頻率超過部分DDR5，有用嗎？　金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存實(shí)戰(zhàn)體驗(yàn)

不知大家是否還記得DDR4內(nèi)存剛進(jìn)入市場時(shí)的頻率是多少？對(duì)，就是與DDR3超頻版內(nèi)存相當(dāng)?shù)腄DR4 2133、DDR42400。相信當(dāng)時(shí)不少玩家都有些略感失望，畢竟頻率沒有比DDR3高多少，而廠商也隨即向消費(fèi)者保證在未來會(huì)推出頻率達(dá)到甚至超過DDR4 4000的產(chǎn)品。隨著技術(shù)的發(fā)展，從現(xiàn)在市場上的產(chǎn)品來看，廠商當(dāng)年的諾言顯然早已實(shí)現(xiàn)，眾多DDR44000、DDR4 4266內(nèi)存出現(xiàn)在市場上。

更讓人驚喜的是，在DDR4內(nèi)存進(jìn)入“生命”末期，DDR5內(nèi)存即將登臺(tái)亮相（注：預(yù)計(jì)在今年第四季度隨英特爾第12代酷睿處理器Alder Lake一起發(fā)布）的今天，有內(nèi)存廠商推出了頻率甚至超過部分DDR5內(nèi)存的DDR4內(nèi)存，這就是來自金士頓的FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存。要知道主流DDR5內(nèi)存的頻率也就在DDR5 4800左右，那么在現(xiàn)有處理器上使用頻率如此高的內(nèi)存能為用戶帶來怎樣的體驗(yàn)？金士頓是如何讓DDR4內(nèi)存工作在這么高的頻率呢？

SK海力士DJR顆粒+高電壓設(shè)置 金士頓FURY叛逆者DDR4 5333解析

自金士頓將旗下HyperX高端品牌出售給惠普后，金士頓就馬上打造了新的金士頓FURY品牌來彌補(bǔ)在高端市場上的缺失。其實(shí)FURY對(duì)金士頓的用戶來說并不陌生，長期以來，已有多款型號(hào)中含有“FURY”的金士頓內(nèi)存上市，只是這些產(chǎn)品僅使用金士頓這一品牌名，而這也預(yù)示著金士頓FURY品牌旗下將主要由存儲(chǔ)產(chǎn)品組成。首批上市的金士頓FURY內(nèi)存由叛逆者（Renegade）、野獸（Beast）、風(fēng)暴（Impact）三大系列的產(chǎn)品組成。其中叛逆者（Renegade）內(nèi)存的定位最高端，采用大型散熱器，具有高頻、低延遲的性能特性，用戶既能使用XMP一鍵超頻，也可以手動(dòng)超頻榨干內(nèi)存的潛力;野獸（Beast）的定位偏主流一些，采用輕薄型散熱器，支持XMP一鍵超頻技術(shù);風(fēng)暴（Impact）則是采用SO- DIMM板型的筆記本內(nèi)存，但也支持XMP超頻技術(shù)，具有即插即用、自動(dòng)超頻、節(jié)能高效的特點(diǎn)，主要瞄準(zhǔn)高端游戲本市場。

本次我們就將對(duì)金士頓FURY叛逆者中的旗艦：DDR45333 16GB套裝（8GB×2）進(jìn)行測試。從內(nèi)存外觀可以看到，其實(shí)金士頓FURY叛逆者與之前的駭客神條Predator非常相似。它配備了由鋁合金材質(zhì)打造，外形加入雙向魚骨造型的黑色散熱片。同時(shí)散熱片的高度大幅縮減，從金手指到散熱片頂部的高度只有約42mm，有效提升了內(nèi)存與大型風(fēng)冷散熱器的兼容性。與當(dāng)今內(nèi)存相比，該內(nèi)存唯一缺失的就是沒有配備RGB LED，所以沒有RGB燈效，畢竟這款內(nèi)存的主要賣點(diǎn)是以性能為主。

這款16GB套裝產(chǎn)品由兩條單根容量為8GB的內(nèi)存組成，每根內(nèi)存采用單面8顆粒設(shè)計(jì)。從理論上來看，要想讓其工作在DDR4 5333頻率下也非常簡單，用戶只要在支持英特爾XMP或AMD D.O.C.P技術(shù)的主板BIOS里開啟內(nèi)存一鍵超頻功能，即可一鍵將內(nèi)存超頻到DDR4 5333下使用。當(dāng)然要想工作在DDR45333下還需要主板具備支持高頻內(nèi)存的能力，一些主流主板即便支持內(nèi)存超頻技術(shù)，但由于做工或設(shè)計(jì)不到位，也很可能無法支持頻率超過DDR4 4533的內(nèi)存。所以用戶在購買高頻內(nèi)存前，最好先查閱主板規(guī)格，了解所用主板能支持的最高內(nèi)存頻率。

