紫外增強圖像傳感器的研究進展

羅 磊，唐利斌，左文彬

〈綜述與評論〉

紫外增強圖像傳感器的研究進展

羅 磊1,2,3，唐利斌1,3，左文彬1,3

（1. 昆明物理研究所，云南 昆明 650223；2. 云南大學材料與能源學院，云南 昆明 650500；3. 云南省先進光電材料與器件重點實驗室，云南 昆明 650223）

近年來圖像傳感器在紫外成像的應用越來越廣泛，尤其是以CCD（charge coupled device）和CMOS（complementary metal oxide semiconductor）為主的紫外圖像傳感器受到了研究人員的廣泛關注。半導體技術的進步和納米材料的發(fā)展進一步推動了紫外圖像傳感器的研究。本文綜述了國內外紫外增強圖像傳感器的研究進展，介紹了幾種增強器件紫外響應的材料，另外還簡要概述了紫外圖像傳感器在生化分析、大氣監(jiān)測、天文探測等方面的應用，并討論了CCD/CMOS圖像傳感器在紫外探測方面所面臨的挑戰(zhàn)。

紫外增強；CMOS圖像傳感器；CCD

0 引言

紫外輻射作為一種非照明用的輻射源，是波長介于10～400nm的高能電磁輻射，在自然界和生活中隨處可見（能量為3～124eV），因為只有波長大于200nm的紫外輻射才能在空氣中傳播，所以紫外輻射一般被劃分為UVA（400～320nm）、UVB（320～280nm）和UVC（280～200nm）。除了太陽光是自然界紫外輻射的主要來源之外，如導彈尾焰、火箭羽煙、槍口火焰、火災火焰中也含有大量的紫外輻射，以及高壓電暈放電都會產(chǎn)生紫外輻射。由于早期的紫外探測器靈敏度較低，紫外探測技術的應用并不廣泛，但自從20世紀90年代雪崩倍增攝像管的出現(xiàn)，使得紫外探測器件靈敏度和光譜響應范圍得到了提升。相比紅外探測，紫外探測不需要低溫冷卻，能避開太陽造成的復雜背景和噪聲影響，虛警率很低。隨著紫外探測技術的不斷發(fā)展，紫外探測在天文探測、數(shù)碼產(chǎn)品、生物效應、醫(yī)療器械、光譜分析及大氣監(jiān)測等領域中的應用得到了極大的推廣[1-8]。

早期紫外傳感器主要以紫外真空型傳感器為主，如雙近貼紫外像管、紫外增強CMOS、紫外變像管、多陽極陣列傳感器、紫外電子轟擊CMOS等，其優(yōu)點是靈敏度高，可以在X射線波段響應，主要應用在極紫外（10～100nm）波段的天基紫外成像。然而其缺點是在電子加速轟擊下，極大地縮減了紫外圖像傳感器的壽命，而且器件體積較笨重、效率低且成本高，在實際應用中有一定的局限性。

這時，固態(tài)紫外圖像傳感器以其體積小、壽命長、耐惡劣環(huán)境、可靠性高等優(yōu)點受到廣泛的關注[9]，然而其熱噪聲較大、成本較高、響應波長受真空紫外波段限制，所以在高信噪比電路讀出和摻雜缺陷抑制方面亟待進一步研究。相比之下，以CMOS/CCD為基礎的硅基紫外圖像傳感器更易實現(xiàn)大面陣，成本比其他類型的圖像傳感器更低，性能也足以和真空型紫外圖像傳感器媲美，以及高分辨、低噪聲和高幀率的優(yōu)點使得硅基紫外圖像傳感器在短時間內主導紫外成像設備市場[10]。

1 CMOS和CCD圖像傳感器簡介

1.1 CMOS和CCD工作原理

CMOS是金屬-氧化物-半導體電容器，其成像原理如圖1(b)所示，每個像素都有自己的電荷電壓轉換器，每個像素單獨完成電荷電壓的轉換，直接將電荷轉換成電壓來實現(xiàn)成像，這使得CMOS的整體讀出效率非常高。與之相似的CCD有著體積小、壽命長、靈敏度高、畸變小等特性，其工作原理如圖1(a)所示，CCD是在像素上增加電壓，把像素里的電荷一個一個地從縱向逼到和它相鄰的像素里面，最后經(jīng)過一個共同輸出端，再經(jīng)過模擬數(shù)字轉換形成數(shù)字信息，最終實現(xiàn)成像。雖然CMOS圖像傳感器的靈敏度和動態(tài)范圍都沒有CCD圖像傳感器高，但因為其低成本和高集成度等優(yōu)勢，再加上近年來集成電路技術、電路消音技術和半導體電子技術的快速發(fā)展，CMOS圖像傳感器有了質的飛躍，彌補了CCD圖像傳感器的劣勢，二者在圖像傳感器領域相輔相成，表1對比了兩種圖像傳感器的特性。

