礦藍(lán)光發(fā)光二極管，通過對鈣鈦礦組分的改變，獲得了發(fā)光波長為455nm的藍(lán)光器件，器件的亮度為742cd m-2，但是最高的外量子效率只有0.07%，并且開啟電壓高達(dá)5.1V。2016年，加拿大多倫多大學(xué)Sargent教授課題組通過配體交換法，改變鈣鈦礦中鹵素原子比例，獲得了外量子效率為1.9%，亮度為35 cd m-2的藍(lán)光發(fā)光器件。2018年，哈佛大學(xué)羅蘭研究所的Congreve教授課題組[19]在制備藍(lán)光發(fā)光二極管時(shí)發(fā)現(xiàn)，如果用NiOx作為空穴傳輸層，鈣鈦礦會(huì)在上面發(fā)生猝滅現(xiàn)象，因此用PEDOT:PSS/ TFB/ PFI來替代NiOx，將藍(lán)光鈣鈦礦的發(fā)光亮度提高到111 cd m-2。隨后[20]，他們發(fā)現(xiàn)在鈣鈦礦納米晶中摻雜金屬M(fèi)n，可以進(jìn)一步減少薄膜中的缺陷態(tài),從而提高其熒光量子效率，將發(fā)光峰位于466nm的鈣鈦礦發(fā)光器件的外量子效率提高到2.12%，亮度提高為245 cd m-2。2019年，浙江大學(xué)金一政教授課題組[21]通過反溶劑法，制備了鑲嵌在準(zhǔn)二維鈣鈦礦中的量子限域的鈣鈦礦顆粒作為發(fā)光薄膜，實(shí)現(xiàn)了外量子效率為9.5%的藍(lán)光鈣鈦礦器件的制備，這是目前為止藍(lán)光發(fā)光器件的最高效率（圖 3a 和 b），為鈣鈦礦顯示屏的發(fā)展打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

因?yàn)殁}鈦礦具有發(fā)光波長可調(diào)的特性，通過對鈣鈦礦組分的調(diào)整，可以實(shí)現(xiàn)近紅外和可見光波段的發(fā)光二極管的制備，除了綠光和藍(lán)光發(fā)光二極管外，全鈣鈦礦紅光二極管也得到了迅速的發(fā)展。2016年，劍橋大學(xué)Greenham教授課題組[22]采用了一種新的汽化交聯(lián)方法使納米晶不溶，從而允許沉積后續(xù)的電荷注入層而不需要正交溶劑。使紅光發(fā)光二極管的EQE達(dá)到5.7%。同年，吉林大學(xué)的Zhang等人[23]利用聚乙烯亞胺（polyethylenimine）對鈣鈦礦薄膜進(jìn)行一個(gè)后處理，可以對鈣鈦礦薄膜的缺陷進(jìn)行很好地鈍化，極大地提高了薄膜的熒光量子產(chǎn)率，最終實(shí)現(xiàn)了電流效率為3.4 cd A-1和外量子效率6.3%的紅光發(fā)光二極管的制備。2017年，浙江大學(xué)金一政教授課題組和南京工業(yè)大學(xué)王建浦教授團(tuán)隊(duì)合作,使用PBA(phenylbutylammonium)對CsPbX3納米晶薄膜進(jìn)行鈍化，最終形成一種具有量子肼結(jié)構(gòu)PBA2(CsPbBr3)n-1PbBr4鈣鈦礦薄膜，經(jīng)過這種方法處理，不僅達(dá)到了外量子效率為10.4%的綠光器件，也得到了外量子效率為7.3%的鈣鈦礦紅光發(fā)光器件。2018年，吉林大學(xué)的Lu等人[24]使用銀（Ag）作為陰極，金（Au）和MoO3作為陽極，并且摻Ag鈍化全無機(jī)鈣鈦礦CsPbI3，Ag+可以提高鈣鈦礦薄膜的熒光量子產(chǎn)率，最終實(shí)現(xiàn)了外量子效率為11.2%的全無機(jī)鈣鈦礦紅光發(fā)光器件的制備（圖 3c 和 d）。

圖3 （a 和b）藍(lán)光發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)圖和光學(xué)性能測試圖（c 和d）紅光發(fā)光器件的實(shí)物圖和能級(jí)結(jié)構(gòu)圖

