徐亞軍,張 博,沈英華,李永奇,馬小紅,劉鵬飛
(新疆眾和股份有限公司,新疆 烏魯木齊 830013)
半導(dǎo)體集成電路(IC)的快速發(fā)展及集成度的增加使其對金屬互連線的質(zhì)量要求進(jìn)一步提高。超高純鋁合金靶材作為IC制造中金屬互連線的主要配套材料,其市場規(guī)模日益擴(kuò)大。濺射靶材對材料成分有極高的要求,其鋁基純度達(dá)到99.999%以上。濺射靶材產(chǎn)品中常添加少量的銅或硅合金,主要目的為改變鋁合金靶材的熱膨脹系數(shù),從而消除薄膜中的產(chǎn)生的壓縮參與應(yīng)力從而消除膜層起包現(xiàn)象。
楊亞卓[1]等人研究了熱處理對99.9995%的高純ALSi1%合金第二相的影響。結(jié)果顯示高純AL-Si1%合金均熱溫度高于530℃,保溫時間7h后,合金中的枝晶偏析基本消除。鑄錠冷鍛、中間退火后冷軋加工,70%大變形量下,再結(jié)晶溫度約300℃,平均晶粒度為55μm。退火溫度高于420℃晶粒長大。對于AL-Si1%合金,大變形量的塑性變形對Si相的破碎和細(xì)化效果不明顯,均勻化處理是消除及細(xì)化硅相的有效手段。
針對高純?yōu)R射靶材用鋁硅合金及鍵合絲用鋁硅絲的變形加工及性能的研究國內(nèi)加工廠家及高校已有較多相關(guān)研究。而鋁硅濺射靶材用棒材坯料目前主要由德國、法國及日本進(jìn)口。一方面是鋁硅濺射靶材用原料純度較高,國內(nèi)高純鋁原料的提純工藝受限,另一方面是超純鋁基鋁硅合金棒材的熔煉及鑄造工藝經(jīng)驗(yàn)匱乏。
濺射靶材用超純鋁基合金中銅及硅合金均為少量摻雜,通常摻雜比例低于8%,且因鋁基純度的高標(biāo)準(zhǔn)要求,合金鑄造過程無法使用細(xì)化劑進(jìn)行組織調(diào)控,故鑄造過程合金內(nèi)部極易形成缺陷組織如浮游晶、羽毛晶等。本文通過超純鋁基硅合金AL-Si1%產(chǎn)品內(nèi)部缺陷檢測,分析缺陷產(chǎn)生原因并提出預(yù)防措施。
本實(shí)驗(yàn)試制了φ150mm圓鑄錠,棒材成分見表1所示。
表1 AL-Si1%鋁合金棒材化學(xué)成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù)%)
試驗(yàn)樣品為高純鋁基鋁硅合金鑄錠,合金組分ALSi1%。由4根棒材頭尾部鋸切φ150mm×25mm樣片,樣片表面銑面至光潔度Ra1.6,采用3wt%的燒堿溶液腐蝕5min~10min后進(jìn)行表面觀察。
觀察宏觀腐蝕樣片中組織狀態(tài)有柱狀晶組織,羽毛狀晶組織、光亮晶組織。
為進(jìn)一步分析組織特性,由宏觀樣片中鋸切25mm×25mm×25mm的金相觀察小樣。使用240#砂紙將試樣鋸切痕跡打磨干凈,后依次使用600#,1000#,1500#,2000#砂紙打磨。將磨好的試樣在拋光機(jī)上進(jìn)行拋光,使用9μm金剛石拋光膏拋至表面無可見劃痕,使用新的拋光布配合3μm金剛石拋光膏拋至樣品表面為鏡面。
采用覆膜液對小樣進(jìn)行陽極覆膜。覆膜液配比為氫氟酸:氟硼酸:蒸餾水=15:(10-15):400;覆膜工藝為電壓15V~25V,覆膜時間3-5min,覆膜液溫度≤5℃。覆膜完成后使用OLYMPUS GX51光學(xué)顯微鏡偏光下觀察金相組織。
Al-Si1wt%合金鑄態(tài)柱狀晶金相組織如圖1所示。
圖1 Al-Si1%合金鑄態(tài)柱狀晶組織
宏觀觀察柱狀晶組織由初晶殼內(nèi)重新結(jié)晶或由初晶殼直接生長為柱狀晶,柱狀晶組織由棒材邊部萌生,匯聚在棒材心部。柱狀晶組織在橫截面的面積及形狀取決于液穴深度。
Al-Si1wt%合金鑄態(tài)柱狀晶金相組織如圖2所示。
羽毛狀晶的低倍組織是由許多平行的結(jié)晶細(xì)條組成如圖2(a)所示。平行的長條具有孿晶組織特征,其孿晶面是(111),孿晶方向<112>。每條晶粒一邊為平直的,另一邊呈鋸齒狀。羽毛晶的生長方向與鑄錠的傳熱方向相同。
觀察圖2(b)中箭頭所示部位羽毛狀晶的起源是在柱狀晶的晶界處。關(guān)于羽毛晶的產(chǎn)生原因仍無定論,但其中較為合理的一種解釋是半連續(xù)鑄造過程中,結(jié)晶前沿某處發(fā)生異常過冷,即該處的溫度梯度發(fā)生突變,與正常溫度梯度存在較大偏差時,與傳熱方向相同的枝晶則快速生長,從而抑制了其他方向枝晶的生長形成羽毛晶[2]。