1.2 圖像傳感器發(fā)展

20世紀60年代，美國貝爾實驗室首次提出了固態(tài)成像器件這一概念，隨后CMOS/CCD成像器件逐漸走進了人們的視野，其性能于近年來也不斷被完善。在成熟的成像器件基礎上直接增強紫外光譜響應，是實現(xiàn)紫外成像探測的有效手段，但是常規(guī)工藝的圖像傳感器在紫外波段響應較低，主要存在以下幾個問題：①圖像傳感器表面的電極和鈍化層會吸收紫外光，削弱了到達光電二極管的紫外光；②硅材料在紫外區(qū)域的折射率會發(fā)生很大變化，導致其吸收深度較淺（～10nm）[11]；③大部分CMOS外延層厚度相較CCD要薄，只有CCD的1/2甚至更薄，所以對CMOS減薄技術要求更嚴格。針對以上問題，將前照式結構替換成背照式結構來避免金屬排線層和鈍化層對入射光線的阻擋和吸收，光線可以無阻擋到達光電二極管，提高了光線利用率，其結構示意圖如圖1(c)和(d)所示，隨后在背照式結構基礎上，采用堆棧結構和Cu-Cu連接的方式引入電路單元芯片，使像素區(qū)域和電路區(qū)域分離到不同芯片上，不僅繼承了背照式的優(yōu)點，還克服了其在制作上的限制和缺陷，可同時實現(xiàn)高功能化和高畫質化，其結構如圖1(e)和(f)所示，除此之外，通過半導體工藝對器件進行表面離子注入和激光退火處理等方法使紫外輻射到達光吸收層，減少硅材料在紫外波段的反射和提高其折射率來增強圖像傳感器在紫外波段的響應。表2總結了近年來通過半導體工藝處理的CMOS/CCD圖像傳感器。

表1 CMOS與CCD圖像傳感器參數(shù)對比

2 紫外增強材料及原理

2.1 紫外增強原理

紫外響應增強技術的基本原理是利用材料吸收紫外輻射后發(fā)射的熒光與圖像傳感器響應靈敏度高的波段相匹配的特性，從而來增強傳感器的紫外響應能力。當材料吸收能量后，電子（主要是p電子和f、d電子）會從基態(tài)（價帶）躍遷至更高能量的激發(fā)態(tài)（導帶），留下價帶空穴，能級變化會造成輻射衰變釋放光子從而產(chǎn)生熒光。一般情況下的電子都處于基態(tài)，被光照射的電子會吸收與其具有相同特征頻率的光子，然后電子從基態(tài)被激發(fā)到第一或第二電子激發(fā)態(tài)，此時的狀態(tài)是不穩(wěn)定的，從而又會躍遷回基態(tài)，這時就會輻射出與激發(fā)它的光具有同樣特征頻率的光；由于電子在躍遷過程中存在非彈性碰撞和熱損失，這時輻射光子的能量會小于外來吸收光子的能量，根據(jù)愛因斯坦光子理論＝/可以看出，當能量減小時，波長會向長波方向移動，所以輻射出的熒光波長會大于入射光波長，這樣就可以將紫外光轉換成可見光[29-30]。

圖1 圖像傳感器工作原理和結構示意圖：(a)，(b)，(c)和(d)分別為CCD、CMOS、前照式圖像傳感器結構和背照式圖像傳感器結構[12]；(e) 堆棧式CMOS圖像傳感器；(f) 具有Cu-Cu雜化鍵合的新型堆棧式背照CMOS圖像傳感器及器件截面圖[13]

表2 紫外增強CMOS/CCD圖像傳感器

2.2 有機紫外增強材料

從20世紀末以來，科研人員就對有機熒光材料進行了一系列的研究，從相關報道[31-34]來看，有機熒光粉是目前使用較多且紫外熒光效果較好的一種有機材料，其研究材料主要以六苯并苯（Coronene）和Lumogen為主。