3 圖案化的CsPbX3發(fā)光薄膜

紅綠藍(lán)三色全無機(jī)鈣鈦礦發(fā)光二極管已經(jīng)取得了巨大的發(fā)展，綠光發(fā)光二極管的外量子效率已經(jīng)達(dá)到理論值，紅光和藍(lán)光發(fā)光二極管的外量子效率也都超過10%，這意味著在基礎(chǔ)的平面發(fā)光器件的制備中，全無機(jī)鈣鈦礦已經(jīng)基本達(dá)到商業(yè)化生產(chǎn)的需求。但是要想實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦顯示屏的制備，圖案化的薄膜制備是必須的，而前一部分講述的發(fā)光二極管都是采用旋涂法制備的，僅僅驗(yàn)證了鈣鈦礦材料和器件的結(jié)構(gòu)，目前現(xiàn)有的圖案化的制備技術(shù)包括蒸鍍、轉(zhuǎn)印、噴墨打印等技術(shù)。對于蒸鍍法來說，要想實(shí)現(xiàn)圖案化必須配備金屬鏤空掩膜版，而制備高精度（＜5μm）的金屬鏤空掩膜版，代價(jià)十分高昂，極大地提高了顯示屏的制造成本。對于轉(zhuǎn)印法來說，一般都配以光刻技術(shù)來制備高精度的印章，雖然能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率的制備，但是整個(gè)工藝流程復(fù)雜，成本高并且成品率較低。噴墨打印技術(shù)是一種無掩模、高材料利用率并且能夠大面積生產(chǎn)的制造技術(shù)，目前許多研究已經(jīng)證明其可以很好地與全無機(jī)鈣鈦礦相兼容，這也是目前在鈣鈦礦顯示屏制備中最具有潛力的一個(gè)技術(shù)，研究者們也針對噴墨打印技術(shù)制備鈣鈦礦顯示屏做了一些前期的研究。

2017年，宋延林課題組[25]通過基板對鈣鈦礦液滴附著力和溫度的研究，利用噴墨打印制備出單晶鈣鈦礦發(fā)光陣列。2019年，福州大學(xué)的李福山教授課題組[26]利用噴墨打印技術(shù)制備圖案化的鈣鈦礦發(fā)光薄膜，這驗(yàn)證了鈣鈦礦材料與噴墨打印技術(shù)的兼容性，在研究了打印基板溫度對薄膜形貌的影響后，展示了一些復(fù)雜圖案在剛性和柔性基板上的打印，但是分辨率不是很高。同年，華中科技大學(xué)的唐江教授和黃永安教授課題組[27]在2019年首次實(shí)現(xiàn)了5微米鈣鈦礦點(diǎn)陣的制備（圖 4a），并且對鈣鈦礦組分的調(diào)整，實(shí)現(xiàn)了鈣鈦礦全彩圖案的制備。緊接著，他們又對打印的鈣鈦礦薄膜質(zhì)量進(jìn)行研究[28]，通過加入高分子聚合物增加溶液黏度，并且結(jié)合強(qiáng)大的電流體噴印技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了咖啡環(huán)和鈣鈦礦晶粒的雙重控制（圖 4b），并且在剛性和柔性基板上制備了高質(zhì)量的復(fù)雜鈣鈦礦圖案，他們的工作顯示電流體噴印技術(shù)在鈣鈦礦顯示屏的制備中具有很大的潛力。

圖4 (a1 和 a2) 高分辨率綠光鈣鈦礦點(diǎn)陣(a3 和 a4) 鈣鈦礦全彩圖案 (b1-b3) 高質(zhì)量的鈣鈦礦圖案，依次為放大的熒光圖案(b4) 鈣鈦礦點(diǎn)陣的白光干涉儀的三維形貌圖

4 結(jié)語

全無機(jī)鈣鈦礦CsPbBr3因其優(yōu)異的光電性能、出色的穩(wěn)定性被廣泛地應(yīng)用于發(fā)光顯示領(lǐng)域。本文首先回顧了CsPbBr3材料本身的性質(zhì)，其發(fā)光光譜可調(diào)的特性為其在發(fā)光二極管中的應(yīng)用奠定了良好的基礎(chǔ)，到目前為止紅綠藍(lán)三色的發(fā)光二極管的外量子效率都超過10%，已經(jīng)基本滿足商業(yè)化生產(chǎn)的需求。隨后總結(jié)了鈣鈦礦薄膜圖案化加工技術(shù)的研究現(xiàn)狀，重點(diǎn)綜述了噴墨打印技術(shù)在鈣鈦礦圖案化薄膜制備中的應(yīng)用，這是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的必要條件。以上研究成果都表明全無機(jī)鈣鈦礦CsPbBr3在發(fā)光顯示領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用前景。