圖2 Al-Si1%合金鑄態(tài)羽毛狀晶組織
從宏觀組織觀察浮游晶在色澤上與正常組織不同,相比正常組織更亮。從不用角度觀察,均可看到其金屬光澤亮與其他組織有明顯區(qū)別。微觀組織25倍下觀察光亮晶組織為樹枝狀晶。沿主干兩側(cè)長出長度基本相同的枝晶,整體分析浮游晶尺寸不均,小尺寸為300μm~400μm,較大尺寸有2mm~4mm。將浮游晶組織放大至100X觀察單個枝晶組織寬度約30μm~80μm平行均勻排列,符合自發(fā)形核及自由生長組織特征。
鑄錠內(nèi)部的羽毛狀晶及浮游晶由于其組織形態(tài)特性與其他組織明顯不同,取向及成分偏析造成棒材內(nèi)部性能不均勻,而由于組織特征的遺傳特性,對加工后成品組織有不同程度的影響。應(yīng)用于濺射靶材的棒材坯料,通過加工工序?yàn)殄懺?、軋制、鋸切、精加工、綁定(焊接)至濺鍍成膜。羽毛狀晶和浮游晶在后加工工序無法消除。根據(jù)前期研究結(jié)果顯示,鍛造前的高溫均熱,可實(shí)現(xiàn)硅相的有效細(xì)化,但無法改變晶粒形態(tài)。鑄錠中大片狀的羽毛晶及發(fā)達(dá)枝晶的浮游晶組織,經(jīng)變形后會被一定程度的破碎,但組織仍保留本來的取向及晶體結(jié)構(gòu)。特別是羽毛狀晶經(jīng)破碎后其孿晶的組織狀態(tài)不會發(fā)生變化。
圖3 Al-Si1%合金鑄態(tài)浮游晶組織
前期相關(guān)研究顯示,帶有羽毛狀晶的靶材經(jīng)濺鍍后殘靶表面仍帶有羽毛狀晶的形態(tài),形成平行深入的濺鍍坑。正常的柱狀晶組織經(jīng)變形及退火后,其組織破碎為細(xì)小的等軸晶組織,濺鍍深度均勻,殘靶表面無異常的凹坑。羽毛狀晶濺鍍過程由于明顯的取向特性,濺鍍過程延固定方向深入,極易造成基板表面成膜厚度不均,影響最終成膜質(zhì)量。
因而,鑄錠內(nèi)部不允許存在異常組織或?qū)Ξ惓=M織占比有要求標(biāo)準(zhǔn)。異常組織在鑄造凝固過程中萌生,后期加工過程無法使其消除,故其管控措施主要集中在熔鑄工序。
2.4.1 羽毛晶組織控制措施
因?yàn)R射靶材應(yīng)用的超純鋁基鋁硅合金無法使用異質(zhì)添加劑,故羽毛晶管控措施主要集中在鑄造工藝參數(shù)的管控:
(1)冷卻水:需同時控制鑄盤內(nèi)冷卻水壓及結(jié)晶器出水眼的水壓及水流的均勻控制。
(2)鋁液溫度:控制鑄盤內(nèi)部不同區(qū)域的鋁液溫度均勻,防止溫度異常偏差。鋁液熔煉過程溫度過高及熔煉時間過長均會提高羽毛晶出現(xiàn)傾向。
2.4.2 浮游晶組織的控制措施
(1)耐火材料充分烘烤:流槽及鑄盤內(nèi)部耐火材料的充分及均勻烘烤,避免溫度不均勻。高溫鋁液接觸耐火材料后溫度快速下降至凝固點(diǎn)將造成鋁液在耐火材料表面結(jié)晶后脫落至結(jié)晶器內(nèi)。
(2)鋁液溫度過低:鑄盤內(nèi)鋁液溫度過低時,鋁液在結(jié)晶器上部耐火材料或分流盤表面結(jié)晶也會形成浮游晶。
現(xiàn)階段棒材鑄造多采用熱頂式結(jié)晶器,熱頂式結(jié)晶器上部的保溫層為耐火材料。為降低鋁液到達(dá)結(jié)晶器的后的熱量散失,鑄造前會對結(jié)晶器上部的耐火材料進(jìn)行烘烤、預(yù)熱。常用的預(yù)熱方式有燃?xì)猓扇細(xì)猓┖婵?、熱風(fēng)烘烤及電烘烤。
燃?xì)夂婵痉绞揭驗(yàn)槌杀镜停b置簡單應(yīng)用較為普遍,但存在烘烤溫度不均的問題。燃?xì)饪拷课粶囟燃眲∩?,而距離較遠(yuǎn)部位溫度較低。故鋁液接觸耐火材料后由于耐火材料本身溫度不均,通過熱傳導(dǎo)導(dǎo)致鋁液局部溫度不均,增加缺陷組織形成風(fēng)險。隨鑄造過程的持續(xù)進(jìn)行,經(jīng)熱傳導(dǎo)鋁液溫度緩慢均勻。
電烘烤與燃?xì)夂婵敬嬖谕瑯拥膯栴},熱源接觸部位溫度偏高,而遠(yuǎn)離部位溫度偏低。
近幾年快速推廣的熱風(fēng)烘烤可解決烘烤溫度不均問題,更有利于棒材鑄造前鑄造設(shè)備溫度的均勻管控。
超純鋁基鋁硅1%合金中由于鋁基純度的高標(biāo)準(zhǔn)要求,抑制羽毛狀晶及浮游晶最有效的晶粒細(xì)化劑無法使用,故異常組織控制集中在鑄造工藝參數(shù)的管控,包括鋁液溫度、冷卻工藝及鑄造前準(zhǔn)備工序。