六苯并苯又稱為暈苯，通常情況下為淡黃色粉末，是一種以苯環(huán)為單位的七環(huán)芳香烴化合物，在波長小于400 nm紫外輻射情況下，發(fā)射光譜峰值在500nm左右。1979年，Blouke等報道了涂覆160 nm暈苯的紫外增強CCD，紫外區(qū)域轉換效率整體提升10%[33]。1980年，Blouke等采用物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）法制備了暈苯薄膜，該薄膜發(fā)光光譜峰值在500 nm左右，紫外波段外量子效率為9%@253.7 nm，但紫外區(qū)域整體熒光轉換效率偏低[34]。

Lumogen是目前制備紫外增強膜使用最多的一種有機熒光材料。Lumogen熔點為295℃，蒸發(fā)或熔化時形成細長晶體，其化學結構有4個苯環(huán)，如圖2(a)所示。1980年，為了評估Lumogen的紫外響應能力，Cowens等分別用涂覆160～200nm的暈苯和360nm Lumogen的二極管進行實驗，實驗發(fā)現(xiàn)暈苯和Lumogen都能使發(fā)射峰向長波方向移動，而且兩種材料增強的二極管在紫外波段的量子效率都超過25%[31]。隨后，Viehmann等報道了熒光量子產(chǎn)率分別為60%和50%的暈苯和Lumogen，而且還指出在一定溫度范圍內它們的熒光效率不受溫度影響[35]。1991年，Morrissey等報道的Lumogen紫外增強CCD，在紫外短波區(qū)域量子效率峰值可達16%[32]?；谥皩umogen薄膜的研究，已經(jīng)證明了其可以很好地匹配CCD及其它紫外探測器件的響應波段，但對Lumogen薄膜的穩(wěn)定性還存在一些疑問。隨后Blouke等研究了Lumogen薄膜的穩(wěn)定性，將CCD器件在253nm窄寬帶紫外輻射下曝光15h，結果顯示紫外增強CCD器件的量子效率幾乎未發(fā)生改變，但在95℃真空下Lumogen薄膜會出現(xiàn)孔隙[36]。2005年，Deslandes等研究了Lumogen? Yellow S0790染料的晶體結構以及對光學性質的影響，通過PVD制備的薄膜表面比較粗糙，從圖2(b)紫外吸收光譜中可以看出Lumogen吸收光譜中紫外線區(qū)域輻射的能力，分析發(fā)現(xiàn)該材料在80℃下退火時晶體的結構和形態(tài)會發(fā)生顯著變化[37]。

近年來國內多所研究機構也對有機熒光轉換材料增強CMOS/CCD紫外光譜響應進行了研究[38-40]。2010年，張大偉課題組研究了Lumogen薄膜的發(fā)光原理與光學常數(shù)，實驗結果表明該Lumogen薄膜折射率在1.3左右，說明該膜具有增透效果。同時，發(fā)現(xiàn)Lumogen薄膜在可見光波段（＞470nm）有較好的透過性，用紫外光激發(fā)會產(chǎn)生峰值為523nm的黃綠光，且激發(fā)光譜較寬（240～490nm）[41]。同年，杜等研究了暈苯增強CCD的紫外響應，鍍膜前后對比如圖2(c)所示，在波長為253.6nm的紫外光信號強度提升了10倍以上[40]。隨后姜等用旋涂法制備的Lumogen薄膜在可見光波段透過率較高，對紫外波段的光具有較強的吸收[39]。2014年，何等通過旋涂法和熱蒸發(fā)法制備暈苯薄膜，并對其性能進行了表征。測試發(fā)現(xiàn)：熱蒸發(fā)所得薄膜反射率在紫外波段略高于旋涂法制備的薄膜；另外，兩種成膜方式下的薄膜樣品在可見光波段的透過率均能達到80%以上，薄膜的透過率和反射率如圖2(d)所示[42]。2017年，馮等對Lumogen薄膜的旋涂工藝進行了改進，薄膜在紫外波段313 nm處紫外探測靈敏度提升1.6倍[43]。同年，劉等采用真空熱阻蒸鍍的方式制備了不同幾何厚度的CMOS紫外增強膜，從圖2(e)可以得出鍍制厚度為389nm的Lumogen薄膜的CMOS圖像傳感器的量子效率提高最為明顯，在紫外波段提高了10%左右[44]。