如主板能支持DDR4 5333這樣的高頻率，那么在打開內(nèi)存XMP一鍵超頻技術(shù)后，內(nèi)存的頻率就會(huì)自動(dòng)提升到DDR45333，延遲設(shè)置為20-30-30- 52@1T，內(nèi)存電壓則提升至1.6V。

這也是金士頓FURY叛逆者能工作在DDR4 5333下的第一個(gè)“秘訣”：較高的工作電壓。一般DDR4 3000頻率以內(nèi)的主流DDR4內(nèi)存的工作電壓只有1.2V，DDR4 5000以內(nèi)的高頻DDR4內(nèi)存的工作電壓一般在1.35V～1.5V。而這款內(nèi)存的工作電壓則達(dá)到了更高的數(shù)值。原因也很簡單，就是像處理器超頻一樣，通過使用高電壓令內(nèi)存能穩(wěn)定工作在更高的頻率。

同樣與處理器超頻類似，如果自身“體質(zhì)”不行，那么無論使用多高的電壓，也難以達(dá)到更高的頻率。金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)部則采用了在超頻玩家中口碑不錯(cuò)的SK海力士DJR顆粒，并且這些顆粒還是通過人工挑選，優(yōu)中選優(yōu)的顆粒。DJR顆粒由海力士的1Ynm新制程打造，其特性非常類似三星已停產(chǎn)的B- DIE顆粒，具有高頻率、“吃”電壓（注：在安全范圍內(nèi)，電壓越高越容易達(dá)到高頻率）的特性。在高電壓、高延遲設(shè)置下，能比較容易地超頻到DDR4 4600以上的頻率。所以更高的工作電壓，優(yōu)質(zhì)特挑的SK海力士DJR顆粒就是金士頓FURY能推出叛逆者DDR4 5333內(nèi)存的兩大“功臣”。

此外，為了讓內(nèi)存在無法支持DDR4 5333頻率的主板上也能提供較高的性能，金士頓FURY叛逆者DDR4 5333還提供了一套DDR4 4000的頻率配置，打開XMP功能后，可選擇該配置將內(nèi)存一鍵超頻到DDR4 4000。在DDR4 4000下，內(nèi)存的延遲設(shè)置為19-23-23- 42，工作電壓則為常見的1.35V。

高頻內(nèi)存目前面臨兩大桎梏！

不過隨著處理器架構(gòu)的改變，目前無論是英特爾還是AMD處理器都很難“享受”到100%的高頻內(nèi)存性能，特別是頻率超過DDR4 4000的內(nèi)存，原因就在于處理器內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化。首先在第十一代酷睿處理器上，由于換用了新架構(gòu)，其處理器內(nèi)部的內(nèi)存控制器工作模式也有所變化，提供了GEAR 1、GEAR 2兩種模式。其中在GEAR 1模式下，內(nèi)存控制器與內(nèi)存頻率相同，即1：1，意味著內(nèi)存與內(nèi)存控制器能完美地同步工作。不過由于內(nèi)存控制器能達(dá)到的頻率有限（注：根據(jù)《微型計(jì)算機(jī)》評(píng)測室的測試來看，在普通散熱環(huán)境、GEAR 1模式下，內(nèi)存控制器與內(nèi)存的最高同步工作頻率在DDR4 3733左右），遠(yuǎn)低于內(nèi)存能達(dá)到的頻率，所以英特爾在第十一代酷睿上又推出了GEAR 2模式。在該模式下內(nèi)存控制器的頻率只有內(nèi)存頻率的一半，如果你想將內(nèi)存頻率超頻到DDR4 5333，那么內(nèi)存控制器只需要設(shè)置在2666MHz下就可以了。GEAR 2模式的出現(xiàn)大幅提高了十一代酷睿處理器對(duì)高頻內(nèi)存的支持能力，但增加了延遲。原因很簡單：內(nèi)存控制器的速度比內(nèi)存慢，所以內(nèi)存必須等待內(nèi)存控制器完成數(shù)據(jù)傳輸后，才能進(jìn)行下一次傳輸。

