同為“DDR5” 漸行漸遠的幾種內(nèi)存

具體來說，DDR5 是從目前主流的DDR4發(fā)展而來。2016年DDR4內(nèi)存在市場中剛剛開始進入主流，廠商們就在籌劃下一代內(nèi)存了，這一規(guī)范主要由三星提出，美光參與。具體性能方面，規(guī)劃中的DDR5從DDR4規(guī)劃的最高頻率——3.2GHz等效頻率起跳，這點在真正確定規(guī)格的時代顯然已經(jīng)過時，所以12代酷睿支持的第一代DDR5標準產(chǎn)品就是4.8GHz的，且6GHz產(chǎn)品已經(jīng)出現(xiàn)。此外規(guī)劃中的容量為16GB起跳，電壓1.1V，這點與最終確定的DDR5規(guī)格基本一致，現(xiàn)在廠商還特別喜歡提供雙通道套裝（圖1），實際容量就成了32GB雙通道起步了。

具體的方法當(dāng)然就是更精確的電壓控制，使得每個時鐘周期的數(shù)據(jù)傳輸量（等效傳輸頻率）提升一倍（圖2），為此還加入了很多相關(guān)技術(shù)，并采用更先進的制程工藝，以保證高頻運行的穩(wěn)定性。

在顯存技術(shù)上，GDDR3和更早的顯存可以看作是相應(yīng)的主內(nèi)存顆粒進行了適當(dāng)改造后引入到顯卡上的產(chǎn)物。但到了GDDR4時代，因為顯存的更新速度已經(jīng)甩下了主內(nèi)存顆粒，因此開始在GDDR3的基礎(chǔ)上，根據(jù)顯卡、GPU的需求自行發(fā)展，與主內(nèi)存顆粒的差別越來越大。

現(xiàn)在顯存顆粒更偏向于高位寬，可以用更少的顆粒提供足夠帶寬，但在一定程度上犧牲了延遲，尺寸也略大一些。此外顯存顆粒還會盡量提升運行效率，獲得更高的等效頻率，同時降低功耗。例如GDD R5（圖3）的等效頻率可達9Gbps，位寬可達512bit，遠超DDR5。

后來的GDDR 6（圖4）變化更大一些，每個芯片配置了兩條×8/×16通道，電壓下降到1.35V，耗能降低了35%左右，同時針腳（觸點）數(shù)量也比之前的GDDR5X更少，生產(chǎn)、使用都更方便。

所謂的LPDDR 系列，則是（Low Power Double DDR，低功耗DDR內(nèi)存）的簡稱。在LPDDR3及更早的時代，它們的技術(shù)、架構(gòu)也與同代D D R 內(nèi)存基本相同，但使用非常低的電壓等設(shè)置，使其功耗大幅降低。不過隨著移動設(shè)備，特別是手機的發(fā)展，其核心也特化成了集成內(nèi)存、存儲等部件的SoC（System on Chip，芯片級系統(tǒng)或片上系統(tǒng)）。要被集成進小小的SoC（圖5），LPDDR的設(shè)計當(dāng)然也與主內(nèi)存顆粒有了巨大的差別。

還有一種被稱為DDRL的低電壓、低功耗內(nèi)存，曾主要用于筆記本電腦中，它們與LPDDR是沒有關(guān)系的，只是更加成熟或工藝更好的DDR主內(nèi)存，可用更低電壓達到需要的頻率而已。例如DDR3的標準電壓為1.5V，而DDR3L（圖6）只需使用1.35V的電壓，同樣可達到1600MHz的等效頻率。

DDR主內(nèi)存、GDDR顯存、LPDDR低功耗內(nèi)存雖然已經(jīng)走出了自己的道路，在頻率、性能、功耗等方面相差越來越大（圖7），但并沒有完全變成不同種類的內(nèi)存。例如當(dāng)前兩款最新的游戲主機都采用基于AMD Zen2處理器核心+RDNA2顯示核心的主芯片，它們就是將GDDR6作為主內(nèi)存+顯存使用的（圖8），說明架構(gòu)完全兼容，一些特種PC也完全可以采用類似的配置。