有機熒光轉換材料用于紫外增強圖像傳感器的不足之處是熒光量子產(chǎn)率不高，在紫外輻射下有機分子會以一定速率發(fā)生指數(shù)降解，導致發(fā)光效率下降。當Lumogen薄膜暴露在高能下時會升華，并經(jīng)常在器件陣列上不均勻地重新凝結，在薄膜上留下針孔，使硅陣列暴露，導致效率損失。

2.3 無機紫外增強材料

無機紫外增強材料可以在它使用期限的前2%時間里，減少90%的降解量，因此，無機材料具有非常優(yōu)越的穩(wěn)定性。

圖2 有機、無機稀土摻雜化合物增強紫外圖像傳感器：(a) Lumogen結構；(b) Lumogen薄膜紫外-可見吸收光譜[37]；(c) 鍍膜前(i)和鍍膜后(ii)的CCD汞燈譜線[40]；(d) 不同方法制備的暈苯薄膜的反射和透射光譜圖[42]；(e) 不同膜層厚度下的CMOS圖像傳感器在紫外波段范圍內的量子效率[44]；(f) LiSr(1-3x/2)VO4:xTb3+的熒光激發(fā)和發(fā)射光譜[45]

2003年，Nathan等用一種無機磷光涂料代替有機熒光染料來增強圖像傳感器紫外響應能力，通過一種新的沉積技術使傳感器的光響應非均勻性降解降低了4倍，器件的量子效率達12%@265nm，但沉積的薄膜存在大量孔隙[46]。2009年，劉等用“旋涂法”法制備了稀土錳摻雜的Zn2SiO4紫外增強薄膜，對300nm以下的光具有很強的吸收，對300nm以上的光吸收很弱且很平穩(wěn)，實驗結果表明Zn2SiO4:Mn薄膜適用于紫外增強CCD/CMOS圖像傳感器[47]。2014年，Sheng等將Eu3＋復合材料嵌入到聚甲基丙烯酸甲酯中作為紫外-可見光轉換膜并涂覆至石英襯底上，所制薄膜的熒光量子產(chǎn)率為77%@337nm，衰減壽命為0.75ms[48]。2018年，臺等對Nd3＋-Yb3＋共摻雜的透明YAG玻璃陶瓷進行了研究，在335nm紫外光激發(fā)下，發(fā)射兩個980nm的近紅外光子，量子效率高達185%[49]。2019年，Kamni等報道了通過燃燒方法制備了LiSrVO4:Tb3＋磷光粉，在331nm紫外輻射下，發(fā)射峰為545 nm，如圖2(f)所示[45]。

無機稀土摻雜材料相較有機材料的理論光轉換效率更高，具有生物毒性低、較大的Stokes位移、熒光壽命長、高溫穩(wěn)定等優(yōu)異性能[50]。同時稀土摻雜材料用于增強圖像傳感器紫外響應還有一些不足之處：如吸收系數(shù)低，成膜難度大[51]；發(fā)光衰減時間長，不利于高速成像[46]；共摻雜能量傳遞時，低濃度摻雜受體對能量傳遞效率的影響不大，而高濃度摻雜受體會引起濃度淬滅[49]。

2.4 量子點紫外增強材料

量子點（quantum dot, QD）材料具有強紫外吸收、高熒光量子產(chǎn)率、帶隙可調、穩(wěn)定性好、可溶液制備和響應時間快等優(yōu)點，與有機共軛發(fā)光材料和無機稀土發(fā)光材料相比，在高能輻射下有更好的穩(wěn)定性，而且還有更高的分解溫度，是增強器件紫外響應的理想材料[52-54]。