AMD平臺(tái)也有類似的問題，在AMD處理器內(nèi)部，IF（InfinityFabric）總線負(fù)責(zé)將內(nèi)存數(shù)據(jù)傳送給計(jì)算核心，IF的總線時(shí)鐘頻率與內(nèi)存時(shí)鐘頻率以1∶1的方式捆綁在一起。簡單來說，工作在1800MHz下的IF總線的等效數(shù)據(jù)傳輸帶寬與DDR4 3600內(nèi)存相同，但如果用戶使用頻率更高的內(nèi)存，如DDR4 4000，而IF總線頻率仍保持為1800MHz的話，那么內(nèi)存就必須等待速度慢的IF總線將數(shù)據(jù)傳輸完畢后，才能進(jìn)行下一次傳輸，帶來額外的延遲。根據(jù)《微型計(jì)算機(jī)》評(píng)測室的測試來看，在普通散熱環(huán)境下，IF總線所能達(dá)到的最高頻率在2000MHz左右，也就是說AMD銳龍?zhí)幚砥饕话阒荒芘c頻率最高為DDR4 4000的內(nèi)存“無縫銜接”，超過DDR4 4000的內(nèi)存在傳輸數(shù)據(jù)時(shí)就必須“等待”IF總線完成工作后再進(jìn)行下一次傳輸。

我們?nèi)绾螠y試

那么像金士頓FURY叛逆者DDR4 5333這樣的超高頻內(nèi)存在實(shí)戰(zhàn)測試中，能否為用戶帶來更好的體驗(yàn)?zāi)兀拷酉聛砦覀兲氐夭捎没谟⑻貭柕谑淮犷Ｌ幚砥髌炫灒嚎犷9-11900K的測試平臺(tái)在GEAR 2模式下對(duì)它進(jìn)行了測試。測試中我們不僅采用AIDA64、SiSoftware Sandra測試了它的內(nèi)存性能，還使用PerformanceTest 10.1、GeekBench 5.4.1等基準(zhǔn)軟件測試了內(nèi)存對(duì)處理器性能的影響。同時(shí)我們還通過實(shí)際渲染測試、轉(zhuǎn)碼測試，加密與解密測試，以及游戲性能測試，測試了內(nèi)存性能對(duì)實(shí)際應(yīng)用、游戲體驗(yàn)的影響。

為了更直觀地體現(xiàn)內(nèi)存性能對(duì)電腦的意義，我們還采用了以GEAR 1模式運(yùn)行的DDR4 2133@15-15-15- 36@2T、DDR43733@15- 15- 15- 36@2T內(nèi)存，以及以GEAR 2模式運(yùn)行的DDR4 4533@19-23-23- 42@1T內(nèi)存與金士頓FURY叛逆者DDR4 5333進(jìn)行了全面對(duì)比測試。

測試點(diǎn)評(píng)：首先從內(nèi)存性能測試來看，頻率占優(yōu)的金士頓FURY叛逆者DDR4 5333在內(nèi)存帶寬上占有壓倒性的優(yōu)勢，其在AIDA64的內(nèi)存讀寫帶寬分別可達(dá)73775MB/s、75109MB/s，而采用GEAR 1模式運(yùn)行的DDR4 3733內(nèi)存在這兩項(xiàng)測試中的成績只有它的76.6%、72.4%。同樣，以GEAR 2模式運(yùn)行的DDR4 4533內(nèi)存雖然在帶寬性能測試上位居第二，但與金士頓FURY叛逆者DDR4 5333相比也有明顯的差距。原因也很簡單，內(nèi)存帶寬的計(jì)算公式=內(nèi)存工作頻率×內(nèi)存總線位寬/8，在內(nèi)存總線位寬相同的情況下，內(nèi)存工作頻率的高低就是內(nèi)存帶寬大小的決定因素。