2011年，Geyer等將核殼結構的PbS/CdS量子點嵌入到PMMA（Polymethyl methacrylate）中作為發(fā)光下轉換層，用來改善光電探測器的紫外響應能力，紫外波段的外量子效率提升至21%[55]。2013年，張等提出一種由旋涂法制備的量子點復合紫外響應薄膜，實驗結果表明：與單層量子點薄膜相比，PEDOT:PSS和poly-TPD復合膜可以大幅度提高熒光強度，并指出造成該結果是因為復合膜削弱了散射增強了量子點熒光發(fā)射，同時還提出，該量子點復合膜可以將190～300nm的紫外光轉換為400～500nm的可見光[56]。Yuan等提出了基于ZnCdS:Mn/ZnS核殼量子點的紫外全景探測系統(tǒng)，圖3(a)為在紫外光和可見光照射下的納米復合膜的示意圖，薄膜的熒光量子產(chǎn)率最高可達63.7%，Mn的摻雜可以調節(jié)發(fā)射峰的峰值，另外由于Mn的熒光壽命較長，所以摻雜Mn可將量子點的熒光壽命提升至毫秒級，這種長壽命發(fā)射可以避免生物成像應用中背光和散射光的干擾，可以提高紫外探測器在強可見光下對弱紫外光信號的探測效率[57]。Bahareh等在CdSe/ZnS量子點上生長二氧化硅，形成量子點/二氧化硅納米晶，對合成的結構和光學性質進行了表征，并顯示出較強的光致發(fā)光特性，但熒光壽命略有下降，從圖3(b)明顯可以看出核殼結構量子點在紫外波段的吸收強度要高于硅基量子點的吸收強度[58]。2015年，Ninkov等通過Optomec氣溶膠噴射快速成型系統(tǒng)制備了CdSe/ZnS量子點薄膜，并首次將量子點集成到CMOS中，增強了傳感器對紫外輻射的響應能力[59]，圖3(c)是傳感器在可見光（i）和紫外光（ii）下的圖像，該量子點核殼結構示意圖如圖3(d)所示，其核心材料被更寬帶隙的殼層包裹，以改變表面光滑度和增加量子產(chǎn)額，添加有機配體是為了將量子點懸浮在溶劑中，并且可以進行修飾以適應特定的配體。為了提高CMOS紫外光敏感度，2017年Knowles等利用氣溶膠噴射打印技術在硅基襯底上沉積了CdSe/ZnS量子點薄膜，其熒光發(fā)射光譜如圖3(e)中所示，與單層量子點薄膜相比，沉積兩層和三層的量子點薄膜熒光發(fā)射峰發(fā)生紅移，造成紅移的原因是相鄰量子點發(fā)生聚集。2019年，Williams等將水溶性CdSe/ZnS量子點分散在MgF2溶膠凝膠中，通過噴墨印刷的方式，在CMOS傳感器上集成了可見光區(qū)域透明的量子點，該器件結構如圖3(f)所示，結果發(fā)現(xiàn)MgF2成功分離了基質中的量子點，沒有出現(xiàn)明顯的團聚現(xiàn)象[60]。

圖3 量子點增強紫外CMOS器件：(a) 納米復合薄膜在紫外光和可見光照射下的示意圖[57]；(b) CdSe/ZnS量子點和硅基量子點納米復合物的吸收和熒光光譜圖[58]；(c) 在可見光(i)和紫外光(ii)照射下的量子點涂層CID86器件[59]；(d) CdSe/ZnS量子點示意圖；(e) 不同膜層的CdSe/ZnS量子點薄膜的熒光發(fā)射光譜[61]；(f) 量子點涂覆器件的結構圖[60]

與傳統(tǒng)的需要熱注入方法制備的Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族量子點相比，鹵化物鈣鈦礦量子點最具吸引力的特征是它可以實現(xiàn)整個可見光范圍內的連續(xù)可調發(fā)射，以及半高峰寬窄和合成可行性高，在紫外增強應用中具備更多的優(yōu)勢。鈣鈦礦材料化學通式為ABX3（A=CH(NH2)2, CH3NH3; B=Pb, Sn, Cu; X=Cl, Br, I），晶體結構如圖4(a)所示。

2015年，瑞士聯(lián)邦理工大學Kovalenko課題組制備出發(fā)射波長可調的CsPbX3（X=Cl, Br, I）量子點，其吸收和發(fā)射光譜如圖4(b)所示，熒光量子產(chǎn)率最高可達90%[62]。同年，北京理工大學鐘海政課題組通過配體輔助再沉淀法（ligand-assisted reprecipitation, LARP）在室溫下制備了量子產(chǎn)率為70%的CsPbX3（X=Cl, Br, I）量子點[63]。然而，用這種方法得到的鈣鈦礦量子點在溶液狀態(tài)下穩(wěn)定性較差，其主要原因是配體鈍化不足而導致的[64]。為了解決這個問題，嘗試用丙酮作為非溶劑[65]或直接采用噴霧合成法[64]來制備鈣鈦礦量子點，但得到的量子點尺寸不均勻。Jang等研究了非溶劑（MeOAc、甲醇和丙酮等）對合成的鈣鈦礦量子點的產(chǎn)率、光學性質和穩(wěn)定性的影響。從圖4(c)中可以看到用MeOAc洗滌的量子點吸收強度是其他幾種非溶劑吸收強度的10～20倍[66]。