而從內(nèi)存延遲測試來看，頻率較高，參數(shù)延遲設(shè)置最低且與內(nèi)存控制器同步工作的DDR4 3733內(nèi)存擁有最低的整體訪問延遲，金士頓FURY叛逆者DDR4 5333雖然各參數(shù)延遲的設(shè)置較高，且內(nèi)存與內(nèi)存控制器異步工作，但憑借極高的內(nèi)存工作頻率，其整體訪問延遲也不算高，在所有內(nèi)存中位居第二。這是因?yàn)闆Q定內(nèi)存整體訪問延遲的因素較為復(fù)雜，由內(nèi)存各參數(shù)延遲設(shè)置，處理器內(nèi)部架構(gòu)、緩存大小、內(nèi)存工作頻率、內(nèi)存控制器頻率或相關(guān)總線頻率等多個(gè)因素決定。所以盡管DDR4 5333的各參數(shù)延遲設(shè)置在參測內(nèi)存中是最高的，但借助高得多的內(nèi)存工作頻率，它的整體訪問延遲僅略高于DDR4 3733。而頻率最低，各參數(shù)延遲設(shè)置并不高的DDR4 2133內(nèi)存不僅整體訪問延遲最高，帶寬也最低。

各有勝負(fù) 處理器性能測試

測試點(diǎn)評(píng)：我們知道，內(nèi)存的作用是暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，當(dāng)工作開始后，操作系統(tǒng)就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)從內(nèi)存調(diào)到CPU中進(jìn)行運(yùn)算。因此內(nèi)存?zhèn)鬏敂?shù)據(jù)到處理器中的速度越快（即內(nèi)存的延遲）、數(shù)量（即內(nèi)存的帶寬）越多，處理器的運(yùn)算效率就會(huì)更高。當(dāng)然處理器的運(yùn)算能力是有一定限度的，在數(shù)據(jù)傳輸量達(dá)到或接近處理器的計(jì)算能力極限時(shí)，單純提升內(nèi)存性能不會(huì)帶來太大的改變。而從處理器性能測試來看，DDR4 2133內(nèi)存顯然無法與酷睿i9-11900K的計(jì)算能力匹配，在這一頻率下，不論是在PerformanceTest 10.1、GeekBench 5.4.1還是《魯大師》測試中，與使用其他高頻內(nèi)存的平臺(tái)都有巨大的差距。如DDR42133內(nèi)存平臺(tái)的PerformanceTest 10.1處理器性能只有使用金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存平臺(tái)的65.2%。不過與另外兩個(gè)使用高頻內(nèi)存的測試平臺(tái)對(duì)比，三款高頻內(nèi)存在處理器性能上的差異就比較小了，互有勝負(fù)。原因就是如前面所說，在內(nèi)存性能達(dá)到一定的高度，接近處理器計(jì)算能力極限時(shí)，內(nèi)存性能的不同不會(huì)帶來太大的差異。

差異也不大 應(yīng)用性能測試

測試點(diǎn)評(píng)：在軟件應(yīng)用上的測試也如處理器性能測試一般，DDR4 2133內(nèi)存顯然無法滿足酷睿i9-11900K的需求，因此無論是它的渲染時(shí)間還是轉(zhuǎn)碼時(shí)間都是最長的。其在Corona 1.3渲染測試中的消耗時(shí)間比使用金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存的平臺(tái)多了39%;在HandBrake H.264 4K視頻轉(zhuǎn)H.265 4K視頻測試中，其耗時(shí)則多了達(dá)47%。不過三款高頻內(nèi)存之間的差距則不大，互有勝負(fù)，差異很小。就原因來說是因?yàn)橛行?yīng)用更依賴內(nèi)存帶寬，因此DDR4 5333、DDR4 4533在TrueCrypt AES加密解密性能測試中的表現(xiàn)要稍好一些，同時(shí)金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存還在CINEBENCH R20處理器多核心渲染性能測試中取得了第一。而在Corona 1.3、V- RAY渲染測試與WinRAR壓縮性能測試中，這三個(gè)測試不僅需要內(nèi)存帶寬，更依賴內(nèi)存的響應(yīng)速度，所以DDR4 3733內(nèi)存位居前列。

DDR4 5333獲得小幅領(lǐng)先 游戲性能表現(xiàn)較好

測試點(diǎn)評(píng)：游戲性能測試令人驚喜，雖然高頻內(nèi)存彼此間的差距仍然不大，但可以看出這三款游戲?qū)?nèi)存帶寬還是非?！翱是蟆钡?，因此金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存最終在這三款游戲中都獲得了小幅領(lǐng)先，幀數(shù)小幅領(lǐng)先于其他兩個(gè)高頻內(nèi)存平臺(tái)。而DDR4 2133內(nèi)存平臺(tái)則因?yàn)閮?nèi)存性能過差，無法充分發(fā)揮出處理器的性能，導(dǎo)致在使用GeForce RTX 3090顯卡的情況下，其在《全面戰(zhàn)爭：特洛伊》游戲中的平均運(yùn)行幀數(shù)也不到金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存平臺(tái)的三分之一，因此高頻內(nèi)存對(duì)游戲PC也是十分重要的。