2016年，北京理工大學鐘海政課題組首次提出了鈣鈦礦量子點光學膜的原位制備技術，進一步合成出分布均勻的高光學性能鈣鈦礦量子點增強聚偏氟乙烯（Polyvinylidene fluoride，PVDF）復合膜，其熒光量子產(chǎn)率超過90%[67]。隨后，北京理工大學王嶺雪課題組和鐘海政課題組合作，通過原位制備技術獲得熒光量子產(chǎn)率高達94% @ 354nm、厚度在1～6mm可調、非吸收區(qū)光學透明度高達89%的鈣鈦礦量子點/聚偏氟乙烯復合薄膜（PQDCF），并將其與EMCCD（Electron-Multiplying CCD）器件結合，可使紫外區(qū)量子效率達到15.1% @ 290nm，圖4(d)是PQDCF紫外增強Si光電二極管結構示意圖，圖4(e)給出了旋涂上PQDCF前后的EMCCD的外量子效率變化情況，旋涂PQDCF后在240～400nm波段范圍內的平均量子效率增加至15.1%。圖4(f)是PQDCF的熒光光譜圖，插圖為在日光和紫外光照射下該復合膜的透光性變化情況，可以看到在365nm紫外光的照射下PQDCF膜發(fā)出的熒光明顯增強，透光性減弱，已無法看到膜下的圖案[68]。

圖4 鈣鈦礦量子點增強紫外CCD器件：(a) 鈣鈦礦結構示意圖；(b) CsPbX3膠體量子點溶液的熒光成像圖和相應的熒光光譜[62]；(c) MAPbBr3量子點的紫外-可見吸收光譜和透射電鏡圖像[66]；(d) PQDCF紫外增強硅光電二極管結構示意圖；(e) PQDCF旋涂前后的EMCCD成像傳感器的外量子效率；(f) PQDCF的熒光光譜及在室內日光（上）和365nm紫外燈下（下）的照片[68]

3 紫外增強圖像傳感器應用

紫外增強圖像傳感器技術的進步使其在各領域都有廣泛的應用，如天文探測、生化分析、大氣監(jiān)測、電暈放電、日盲檢測等。

近年來，紫外成像技術被引入制藥領域，用于片劑的質量控制，圖5(b)是片劑在可見光和紫外光下的成像圖，（i）和（ii）為無包衣片劑，（iii）和（iv）是包衣破損片劑，通過紫外成像可以監(jiān)測片劑有無包衣且包衣是否發(fā)生破損[69]。圖5(a)顯示了抗糖尿病藥物二甲雙胍模擬在胃環(huán)境中溶解的紫外和可見吸收透射圖像，藥劑在可見光和紫外光照射下都有明顯的溶脹，但只有在255nm紫外波段下才能檢測到二甲雙胍的釋放。紫外成像通過實時監(jiān)測藥物的溶脹、沉淀、擴散和分配現(xiàn)象，有可能為制劑開發(fā)中的藥物溶解和釋放過程提供新的途徑[4]。

二氧化硫（SO2）在300～320nm有很強的紫外吸收帶，過去已經(jīng)用差分光學吸收光譜和紫外成像對該物質進行了一系列大氣遙感測量。特別是發(fā)電站的煙囪向大氣中排放二氧化硫，而遙感這些排放是監(jiān)測其是否合法合規(guī)的一種有效手段。圖5(c)顯示的是648×486像素陣列的校準SO2圖像，SO2含量與實際值誤差只有25ppm·m，而之前報道的用昂貴的科學級相機監(jiān)測SO2的誤差達30ppm·m，與之相比，這種低成本器件應用在紫外成像檢測更有潛力[70]。

哈勃望遠鏡第三代廣域相機搭載紫外和紅外兩個探測器，其中紫外探測器采用兩個4k×2k背照射紫外增強CCD進行組裝，其組裝圖如圖5(e)所示，用來替換第二代Lumogen紫外增強CCD探測器，可實現(xiàn)200～1000nm的光譜響應[71]。歐洲航天局（European space agency，ESA）的太陽軌道探測器項目也進一步推動了紫外CMOS的研究進展[72]。2020年，Rochus等報道了太陽軌道飛行器的極紫外成像儀，共3個成像通道，其中兩個通道搭載了像元為3072×3072的低功耗、高動態(tài)范圍CMOS圖像傳感器，相比其他成像器件而言更能在這種惡劣環(huán)境中適應，圖5(d)是極紫外高分辨成像相機模型[72]。為監(jiān)測近紫外波段的太陽輻射，Tripathi等報道了一款太陽紫外成像望遠鏡（Solar ultraviolet imaging telecope，SUIT），如圖5(f)所示，是印度空間研究組織（Indian space research organisation，ISRO）Aditya-L1衛(wèi)星上的一個儀器，使用被動冷卻紫外CCD探測器，用兩個過濾輪可實現(xiàn)波長200～400nm范圍內紫外探測[73]。

圖4 圖像傳感器在紫外成像方面的應用：(a) 鹽酸二甲雙胍可見透射和紫外吸收圖像[4]；(b) 片劑的可見光和紫外圖像[69]；(c)電站煙囪校準后的SO2圖像[70]；(d) 高分辨率極紫外相機模型[72]；(e) 哈勃望遠鏡第三代相機的CCD探測器封裝圖[71]；(f) SUIT所有子系統(tǒng)的有效載荷[73]

4 結束語

硅半導體技術的進步推動了圖像傳感器的發(fā)展，在可靠性、集成度、大面陣、成本等方面都有明顯的進步，由于硅本身性質使得圖像傳感器在紫外波段的低響應率、低量子效率限制了其進一步發(fā)展。伴隨紫外探測技術的廣泛應用需求，發(fā)展高響應率、高量子效率的紫外圖像傳感器仍面臨一些挑戰(zhàn)：①盡管目前可以用半導體工藝（背減薄、表面離子注入、激光退火和減反射膜）來改善圖像傳感器在紫外波段的響應能力，但其整體效果不太理想；②雖然可以通過傳統(tǒng)的Lumogen、暈苯等有機熒光轉換材料提升圖像傳感器的紫外探測效率，但綜合其穩(wěn)定性、熒光量子產(chǎn)率、成本和光學性能來考慮，需要進一步研究新的有機發(fā)光材料體系；③量子點材料與聚合物的非原位復合會引起相鄰量子點發(fā)生團聚，導致其熒光量子產(chǎn)率和量子點薄膜透過率不高。綜合來看，紫外增強圖像傳感器相較于GaAlN基紫外焦平面探測器具有成本低、工藝與硅基器件兼容等特點，仍然值得在此方向開展相關的基礎及應用研究。

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Research Progress in Ultraviolet Enhanced Image Sensors

LUO Lei1,2,3，TANG Libin1,3，ZUO Wenbin1,3

(1.,650223,;2.,650500,;3.,650223,)

In recent years, image sensors are more and more widely used in ultraviolet imaging, especially the ultraviolet image sensors based on CCD and CMOS have attracted intensive attention of researchers. The progress of semiconductor technology and the development of nanomaterials further promote the research of ultraviolet image sensor. In this review, the research progress of ultraviolet enhanced image sensor at home and abroad is reviewed, and several materials enhancing the ultraviolet response of the device are introduced. In addition, the applications of ultraviolet image sensor in biochemical analysis, atmospheric monitoring and astronomical detection are briefly summarized, and the challenges faced by CCD/CMOS image sensors in ultraviolet detection are discussed.

ultraviolet enhancement, CMOS image sensor, CCD

TN204

A

1001-8891(2021)11-1023-11

2021-11-10；

2021-11-13.

羅磊（1997-），男，碩士研究生，研究方向是紫外增強CMOS圖像傳感器。

唐利斌（1978-），男，研究員級高級工程師，博士生導師，主要從事光電材料與器件的研究。E-mail: sscitang@163.com。

國家重點研發(fā)計劃（2019YFB2203404）；云南省創(chuàng)新團隊項目（2018HC020）。