可在DDR4 5333下通過20分鐘AIDA64烤機(jī)測試

測試點(diǎn)評(píng)：接下來我們通過AIDA64內(nèi)存烤機(jī)測試，測試了另一個(gè)大家非常關(guān)注的問題—在如此高的頻率下，內(nèi)存能否穩(wěn)定工作？在如此高的電壓設(shè)置下，內(nèi)存發(fā)熱量會(huì)不會(huì)很大？而結(jié)果讓人有些意外，金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存的1.6V默認(rèn)工作電壓無法保證內(nèi)存在DDR4 5333下通過烤機(jī)測試，一般測試1～2分鐘就會(huì)出錯(cuò)。因此我們將內(nèi)存工作電壓提升到了1.65V后，接下來的結(jié)果讓人滿意。在1.65V電壓、DDR4 5333工作頻率下，金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存通過了時(shí)長20分鐘的烤機(jī)測試。這也意味著除了少量的內(nèi)存密集型應(yīng)用，可以保證內(nèi)存在絕大部分應(yīng)用中都不會(huì)出錯(cuò)，用戶能夠在DDR4 5333這一高頻率下放心使用內(nèi)存。

同時(shí)得益于高品質(zhì)的散熱器，在1.65V電壓、DDR4 5333工作頻率下長時(shí)間高負(fù)荷工作后，內(nèi)存的工作溫度也沒有上升到太驚人的數(shù)值，其散熱片表面最高溫度在60.8℃左右，發(fā)熱量并不算特別大。

內(nèi)存性能優(yōu)于普通高頻內(nèi)存，但僅限重度發(fā)燒友選購

綜合以上測試，我們認(rèn)為如果單純地從內(nèi)存性能上來看，金士頓FURY叛逆者DDR4 5333的表現(xiàn)的確非常突出，其在AIDA64內(nèi)存性能測試中最高75109MB/s的傳輸帶寬遠(yuǎn)優(yōu)于普通雙通道內(nèi)存，可以和低頻四通道內(nèi)存系統(tǒng)匹敵。同時(shí)它能通過一定時(shí)間的高負(fù)載烤機(jī)測試，也顯示像DDR4 5333這樣的超高頻DDR4內(nèi)存具備實(shí)用性，不出意外，它的性能甚至?xí)燃磳l(fā)布的部分DDR5內(nèi)存還要好。因?yàn)椴簧俣ㄎ恢髁鞯腄DR5內(nèi)存起步頻率也就DDR5 4800，但參數(shù)延遲設(shè)置在40- 40- 40-77左右，遠(yuǎn)比DDR4內(nèi)存高。

總之從產(chǎn)品自身角度來看，金士頓FURY叛逆者D DR45333的表現(xiàn)優(yōu)秀，但它面對(duì)著一些難以解決的外部問題。首先就是如測試中所示，由于處理器計(jì)算性能有限，再加上內(nèi)存控制器無法與超高頻內(nèi)存同步工作，所以即便酷睿i9-11900K這類旗艦處理器采用DDR4 5333內(nèi)存也不會(huì)在處理器、應(yīng)用與游戲性能上帶來太大的變化。而最后一個(gè)更大的問題就是，這類DDR4超高頻內(nèi)存的售價(jià)非常高，因?yàn)檫@類內(nèi)存除了要選用技術(shù)工藝先進(jìn)的內(nèi)存顆粒外，還需要人工測試挑選出其中能在高頻下穩(wěn)定工作的顆粒，工作量非常大，最終導(dǎo)致這款16GB內(nèi)存套裝的售價(jià)就高達(dá)8599元。顯然這絕不是大部分人所能承受的，這個(gè)價(jià)格已經(jīng)與一臺(tái)配備RTX光追顯卡、高性能處理器的游戲本相當(dāng)。

因此我們認(rèn)為，金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存其實(shí)更像是金士頓FURY新品牌的一個(gè)實(shí)力展示，顯示叛逆者內(nèi)存的確具備當(dāng)今無出其右的內(nèi)存性能。所以它更適合那些不計(jì)成本，力求沖擊各項(xiàng)世界紀(jì)錄、成績的超頻玩家、重度發(fā)燒友。對(duì)于這些專業(yè)人士而言，金士頓FURY叛逆者DDR4 5333內(nèi)存將是奪得勝利的保障。